Ipcq检测室硅块检测流程.docx
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Ipcq检测室硅块检测流程
Ipcq检测室硅块检测流程：
硅块转入—外观检验—垂直度检验—边宽/长度检验—导电类型检验—电阻率检验—红外探伤检验—少子寿命检验—硅块判定—硅块转出
硅块检验操作指导步骤
1.外观检验
1.1确认所送硅块的箭头标示是否清楚，每个硅块的随工单信息填写是否完整，且与硅块表面标示信息（硅锭号与硅块号）是否一致，以及确认边角料的数量。
1.2与制造部送检人员共同确定每个硅块的外观质量状况，如有崩边、崩块等外观问题，使用游标卡尺测量缺陷的长度（沿硅锭的长晶方向测量），并把这些信息准确填写在品质记录表上和对应的硅块随工单上。
2.垂直度检测
2.1抽样方法：
小硅块（16块）测A1,C6,C11,A16;大硅块测A1,C7,C13,C19.A25,进行检测硅块垂直度。
2.2使用万能角度尺测量硅块四个侧面的垂直度，即相邻两侧面间的垂直度，每个抽样硅块测量任意三个角的垂直度，每个角从硅块头部到尾部至少均为测量三次，并将检测数据记录于《硅块检测记录表》中。
2.3将万能角度尺两臂紧贴硅块相邻两侧面，若臂于硅块表面接触存在空隙，判定硅块为“S”型硅块。
3边宽/长度检验
3.1使用游标卡尺（精确度=>0.02mm）测量抽样硅块的边宽尺寸，每个硅块测相邻两边宽，用游标卡尺的量爪在硅块的两侧面进行测量使硅块的各部位边宽尺寸都测量到。
3.2如发现有某一硅块边宽尺寸超出标准，必须加抽该硅块所在多晶硅锭位置的垂直两条线的其他硅块的边宽尺寸。
3.3使用直尺（精确度=>1mm）测量所有硅块的长度；选择硅块尾部至头部中的一棱边，使用直尺测量此棱边的长度，测量完后在所测量的棱边上做记号，并检验数据记录于《硅块检测记录表》中。
4.导电类型检验
4.1使用半导体导电类型检测仪全检硅块各侧面的导电类型，即硅块的P/N类型。
4.2测量时硅块任选一侧面为测量面，依据测量的长度选取测试点，选取测试点的方式根据《多晶硅锭电阻率抽样记录表》中长度的百分比进行选定。
（备注：
1.使用直尺确定对应尺寸的测试点。
2.测试点须在硅块侧面的中部，即边宽中心线正负25mm内。
）
4.3使用半导体导电类型测试仪在选取的测试点进行导电类型检测，并将检测数据记录于《多晶硅锭电阻率抽样记录表》中。
5电阻率检验
5.1使用电阻率测试仪检验硅块的电阻率大小，小锭硅块按照A1，C6,B9,C11,A16进行抽样检测;大锭硅块按照A1,C7,C13,C19,A25进行抽样检测。
5.2测量是硅块人选一侧面，依据测量的长度选取测试点，选取测试点的方式根据《多晶硅锭的电阻率抽样记录表》中长度的百分比进行选定。
（备注：
1：
使用直尺确定对应尺寸的测试点。
2：
测试点必须在硅块侧面的中部，即边宽中心线正负25mm内）
5.3使用电阻率测试仪在选取的测试点进行电阻率测试，读取测试仪上显示的电阻率大小，并将检验数据记录于《多晶硅锭电阻率抽样记录表》中；计算平均值并记录于《硅块检测记录表》中。
5.4测试注意事项：
电阻率测试点选取后，头部第一个测试点处不需要测试，其它选取点都需要测试。
6红外探伤
6.1使用红外探伤测试仪全检硅块内部缺陷状况。
6.2硅块测试准备：
用无水乙醇将测试硅块的四个侧面擦拭干净，将擦拭干净的硅块放在红外探伤测试台上，放置方向为底部朝下，头部朝上。
6.3确认内部缺陷：
通过内部缺陷影像图，确定硅块内部存在缺陷后，观察内部缺陷在图像监控器上的位置，是用记号笔在硅块的表面做好标识；用记号笔在黑色阴影部分的上下边缘处画标识线，上下画线处要求阴影部分2-3mm（备注：
内部缺陷在距硅块头部或尾部20mm内，不需要画线）。
6.4缺陷图像保存：
