模拟电子技术微课版教程第2版思考与练习解答.docx

上传人:b****6 文档编号:8941689 上传时间:2023-02-02 格式:DOCX 页数:16 大小:72.12KB
下载 相关 举报
模拟电子技术微课版教程第2版思考与练习解答.docx_第1页
第1页 / 共16页
模拟电子技术微课版教程第2版思考与练习解答.docx_第2页
第2页 / 共16页
模拟电子技术微课版教程第2版思考与练习解答.docx_第3页
第3页 / 共16页
模拟电子技术微课版教程第2版思考与练习解答.docx_第4页
第4页 / 共16页
模拟电子技术微课版教程第2版思考与练习解答.docx_第5页
第5页 / 共16页
点击查看更多>>
下载资源
资源描述

模拟电子技术微课版教程第2版思考与练习解答.docx

《模拟电子技术微课版教程第2版思考与练习解答.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《模拟电子技术微课版教程第2版思考与练习解答.docx(16页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。

模拟电子技术微课版教程第2版思考与练习解答.docx

模拟电子技术微课版教程第2版思考与练习解答

项目一思考与练习解答

1.1思考与练习

1.半导体具有哪些独特性能?

在导电机理上,半导体与金属导体有何区别?

答:

半导体的独特性能是:

光敏性、热敏性和掺杂性。

在导电机理上,金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电,而半导体中有多子和少子两种载流子同时参与导电,这是它们导电机理上的本质区别。

2.何谓本征半导体?

什么是“本征激发”?

什么是“复合”?

答:

天然的半导体材料经过特殊的高度提纯工艺,成为晶格完全对称、具有共价键结构的纯净半导体时,即为本征半导体。

由于光照、辐射、温度的影响在本征半导体中产生自由电子载流子的现象称为本征激发;本征激发的主要导电方式是完全脱离了共价键的自由电子载流子逆着电场方向而形成的定向迁移——电流。

本征激发的同时,共价键中的一些价电子“跳进”相邻原子中空穴的现象称为复合,复合的结果产生了空穴载流子,空穴载流子带正电,其导电方式是空穴载流子顺着电场方向形成的定向迁移——电流。

3.N型半导体和P型半导体有何不同?

各有何特点?

它们是半导体器件吗?

答:

本征半导体中掺入五价杂质元素后可得到N型半导体,N型半导体中多子是自由电子,少子是空穴,定域的离子带正电;本征半导体中掺入三价杂质元素后可得到P型半导体,P型半导体中多子是空穴,少子是自由电子,定域的离子带负电。

这两种类型的半导体是构成半导体器件的基本元素,但不能称之为半导体器件。

4.何谓PN结?

PN结具有什么特性?

答:

用半导体工艺在同一块晶体的两端注入不同的杂质元素后,在晶片两端分别形成P区和N区,在P区和N区的交界处因为浓度上的差别必定出现扩散,扩散的结果在两区交界处形成一个干净的离子区,这个离子区就是PN结。

PN结具有单向导电性:

正向偏置时导通,反向偏置时截止。

5.电击穿和热击穿有何不同?

试述雪崩击穿和齐纳击穿的特点。

答:

电击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿,前者是一种碰撞的击穿,后者属于场效应的击穿,这两种电击穿过程可逆,不会造成PN结的永久损坏。

但是,上述两种击穿如果不加任何限制而持续增强时,由于PN结上的热量积累就会发生质变而造成热击穿,热击穿过程不可逆,可造成PN结的永久损坏。

1.2思考与练习

1.二极管的伏安特性曲线上共分几个工作区?

试述各工作区的电压、电流、关系。

答:

二极管的伏安特性曲线上分有死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个工作区。

死区:

输入的是正向电压,但由于其数值很小还不能克服PN结内电场对扩散电流的阻挡作用,因此电流基本为零;正向导通区:

二极管的导通电流随输入电压增加很快,导通后二极管的管压降基本维持在硅管典型值0.7V;锗管的导通压降典型值0.3V,显然都小于电源电压,因此正向导通区工作的二极管需要串入分压限流电阻;反向截止区:

当二极管工作环境的温度不变时,反向电流基本不随反向电压的变化而变化且近似为零,称为反向饱和电流;反向击穿区:

当外加电压达到反向击穿电压时,反向电流骤然增大,造成雪崩击穿或齐纳击穿现象,如不加限流设置,极易造成“热击穿”而使二极管永久损坏。

2.普通二极管进入反向击穿区后是否一定会被烧损?

