第五章 放大电路的频率响应.docx
《第五章 放大电路的频率响应.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《第五章 放大电路的频率响应.docx(51页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
第五章放大电路的频率响应
第五章放大电路的频率响应
自
一、选择正确答案填入空内。
测
题
(1)测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响
应,条件是
。
A.输入电压幅值不变,改变频率
B.输入电压频率不变,改变幅值
C.输入电压的幅值与频率同时变化
(2)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是
低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是。
A.耦合电容和旁路电容的存在
B.半导体管极间电容和分布电容的存在。
C.半导体管的非线性特性
D.放大电路的静态工作点不合适
,而
(3)当信号频率等于放大电路的fL或fH时,放大倍数的值约下降到中
频时的
。
A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍
即增益下降
。
A.3dBB.4dBC.5dB
(4)对于单管共射放大电路,当f=fL时,Uo与Ui相位关系是
A.+45˚B.-90˚C.-135˚
当f=fH时,Uo与Ui的相位关系是。
A.-45˚B.-135˚C.-225˚
解:
(1)A
(2)B,A(3)BA(4)CC
。
第五章题解-1
二、电路如图T5.2所示。
已知:
VCC=12V;晶体管的Cμ=4pF,fT=
50MHz,r'=100Ω,β0=80。
试求解:
bb
(1)中频电压放大倍数
(2)Cπ';
(3)fH和fL;
(4)画出波特图。
Ausm;
图T5.2
解:
(1)静态及动态的分析估算:
VCC−UBEQ
IBQ=
Rb
≈
22.6µA
I
EQ
=+βI
(1)BQ
≈
1.8mA
U
=
−IR
≈3V
CEQVCCCQc
rb'e
=+β
(1)
26mV
IEQ
≈
Ω
1.17k
=+≈
1.27kΩ
rberbb'rb'e
=r∥R
≈
1.27kΩ
Ribe
I
b
g
m
=
EQ≈
UT
Ri
69.2mA/V
⋅rb'e−
≈−
Ausm=+
(
gR
178
RRr
mc
(2)估算Cπ':
s
i
be
第五章题解-2
f
T
≈
r
β
0
+
C
2π(
β0
b'eCπμ
)
C
π
≈
2π
f
rb'eT
−Cμ≈
214pF
C'
π
=Cπ+(1+g
C
)
mRcμ
≈
1602pF
(3)求解上限、下限截止频率:
R=rb'e∥(rb'b+Rs∥Rb)≈
rb'e
∥
(
rb'b
+R
s
≈Ω
)567
f
H
=
1
'
≈
175kHz
f
L
=
2πRCπ
1
+RC
2π(Rsi)
≈
14Hz
(4)在中频段的增益为
20lgAusm≈45dB
频率特性曲线如解图T5.2所示。
解图T5.2
三、已知某放大电路的波特图如图T5.3所示,填空:
第五章题解-3
(1)电路的中频电压增益20lg|
Aum|=dB,
Aum=
。
(2)电路的下限频率fL≈Hz,上限频率fH≈kHz.
(3)电路的电压放大倍数的表达式Au=
图T5.3
解:
(1)60104
(2)1010
(3)
±103
±100jf
。
(1
+
10
+
)(1j
f
4
+
)(1j
f
5
)
或
+
(1j
f
+
)(1j
f
4
+
)(1j
f
5
)
jf
10
10
10
10
10
说明:
该放大电路的中频放大倍数可能为“+”,也可能为“-”。
第五章题解-4
习
题
5.1在图P5.1所示电路中,已知晶体管的r'、Cμ、Cπ,Ri≈rbe。
bb
填空:
除要求填写表达式的之外,其余各空填入①增大、②基本不变、
③减小。
图P5.1
fL将
(1)在空载情况下,下限频率的表达式fL=
;当带上负载电阻后,fL将。
'
(2)在空载情况下,若b-e间等效电容为C,
。
当Rs减小时,
则上限频率的表达
式fH=
fH将
。
;当Rs为零时,fH将
1
π
;当Rb减小时,gm将
,Cπ'将
,
解:
(1)
2π(R+R
)C
。
①;①。
(2)
π
s
∥
b∥rbe1
1
+R∥RC'
;①;①,①,③。
2[rb'e
(rbb'b
s
)]
π
第五章题解-5
5.2已知某电路的波特图如图P5.2所示,试写出Au的表达式。
图P5.2
解:
设电路为基本共射放大电路或基本共源放大电路。
Au
≈
−32
或Au
≈
−3.2jf
(1
+
10
+
)(1j
f
5
)
+
(1j
f
+
)(1j
f
5
)
jf
10
10
10
5.3已知某共射放大电路的波特图如图P5.3所示,试写出Au的表达式。
图P5.3
解:
观察波特图可知,中频电压增益为40dB,即中频放大倍数为-100;
下限截止频率为1Hz和10Hz,上限截止频率为250kHz。
故电路A的表达式
为
u
第五章题解-6
A
u
=
(1+
1
jf
)(1+
−100
10
+
)(1j
jf
f
×
5
)
或
A=
+10f2
2.510
u
+
(1+jf)(1j
f
+
)(1j
f
)
10
×
5
2.510
5.4已知某电路的幅频特性如图P5.4所示,试问:
(1)该电路的耦合方式;
(2)该电路由几级放大电路组成;
(3)当f=104Hz时,附加相移为
多少?
