最新电大光伏电池材料形考作业任务0104网考试题及答案精品.docx
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最新电大光伏电池材料形考作业任务0104网考试题及答案精品
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最新电大《光伏电池材料》形考作业任务01-04网考试题及答案
100%通过
考试说明：
《光伏电池材料》形考共有4个任务。
任务1至任务4是客观题，任务1至任务4需在考试中多次抽取试卷，直到出现01任务_0001、02任务_0001、03任务_0001、04任务_0001试卷，就可以按照该套试卷答案答题。
做考题时，利用本文档中的查找工具，把考题中的关键字输到查找工具的查找内容框内，就可迅速查找到该题答案。
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01任务
01任务_0001
一、单项选择题（共10道试题，共20分。
）
1.
关于四氯化硅以下说法错误的是（）
A.无色而有刺鼻气味的液体
B.熔点-70℃，沸点57.6℃
C.可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用
D.不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂
2.
观察晶体中位错最简单的方法是（）。
A.浸蚀观察法
B.透射电镜法
C.手触感觉法
D.肉眼观察法
3.
室温一个大气压下，液态水的自由度为（）。
A.1
B.2
C.3
D.0
4.
西门子法作为硅的提纯工艺，所用的原料主要是（）
C.95%-99%的冶金级硅
D.P型硅半导体
5.
二元相图通常采用（）的坐标系。
A.温度-压力（T-p）图
B.温度-浓度（T-x）图
C.三棱柱模型
D.压强-浓度（p-x）图
6.
关于硅单质说法错误的是（）。
A.原子晶体，是深灰色而带有金属光泽的晶体
B.熔点为1420℃，沸点为2355℃
C.在常压下具有金刚石型结构
D.具有类似金属的塑性
7.
以下（）不是自然界中的硅同位素。
A.28Si
B.29Si
C.30Si
D.32Si
8.
关于二氧化硅以下说法错误的是（）
A.制造冶金硅的主要原料之一
B.能与HF反应
C.SiO2不溶于水，但能于热的浓碱溶液反应生成硅酸盐，反应较快
D.石英是地壳中分布很少的矿物
9.
杂质原子与基体原子尺寸相当，容易形成（）
A.空位
B.置换原子
C.间隙原子
D.位错
10.
关于位错密度说法错误的是（）。
A.是单位体积晶体中所包含的位错线总长度
B.也可理解为穿越单位截面积的位错线的数目
C.位错密度大或小，相应材料的力学性能均较佳
D.通常情况下制得位错密度较小的材料
二、判断题（共10道试题，共20分。
）
1.
在绝对温度零度和无外界激发的条件下，硅晶体没有自由电子存在，完全不导电。
A.错误
B.正确
2.
可很方便制备得到位错很少的多晶硅片。
A.错误
B.正确
3.
硅晶体的半导体性源于共价键。
A.错误
B.正确
4.
点缺陷的平衡浓度随温度升高呈指数关系增加。
A.错误
B.正确
5.
硅在地壳中的丰度为25.90%，仅次于氧，硅的含量在所有元素中居第二位。
A.错误
B.正确
6.
柏氏矢量说明了畸变发生在什么晶向，是一个没有大小的量。
A.错误
B.正确
7.
内能是随缺陷增加而增加的，所以空位越多越不稳定。
A.错误
B.正确
8.
硅烷就是甲硅烷。
A.错误
B.正确
9.
硅是通过自由电子导电的，所以载流子就是自由电子。
A.错误
B.正确
10.
刃型位错和螺型位错的判断可以通过晶体发生局部滑移的方向是与位错线垂直还是平行来区分。
A.错误
B.正确
三、连线题（共10道试题，共30分。
）
1.
将晶体的特性与解释一一对应。
（1）各向异性A.晶体常具有沿某些确定方位的晶面劈裂的性质
（2）长程有序B.粒子排列具有三维周期性、对称性
（3）解理性C.在不同方向上，晶体的物理性质不同，如电阻率、导电性能、导热性能、介电常数、光的折射、弹性、硬度等
（1）C
（2）B
（3）A
2.