为什么?

答:

普通二极管工作在反向击穿区时,反向电流很大,如不加设限流设置,极易造成“热击穿”而造成永久损坏。

如果二极管进入反向击穿区后保持在电击穿状态,由于电击穿过程可逆,所以不会造成永久损坏。

3.反向截止区的电流具有什么特点?

为何称为反向饱和电流?

答:

反向截止区内通过二极管的反向电流是半导体内部少数载流子的漂移运动形成的,只要二极管的工作环境温度不变,少数载流子的数量就会保持恒定,因此反向截止区的电流又被称为反向饱和电流。

反向饱和电流的数值很小,工程实际中通常近似视为零值。

4.试判断图1.26所示电路中二极管各处于什么工作状态?

设各二极管的导通电压均为0.7V,求输出电压UAO。

答:

图示电路设O点电位为零,先假设电阻R中无电流通过,则A点电位为-8V,B点电位为-15V,二极管VD2反偏截止;VD1正向导通,VD1一旦导通,A点电位即被钳位在VA=-0.7V,得UAO=-0.7V。

5.把一个1.5V的干电池直接正向连接到二极管的两端,有可能会出现什么问题?

答:

测量二极管类型及好坏时,通常采用1.5V干电池串一个约1k的电阻,并使二极管按正向接法与电阻相连接,使二极管正向导通。

然后用万用表的直流电压档测量二极管两端的管压降UD,如果测到的VD为0.6~0.7V则为硅管,如果测到的VD为0.1~0.3V就是锗管。

测量时如果直接把1.5V的干电池正向连接到二极管的两端,因为没有限流电阻,有可能使二极管因过流而造成损坏。

6.理想二极管电路如图1.27所示。

已知输入电压ui=10sinωtV,试画出输出电压uo的波形。

答:

分析二极管电路时,通常先假设输入电压低极性一端为“地”电位,并且设电阻中无电流。

(a)图:

二极管为理想二极管,当输入正弦波电压ui<-5V时,二极管VD正偏导通相当于短路,输出电压uo=ui;当输入正弦波电压ui>-5V时,二极管VD反偏截止相当于开路,输出电压uo=-5V,波形如下图所示:

(b)图:

二极管为理想二极管,当输入正弦波电压ui>+5V时,二极管VD正偏导通相当于短路,输出电压uo=ui;当输入正弦波电压ui<+5V时,二极管VD反偏截止相当于开路,输出电压uo=+5V,波形如下图所示:

 

1.3思考与练习

1.双极型三极管的发射极和集电极是否可以互换使用?

为什么?

答:

双极型三极管的发射区和集电区虽然杂质类型相同,但是两个区的杂质浓度上存在较大差异,占有体积也不同,因此不能互换使用。

如果互换使用,将严重影响管子的电流放大能力,甚至使管子失去电流放大能力。

2.三极管在输出特性曲线的饱和区工作时,其电流放大系数是否也等于β?

答:

三极管工作在饱和区时,造成的饱和失真使电流放大能力下降,电流放大系数β值随之减小为β',β'小于β。

3.使用三极管时,只要①集电极电流超过ICM值,三极管就必然损坏;②耗散功率超过PCM值,三极管就必然损坏;③集—射极电压超过U(BR)CEO值,三极管就必然损坏。

上述说法哪个正确?

答:

上述说法只有②正确。

超过最大耗散功率PCM值时,三极管将由于过热而烧损。

4.用万用表测量某些三极管的管压降得到下列几组数据,说明每个管子是NPN型还是PNP型?

是硅管还是锗管?

它们各工作在什么区域?

1UBE=0.7V,UCE=0.3V;

2UBE=0.7V,UCE=4V;

3UBE=0V,UCE=4V;

4UBE=-0.2V,UCE=-0.3V;

5UBE=0V,UCE=-4V。

答:

分析时,均设VE=0,则UBE=VB,UCE=VC。

①UBE=0.7V,说明VB=0.7V,UCE=0.3V,说明VC=0.3V,发射极电位最低,为NPN硅管,比较三个电极电位值可得,发射结P高N低正向偏置;集电结P高N低也正向偏置,判断该管子工作在饱和区。

同理可判断出②NPN硅管,工作在放大区;③NPN硅管,工作在截止区;④PNP锗管,工作在放大区;⑤PNP锗管,工作在截止区。

5.为什么使用复合管?

复合管和普通三极管相比,有何特点?

