RDA8206芯片软件编程指南.docx

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RDA8206芯片软件编程指南

文档编号:

系统类别

宽带系统

共14页

(含封页)

产品型号

产品代号

项目/产品名称

RDA8206射频平台预研

RDA8206芯片软件编程指南

(文档版本号:

V1.20)

拟制:

刘延平

日期:

2007-12-10

审核:

日期:

会签:

日期:

批准:

日期:

北京信威通信技术股份有限公司

版权所有不得复制

修订记录

日期

修订版本

描述

作者

2007-10-31

V1.00

初稿

刘延平

2007-11-28

V1.10

修改频段说明;修改初始化参考设置;更新APC、AGC表

刘延平

2007-12-10

V1.20

修改初始化参考设置;添加TDD等函数

刘延平

图表目录

RDA8206芯片软件编程指南

【摘要】:

本文阐述了RDA8206芯片应用于Mcwill/GSM系统时,通过软件编程方式对芯片进行控制的方法。

【关键词】:

RDA8206;软件

1三总线控制

射频三总线接口是一个标准的SPI接口,包括三个pin:

LEN,CLK,DATA。

三总线与PDN_ALL、PDN_GSM、TX_ON、RX_ON联合操作,可以实现以下控制内容:

(1)射频模块的工作状态,如睡眠、发射、接收、TD/GSM模式选择;

(2)控制收发PLL锁频频率;

(3)控制接收AGC;

(4)控制发射APC;

(5)控制AFC;

1.2三总线时序图

图11三总线写时序图

图12三总线读时序图

注:

由于COMIP1B芯片不支持读操作,所以RDA8206射频模块与COMIP1B芯片配合时无法进行读操作。

1.3三总线控制寄存器详细说明

(1)写操作:

每个寄存器由25bit组成,包括一个读写bit,6-bit地址,18-bit数据(第一个bit是最高有效位)。

从图11三总线写时序图中可知,在时钟总线的下降沿基带输出数据和地址信息,RDA8206在时钟上升沿采数据和地址信息。

(2)读操作:

从图12三总线读时序图中可知,读寄存器时先通过基带完成初始化,然后在时钟总线的下降沿基带输出一个读写bit和6-bit地址信息,一个时钟周期之后,RDA8206输出18-bit数据信息(第一个bit也是最高有效位)。

RDA8206在时钟总线的下降沿输出数据,基带在时钟上升沿采数据。

(3)COMIP1B基带芯片不支持读操作。

(4)射频三总线时钟频率≤20MHz。

2锁频频率控制

表21RDA8206工作模式及频段

模式

频段

GSM

GSM850

UP:

824MHz~849MHz

DW:

869MHz~894MHz

EGSM

UP:

880~915MHz

DW:

925~960MHz

DCS

UP:

1710~1785MHz

DW:

1805~1910MHz

PCS

UP:

1850~1910MHz

DW:

1930~1990MHz

McWill

1800

1785~1805MHz

RDA8206芯片工作在McWill模式时,采用直接输入频率的方式确定工作频率,而不能使用频点号方式。

对应控制寄存器为05H和06H。

目前射频模块采用TD-SCDMABANDII(TD2000)接口。

RDA8206芯片工作在GSM模式时,频段的选择通过寄存器04H_bit<17:

10>,采用输入频点号即“ARFCN”方式确定信道频率。

“ARFCN”由一个10-bit的二进制数表示,对应“04H”寄存器bit<9:

0>。

表22GSM模式收发频率控制

工作模式

频点号(ARFCN)

发射频率(FT)

接收频率(FR)

GSM_850

128≤ARFCN≤251

824.2+0.2*(ARFCN-128)

FT+45

GSM_900

0≤ARFCN≤124

890+0.2*ARFCN

FT+45

975≤ARFCN≤1023

890+0.2*(ARFCN-1024)

FT+45

DCS_1800

512≤ARFCN≤885

1710.2+0.2*(ARFCN-512)

FT+95

PCS_1900

512≤ARFCN≤810

1850.2+0.2*(ARFCN-512)

FT+80

3AFC、APC、AGC控制

3.1AFC控制

RDA8206能够通过一个12-bit的辅助DAC输出模拟电压做为射频晶振的控制电压。

对应寄存器09H_bit<11:

0>,bit<17>为使能端。

这样基带芯片就不用再提供此控制电压。

表31Register09h.AuxAFCDACsettings

Bit

Name

Function

Note

17

Aux_afcdacenable

Powercontrolofauxafcdac.

1:

turnon

0:

turnoff

Default0

16:

12

Aux_afcdac_bit<4:

0>

AuxafcDACtuningbit.

Default10000

11:

0

Aux_afcdac_din<11:

0>

AuxafcDACdatain.

