反激式开关电源的RCD吸收电路的设计讲义Word文档下载推荐.doc

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设计电路的原则

①限制MOS功率管的最大反向峰值电压

②减小RCD电路的损耗。

上述两者，是相互矛盾的，取折中的办法。

二：

设计RCD吸收电路的过程

在设计之前，电路的频率、主变压器、输出电路的参数、MOS功率管全部确定。

①计算在最大输入交流电压时，输出的最大直流电压VDC

VDC=1.4*VAC

单位：

Ｖ

②次级电压反射到初级的等效电压ＶＯＲ

Ｖ（ＯＲ）=（ＶＦ+ＶＯ）*ＮＰ/ＮＳ

ＶＦ:

二极管的正向最大电压降，单位：

ＶＯ:

输出的电压值，考虑精度波动范围,单位：

ＮＰ:

初级匝数

ＮＳ:

次级匝数

③ＭＯＳ功率管的源—栅极之间的最大耐压值ＶＤ的余量值Ｖ（ＤＳ）

ＶＤＳ=１０%*ＶＤ

单位：

④ＲＣＤ吸收回路的电压Ｖ（ＲＣＤ）

　　Ｖ（ＲＣＤ）＝[ＶＤ-Ｖ（ＤＣ）-Ｖ（ＤＳ）]*９０%

　　　单位：

三：

ＲＣＤ试验调整

①上述ＲＣＤ电压值是理论值，通过试验调整，使得实际值和理论值相吻合

②Ｖ（ＲＣＤ）＞１．３Ｖ（ＯＲ）

若实际测量值小于１．３倍的话，说明选取的ＭＯＳ功率管的ＶＤ值太小．

③ＭＯＳ功率管的ＶＤ＜２Ｖ（ＤＣ）

若实际测量值大于２倍的话，说明选取的ＭＯＳ功率管的ＶＤ值太大．

④Ｖ（ＲＣＤ）＜１．２Ｖ（ＯＲ）

说明ＲＣＤ吸收回路会影响开关电源的效率．

⑤Ｖ（ＲＣＤ）是有Ｖ（ＲＣＤ１）和Ｖ（ＯＲ）组成的．

⑥ＲＣ时间常数τ是有开关电源的频率确定，一般选择１０—20个周期。

⑦选择RC:

任意选取瓷片电容和电阻，一般为电阻几十K电阻——几百K的电阻，

电容选择几nF——几十nF不等。

任意选择R、C的值，通入交流电压，调节调压器，根据先低压后高压、先轻载后重载的原则，试验过程中观察V（RCD）的值，务必V（RCD）的值小于理论值，调节调压器时，当等于理论值时，停止试验，把R值变小，重新调整。

合适的RC标准：

当高压、重负载时，V（RCD）实际测量值等于理论值。

⑧R的功率应根据V（RCD）的最大值所得，一般计算值的2倍。

、

⑨RCD吸收回路的R值越小，开关电源的效率越低；

R值越大，MOS功率管有可能被击穿。