答:

使用复合管是为了增大三极管的输出电流,增强放大器的驱动能力。

复合管和普通相比,显著特点就是复合管的电流放大倍数等于复合的两管放大倍数的乘积。

1.4思考与练习

1.双极型三极管和单极型三极管的导电机理有什么不同?

为什么称双极型三极管为电流控制型器件?

MOS管为电压控制型器件?

答:

导电机理上:

双极型三极管中多子和少子两种载流子同时参与导电;单极型三极管只有多子参与导电。

由于双极型三极管的输出大电流IC受基极小电流IB的控制,因此称其为电流控制型器件;MOS管的输出大电流ID受栅源间小电压UGS的控制,因之称为电压控制型器件。

2.当UGS为何值时,增强型N沟道MOS管导通?

当UGD等于何值时,漏极电流表现出恒流特性?

答:

当UGS=UT时,增强型N沟道MOS管形成导电沟道而导通,随着UGS的增加,沟道加宽,ID增大。

当UGD=UGS-UDS

3.双极型三极管和MOS管的输入电阻有何不同?

答:

双极型三极管的输入电阻rbe一般在几百欧~千欧左右,数值较小;而MOS管栅极与二氧化硅绝缘层相连,呈现极高的输入电阻,通常认为RG趋近无穷大。

4.MOS管在不使用时,应注意避免什么问题?

否则会出现何种事故?

答:

由于二氧化硅层的原因,使MOS管具有很高的输入电阻。

当受外界电压或磁场影响时,栅极易产生相当高的感应电压,造成管子击穿,所以MOS管在不使用时应避免栅极悬空,务必将各电极短接。

5.为什么说场效应管的热稳定性比双极型三极管的热稳定性好?

答:

双极型三极管同时有两种载流子参与导电,其中少数载流子受温度影响变化较大,因此热稳定性较差;场效应管只有多子一种载流子参与导电,而温度对多子基本无影响,因此其热稳定性较好。

项目二思考与练习解答

2.1思考与练习

1.放大电路有哪几种基本组态?

答:

放大电路的基本组态有三种,分别是共发射组态的放大电路、共基组态的放大电路和共集极组态的放大电路。

2.静态工作点的确定对放大器有什么意义?

放大器的静态工作点一般应该处于三极管输入输出特性曲线的什么区域?

答:

静态工作点的设置,实际上是给输入信号一个传输的载体,没有这个载体,输入信号中低于晶体管死区电压值的部分就被截止而得不到传输和放大,造成传输过程中严重的截止失真。

合适静态工作点的确定,可使放大器输入的交流信号中,小于死区电压以下的部分都能得到传输和放大,避免了信号传输上的截止失真。

放大器的静态工作点一般应该处于三极管输入特性恒流区的中间,按照小信号的最大化传输来设置,与输出特性曲线上IBQ、ICQ和UCEQ三者在直流负载线上的交点相对应。

3.设计放大器时,输入输出电阻的取值原则是什么?

放大器的输入输出电阻对放大器有什么影响?

答:

放大电路传输和放大的信号基本上都是微弱的信号电压。

因此设计放大器时,其输入电阻越大越好,因为放大器输入电阻越大,对小内阻的信号电压源影响越小,输入衰减越小;放大器输出电阻的取值原则是输出电阻小。

因为放大器对它所带负载来讲,也相当一个电压源,为了提高放大电路的负载能力,稳定输出电压,当然希望其输出电阻越小越好。

4.放大器的工作点过高会引起什么样的失真?

工作点过低呢?

答:

放大器的工作点过高时会使信号进入饱和区,造成信号传输过程中的饱和失真;如果静态工作点设置过低时,又易使放大器中传输的信号进入截止区,造成传输过程中的截止失真。

5.微变等效电路分析法的适用范围是什么?

微变等效电路分析法有什么局限性?

答:

微变等效电路分析法只适用于小信号放大电路,对功放这种大信号电路不适用,这是它的局限性。

微变等效电路法的思想:

在满足小信号条件下,非线性的器件三极管可用其线性小信号模型代替,使实际非线性电路线性化后,应用线性电路分析法可较方便的求出放大电路的动态指标:

输入电阻ri、输出电阻ro和电压放大倍数Au。

6.共集电极组态的放大电路和共射组态的放大电路相比,其特点有什么不同?

