模拟cmos集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准PPT文档格式.ppt

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2、RefCh.11#5,概述,西电微电子：模拟集成电路原理,Bandgap RefCh.11#6,本讲内容,概述与电源无关的偏置与温度无关的基准PTAT电流的产生恒定Gm偏置实例分析,西电微电子：模拟集成电路原理,Bandgap RefCh.11#7,与电源无关的偏置,如何产生IREF？,西电微电子：模拟集成电路原理,Bandgap RefCh.11#8,与电源无关的偏置,西电微电子：模拟集成电路原理,Bandgap RefCh.11#9,与电源无关的偏置,西电微电子：模拟集成电路原理,Bandgap RefCh.11#10,本讲内容,概述与电源无关的偏置与温度无关的基准PTAT电流的产生恒定G

3、m偏置实例分析,西电微电子：模拟集成电路原理,Bandgap RefCh.11#11,与温度无关的偏置,负温度系数电压,当VBE750mV，T300K，为1.5mV/K,西电微电子：模拟集成电路原理,Bandgap RefCh.11#12,与温度无关的偏置,正温度系数电压,西电微电子：模拟集成电路原理,Bandgap RefCh.11#13,与温度无关的偏置,VREF=1VBE+2（VTln n）,1=1 根据室温时温度系数之和为零，得到：2 ln n17.2 VREFVBE+17.2VT=1.25,西电微电子：模拟集成电路原理,Bandgap RefCh.11#14,与温度无关的偏置,西电微

4、电子：模拟集成电路原理,Bandgap RefCh.11#15,与温度无关的偏置,西电微电子：模拟集成电路原理,Bandgap RefCh.11#16,与温度无关的偏置,西电微电子：模拟集成电路原理,Bandgap RefCh.11#17,与温度无关的偏置,西电微电子：模拟集成电路原理,Bandgap RefCh.11#18,与温度无关的偏置,西电微电子：模拟集成电路原理,Bandgap RefCh.11#19,与温度无关的偏置,西电微电子：模拟集成电路原理,Bandgap RefCh.11#20,本讲内容,概述与电源无关的偏置与温度无关的基准PTAT电流的产生恒定Gm偏置实例分析,西电微电子

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