将检验硅块内部存在的缺陷图像保存在测试仪内。
6.5标明缺陷范围：
完成该硅块四个侧面检测后，将硅块搬到工作台上依照标识线划线标识，缺陷长度20mm时，使用直尺把以上所有短线标识画长，并用直尺（精确度=>1mm）量出缺陷的长度，并标明原因、长度于硅块表面。
6.6图像保存注意事项：
以下标识硅块必须保存：
1.大硅块中的B2、C7、C12、C17、B22必须保存四个侧面图片。
2.小硅块中的B2、C6、C10、B14必须保存四个侧面图片。
7少子寿命检验
7.1使用少子寿命测量仪抽样检测硅块少子寿命，具体抽样方法依照《多晶硅块Lofetome抽样方法》进行抽样检测。
抽样方法如图：
7.2硅块测试准备：
用无水乙醇将测试硅块的一个侧面擦拭干净，再放入测试仪器平台上；放入时，擦拭的侧面朝上，硅块的头部放在测试员的左侧，使测试仪从硅块的头部开始测试。
7.3硅块少子寿命测试:
依照《WT-2000p少子寿命测试仪操作说明》《WT-2000少子寿命测试仪操作说明》测试该侧面的少子寿命，并将少子寿命图像保存在电脑对应的文件夹中；测试完毕后，按以上方法测试该硅块相对侧面的少子寿命，并将少子寿命值记录在《硅块检测记录表》上。
7.4少子寿命分析：
其余抽样硅块的少子寿命按照以上操作检测，完成后把此锭抽样硅块的少子寿命图像全部打开，综合分析此锭的少子寿命质量状况（要求：
头尾各20mm以外的硅块中部区域的少子寿命最小值=>2us，不符合要求的区域需要标识去除）。
8硅块判定与检验记录填写
8.1结合硅块各检测项目的检测结果进行综合分析，判定硅块是否流入下一工序，具体判定标准依照《多晶硅块判定标准》操作。
8.2按照检测结果头、尾如需去除的长度大于20mm，需由IPQC检测人员画标识线；需去除的长度小于等于25mm，则不需要画标识线。
8.3依据判定结果填写此硅锭的边角料相关信息，并标于边角料袋上。
8.4将检验结果填写在《多晶硅锭随工单》的硅块检测栏中，以及《多晶硅切割加工随工单》中的IPQC检验结果栏中，并盖IPQC待定章。
8.5检验报表审核后，IPQCMIS录入人员将检验数据输入MIS系统。
9粘胶前硅块检验
9.1送检确认
1.确认所送硅块的标识书是否正确，每个硅块有无对应随工单，硅块随工单上是否盖有IPQC合格章（蓝色）或IPQC待定章（红色）。
如有发现异常，需立刻通知送检人员处理，并确认处理结果是否正确。
2.与制造部门的硅块送检人员确认每个硅块的外观质量状况，如有崩边、崩块、台阶等外观问题应当面与其确认并在对应的随工单上标明准确信息。
3.通过对比随工单上的IPQC判定信息和硅块头尾信息确认硅块是否按照要求去头尾。
如有异常，需按以下方法处理：
a.硅块去头尾尺寸比要求去头尾尺寸偏小时，需通知硅块送检人员按要求再去一次头尾，并再次送检。
b.硅块去头尾尺寸比要求去头尾尺寸偏多时，要求送检人员在随工单上写明造成原因后，可流入下一检验工序。
4.几何尺寸检验
a.用直尺（精确度=>1mm）测量所有硅块长度标识点处的硅块长度，并确认硅块长度测量数据和随工单上硅块长度数据是否一致。
如发现测量数据和随工单上硅块长度数据有偏差，须挑出并要求送检人员返工硅块长度测量。
b.用游标卡尺（精确度=>0.02mm）测量硅块的边宽尺寸，每个硅块测量相邻的两个边宽；测量时使用游标卡尺的量爪在硅块的两侧面前后滑动，使硅块的每一段边宽尺寸都测量到。
c.用游标卡尺（精确度=>0.02mm）分别测量硅块四条直角边的倒角尺寸；每条从头到尾至少测量三处。
d.测量时将相应测量数据记录在《硅块几何尺寸检测记录表》上，同时将外观不良现象记录于外观栏。
多晶硅快判定标准
类别
检验项目
检验标准
检验工具
抽样方法
判定/处置
外观
崩边、崩块、裂纹、裂痕、锯缝、线痕
硅块头部和尾部20mm以内的崩边、崩块、裂纹、裂痕、锯缝、线痕
