半导体中英对照.docx

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半导体中英对照

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•Acceptor-Anelement,suchasboron,indium,andgalliumusedtocreateafreeholeinasemiconductor.Theacceptoratomsarerequiredtohaveonelessvalenceelectronthanthesemiconductor.

•受主-一种用来在半导体中形成空穴的元素，比如硼、铟和镓。

受主原子必须比半导体元素少一价电子

•AlignmentPrecision-Displacementofpatternsthatoccursduringthephotolithographyprocess..u!

F.W'}!

b#j4q

•套准精度-在光刻工艺中转移图形的精度。

2vI;S4U,T*r'd9H3b!

c

•Anisotropic-Aprocessofetchingthathasverylittleornoundercutting,i（N:

Z7u;{3z

•各向异性-在蚀刻过程中，只做少量或不做侧向凹刻。

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`3v&P1s1}3z.`;?

•AreaContamination-Anyforeignparticlesormaterialthatarefoundonthesurfaceofawafer.Thisisviewedasdiscoloredorsmudged,anditistheresultofstains,fingerprints,waterspots,etc.+{7c*p'xH3B0m;r

•沾污区域-任何在晶圆片表面的外来粒子或物质。

由沾污、手印和水滴产生的污染。

）\6f:

K*N7I8r;W$t"m*P

•Azimuth,inEllipsometry-Theanglemeasuredbetweentheplaneofincidenceandthemajoraxisoftheellipse.

•椭圆方位角-测量入射面和主晶轴之间的角度。

•Backside-Thebottomsurfaceofasiliconwafer.（Note:

Thistermisnotpreferred;instead,use‘backsurface’.）

•背面-晶圆片的底部表面。

（注：

不推荐该术语，建议使用“背部表面”）7h4p;?

D!

j0H（I0X-x

•BaseSiliconLayer-Thesiliconwaferthatislocatedunderneaththeinsulatorlayer,whichsupportsthesiliconfilmontopofthewafer.

•底部硅层-在绝缘层下部的晶圆片，是顶部硅层的基础。

•Bipolar-Transistorsthatareabletousebothholesandelectronsaschargecarriers.

•双极晶体管-能够采用空穴和电子传导电荷的晶体管。

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'x5Q5x&d!

A*P%y

•BondedWafers-Twosiliconwafersthathavebeenbondedtogetherbysilicondioxide,whichactsasaninsulatinglayer.;o!

k）{,@+i（V#Z-Y

•绑定晶圆片-两个晶圆片通过二氧化硅层结合到一起，作为绝缘层。

•BondingInterface-Theareawherethebondingoftwowafersoccurs.

•绑定面-两个晶圆片结合的接触区。

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c&H!

o,~#\4Q

•BuriedLayer-Apathoflowresistanceforacurrentmovinginadevice.Manyofthesedopantsareantimonyandarsenic.0~/J%K%G,A,B6b,t,c.I*w

•埋层-为了电路电流流动而形成的低电阻路径，搀杂剂是锑和砷。

•BuriedOxideLayer（BOX）-Thelayerthatinsulatesbetweenthetwowafers.

•氧化埋层（BOX）-在两个晶圆片间的绝缘层。

•Carrier-Valenceholesandconductionelectronsthatarecapableofcarryingachargethroughasolidsurfaceinasiliconwafer.6p%i.k"S-N2I

•载流子-晶圆片中用来传导电流的空穴或电子。

.k1Y#W#\%?

5v5^

•Chemical-MechanicalPolish（CMP）-Aprocessofflatteningandpolishingwafersthatutilizesbothchemicalremovalandmechanicalbuffing.Itisusedduringthefabricationprocess.

•化学-机械抛光（CMP）-平整和抛光晶圆片的工艺，采用化学移除和机械抛光两种方式。

此工艺在前道工艺中使用。

•ChuckMark-Amarkfoundoneithersurfaceofawafer,causedbyeitheraroboticendeffector,achuck,orawand.-k7v:

H1s"q,t$t0u

•卡盘痕迹-在晶圆片任意表面发现的由机械手、卡盘或托盘造成的痕迹。

•CleavagePlane-Afractureplanethatispreferred.#d;r7`3x8^/u&^6n

•解理面-破裂面*N+r&s$R1t0J.w

•Crack-Amarkfoundonawaferthatisgreaterthan0.25mminlength.&B'A3c'E6j;u

•裂纹-长度大于0.25毫米的晶圆片表面微痕。

（z（c2T（y4\:

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•Crater-Visibleunderdiffusedillumination,asurfaceimperfectiononawaferthatcanbedistinguishedindividually.4D#RZ;e9p6}-?

•微坑-在扩散照明下可见的，晶圆片表面可区分的缺陷。

•Conductivity（electrical）-Ameasurementofhoweasilychargecarrierscanflowthroughoutamaterial.

•传导性（电学方面）-一种关于载流子通过物质难易度的测量指标。

7T"x4kp8j7R/e

•ConductivityType-Thetypeofchargecarriersinawafer,suchas“N-type”and“P-type”.'t*V4J:

]/@,W0e+L,L

•导电类型-晶圆片中载流子的类型，N型和P型。

•Contaminant,Particulate（seelightpointdefect）

•污染微粒（参见光点缺陷）/E1@&F#_）O1[;t-C%V8J,I

•ContaminationArea-Anareathatcontainsparticlesthatcannegativelyaffectthecharacteristicsofasiliconwafer.*[1|7i'[#]4h&j.k

•沾污区域-部分晶圆片区域被颗粒沾污，造成不利特性影响。

•ContaminationParticulate-Particlesfoundonthesurfaceofasiliconwafer.

•沾污颗粒-晶圆片表面上的颗粒。

（o8J#d+E.V*u

•CrystalDefect-Partsofthecrystalthatcontainvacanciesanddislocationsthatcanhaveanimpactonacircuit’selectricalperformance.

•晶体缺陷-部分晶体包含的、会影响电路性能的空隙和层错。

•CrystalIndices（seeMillerindices）"l6a'^3{;q9G&g0s7W

•晶体指数（参见米勒指数）.`.H1U/j"e%r

•DepletionLayer-Aregiononawaferthatcontainsanelectricalfieldthatsweepsoutchargecarriers.

•耗尽层-晶圆片上的电场区域，此区域排除载流子。

•Dimple-Aconcavedepressionfoundonthesurfaceofawaferthatisvisibletotheeyeunderthecorrectlightingconditions.!

Y+C5c（I/F$L:

Y（v

•表面起伏-在合适的光线下通过肉眼可以发现的晶圆片表面凹陷。

8f&u7u）Y6n8M$A"U;y

•Donor-Acontaminatethathasdonatedextra“free”electrons,thusmakingawafer“N-Type”..w/n5_+C8T*?

（P

•施主-可提供“自由”电子的搀杂物，使晶圆片呈现为N型。

M,A%F!

[-U!

x9Z4m

•Dopant-Anelementthatcontributesanelectronoraholetotheconductionprocess,thusalteringtheconductivity.DopantsforsiliconwafersarefoundinGroupsIIIandVofthePeriodicTableoftheElements.

•搀杂剂-可以为传导过程提供电子或空穴的元素，此元素可以改变传导特