1、DD007多层板设计规范一、目的建立多层板设计标准,统一设计、便于多层板生产管理和品质管理。二、适用范围及制程:适用于 所有多层板。三、内容(一) P片、板料及厚度设计1、P片选择:目前本公司之P片有3类:7628HR, 2116HR,1080HR;P片压合后厚度理论中值如下: P片类型压合厚度(理论中值)1080HR3.5 mil2116HR5.2 mil7628HR8.2 mil注此厚度为不含内层蕊板填胶的厚度计算2、P片选择优先顺序:(1)介电层厚度符合客户规格(2)板厚符合Spec.要求(3)在客户同意原则下,优先使用单张P片(4)单价低(5)树脂含量、填充性:7628HR(47%)2
2、116HR(57%) 100mil)。 假铜皮规格: Pad直径:40mil; Pad与Pad圆心距:140mil; 以上规格适用于所有需添加假铜皮之空旷区,以取代以往之不良及不足处.例如 所有填加假铜皮作业,需考虑外层基准Pad.导流孔.内层镀金导线等相关作业,以不影响设计正常作业及成型板为原则。空旷区及导流口设计原则:a.空旷区(或空旷区较密集区域)尽可能朝外排列b.成形区内若有客户要求的空矿区无法加假铜皮,小片间之空旷区不要相邻排列c.若成型区空旷区大于coupon测试面积时,应考虑铜皮厚度薄铜制程d.板边垂直角处设计四条导流口,宽度100mil,如下图 正确错误HDI板(内层、L2/L
3、n-1层)需在板子长边中间各开一个100mil的槽,(五)板弯曲控制设计1、 阻抗条:阻抗条设计位置应于出货单元对称位置或出货单元之外,若位于一侧,则极易引起板扭曲;2、 内层线路:当内层线路总体不对称时,在s/s层面尽可能添加假铜皮,以填充大部分区域,减弱内部应力,降低扭曲度。3、 压板Lay-up介质层间厚度无阻抗要求时的不对称板,若厚度于公差范围内,则设计压板厚Lay-up为对称。4、 内外层各层留铜面积相差20%以上,尽量建议客户次大铜皮修改不铜网,或在铜少的层面增加铜皮,以减少板曲。(六)、盲、埋孔设计a. 管位孔设计多次压板,多次钻孔的盲、埋孔板,在压合后钻管位孔需要多套管位孔,一
4、次压板需要一套,两次压板需要两套,依此类计,但每一套的管位距应从里到外布置,每一套距离以0.5inch 为 宜,并在每一次压板后需要生产的位置做好明显的数字标记,防止钻错管位,钻坏板。如:b. 对位系统设计多次压板的盲、埋孔板,在每一次压合后,需要再钻一次管位孔,在每一次外层及钻镭射和机械孔时,对管位孔的精度直接影响钻孔和外层图形的精度,因此,在生产管位时,要求均以第一次内层做为基准,每一次走完外层后需要将内层的管位图形留出来,防止外层图形对位偏差造成多次偏差累积,因此在外层图形生产时必须将内层的图形显现,如下图:(七)高内介质层六层板设计: 六层板若内层(L3-4)介质层厚度要求超过30mi
5、l而外层(L2-3,L4-5介质层较薄时)时,因使用光板极易引起层间错位报废,这种结构板优先考虑使用两次压板如图;A、 第一次压板按四层板生产,在L2-5层钻孔时,于非出货单元外要加钻一些外层FILM对位孔,以减少外层对位偏移引起的外层曝光偏位。B、 L2-5钻孔管位图形设计为空白,L1-6钻孔管位依L3-4为基准,以减少多次对位偏差带来的偏差累积。(八)外层线路设计外层图形,无论铜厚Hoz、1oz或者更高,因铜箔本身彭胀系数与基材彭胀系数相差太大,若铜箔面积太大,在后工序会由于铜箔的引力带给最外层基材的巨大的应力而造成外层基材爆裂(基材白点)。所以在设计时尽量要求将外层线路铜面设计为网格或者
6、假铜皮。如图(九)板料的种类和选择 表一、板料种类FR-1CEM-1CEM-3FR-4Hi-TgTg()100120130-150150-200表面电阻M-cm102104104104106体积电阻M103106106106104耐电弧强度sec2060606060介电击穿KW540404040介电常数6.05.45.45.45.4介电损耗0.060.0350.0350.0350.035剥离强度lb/in66666吸水率5.60.50.50.80.8弯曲强度LW82242276415415弯曲强度CW69172186345345Z-axis before Tg5545Z-axis after
7、Tg耐漏电痕迹指数V100150200175175X-Y axis ppm200200卤素含量%30-4030-40热分解温度200200250320350操作温度130130130130130耐燃性UL94v-1UL94v-0UL94v-0UL94v-0UL94v-0适用范围低档的,简单线路的,电子产品,如收音机低档的家电电子产品,如黑白电视机中柢档的家电产品,如彩电高档的电子产品,如电脑,汽车高档的电子产品,有苛刻的使用环境表二、板料种类H-CTIHalo-freelead-freeLOW-DKLOW-CETTg()130-150130-200150-200130-200130-200表面
8、电阻M-cm104104104104104体积电阻M106106106106106耐电弧强度sec6060606060介电击穿KW4040404040介电常数5.45.45.43.83.8介电损耗0.0350.0350.0350.0100.035剥离强度lb/in66666吸水率0.80.80.80.80.8弯曲强度LW415415415415415弯曲强度CW345345345345345Z-axis before Tg4545454530Z-axis after Tg15151515耐漏电痕迹指数V200-600175175175175X-Y axis ppm200200200200200卤素含量%30-400.000930-4030-4030-40热分解温度320320350350350耐燃性UL94v-0UL94v-0UL94v-0UL94v-0UL94v-0操作温度130130130130130适用范围高档的电子产品,有潮湿环境要求高档的电子产品,有环保无卤素要求高档的电子产品,有环保无铅要求高档电子产品,有高频要求高档电子产品,层数高,有高精度定位要求 修改记录版本生效日期编制:部门经理:工艺:主管副总:
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