答:

共射放大电路的电压、电流放大能力都很强,因此具有很大的功率放大能力,输出电压和输出电流相位反相,但输入电阻和输出电阻都适中;和共射放大电路相比,共集电极组态的放大电路没有电压放大,但电流放大能力较强,因此仍有功率放大能力,输入、输出相位相同,输入电阻大、输出电阻小。

7.共集电极放大电路的电压放大倍数等于和略小于1,是否说明该组态放大电路没有放大能力?

答:

共集电极放大电路的电压放大倍数虽然小于和约等于1,电压得不到放大,但不能说没有放大能力,因为共集电极组态的放大电路输出电流是输入电流的(1+β)倍,具有较强的电流放大能力,因此仍具有功率放大能力。

8.射极输出器的发射极电阻RE能否像共发射极放大器一样并联一个旁路电容CE来提高电路的电压放大倍数?

为什么?

答:

射极输出器的输出取自于发射极,因此发射极电阻不能像共射放大电路一样并联旁路滤波电容。

如果并联一个旁路电容,由于电容的通交作用(相当短路),使电路无输出。

9.共基组态的放大电路与共射组态的放大电路相比,电路特点有何不同?

答:

共基组态的放大电路,与共发射极放大电路相比,不具有电流放大作用,但由于电压放大倍数和共射放大电路同样高,因此电路仍具有功率放大作用,共射放大电路的输入、输出为反相关系,而共基组态的放大电路输入、输出同相,因此电压放大倍数为正值。

所以共基放大电路具有的特点是:

输入电阻很小、输出电阻很高,高频特性比较好。

10.共基组态的放大电路能对输入电流和输入电压进行放大吗?

答:

共基组态的放大电路对输入电流没有放大能力,但是它的电压放大能力几乎与共射组态放大电路相同。

11.共基放大电路有功率放大吗?

它通常适用于哪些场合?

答:

共基放大电路不具有电流放大作用,但由于电压放大倍数和共射放大电路同样很高,因此电路仍具有功率放大作用。

共基放大电路多用于高频、宽频电路或恒流源电路。

2.2思考与练习

1.影响静态工作点稳定的因素有哪些?

其中哪个因素影响最大?

如何防范?

答:

实践证明,放大电路即使有了合适静态工作点,在外部因素的影响下,例如温度变化、电源电压的波动等,都会引起静态工作点的偏移,在诸多影响因素中,温度变化是影响静点稳定的最主要因素。

在放大电路中加入负反馈环节,可以有效地抑制温度对静态工作点的影响。

2.静态时耦合电容C1、C2两端有无电压?

若有,其电压极性和大小如何确定?

答:

静态时耦合电容C1和C2两端均有电压。

以NPN管的共射放大电路为例说明。

.电路静态时,输入信号源相当于短路,因此,耦合电容C1的端电压等于三极管基极电位值VB,左低右高(设NPN管电路);静态下由于无输出,所以输出端也相当短路,耦合电容C2的端电压等于三极管输出电压值UCE,左高右低。

3.放大电路的失真包括哪些?

失真情况下,集电极电流的波形和输出电压的波形有何不同?

消除这些失真一般采取什么措施?

答:

放大电路出现的失真包括截止失真和饱和失真两种。

以共射放大电路为例,截止失真时,集电极电流波形出现下削波,由于反相关系,输出电压波形出现上削顶;饱和失真时,集电极电流波形出现上削波,输出电压波形出现下削顶。

消除截止失真,需将静态工作点上移,消除饱和失真,要将静态工作点下移。

另外,还要在电路中加设负反馈环节以抑制温度影响下的电路失真。

4.试述RE和CE在放大电路中所起的作用。

答:

RE在电路中起的作用是负反馈作用,数值通常为几十至几千欧,它不但能够对直流信号产生负反馈作用,同样可对交流信号产生负反馈作用,从而造成电压增益下降过多。

为了不使交流信号削弱,一般在RE的两端并上一个滤波电容CE,以消除反馈电阻对交流信号的影响。

5.放大电路中为什么要设置静态工作点?

静态工作点不稳定对放大电路有何影响?

答:

对放大电路的要求主要是保证输入信号在传输和放大过程中不能出现失真。

设置合适的静态工作点,可使放大电路的非线性器件三极管保证在任意时刻都工作在线性放大区,输出波形才不会失真。

如果静态工作点不稳定,偏低时造成输出波形发生截止失真;偏高时输出波形容易发生饱和失真。

6.电压放大倍数的概念是什么?

电压放大倍数是如何定义的?

共发射极放大电路的电压放大倍数与哪些参数有关?