目视/游标卡尺/直尺
全检
合格
硅块头尾部20以外硅块中部的崩边、崩块长度≤150mm，深度≤1.5mm
打磨
硅块头尾部20以外硅块中部的崩边、崩块长度>150mm，深度>1.5mm
不合格/回炉
硅块头尾部20mm以外硅块中部的裂纹、裂痕≤150mm
去除缺陷部分，流入下工序
硅块头尾部25mm以外硅块中部的裂纹、裂痕>150mm
不合格，回炉
硅块头尾部20mm以外硅块中部的线痕
打磨
尺寸
垂直度（菱形/S形）
125/156规格
硅块的棱角度数：
90°±0.25°
万能角度尺
抽检
合格
硅块的棱角度数>90.25°
打磨
89°≤硅块的棱角度数<89.75°
打磨
硅块的棱角度数<89°
回炉
边宽
125规格
125规格：
125±0.5mm
游标卡尺
抽检
合格
硅块边宽尺寸>125.50mm
打磨
硅块边宽尺寸<124.50mm
去除缺陷部分，流入下工序
156规格
156规格：
156±0.5mm
合格
硅块边宽尺寸>156.50mm
打磨
硅块边宽尺寸<155.50mm
去除缺陷部分，流入下工序
电性能
导电类型
P型
P/N型测试仪
抽检
合格
N型部分长度≤100mm
去除N型和PN结部分，流入下工序
N型部分长度>100mm
回炉
电阻率
0.5~3∩cm
电阻率测试仪
抽检
合格
硅块电阻率<0.5∩cm
去除缺陷部分
硅块电阻率>∩cm
标示隔离
红外探伤
无裂纹、杂质、黑点、阴影、微晶
红外探伤测试仪
全检
合格
硅块头尾部裂纹、杂质、阴影≤20mm
硅块头尾部20mm以内区域有黑点
20mm<硅块头尾的裂纹、杂质、阴影长度≤125mm
去除缺陷部分，流入下工序
硅块头尾部20mm以外的硅块中部区域有黑点
硅块头尾部的裂纹、杂质、阴影长度>125mm
回炉
硅块的微晶长度≤150mm
标示清楚后流入下工序
硅块的微晶长度>150mm
回炉
少子寿命
头尾各20mm以外的硅块中部区域的少子寿命最小值≥2uS
头尾各20mm以外的硅块中部区域的少子寿命小于2uS的长度≤100mm
头尾各20mm以外的硅块中部区域的少子寿命小于2uS的长度>100mm
备注：
1.送检的每一批次硅块需清洗干净，硅块上无污水，并附有每一硅块的随工单。
2.缺陷长度是指影响切片的有效长度，按照硅锭的长晶方向测量。
3.同一根硅块有多处缺陷时，结合所有的缺陷后综合判定处置，如硅块剩余的可切片长度小于100mm，硅块直接做回炉处理。
4.每一批次硅块的抽检方法依照各种规格的硅块检验指导书中方法抽样。
5.少子寿命的去除长度以同一截面2/3以上宽度的少子寿命最小值≥2uS为准。
6.硅块如有电性能项目不良，该硅块同区域的其他硅块判定处理与该硅块相同。
Day1
A1
B2
Day3
B3
B4
Day2
A5
B6
C7
Day1
C8
C9
B10
Day4
B11
Day3
C12
C13
Day2
C14
Day1
B15
B16
C17
Day4
C18
C19
B20
Day3
A21
B22
Day2
B23
B24
Day4
A25
7.
对外加工合同的硅块依合同的要求检验判定。
硅锭箭头方向
少子寿命抽样方法适用于25块的多晶硅块
硅锭箭头方向
Day1
A1
Day3
B2
Day4
B3
Day2
A4
Day2
B5
Day4
C6
Day3
C7
Day1
B8
Day4
B9
Day2
C10
Day1
C11
Day3
B12
Day3
A13
Day1
B14
Day2
B15
Day4
A16
少子寿命抽样方法适用于16块的多晶硅块
硅锭箭头方向
A1
C7
C13
C19
A25
此图即为电阻率的抽样检测方法
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