半导体例题答案.docx
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半导体例题答案
半导体例题答案
一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）
（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）
（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）
（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（）
解：
（1）√
（2）×（3）√（4）×
二、选择正确答案填入空内。
（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A.变窄B.基本不变C.变宽
（2）稳压管的稳压区是其工作在。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿
所以输出电压UO＝UCE＝2V。
（2）设临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以
六、选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。
A.五价B.四价C.三价
（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A.增大B.不变C.减小
（3）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为。
A.83B.91C.100
解：
（1）A，C
（2）A（3）C
七、能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？
为什么？
解：
不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V时，管子会因电流过大而烧坏。
八、电路如图所示，已知ui＝10sinωt（v），试画出ui与uO的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
解：
ui和uo的波形如解图所示。
九、电路如图（a）所示，其输入电压uI1和uI2的波形如图（b）所示，二极管导通电压UD＝0.7V。
试画出输出电压uO的波形，并标出幅值。
十、现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。
试问：
（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？
各为多少？
（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？
各为多少？
解：
（1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
（据说有十种电压值）
十一、已知稳压管的稳定电压UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA，最大功耗PZM＝150mW。
试求图所示电路中电阻R的取值范围。
解：
稳压管的最大稳定电流
IZM＝PZM/UZ＝25mA
电阻R的电流为IZM～IZmin，所以其取值范围为
12、已知图所示电路中稳压管的稳定电压UZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。
（1）分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值；
（2）若UI＝35V时负载开路，则会出现什么现象?
为什么？
解：
（1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故
当UI＝15V时，稳压管中的电流大于最小稳定电流IZmin，所以，不接负载电阻时：
UO＝UZ＝6V
接入负载电阻后，若稳压值为6V，负载电流为6/0.5=12mA，流过限流电阻的电流最小为12mA，其压降为12V，稳压管电压为3V，不能稳定在6V，所以，稳压管没有击穿，负载电压为5V。
当UI＝35V时，UO＝UZ＝6V。
（2）
29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。
13、在图所示电路中，发光二极管导通电压UD＝1.5V，正向电流在5～15mA时才能正常工作。
试问：
（1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光？
（2）R的取值范围是多少？
解：
（1）S闭合。
（2）R的范围为
14、电路如图（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压UZ＝3V，R的取值合适，uI的波形如图（c）所示。
试分别画出uO1和uO2的波形。
解：
波形如解图所示
15、有两只晶体管，一只的β＝200，ICEO＝200μA；另一只的β＝100，ICEO＝10μA，其它参数大致相同。
你认为应选用哪只管子？
为什么？
解：
选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，因其β适中、ICEO较小，因而温度稳定性较另一只管子好。
16、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。
分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。
解：
答案如解图P1.14所示。
17、测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。
在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
解：
晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表所示。
解表
管号
T1
T2
T3
T4
T5
T6
上
e
c
e
b
c
b
中
b
b
b
e
e
e
下
c
e
c
c
b
c
管型
PNP
NPN
NPN
PNP
PNP
NPN
材料
Si
Si
Si
Ge
Ge
Ge
18、电路如图所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。
试分析VBB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。
解：
（1）当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。
（2）当VBB＝1V时，因为
μA
所以T处于放大状态。
（3）当VBB＝3V时，因为
μA
所以T处于饱和状态。
19、电路如图所示，试问β大于多少时晶体管饱和？
解：
取UCES＝UBE，若管子饱和，则
所以，
时，管子饱和。
20、电路如图所示，晶体管的β＝50，|UBE|＝0.2V，饱和管压降|UCES|＝0.1V；稳压管的稳定电压UZ＝5V，正向导通电压UD＝0.5V。
试问：
当uI＝0V时uO＝？
当uI＝－5V时uO＝？
解：
当uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V。
当uI＝－5V时，晶体管饱和，uO＝0.1V。
因为
21、分别判断图所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
解：
（a）可能（b）可能（c）不能
（d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。
（e）可能
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