将晶体结构与晶胞中原子数一一对应。
（1）简单立方结构A.4
（2）体心立方结构B.2
（3）面心立方结构C.1
（1）C
（2）B
（3）A
3.
将各种硅化合物与描述一一对应。
（1）二氧化硅A.沸点31.5℃，室温下无色透明液体
（2）三氯氢硅B.可以从河砂中水洗去掉粘土等杂质和进行筛分得到
（3）四氯化硅C.在潮湿空气中与水蒸气发生水解作用会产生烟雾
（1）B
（2）A
（3）C
4.
（1）A
（2）B
（3）C
5.
将硅材料与描述一一对应。
（1）电子级硅
（2）冶金级硅
（3）太阳能级硅C.95%-99%
（1）B
（2）C
（3）A
6.
将晶体生长方式与实例一一对应。
（1）固相生长A.水汽凝结为冰晶
（2）液相生长B.盐水溶液结晶
（3）汽相生长C.石墨在高温高压的条件下转变为金刚石
（1）C
（2）B
（3）A
7.
将各种硅化合物与作用一一对应。
（1）二氧化硅A.可作为西门子法提纯硅材料的中间产物
（2）三氯氢硅B.制造冶金硅的主要原料之一
（3）甲硅烷C.大量地用于制高纯硅，高温易热解
（1）B
（2）A
（3）C
8.
将各类晶体缺陷与实例一一对应。
（1）点缺陷A.位错
（2）线缺陷B.空位
（3）面缺陷C.相界
（1）B
（2）A
（3）C
9.
将硅的用途与性质一一对应。
（1）二极管A.通过掩蔽、光刻、扩散等工艺，可在一个或几个很小的硅晶片上集结成一个或几个完整的电路
（2）集成电路B.可以把光能转化成电能
（3）光电池C.制成晶体二极管后即能整流又能检波
（1）C
（2）A
（3）B
10.
将各种硅化合物与熔沸点一一对应。
（1）四氯化硅A.熔点-185℃，沸点-111.8℃
（2）三氯氢硅B.熔点-70℃，沸点57.6℃
（3）甲硅烷C.熔点-128℃，沸点31.5℃
（1）B
（2）C
（3）A
四、不定项选择题（共10道试题，共30分。
）
1.
关于硅的电阻率说法错误的是（）。
A.在高纯硅中掺入极微量的电活性杂质，其电阻率会显著下降
B.硅的电导率对外界因素（如光、热、磁等）高度敏感
C.N型半导体中也有自由电子，但数量很少，称为少数载流子
D.N型半导体和P型半导体的导电能力都比本征半导体大得多
2.
关于石英说法错误的是（）。
A.与晶体硅一样是原子晶体
B.每个硅原子以SP3杂化形式同四个氧原子结合，形成SiO4四面体结构单元
C.由一个个的简单SiO2分子组成
D.石英砂开采、加工成本较低
3.
下列属于晶体的宏观特性的有（）
A.长程有序
B.固定熔点
C.解理性
D.各向异性
4.
金刚石结构的晶胞中原子数为（），配位数为（）。
A.4、4
B.8、4
C.8、8
D.12、4
5.
两侧晶粒位向差为1°的晶界属于（）。
A.亚晶界
B.小角度晶界
C.大角度晶界
D.刃位错
6.
不能用于区分晶体与非晶体的是（）
A.原子排练是否有序
B.是否具有确定的熔点
C.密度的大小
D.熔点的高低
7.
关于固溶体与中间相说法错误的是（）。
A.某一组元作为溶剂，其他组元为溶质，所形成的与溶剂有相同晶体结构、晶格常数稍有变化的固相，称为固溶体
B.形成的新相的晶体结构不同于任一组元，新形成的固相叫中间相
C.固熔体一般具有较高的熔点及硬度
D.Cu-Ni合金属于中间相
8.