Default0000_0000_0000

3.2APC控制

在McWill模式,发射功率控制是通过寄存器03H_bit<9:

0>实现的。

在GSM模式,不存在APC,发射功率控制是通过功放的Ramping电压控制实现。

表32Register03h.TXGainsettings

Bit

Name

Function

Note

17:

12

Reserved

11:

10

Vga_lgain<1:

0>

Vga_lgain<1>:

H/Lpostdrvgainctrl.

If0,highgain;

If1,lowgain.

Vga_lgain<0>:

H/Lbuffgainctrl

If0,highgain;

If1,lowgain.

Default00

Notcare

9:

4

Vga_c_bit<5:

0>

Vga_c_bit<5:

3>:

vga2gainctrl.

111:

maxgain

….

000:

mingain

Vga_c_bit<2:

0>:

vga1gainctrl.

111:

maxgain

….

000:

mingain

Default100100

3:

0

tmx_gain_bit<3:

0>

1000

3.3AGC控制

在McWill模式和GSM模式,接收增益控制是通过寄存器02H_bit<8:

0>实现的。

表33Register02h.RXGainsettings2

Bit

Name

Function

Note

17:

9

Reserved

8:

6

Rx_gain_table_pointer

<2:

0>

Pointerof8itemsAGCtable

Default000

5:

0

Gain_ct<5:

0>

Gaincontrol:

gainct[5]:

0->+0db;1->+24db;

gainct[4]:

0->+0db;1->+12db;

gainct[3]:

0->+0db;1->+6db;

gainct[2]:

0->+0db;1->+2db;

gainct[1]:

0->+0db;1->+2db;

gainct[0]:

0->+0db;1->+1db.

Default00_0000

?

?

3.4APC、AGC表

(1)APC表:

属McWill模式。

其中13H寄存器一列的数值也是为了微调增益,由于McWill发射动态范围只要求70dB,所以只需要在初始化时给13H寄存器设置一固定值即可,而不出现在APC表中。

(2)AGC表:

McWill和GSM模式共用。

4工作状态控制

表41对芯片工作状态的控制

模式

控制管脚

PDN_ALL

TXON_TD

RXON_TD

PDN_GSM

SLEEP

0

X

X

X

IDLE

1

0

0

0

TX_TD

1

1

0

0

RX_TD

1

0

1

0

TX_GSM

1

0

0

1

RX_GSM

1

0

0

1

注:

在GSM模式,发射或接收状态取决于寄存器04H_bit<11:

10>的值。

GSM:

VCO_TEST模式需要设置1FH寄存器的bit<4:

3>=11.

McWill:

VCO_TEST模式需要设置14H寄存器的bit<9>=1.

表42工作状态说明

模式

描述

SLEEP

收发芯片所有电源关闭,寄存器值被保留

IDLE

只有26MHz参考时钟打开

RX_TD

工作在TD接收模式

TX_TD

工作在TD发射模式

TX_GSM

工作在GSM发射模式

RX_GSM

工作在GSM接收模式

图41工作模式切换示意图

注:

上图是针对TD-SCDMA的。

若McWill收发切换时间要求比较高,也可以从接收模式直接到发射模式,和发射到接收情况一样。

5参考操作步骤

(1)初始化(写进寄存器的具体数值可能要变,下面的数值用十六进制表示)

♦PDN_ALLà1

♦wait100ms;===selectorgin_spiandfour_wire

♦05H,3F333;//softstrapping

♦30H,400;//soft_resetn

♦30H,401;//soft_resetn

♦19H,800;//setsdio_slew_ctrl

♦03H,368;

♦0EH,21926;

♦10H,10604;//xferbit=0111,bit16=1,目前1700MHz频段只能使用每次校准模式;

♦09H,30BC1;//setxafc

♦13H,259AC;//mx2=1,ic_mux=0

♦3FH,01;//enterpage1,转到第一页,表示下面的寄存器地址-40H=实际的寄存器地址

♦43H,888A;

♦44H,83;

♦45H,20048;

♦46H,20048;//vcogain=0111

♦47H,20057;//vcogain=0111

♦48H,408;

♦49H,20066;

♦4AH,46;

♦4BH,6667;

♦4DH,448;

♦4EH,33333;

♦4FH,3FFEC;

♦50H,33333;

♦51H,3FFEC;

♦54H,3F955;

♦55H,3F955;

♦57H,3EDB6;

♦58H,1FF;

♦5BH,3FD66;//TxThermogaintable;

♦5AH,1C60D;//TxThermogaintable;

♦59H,3000;//TxThermogaintable;

♦3FH,0;//enterpage0;

♦16H,12581;//thermo_gain_dr=1;Adc_cal_bit_dr=1,Adc_cal_bit_reg<2:

0)=001;

♦31H,3003;

♦32H,3003;

♦33H,3003;

♦34H,3003;

♦35H,3023;

♦36H,3323;

♦37H,3723;

♦38H,3783;

♦14H,4092;//inputswing=0100,bit9=1可实现VCOtest模式;

♦02H,2800F;

♦05H,124;

♦06H,13B14;//多次设置05H和06H寄存器是为了在不同频段做校准

♦30H,503;

♦wait10ms

♦30H,501;

♦05H,239;

♦06H,EC4E;

♦30H,483;

♦wait10ms

♦30H,01;

♦05H,248;

♦06H,27627;

♦30H,423;

♦wait10ms

♦30H,421;

♦05H,26C;

♦06H,27627;

♦30H,413;

♦wait10ms

♦30H,411;

♦30H,20001;

♦02H,281CF;

(2)锁频操作

♦关断TXon_TD信号

♦30H,411;

♦06H,EC4E;

♦05H,225;

♦延时3us;

♦打开TXon_TD信号,即打开发射;

(3)TX_ready

♦PDN_allà1;TX_onà1;RX_onà0;PDN_GSMà0;

♦打开射频前端开关;

♦基带发送数据;

(4)RX_ready

♦PDN_allà1;TX_onà0;RX_onà1;PDN_GSMà0;

♦打开射频前端开关

♦基带接收数据

(5)TDD

a.收到发

♦停止接收(Rx_onà0)

♦TX_onà1

♦打开射频前端开关

♦基带发送数据

b.发到收

♦停止发射(TX_onà0)

♦控制基带准备接收

♦RX_onà1

♦打开射频前端开关

(6)TD2000ReceiveMode

♦02H,18'b10_1000_0001_1111_0001;(设置AGCcode)

♦04H,18'b00_0001_0011_0010_0000;(工作频段选择、写频点号)

♦Txon_TDà0,Rxon_TDà1

♦打开接收(天线开关、接收开关等控制信号)

(7)TD2000TransmitMode

♦03H,18'b00_0000_0010_1100_0111;(设置APCcode)

♦04H,18'b00_0001_0011_0010_0000;(工作频段选择、写频点号)

♦Txon_TDà1,Rxon_TDà0

♦打开发射(天线开关、功放开关等控制信号)

(8)GSM850ReceiveMode

♦04h,18'b10_0000_1000_1100_0000;(工作状态、模式及频段选择)

♦PDN_GSMà1

♦打开接收(天线开关、接收开关等控制信号)

(9)GSM850TransmitMode

♦04h,18'b10_0000_0101_0100_0000

♦PDN_GSMà1

♦GSMPAramp电压设置

♦打开发射(天线开关、功放开关等控制信号)

(10)GSM900ReceiveMode

♦04h,18'b01_0000_1000_0100_1011;(工作状态、模式及频段选择)

♦PDN_GSMà1

♦打开接收(天线开关、接收开关等控制信号)

(11)GSM900TransmitMode

♦04h,18'b01_0000_0100_0100_1011;(工作状态、模式及频段选择)

♦PDN_GSMà1

♦GSMPAramp电压设置

♦打开发射(天线开关、功放开关等控制信号)

(12)GSM1800ReceiveMode

♦04h,18'b00_1000_1010_1110_0000;(工作状态、模式及频段选择)

♦PDN_GSMà1

♦打开接收(天线开关、接收开关等控制信号)

(13)GSM1800TransmitMode

♦04h,18'b00_1000_0111_1100_0000;(工作状态、模式及频段选择)

♦PDN_GSMà1

♦GSMPAramp电压设置

♦打开发射(天线开关、功放开关等控制信号)

(14)GSM1900ReceiveMode

♦04h,18'b00_0100_1010_1001_0101;(工作状态、模式及频段选择)

♦PDN_GSMà1

♦打开接收(天线开关、接收开关等控制信号)

(15)GSM1900TransmitMode

♦04h,18'b00_0100_0110_1001_0101;(工作状态、模式及频段选择)

♦PDN_GSMà1

♦GSMPAramp电压设置

♦打开发射(天线开关、功放开关等控制信号)

(16)TDdiginterface

♦3CH,18'b10_0010_0001_1110_0010;//v0.6,io_slew=11

♦25H,18'b10_0001_0000_0000_0000;

♦26H,18'b11_0010_1111_1001_0111;

♦0BH,18'b10_1000_1001_1001_0000;

♦0EH,18'b00_0001_1001_0010_0111;

♦14H,18'b00_0100_0000_1001_0010;

♦22H,18'b00_0000_0010_0000_0011;//V0.6,RX_clk_abb_delay=011

附录A

附录BRDA8206芯片编程指导

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