模拟集成电路实训1.docx

上传人:b****6 文档编号:8062537 上传时间:2023-01-28 格式:DOCX 页数:9 大小:263.07KB
下载 相关 举报
模拟集成电路实训1.docx_第1页
第1页 / 共9页
模拟集成电路实训1.docx_第2页
第2页 / 共9页
模拟集成电路实训1.docx_第3页
第3页 / 共9页
模拟集成电路实训1.docx_第4页
第4页 / 共9页
模拟集成电路实训1.docx_第5页
第5页 / 共9页
点击查看更多>>
下载资源
资源描述

模拟集成电路实训1.docx

《模拟集成电路实训1.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《模拟集成电路实训1.docx(9页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。

模拟集成电路实训1.docx

模拟集成电路实训1

 

集成电路设计实训

设计报告

 

姓名

学号

教师

 

单一mos管特性分析与仿真

第一部分:

设计要求(设计指标)

采用HSPICE工具对MOS管的直流特性进行分析。

第二部分:

设计过程

电路图如下所示:

MOS管尺寸如下:

L

W

MN0

1u

2.5u

第三部分:

仿真过程

网表文件:

*mn0

.optionslistnodepost

.protect

.lib"mm0355v.l"tt

.unprotect

.optionspost=2list

VDS20dc3v

VGS10dc3v

MN02100nchL=1uW=5uM=1

.dcVDS050.1

*.dcVDS050.1VGS051

.printV

(2)V

(1)I(MN0)

.PLOTV

(2)V

(1)I(MN0)

.end

仿真分析:

1.VGS取值为2V,对VDS进行扫描,经过仿真后得到的波形如下图所示。

MOS管输出特性曲线

2.在上述的网表文件上进行修改,增加一个扫描变量VGS,使得VGS在0~5V范围内变化,变化步长为1V。

NMOS管的输出特性曲线族

 

反相器特性分析与仿真

第一部分:

设计要求(设计指标)

设计一个简单的单级反相器,对该反相器电路进行直流特性和时序分析。

第二部分:

设计过程

电路图如下所示:

MOS管尺寸汇总表如下:

L

W

mn

1.2u

1.2u

mp

1.2u

1.2u

第三部分:

仿真过程

网表文件:

.titlecmosinverterchain

.protect

.lib"mm0355v.l"tt

.unprotect

.optionspost=2list

mnoutin00nchw=1.2ul=1.2u

mpoutinvddvddpchw=1.2ul=1.2u

c1out00.5p

vccvdd05

vinin0pulse(05v10ns1n1n50n100n)

*.dcvin050.1

*.printdcv(out)

.tran1n200n

.measuretrantdelaytrigv(in)val=2.5td=8nsrise=1targv(out)val=2.5td=9nfall=1

.printv(out)

.end

仿真分析

1.直流传输特性分析,输出的直流传输特性曲线如下图所示。

输出的直流传输特性曲线

2.进行时序分析,输出波形如下图所示。

时序分析输出波形

差分放大器分析与仿真

第一部分:

设计要求(设计指标)

设计电流镜负载差分放大器的电流和宽长比满足以下指标:

电源电压VDD为5V,GBW

9MHz,低频增益值大于35dB,负载电容为10pF,I0=100uA,其中

(L=1u),

(L=1u)

第二部分:

设计过程

电路图如下所示:

详细的计算过程:

单位增益带宽:

可知

可以得到

我们可以取

由低频增益值AV=35dB=56V/V可知

可解得

根据

我们可以得到

初始MOS管尺寸汇总表如下所示:

L

W

Mn1

1.3u

22.6u

Mn2

1.3u

22.6u

Mp3

1.3u

35u

Mp4

1.3u

35u

根据设计指标调整各MOS管的尺寸,最总满足设计指标的MOS管尺寸汇总表如下所示:

L

W

Mn1

1u

22.6u

Mn2

1u

22.6u

Mp3

1.3u

35u

Mp4

1.3u

35u

第三部分:

仿真过程

网表文件:

*titleop

.lib'mm0355v.l'tt

mn13155nchl=1uw=23u

mn2out255nchl=1uw=23u

mp333vddvddpchl=1.3uw=30u

mp4out3vddvddpchl=1.3uw=30u

ibias50100u

vddvdd03.3V

vin110dc1.5Vac1V

vin220dc1.5V

clout010pF

.op

.dcvin103.30.01

*.acDEC1001k100MEG

*.printvdb(out)

*.measureacgbwwhenvdb(out)=0

*.measureacavmax(vdb(out))

.end

1.直流特性分析输出如下。

2.交流特性分析输出如下。

 

3.查看EditLL文件

第四部分:

结论

设计指标的GBW

9MHz,

由仿真输出结果可以看到,调整MOS管的宽长比后,实际的

心得体会

通过这次实训练习,能更加熟练的使用HSPICE,MOS管需要库文件才能定义,各种库工艺的不同,也会导致结果和宽长比定义的区别,在使用的过程中添加了mm0355v.l库文件。

收获最大的是差分放大器的设计与仿真,首先得自己确定设计指标,根据确定的指标确定MOS的宽长比,并且根据仿真的结果不断的调整宽长比以使其达到原始的设计指标。

设计值,计算值与仿真值之间的不同需要分析其中的原因,把以前的理论知识与实际的设计结合起来。

此次的设计指标比较简单,经过不断的实践和练习希望自己能在具体的设计中得到很大的技能提高。

 

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索

当前位置:首页 > 考试认证 > 公务员考试

copyright@ 2008-2022 冰豆网网站版权所有

经营许可证编号:鄂ICP备2022015515号-1