半导体例题答案.docx
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半导体例题答案
半导体例题答案
一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
()
(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
()
(3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
()
(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
()
解:
(1)√
(2)×(3)√(4)×
二、选择正确答案填入空内。
(1)PN结加正向电压时,空间电荷区将。
A.变窄B.基本不变C.变宽
(2)稳压管的稳压区是其工作在。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿
所以输出电压UO=UCE=2V。
(2)设临界饱和时UCES=UBE=0.7V,所以
六、选择合适答案填入空内。
(1)在本征半导体中加入元素可形成N型半导体,加入元素可形成P型半导体。
A.五价B.四价C.三价
(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。
A.增大B.不变C.减小
(3)工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为。
A.83B.91C.100
解:
(1)A,C
(2)A(3)C
七、能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端?
为什么?
解:
不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.5V时,管子会因电流过大而烧坏。
八、电路如图所示,已知ui=10sinωt(v),试画出ui与uO的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
解:
ui和uo的波形如解图所示。
九、电路如图(a)所示,其输入电压uI1和uI2的波形如图(b)所示,二极管导通电压UD=0.7V。
试画出输出电压uO的波形,并标出幅值。
十、现有两只稳压管,它们的稳定电压分别为6V和8V,正向导通电压为0.7V。
试问:
(1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?
各为多少?
(2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?
各为多少?
解:
(1)两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
(据说有十种电压值)
十一、已知稳压管的稳定电压UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA,最大功耗PZM=150mW。
试求图所示电路中电阻R的取值范围。
解:
稳压管的最大稳定电流
IZM=PZM/UZ=25mA
电阻R的电流为IZM~IZmin,所以其取值范围为
12、已知图所示电路中稳压管的稳定电压UZ=6V,最小稳定电流IZmin=5mA,最大稳定电流IZmax=25mA。
(1)分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值;
(2)若UI=35V时负载开路,则会出现什么现象?
为什么?
解:
(1)当UI=10V时,若UO=UZ=6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。
故
当UI=15V时,稳压管中的电流大于最小稳定电流IZmin,所以,不接负载电阻时:
UO=UZ=6V
接入负载电阻后,若稳压值为6V,负载电流为6/0.5=12mA,流过限流电阻的电流最小为12mA,其压降为12V,稳压管电压为3V,不能稳定在6V,所以,稳压管没有击穿,负载电压为5V。
当UI=35V时,UO=UZ=6V。
(2)
29mA>IZM=25mA,稳压管将因功耗过大而损坏。
13、在图所示电路中,发光二极管导通电压UD=1.5V,正向电流在5~15mA时才能正常工作。
试问:
(1)开关S在什么位置时发光二极管才能发光?
(2)R的取值范围是多少?
解:
(1)S闭合。
(2)R的范围为
14、电路如图(a)、(b)所示,稳压管的稳定电压UZ=3V,R的取值合适,uI的波形如图(c)所示。
试分别画出uO1和uO2的波形。
解:
波形如解图所示
15、有两只晶体管,一只的β=200,ICEO=200μA;另一只的β=100,ICEO=10μA,其它参数大致相同。
你认为应选用哪只管子?
为什么?
解:
选用β=100、ICBO=10μA的管子,因其β适中、ICEO较小,因而温度稳定性较另一只管子好。
16、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。
分别求另一电极的电流,标出其实际方向,并在圆圈中画出管子。
解:
答案如解图P1.14所示。
17、测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。
在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。
解:
晶体管三个极分别为上、中、下管脚,答案如解表所示。
解表
管号
T1
T2
T3
T4
T5
T6
上
e
c
e
b
c
b
中
b
b
b
e
e
e
下
c
e
c
c
b
c
管型
PNP
NPN
NPN
PNP
PNP
NPN
材料
Si
Si
Si
Ge
Ge
Ge
18、电路如图所示,晶体管导通时UBE=0.7V,β=50。
试分析VBB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。
解:
(1)当VBB=0时,T截止,uO=12V。
(2)当VBB=1V时,因为
μA
所以T处于放大状态。
(3)当VBB=3V时,因为
μA
所以T处于饱和状态。
19、电路如图所示,试问β大于多少时晶体管饱和?
解:
取UCES=UBE,若管子饱和,则
所以,
时,管子饱和。
20、电路如图所示,晶体管的β=50,|UBE|=0.2V,饱和管压降|UCES|=0.1V;稳压管的稳定电压UZ=5V,正向导通电压UD=0.5V。
试问:
当uI=0V时uO=?
当uI=-5V时uO=?
解:
当uI=0时,晶体管截止,稳压管击穿,uO=-UZ=-5V。
当uI=-5V时,晶体管饱和,uO=0.1V。
因为
21、分别判断图所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
解:
(a)可能(b)可能(c)不能
(d)不能,T的发射结会因电流过大而损坏。
(e)可能