答:

电压放大倍数Au是衡量放大电路对输入信号放大能力的性能指标。

放大电路中,通常把电压放大倍数定义为输出电压与输入电压的比值。

共发射极放大电路的电压放大倍数与晶体管的电流放大倍数β、动态输入电阻rbe及放大器的集电极电阻RC有关。

7.试述放大电路输入电阻的概念。

为什么总是希望放大电路的输入电阻ri尽量大一些?

答:

对需要传输和放大的信号源来说,放大电路相当于一个负载,负载电阻就是放大电路的输入电阻。

放大电路的输入电阻ri的大小决定了放大器向信号源取用电流的大小。

因为被放大信号通常是微弱小信号电压,而且总是存在一定内阻。

所以我们希望放大电路的输入电阻ri尽量大些,这样从信号源取用的电流就会小一些,以免造成输入信号电压的衰减。

8.试述放大电路输出电阻的概念。

为什么总是希望放大电路的输出电阻ro尽量小一些呢?

答:

对负载来说,放大电路的输出电阻ro相当于信号源内阻。

我们通常希望放大电路的输出电阻ro尽量小一些,以便向负载输出电流后,输出电压没有很大的衰减。

而且放大器的输出电阻ro越小,负载电阻RL的变化对输出电压的影响就越小,使得放大器带负载能力越强。

9.何谓放大电路的动态分析?

试述动态分析步骤?

答:

放大电路的动态分析,就是在直流静态工作点设置好的情况下,不再考虑Q点,利用微变等效电路法分析和计算出放大电路对交流信号呈现的输入电阻ri、电路的输出电阻ro和交流电压放大倍数Au。

微变等效电路法的分析步骤:

(1)首先根据已经求出的静态工作点Q,求出微变等效电路参数β和rbe;

(2)画出动态下的交流通道,根据交流通道画出其微变等效电路;

(4)利用线性电路的分析法,对微变等效电路列方程,求解出ri、ro和Au。

10.图2.19所示各电路,分析其中哪些具有放大交流信号的能力?

为什么?

答:

图2.19电路中,图(a)没有放大交流信号的能力。

因为,基极电位VB=VCC,静态工作点太高,致使电路出现饱和失真;图(b)电路中,集电极电阻RC=0,电路无法把管子的电流放大转换为负载需要的电压放大;图(C)电路中,耦合电容的极性设置反了,所以不具有正常放大能力;图(d)电路电源、电容都是按照NPN管设置的,但管子为PNP型,所以不具有正常放大能力。

2.3思考与练习

1.选择题:

(1)场效应管是利用外加电压产生的__B__效应来控制漏极电流大小的。

A.电流B.电场C.电压

(2)场效应管是___C___器件。

A.电压控制电压B.电流控制电压C.电压控制电流D.电流控制电流

(3)场效应管漏极电流由___C____的运动形成。

A.少子B.电子C.多子D.两种载流子

2.场效应管放大电路共有几种组态?

共源和共漏放大电路分别对应双极型晶体管的哪种组态放大电路?

答:

场效应管放大电路有共源极放大电路、共漏极放大电路和共栅极放大电路三种组态。

其中共源放大电路对应双极型晶体管的共射放大电路;共漏放大电路对应双极型晶体管的共集电极放大电路。

因FET栅极高阻,所以共栅放大电路很少使用。

2.4思考与练习

1.多级放大电路通常有哪些耦合方式?

它们各自具有什么优缺点?

答:

多级放大电路的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、变压器耦合和光电耦合等方式,其中直接耦合方式能够放大直流或变化缓慢的信号,容易集成,但存在零点漂移;阻容耦合方式的特点是各级静态工作点互不影响,有利于放大器的设计、调试和维修,但低频特性差,只能传递具有一定频率的交流信号;变压器耦合方式各级静态工作点互不影响,可实现电压、电流和变换,容易获得较大的输出功率,且输出温度漂移小,但低频特性差,变压器耦合电路体积和重量都较大,不易集成。

光电耦合方式的特点是利用光电转换进行前、后级的电气隔离,有效抑制级间干扰。

2.多级放大电路的性能指标有哪些?

与单级放大电路有何不同?

答:

多级放大电路的基本性能指标与单级放大电路相同,即有电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

其中总电压放大倍数等于各级电压放大倍数的乘积,多级放大电路的输入电阻就是输入级的输入电阻,多级放大电路的输出电阻就是输出级的输出电阻.

2.5思考与练习

1.何谓放大电路的频率响应?

何谓波特图?

