8晶体结构计算.docx
《8晶体结构计算.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《8晶体结构计算.docx(11页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
8晶体结构计算
晶体结构计算
目标说明:
作为物质结构选做题中非常稳定的考点,晶体结构的计算是学生最为头疼、最怕的一个问题,但想要在结构这道题拿到高分,晶体结构的计算是需要突破的考点。
通过本专题,一是希望学生能够消解对该题的畏惧心理,二是形成一定的解题方法和思路,巩固常见考点。
具体来说包括:
1熟练计算典型晶体面心立方最紧密堆积的晶胞(如金属Cu,NaCl型),CaF2型晶胞,金刚石型晶胞中的常见问题:
原子坐标、晶胞中原子个数、晶体密度、配位数、原子间距离、空间占有率。
2根据晶体计算的基本思路,计算其它类型晶胞中的这些问题。
【例题】(2015年全国甲卷)A、B、C、D为原子序数依次增大的四种元素,A2-和B+具有相同的电子构型:
C、D为同周期元素,C核外电子总数是最外层电子数的3倍;D元素最外层有一个未成对电子。
回答下列问题:
(5)A和B能够形成化合物F,其晶胞结构如图所示,晶胞参数a=0.566nm,F的化学式为________;晶胞中A原子的配位数为________;列式计算晶体F的密度(g·cm-3 )___________。
备注:
此题考察的是典型晶胞类型中的CaF2型晶胞,考察的问题是晶胞中原子个数,配位数,晶体密度这些学生必须掌握的晶体计算问题。
根据题干推断出来A为O,B为Na。
从晶胞结构中可以看出,晶胞中浅色的小球占据顶点和面心,个数为8×1/8+6×1/2=4,深色小球全部在晶胞内部,个数为8,根据晶体构成元素Na和O,F的化学式为Na2O。
计算A原子的配位数时,选择在面心的O2-比较方便观察,例如在底面面心O2-的上方有4个Na+和它等距,根据晶体的平移对称性,下方也有一个晶胞,在下方的晶胞中,该O2-变成了顶面面心,从顶面面心的O2-可以看出来,它的下方也有4个Na+和它等距,因此A原子的配位数为8。
根据上面的计算结果可知:
晶胞中共有8个Na+和4个O2-,总质量为4×(23×2+16)g/mol÷(6.02×1023mol-1),晶胞体积为a3=(0.566×10-7cm)3。
故晶体密度为
=2.27g/mol。
拓展:
在讲完此题后,可以引导学生再计算B原子的配位数,A、B原子的原子坐标,最近的A、B原子间距离,B和B原子间距离,A和A原子间距离(可采用原子坐标计算)。
这里需要掌握Na+的坐标,引导学生将晶胞的立方体按
方式分割成8个小立方体。
Na+在每个小立方体的中心。
【变式训练1】(2016年四川卷)M、R、X、Y为原子序数依次增大的短周期主族元素,Z是一种过渡元素。
M基态原子L层中p轨道电子数是s轨道电子数的2倍,R是同周期元素中最活泼的金属元素,X和M形成的一种化合物是引起酸雨的主要大气污染物,Z的基态原子4s和3d轨道半充满。
请回答下列问题:
(4)M和R所形成的一种离子化合物R2M晶体的晶胞如图所示,则图中黑球代表的离子是_________(填离子符号)。
(4)Na+
备注:
CaF2型晶胞中原子个数计算应用的巩固练习。
【变式训练2】(2016年全国乙卷)锗(Ge)是典型的半导体元素,在电子、材料等领域应用广泛。
(6)晶胞有两个基本要素:
①原子坐标参数,表示晶胞内部各原子的相对位置,下图为Ge单晶的晶胞,其中原子坐标参数A为
;B为
;C为
。
则D原子的坐标参数为 。
②晶胞参数,描述晶胞的大小和形状。
已知
单晶的晶胞参数
,其密度为__________
(列出计算式即可)。
答案:
(6)①(1/4,1/4,1/4)②
备注:
此为典型晶胞类型中金刚石型晶胞,通过此题引导学生应用例题中的将立方体切割的方法,内部的四个Ge原子占据的是八个小立方体中的四个小立方体中心的位置,由每个小立方体的边长为晶胞参数的一半可知,D在各个方向的1/4处,,即坐标为(1/4,1/4,1/4)。
计算晶体密度时首先计算Ge原子个数:
顶点8×1/8,面心:
6×1/2,内部:
4×1,一共8个。
则晶体密度计算式为
。
【变式训练3】(2011年全国理综)氮化硼(BN)是一种重要的功能陶瓷材料.以天然硼砂为起始物,经过一系列反应可以得到BF 3 和BN,如下图所示
请回答下列问题:
(5)六方氮化硼在高温高压下,可以转化为立方氮化硼,其结构与金刚石相似,硬度与金刚石相当,晶胞边长为361.5pm,立方氮化硼晶胞中含有 个氮原子、 个硼原子,立方氮化硼的密度是 g•cm -3 (只要求列算式,不必计算出数值,阿伏伽德罗常数为N A )
答案:
(5)4;4;
备注:
此题为金刚石型晶胞的变体,将金刚石型晶胞内8个原子替换为个数比1:
1的两种原子,由此计算晶胞内原子个数,晶体密度。
根据金刚石的结构可以判断出金刚石的一个晶胞中含有的碳原子数8,则一个立方氮化硼晶胞中含有4个N原子和4个B原子.一个晶胞中的质量为25×4g/N A ,一个立方氮化硼晶胞的体积是(361.5×10 -10 cm)3 ,其密度为,
。
【变式训练4】(2013年江苏卷)元素X位于第四周期,其基态原子的内层轨道全部排满电子,且最外层电子数为2。
元素Y基态原子的3p轨道上有4个电子。
元素Z的原子最外层电子数是其内层的3倍。
(1)X与Y所形成化合物晶体的晶胞如图所示。
①在1个晶胞中,X离子的数目为 。
②该化合物的化学式为 。
答案:
(1)①4 ②ZnS
备注:
此晶胞为CaF2晶胞类型的变体,即内部的八个原子中少了一半,也可视为将金刚石型晶胞中内部的4个原子替换为其它原子。
考察了晶胞内原子个数的计算。
从题干可推测X为Zn,Y为S。
根据晶胞结构,S2-占据顶点和面心,在1个晶胞中,S2-离子的数目为
个。
Zn2+在晶胞内部的数目,也有4个,故化学式为ZnS。
【变式训练5】(2016年全国丙卷)砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。
(5)GaAs的熔点为1238℃,密度为ρg·cm-3,其晶胞结构如图所示。
该晶体的类型为________________,Ga与As以________键键合。
Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol-1 和MAs g·mol-1,原子半径分别为rGa pm和rAs pm,阿伏伽德罗常数值为NA,则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________________。
答案:
(5)原子晶体;共价键
备注:
此题属于和变式训练4相似的晶胞类型,同时该试题的考点落在计算空间占有率,需要先由晶胞质量和密度计算出晶胞体积,再由Ga和As的原子半径计算Ga和As原子占据的体积。
As占据顶点8×1/8,面心:
6×1/2,一共4个;Ga在晶胞内,共4个,所以晶胞的体积是
。
二者的原子半径分别为rGa pm和rAs pm,阿伏伽德罗常数值为NA,则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为
×100%=
。
【变式训练6】(2012年全国理综)VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表现出多种氧化态,含VIA族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途。
请回答下列问题:
(6)ZnS在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛。
立方ZnS晶体结构如图所示,其晶胞边长为540.0pm,密度为____________(列式并计算),a位置S2-离子与b位置Zn2+离子之间的距离为___________________pm(列式表示)。
答案:
(6)
;
或
或
备注:
此题属于和变式训练4相似的晶胞类型,考察了晶胞密度计算,原子(离子)间距离。
根据晶胞结构,S2-占据顶点和面心,在1个晶胞中,S2-离子的数目为
个。
Zn2+在晶胞内部的数目,也有4个。
根据晶胞的结构可知,若其晶胞边长为540.0pm,则密度=
。
1根据晶胞的结构可知,S原子周围的4个锌原子构成正四面体型结构,则X与最近的Y之间的距离为
或
或
。
或者根据空间直角坐标系两点距离计算公式,X坐标为(0,0,0),Y坐标为(1/4,1/4,1/4),距离为
×540.0nm=135
nm。
【变式训练7】(2014年全国乙卷)铝单质为面心立方晶体,其晶胞参数a=0.405nm,晶胞中铝原子的配位数为。
列式表示铝单质的密度g·cm-3(不必计算出结果)
答案:
12
备注:
此题为面心立方晶胞,需计算配位数和晶体密度。
在计算配位数时,根据面心立方的堆积方式
可以十分容易的看出,B层中间的原子的配位数,同层有6个,上下各有3个,一共12个。
面心立方晶胞中原子个数为4,则质量为4×27g/mol÷(6.02×1023mol-1)晶胞体积为a3。
晶胞密度为
。
【变式训练8】(2012年海南卷)用晶体的X射线衍射法可以测得阿伏伽德罗常数。
对金属铜的测定得到以下结果:
晶胞为面心立方最密堆积,边长为361pm。
又知铜的密度为9.00g/cm3,则铜晶胞的体积是 cm3,晶胞的质量是 克,阿伏伽德罗常数为 (列式计算,已知Ar(Cu)=63.6)。
答案:
(2)4.70×10-23 4.23×10-22
备注:
此题为面心立方晶胞的晶体密度计算的变式练习。
一个晶胞的体积为(361×10-10cm)3=4.7×10-23cm3;晶胞的质量=体积×密度,故一个晶胞的质量为4.7×10-23cm3×9.00g•cm-3=4.23×10-22g;铜的晶胞为面心立方最密堆积,一个晶胞中Cu原子数目为8×1/8+6×1/2=4,故铜的摩尔质量=1/4×晶胞质量×NA,所以63.6g•mol-1=1/4×4.23×10-22g×NA,得NA=6.01×1023mol-1。
【变式训练9】(2010年海南卷)NiO的晶体结构类型与氯化钠的相同。
NiO晶胞中Ni和O的配位数分别为。
答案:
6,6
备注:
此题考查NaCl型晶胞结构,要求计算配位数,引导学生熟悉常见晶胞的配位数。
根据NaCl型晶胞结构
,体心的Na+配位数最易观察,上下左右前后各有一个Cl-,故配位数为6。
按照阴阳离子1:
1的比例可知,两种离子的配位数均为6。
【变式训练10】(2016年全国甲卷)某镍白铜合金的立方晶胞结构如图所示。
①晶胞中铜原子与镍原子的数量比为________。
2若合金的密度为dg•cm–3,晶胞参数a=______nm
答案:
①3:
1②
备注:
此晶胞较为简单,容易发现Ni在顶点位置,Cu在面心位置,计算类型也属于常规,属于计算晶胞中原子个数和晶体密度的变式练习。
①晶胞中铜原子个数为6×1/2=3,镍原子的个数为8×1/8=1,则铜和镍的数量比为3:
1。
②根据上述分析,该晶胞的组成为Cu3Ni,合金的密度为dg/cm3,根据p=m÷V=251÷[(a3×NA)]=d,1cm=107nm,则晶胞参数a=
nm。
【变式训练10】(2010年海南卷)金属镍与镧(La)形成的合金是一种良好的储氢材料,其晶胞结构示意图如上图所示。
该合金的化学式为。
答案:
LaNi5
备注:
此题晶胞结构属于陌生类型,需计算晶胞中原子个数。
仔细观察可以发现La位于顶点位置,共有1/8×8=1个,Ni位于体心和面上,共有1+1/2×8=5个,因此该合金的化学式为LaNi5。
【变式训练11】(2015年海南卷)钒的某种氧化物的晶胞结构如图1所示。
晶胞中试剂拥有的阴、阳离子个数分别为、。
答案:
42
备注:
此题晶胞属于陌生类型,属于计算晶胞中原子(离子)个数的题型。
仔细观察可得O位于面上和晶胞内,共有1/2×4+2=4个,V位于顶点和体心,共1/8×8+1=2个。
【变式训练12】(2014年全国甲卷)周期表前四周期的元素a、b、c、d、e,原子序数依次增大。
a的核外电子总数与其周期数相同,b的价电子层中的未成对电子有3个,c的最外层电子数为其内层电子数的3倍,d与c同族;e的最外层只有一个电子,但次外层有18个电子。
回答下列问题:
e和c形成的一种离子化合物的晶体结构如图1,则e离子的电荷为。
答案:
+1
备注:
此题属于陌生晶胞类型中原子(离子)个数的计算问题。
由题干推知c为O元素,e为Cu元素。
O占据了顶点和体心的位置,总数为1×1/8+1=2,4个Cu在晶胞内,故Cu:
O=2:
1,应为Cu2O,故Cu所带电荷为+1。
【变式训练13】(2013年全国甲卷)前四周期原子序数依次增大的元素A,B,C,D中,A和B的价电子层中未成对电子均只有1个,平且A—和B+的电子相差为8;与B位于同一周期的C和D,它们价电子层中的未成对电子数分别为4和2,且原子序数相差为2。
回答下列问题:
(3)A、B和D三种元素责成的一个化合物的晶胞如图所示。
①该化合物的化学式为_________________;D的配位数为___________;
②列式计算该晶体的密度_______g·cm-3。
答案:
(3)①K2NiF4; 6②
备注:
此题属于陌生、复杂晶胞中原子个数、配位数、晶体密度的计算,尤其该晶胞非立方体晶胞,要求突破传统立方晶胞的思维定式。
但找出各原子在晶胞中的位置并不困难。
首先由题干推知A为F,B为K,D为Ni。
该晶胞中A原子在棱上有16个,在面上有4个,内部有2个,共
B原子在棱上和晶胞内部,共
D原子在顶点和晶胞内部,共
所以该化合物的化学式为K2NiF4,根据晶胞结构知,离D最近的是6个A原子,故D的配位数是6。
②该晶胞的体积=(400×10-10cm)(1308×10-10cm)
g•cm-3。
【变式训练14】(2013年全国乙卷)在硅酸盐中,SiO44-四面体(如下图a)通过共用顶角氧离子可形成岛状、链状、层状、骨架网状四大类结构型式。
图b为一种无限长单链结构的多硅酸根;其中Si原子的杂化形式为 。
Si与O的原子数之比为 化学式为 。
答案:
sp3;1:
3;[SiO3]n2n-(或SiO32-)
备注:
将晶体的平移对称迁移到一维,同样利用晶胞计算原子个数的思想可知,两个四面体连接处的O应当分在两个四面体中,每个四面体相当于有1/2个该O原子。
因此一个硅氧四面体中Si有1个,O有1/2×2+2=3个,故确定Si与O的原子数之比为1:
3,化学式为[SiO3]n2n-(或SiO32-)。
【变式训练15】(2015年海南卷)V2O5溶解在NaOH溶液中,可得到钒酸钠(Na3VO4),该盐阴离子的立体构型为 ;也可以得到偏钒酸钠,其阴离子呈如图3所示的无限链状结构,则偏钒酸钠的化学式为 ____ 。
答案:
正四面体NaVO3
备注:
将晶体的平移对称迁移到一维,同样利用晶胞计算原子个数的思想可知,两个四面体连接处的O应当分在两个四面体中,每个四面体相当于有1/2个该O原子。
VO43-中,V形成4个δ键,孤电子对数为(5+3-4×2)÷2=0,
为正四面体结构,由链状结构可知每个V与2+1/2×2=3个O形成阴离子,且V的化合价为+5价,以此判断形成的化合物的化学式。