当f=105时,附加相移又约为多
少?
解:
(1)因为下限截止频率为0,
所以电路为直接耦合电路;
(2)因为在高频段幅频特性为
-60dB/十倍频,所以电路为三级放大电路;
图P5.4
(3)当f=104Hz时,φ'=-135o;当f=105Hz时,φ'≈-270o。
5.5若某电路的幅频特性如图P5.4所示,试写出A的表达式,并近似估
算该电路的上限频率fH。
解:
Au的表达式和上限频率分别为
±103
f'
u
Au=
+
(1j
f
4
)
3
f
H
≈
H
1.13
≈
5.2kHz
10
第五章题解-7
5.6已知某电路电压放大倍数
−10jf
Au=
+
(1j
f
+
)(1j
f
5
)
试求解:
10
10
(1)
Aum=?
fL=?
fH=?
(2)画出波特图。
解:
(1)变换电压放大倍数的表达式,求出
f
Aum、fL、fH。
A
u
=
−⋅
100j
f
10
f
+
(1j
10
Aum=−100
fL=10Hz
fH=5
10Hz
+
)(1j
10
5
)
(2)波特图如解图P5.6所示。
解图P5.6
5.7已知两级共射放大电路的电压放大倍数
第五章题解-8
Au=
+
f+
⋅f
200j
f
f
1j
1j
5
+
1j
104
×
5
(1)
Aum=?
fL=?
fH=?
2.510
(2)画出波特图。
解:
(1)变换电压放大倍数的表达式,求出
Aum、fL、fH。
A
u
=
+
f
+
3⋅
10j
f
f
5
+
f
(1j
5
)(1j
10
4
)(1j
×
5
)
A
um
=103
2.510
fL=5Hz
f
H
≈
4
10Hz
(2)波特图如解图P5.7所示。
解图P5.7
第五章题解-9
5.8电路如图P5.8所示。
已知:
晶体管的β、r'、Cμ均相等,所有电容
bb
的容量均相等,静态时所有电路中晶体管的发射极电流IEQ均相等。
定性分析
各电路,将结论填入空内。
图P5.8
(1)低频特性最差即下限频率最高的电路是;
(2)低频特性最好即下限频率最低的电路是;
(3)高频特性最差即上限频率最低的电路是;
解:
(1)(a)
(2)(c)
(3)(c)
5.9在图P5.8(a)所示电路中,若β=100,rbe=1kΩ,C1=C2=Ce
=100μF,则下限频率fL≈?
解:
由于所有电容容量相同,而Ce所在回路等效电阻最小,所以下限频
率决定于Ce所在回路的时间常数。
+R∥
+
rR
=
RR∥
rbes
≈
Rbbe
s
≈20Ω
e
1
1
+β
1
+β
f
L
≈
2πRCe
≈80Hz
第五章题解-10
5.10在图P5.8(b)所示电路中,若要求C1与C2所在回路的时间常数相
等,且已知rbe=1kΩ,则C1:
C2=?
若C1与C2所在回路的时间常数均为25ms,
则C1、C2各为多少?
下限频率fL≈?
解:
(1)求解C1:
C2
因为C1(Rs+Ri)=C2(Rc+RL)
将电阻值代入上式,求出
C1:
C2=5:
1。
(2)求解C1、C2的容量和下限频率
τ
1=+
C
R
≈
12.5μF
C
f
Rsi
τ
2=+
RR
cL
=f=
≈
1
2.5μF
≈
6.4Hz
L1L2
τ
2π
fL≈
1.12fL1≈10Hz
5.11在图P5.8(a)所示电路中,若Ce突然开路,则中频电压放大倍数
Ausm、fH和fL各产生什么变化(是增大、减小、还是基本不变)?
为什么?
