嵌入式课件代码嵌入式课件代码完美版 4.docx
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嵌入式课件代码嵌入式课件代码完美版4
串口协议：
异步串行数据收发器
起始位：
一位低电平
数据位：
5、6、7、8
校验位：
奇偶校验
停止位：
1、1.5、2
空闲位：
给高电平
波特率：
115200
S5pv210
ULCON0线性控制寄存器0xE2900000
数据格式：
8n1
ULCON0=3
UCON0控制寄存器0xE2900004
UCON0=5
UFCON0FIFO控制寄存器0xE2900008
UFCON0=0
UMCON0Modem模式控制寄存器0xE290000C
UMCON0=0
UTRSTAT0收发数据状态寄存器0xE2900010
只读，通过读取
发送数据时，判断bit[1]1，可以发送UTRSTAT0&2
接收数据时，判断bit[0]1，可以接收UTRSTAT0&1
UTXH0发送寄存器0xE2900020
当确认可以发送数据时，将要发送的数据写入该寄存器
URXH0接收寄存器0xE2900024
当确认可以接收数据时，读取该寄存器获得接收的数据
UBRDIV0波特率设置寄存器0xE2900028
整数部分
UDIVSLOT00xE290002C
（小数部分*16）取整->查表
PCLK=66.5MHZ
配置GPIO，使对应管脚作为串口的发送和接收管脚
GPA0_0[3:
0]GPA0_1[7:
4]
GPA0CON[7:
0]&~0xFF|0x22
GPA0PUD[3:
0]0禁止上下拉电阻
Shell
要实现了一个命令解释器
要求：
命令行输入ledon，把LED1灯点亮
命令行输入ledoff,把LED1灯关闭
将整个uart的代码和部分led（只拷贝led.h和led.c）代码重新拷贝到一个shell_kuang目录中:
atoi
voiditoa（charbuf[],unsignedintnum）;
将十进制的数字转换为对应16进制格式的函数
inti=100“0x64”
tarena#setenvipaddr192.168.1.6
tarena#saveenv
NandFlash闪存的使用
GPIO
UART
Datasheet/K9K8G08U0B.pdf
NandFlash的datasheet
1.什么是NandFlash
存储设备，用来存储整个系统，相当于PC中的硬盘
2.TPAD中采用了什么NandFlash
三星的K9K8G08U0B
3.如果才能操作NandFlash，主要就是对它的读操作，写操作，校验操作
需要阅读NandFlash的datasheet，该手册中会详细的描述如何对其进行操作。
即K9K8G08U0B.pdf
通过阅读NandFlash的数据手册，得知：
1）NandFlash主要的指标参数：
工作电压：
3.3V
容量：
（1G（主存储区）+32M（oob区））X8bit
读写操作：
按页（2K+64）X8bit
擦除操作：
按块（128K+4K）X8bit1块=64页
命令、地址、数据复用8个IO口
可以对存储块进行写，擦除锁定
可以100K次的写、擦除（并且可以提供1bit/528byteECC校验）
数据可以保存10年
使用命令操作NandFlash
存在唯一的ID号
引脚的封装信息
特性：
1.在没写数据之前，里面都是1
2.写数据的时候，是把1改成0，不能把0改成1
3.已经写过数据，再写数据前，需要先擦除
nanderase0100000
nandwrite200080000100000
4.存在位翻转（位交换）
5.出厂时有可能就存在坏块
6.擦写次数有限制。
2）NandFlash外观图
NandFlash有48个管脚，并不是每个管脚都是用了。
N.C：
没有使用的，无连接的管脚，可以不管
nCE:
片选信号，由于8根数据线也被网卡，内存使用，所以需要通过片选管脚来区分。
IO0-IO7:
数据线，传输命令，地址，数据
ALE:
当ALE高电平时，数据线上传输就是地址
CLE:
当CLE高电平是，数据线上传输是命令
当ALE，CLE都为低电平时，数据线上传输的是数据
nRE:
读使能，低电平有效
nWE:
写使能，低电平有效
nWP:
写保护，低电平有效
R/nB：
判断NandFlash的状态，
高电平：
Ready，准备就绪
低电平：
Busy，忙
Vcc:
接电源
Vss:
接地
前面加小n，表示该管脚低电平有效。
NandFlash的各个管脚与s5pv210处理器中的NandFlash控制器相连（所谓NandFlash控制器从表现形式上看，也就是一些s5pv210上的管脚，只是这部分管脚的主要功能就是用来控制NandFlash的），因此，其实我们并不用直接去操作NandFlash的管脚，而是通过操作NandFlash控制器，实现对NandFlash的操作。
3）NandFlash的内部组织结构：
NandFlash的内部结构：
（1）页：
构成NandFlash的基本单位，页大小固定
1page=（2K+64）bytes
每一页中又分main区和spare区，main区用于正常数据的存储，spare区用于存储一些附加信息，如好坏块标记，块的逻辑地址，ECC校验和等等。
（2）块：
由若干页构成，块大小固定
1block=64page=（2K+64）bytesX64=（128K+4K）bytes
（3）device:
若干块构成
1device=8192block=（128K+4K）bytesX8192
=（1G+32M）bytes
1G字节，用来存放主数据
32M字节，用来存放校验位与坏块标识等等
块号：
8192块，0~8191块
页号：
524288页，0~524287页
要表示NandFlash的容量，需要多少数据位来表示一个存储单元地址呢？
（1）页内地址：
页大小=2K=211,即使用11位表示就够了，由于每页还有64字节，所以需要再使用1位表示64字节，因此，要表示一页容量总共需要12位表示。
（2）页号：
总页号=8192块X64=8KX64=213X26=219，因此，需要使用19位来表示页号
因此，总共需要31位来表示一个存储单元的地址
因此，得出结论：
页号（行地址）A30-A12表示
页内地址（列地址）A11-A0表示
地址如何给出呢？
由于NandFlash是I/O接口，没有独立地址线，因此只能复用NandFlash上的8根IO线来发送地址
五个周期
1周期：
A0-A7
2周期：
A8-A110000
3周期：
A12-A19
4周期：
A20-A27
5周期：
A28-A3000000
此表为NandFlash的命令表，每种NandFlash的命令都可能是不一样的，因此，要参考NandFlash的datasheet。
由程序员直接操作的信号：
nCE片选信号
由硬件（NandFlash控制器）自动产生的信号：
IO0-IO7
ALE
CLE
nRE
nWE
R/nB
NandFlash控制器
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