模拟cmos集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准PPT文档格式.ppt

模拟cmos集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准PPT文档格式.ppt

《模拟cmos集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准PPT文档格式.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《模拟cmos集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准PPT文档格式.ppt（30页珍藏版）》请在冰豆网上搜索。

模拟集成电路原理,BandgapRefCh.11#2,本讲内容,概述与电源无关的偏置与温度无关的基准PTAT电流的产生恒定Gm偏置实例分析,西电微电子：

模拟集成电路原理,BandgapRefCh.11#3,本讲内容,概述与电源无关的偏置与温度无关的基准PTAT电流的产生恒定Gm偏置实例分析,西电微电子：

模拟集成电路原理,BandgapRefCh.11#4,概述,基准是直流量，与电源和工艺参数的关系小，与温度的关系是确定的。

目的：

建立与电源和工艺无关，具有确定温度特性的直流电压和电流。

形式：

与绝对温度成正比（PTAT）常数Gm特性与温度无关,西电微电子：

模拟集成电路原理,BandgapRefCh.11#5,概述,西电微电子：

模拟集成电路原理,BandgapRefCh.11#6,本讲内容,概述与电源无关的偏置与温度无关的基准PTAT电流的产生恒定Gm偏置实例分析,西电微电子：

模拟集成电路原理,BandgapRefCh.11#7,与电源无关的偏置,如何产生IREF？

西电微电子：

模拟集成电路原理,BandgapRefCh.11#8,与电源无关的偏置,西电微电子：

模拟集成电路原理,BandgapRefCh.11#9,与电源无关的偏置,西电微电子：

模拟集成电路原理,BandgapRefCh.11#10,本讲内容,概述与电源无关的偏置与温度无关的基准PTAT电流的产生恒定Gm偏置实例分析,西电微电子：

模拟集成电路原理,BandgapRefCh.11#11,与温度无关的偏置,负温度系数电压,当VBE750mV，T300K，为1.5mV/K,西电微电子：

模拟集成电路原理,BandgapRefCh.11#12,与温度无关的偏置,正温度系数电压,西电微电子：

模拟集成电路原理,BandgapRefCh.11#13,与温度无关的偏置,VREF=1VBE+2（VTlnn）,1=1根据室温时温度系数之和为零，得到：

2lnn17.2VREFVBE+17.2VT=1.25,西电微电子：

模拟集成电路原理,BandgapRefCh.11#14,与温度无关的偏置,西电微电子：

模拟集成电路原理,BandgapRefCh.11#15,与温度无关的偏置,西电微电子：

模拟集成电路原理,BandgapRefCh.11#16,与温度无关的偏置,西电微电子：

模拟集成电路原理,BandgapRefCh.11#17,与温度无关的偏置,西电微电子：

模拟集成电路原理,BandgapRefCh.11#18,与温度无关的偏置,西电微电子：

模拟集成电路原理,BandgapRefCh.11#19,与温度无关的偏置,西电微电子：

模拟集成电路原理,BandgapRefCh.11#20,本讲内容,概述与电源无关的偏置与温度无关的基准PTAT电流的产生恒定Gm偏置实例分析,西电微电子：

模拟集成电路原理,BandgapRefCh.11#21,PTAT电流的产生,西电微电子：

模拟集成电路原理,BandgapRefCh.11#22,PTAT电流的产生,西电微电子：

模拟集成电路原理,BandgapRefCh.11#23,本讲内容,概述与电源无关的偏置与温度无关的基准PTAT电流的产生恒定Gm偏置实例分析,西电微电子：

模拟集成电路原理,BandgapRefCh.11#24,恒定Gm偏置,西电微电子：

模拟集成电路原理,BandgapRefCh.11#25,本讲内容,概述与电源无关的偏置与温度无关的基准PTAT电流的产生恒定Gm偏置实例分析,西电微电子：

模拟集成电路原理,BandgapRefCh.11#26,实例分析,PMOS电流镜保证Q1Q4的集电极电流相等,西电微电子：

模拟集成电路原理,BandgapRefCh.11#27,实例分析,西电微电子：

模拟集成电路原理,BandgapRefCh.11#28,实例分析,西电微电子：

模拟集成电路原理,BandgapRefCh.11#29,实例分析,西电微电子：

模拟集成电路原理,BandgapRefCh.11#30,实例分析,