解:
Ausm将减小,因为在同样幅值的Ui作用下,I&b将减小,I&c随之
减小,Uo必然减小。
fL减小,因为少了一个影响低频特性的电容。
fH增大。
因为Cπ'会因电压放大倍数数值的减小而大大减小,所以虽然C'
π
所在回落的等效电阻有所增大,但时间常数仍会减小很多,故fH增大。
5.12在图P5.8(a)所示电路中,若C1>Ce,C2>Ce,β=100,rbe=
1kΩ,欲使fL=60Hz,则Ce应选多少微法?
1
解:
下限频率决定于Ce所在回路的时间常数,f≈
L2πRCe
回路的等效电阻。
R和Ce的值分别为:
+R∥+
rR
。
R为Ce所在
=
RR∥rbes
≈
Rbbe
s
≈20Ω
e
1+β
1+β
第五章题解-11
C
e
≈
1
2πRfL
≈
133μF
5.13在图P5.8(d)所示电路中,已知晶体管的rbb'=100Ω,rbe=1kΩ,
静态电流IEQ=2mA,Cπ'=800pF;Rs=2kΩ,Rb=500kΩ,RC=3.3kΩ,C=10
μF。
试分别求出电路的fH、fL,并画出波特图。
解:
(1)求解fL
f
L
=
2π(
1
+R)
≈
2π(
1
+r
)
≈
5.3Hz
Rsi
Rsbe
(2)求解fH和中频电压放大倍数
=−=
0.9kΩ
rb'erberb'b
f
H
=
2π[
∥(r
1
+R
∥
)]C'
≈
2π[
1
∥(r
+
)]C'
≈
316kHz
IEQ
rb'e
b'b
b
Rsπ
rb'e
b'bRsπ
gm≈
UT
≈77mA/V
R
i
⋅rb'e⋅(−
'
)
rb'e
⋅(−
'
≈−
)76
sm=+
Au
RRr
mL
gR
≈+
Rr
mL
gR
s
20lgAusm≈
i
be
37.6dB
sbe
其波特图参考解图P5.6。
5.14电路如图P5.14所示,已知Cgs=Cgd=5pF,gm=5mS,C1=C2=CS
=10μF。
试求fH、fL各约为多少,并写出Aus的表达式。
图P5.14
第五章题解-12
解:
fH、fL、Aus的表达式分析如下:
R
A
i
sm=+
(−
'
mL
gR
)≈−
'≈
mL
gR
−12.4
u
RR
f
L
≈
2π
s
1
C
i
≈16Hz
C'
=C
Rss
+(1+
'
gRC
≈
f
gs
H
=
gs
1
∥
mL
'
)
gd
≈
72pF
1
'
≈
1.1MHz
A
us
≈
2π(
+
Rs
−
f
)C
Rggs
f
12.4⋅(j
16
+
)
f
2π
C
Rsgs
(1j
16
)(1j
×
1.110
6
)
5.15在图5.4.7(a)所示电路中,已知Rg=2MΩ,Rd=RL=10kΩ,C=
10μF;场效应管的Cgs=Cgd=4pF,gm=4mS。
试画出电路的波特图,并标
出有关数据。
解:
A
um
=−gR'
mL
=
−20,20lgA
um
≈26dB
C'
=C
+(1+
'
gRC
=
gs
gs
mL
)
gd
88pF
fL
≈
1
+
RRL)C
2π(d
1
≈
0.796Hz
fH=
2π
C
'
≈904Hz
其波特图参考解图P5.6。
Rggs
第五章题解-13
5.16已知一个两级放大电路各级电压放大倍数分别为
Au1
=
Uo1
=
+
−25jf
U
i
1j
f+
1j
f
A
u2
=
U
o=
+
4
−2jf
105
U
i2
f+
f
1j501j105
(1)写出该放大电路的表达式;
(2)求出该电路的fL和fH各约为多少;
(3)画出该电路的波特图。
解:
(1)电压放大电路的表达式
−50f2
A&u=AuAu
12
=
+
(1j
f
+
)(1j
f
+
)(1j
f
5
)
2
(2)fL和fH分别为:
fL≈50Hz
4
50
10
1
≈
1
,
f
≈
64.3kHz
f
H
1.12105H
(3)根据电压放大倍数的表达式可知,中频电压放大倍数为104,增益
为80dB。
波特图如解图P5.16所示。
解图P5.16
第五章题解-14
5.17电路如图P5.17所示。
试定性分析下列问题,并简述理由。
(1)哪一个电容决定电路的下限频率;
'
(2)若T1和T2静态时发射极电流相等,且rbb'和Cπ相