关于临界晶核说法错误的是（）。
A.当晶胚的尺寸小于临界晶核，晶胚不稳定，难以长大，最终熔化而消失
B.晶胚的尺寸大于临界晶核，晶胚就成为稳定的晶核而后继续长大
C.均匀形核与非均匀形核的临界晶核大小不同
D.临界半径与过冷度ΔT无关
9.
关于硅的卤化物说法错误的是（）。
A.都是无色的
B.都是共价化合物
C.一般都是无毒的
D.熔点、沸点都比较低
10.
解理面通常是晶面间距较大的晶面。
在金刚石结构中，下面晶面的晶面间距最大的是（）。
A.{111}
B.{100}
C.{110}
D.{120}
02任务
02任务_0001
一、单项选择题（共10道试题，共20分。
）
1.关于采用区域提纯法去除硅中硼杂的区域提纯杂质描述正确的是（）
A.几乎无法效果去除
B.效果一般完全去除
C.取决于温度效果显著
D.取决于硼的含量
2.占据晶格间隙位置的杂质原子为（）。
A.间隙杂质原子
B.替位杂质原子
C.本征点缺陷
D.原生长缺陷
3.
在工业硅的生产炉中，温度在2000℃以上的部分，（）。
A.只有熔炼过程中生成的SiC
B.底下是SiC，其上面是产品工业硅
C.全部都是产品工业硅
D.以上皆不是
4.生产直拉单晶硅生产时，单晶炉内需要通入（）作为保护气体炉体内通常是（）。
A.常压的空气
B.氧气低压的空气
C.低压的氩气
D.低压的氮气氢气
5.太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是（）。
A.空位
B.杂质原子
C.位错
D.二次缺陷
6.金刚石结构的晶体中位错滑移最容易产生的滑移面是（）。
A.{110}面
B.{111}面
C.{100}面
D.{101}面
7.Dash工艺主要解决的是（）。
A.加入转晶
B.减少缺陷（位错）
C.放肩
D.热应力
8.CZ法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及（）。
A.放肩生长、缩颈生长、等径生长、尾部生长
B.等径生长、缩颈生长、放肩生长、尾部生长
C.缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长
D.缩颈生长、等径生长、放肩生长、尾部生长
9.吸附时不发生任何化学变化，是（）。
A.化学吸附
B.不可逆过程
C.物理吸附
D.以上皆不是
10.区熔法制备单晶硅时，需要（）。
A.不需要坩埚
B.需要一个石英坩埚用于溶化
C.需要一个石英坩埚和一个石墨坩埚
D.需要一个石墨坩埚
二、不定项选择题（共10道试题，共30分。
）
1.关于对czCZ法和fzFZ法说法描述正确的是（）。
A.生长时都需借助要采用籽晶
B.熔化时都需要采用坩埚
C.都需要采用真空气氛保护
D.都需要使用缩颈工艺
2.磷在硅中很容易去除，在于（）。
A.磷在硅熔液中很快得到蒸发
B.磷的密度小
C.磷在硅中的分配系数小于1
D.磷的熔点低
3.无坩埚区域提纯（）。
A.也可用于晶体生长
B.避免了坩埚的污染
C.熔硅不会流动是由于其很大的表面张力
D.硅也能采用水平区域提纯法
4.化学法提纯高纯多晶硅的工艺包括（）。
A.中间化合物的合成
B.中间化合物的分离提纯
C.中间产物被还原或者是分解成高纯硅还原成高纯硅
D.区域提纯
5.关于完全互溶的A、B双组分的溶液与其混合蒸汽所组成的相图，说法正确的是（）。
A.被两条曲线分为三个区域
B.降温到液相线上，正好产生第一个气泡，故液相线又称为泡点曲线
C.升温到气相线上，正好产生第一个气泡，故气相线又称为泡点曲线
D.降温到液相线，产生第一个液滴，故液相线称为露点曲线
6.关于晶转说法正确的是（）。
A.晶体和坩埚的旋转方向相同，以改善热场的对称性
B.吊索和晶体出现共振时效果最好
C.过高的晶转会使固液界的形状太凹
D.在某些晶转下，棱线或者小平面与直径的读取同步，引起直径的读值和拉速的
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