答:

放大电路对不同频率的信号成分放大能力和相移能力均存在差异,这种差异用曲线描述电压放大倍数的模与频率f之间的关系时,称为幅频特性;用曲线描述放大器的输出与输入之间的相位差

与频率f之间的关系时,称为相频特性。

幅频特性和相频特性统称为放大电路的频率响应(或频率特性)。

在研究放大电路的频率响应时,由于信号的频率范围很宽(从几赫到几百兆赫以上),放大电路的放大倍数也很大(可达百万倍),为压缩坐标,扩大视野,在画频率特性曲线时,频率坐标采用对数刻度,而幅值(以dB为单位)或相角采用线性刻度。

在这种半对数坐标中画出的幅频特性和相频曲线称为波特图。

2.试述单级和多级放大电路的通频带和上、下限频率有何不同。

答:

信号频率下降或上升而使电压放大倍数下降到中频区的0.707倍Aum时,所对应的频率分别为下限截止频率fL(简称下限频率)和上限截止频率fH(简称上限频率)。

上限频率fH至下限频率fL的一段频率范围称为通频带。

多级放大电路的下限频率fL比单级的要大,上限频率fH比单级的要小,因此多级放大电路与单级放大电路相比,总的频带宽度BW变窄了。

3.试述线性失真和非线性失真概念的不同点,说明频率响应属于哪种失真。

答:

放大电路对不同频率成分信号的放大能力和相移能力的不同,使输出波形产生的失真为频率失真。

频率失真不产生新的频率成分,属于线性失真。

放大电路中出现的饱和失真和截止失真,使波形产生了新的频率成分,因此是非线性失真。

频率失真和饱和失真、截止失真,均造成输出波形与输入波相比发生畸变,但产生畸变的原因不同,因此失真的性质也不相同:

线性失真不产生新的频率成分,非线性失真会出现新的频率。

第3单元思考与练习解答

3.2思考与练习

1.什么是零漂现象?

零漂是如何产生的?

采用什么方法可以抑制零漂?

答:

直接耦合的多级放大电路,当输入信号为零时,输出信号电压并不为零,而且这个不为零的电压会随时间作缓慢的、无规则的、持续的变动,这种现象称为零点漂移,简称零漂。

采用差动放大电路作为集成电路的输入级,可以有效地抑制零漂。

即依靠差动放大电路的对称性,使零点漂移得到有效的抑制。

2.何谓差模信号?

何谓共模信号?

答:

差模信号uid数值上等于差动放大电路中两管输入信号的差值,是放大电路中需要传输和放大的有用信号;温度变化,电源电压波动及外界电磁干扰等对放大电路的影响,相当于在输入端加上了“共模信号”。

共模信号对放大电路是一种干扰信号,应采取措施加以抑制。

3.差动放大电路有哪几种类型?

答:

差动放大电路有两个输入端子和两个输出端子,因此信号的输入和输出均有双端和单端两种方式。

双端输入时,信号同时加到两输入端;单端输入时,信号加到一个输入端与地之间,另一个输入端接地。

双端输出时,信号取于两输出端之间;单端输出时,信号取自于一个输出端到地之间。

因此,差动放大电路有双端输入双端输出、单端输入双端输出、双端输入单端输出、单端输入单端输出四种应用方式。

4.恒流源在差动放大电路中起什么作用?

答:

差动放大电路射极电阻越大,抑制零漂的效果越好。

但是射极电阻增大时,所需负电源的值也相应增大。

因恒流源内阻很大,在差动放大电路中用恒流源代替射极电阻,可以得到较好的共模抑制效果,同时又不要求增大负电源的值,而且还可以利用恒流源的恒流特性给三极管提供更稳定的静态偏置电流。

3.3思考与练习

1.放大电路为什么采用复合管?

构成复合管的原则是什么?

答:

放大电路中采用复合管的目的,主要是为了满足放大电路的需要,进一步增大电路的放大能力,因为复合管的β=β1β2。

构成复合管的原则是使复合起来的三极管,都处于放大状态,即满足发射结正偏、集电结反偏,各电极电流均能合理流动。

3.4思考与练习

1.与一般电压放大器相比,功放电路在性能要求上有什么不同?

答:

从能量控制的观点来看,功率放大器与一般电压放大器并没有本质上的区别。

但是,从完成任务的角度和对电路的要求来看,二者有很大

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索

当前位置:首页 > 表格模板 > 合同协议

copyright@ 2008-2022 冰豆网网站版权所有

经营许可证编号:鄂ICP备2022015515号-1