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第二部分中级工

第二部分中级工

中级工理论试题

一、选择题

(每题4个选项,只有1个是正确的,将正确的选项填入括号内)

1.(A—A—001)属于半导体材料的是(D)。

(A)铜(B)塑料(C)铁(D)硅

2.(A—A—001)不是半导体材料的是(A)。

(A)铁(B)硅(C)锗(D)砷化镓

3.(A—A—001)在纯净的半导体中掺人极微量的其它杂质如磷、硼等将使半导体的导电性能

(A)。

(A)大大增加(B)不变(C)稍有增加(D)大大减小

4.(A—A—001)掺杂半导体分为(B)。

(A)H型半导体和Y型半导体(B)P型半导体和N型半导体

(C)P型半导体和H型半导体(D)Y型半导体和N型半导体

5。

(A—A—002)晶体二极管具有(C)的性能。

(A)电压放大(B)电流放大(C)单向导电(D)双向导电

6.(A—A—002)半导体二极管也称晶体二极管,就是将一个(B)用管壳封起来,分别在其两端制作接触极和导线。

(A)晶体(B)PN结(C)碳化物(D)氧化物

7.(A—A—002)当PN结的P端和N端分别接电源的(B)时,PN结处于导通状态。

(A)负极和正极(B)正极和负极

(C)低电平和高电平(D)地和低电平

8.(A—A—002)晶体二极管是(A)电路中不可缺少的元件之一。

(A)整流(B)功放(C)交流放大(D)直流放大

9.(A—A—003)整流电路利用二极管的(A)将交流电压变换为单向脉动直流电压。

(A)单向导电性(B)逆击穿性(C)逆向稳压性(D)PN结电容

10.(A—A—003)交流电经过变压,单相桥式整流后输出波形为(B)。

(A)

(B)

(C)

11.(A—A—004)整流电路中,变压器利用率最高的是(C)电路。

(A)单相半波整流(B)单相全波整流

(C)单相桥式整流(D)单相电容滤波

12.(A—A—004)单相桥式整流电路的特点是(D)。

(A)电流大(B)整流电压倍增

(C)整流电压脉动大(D)整流电压脉动小

13.(A—A—004)倍压整流电路就是在整流电路的始端输入低压交流电,而在输出端却能得到高于输入电压多倍的(B)。

(A)交流电压(B)直流电压(C)直流电流(D)功率

14.(A—A—005)可控硅有(C)个PN结。

(A)1(B)2(C)3(D)4

15,(A—A—005)可控硅是四层三端的(D)。

(A)二极管(B)PN结(C)三极管(D)硅半导体器件

16.(A—A—005)要使可控硅导通。

必须在阳极与阴极之间和控制极上分别加(A)。

(A)正向电压和正向触发脉冲(B)正向电压和反向触发脉冲

(C)反向电压和正向触发脉冲(D)反向电压和反向触发脉冲

17.(A—A—005)可控硅作为一种整流器件。

与一般整流元器件的区别在于(C)。

(A)整流输出电流可以控制(B)输出功率可以控制

(C)整流电压可以控制(D)其输出功率小

18.(A-A—006)电感滤波是在整流电路和负载之间(B)。

(A)并联一个电感器(B)串联一个电感器

(C)并联一个电容器(D)串联一个电容器

19.(A—A—006)滤波电路的作用是(B)。

(A)增加整流后的脉动成份(B)减少整流后直流电压中的交流成份

(C)增加整流电路的稳定程度(D)改变输出电路中的容抗或阻抗

20.(A—A—006)电容滤波是利用电容的(C)。

(A)两端电压不能突变(B)充放电原理

(C)两端电压不能突变和充放电原理(D)交流阻抗

21.(A—A—006)复式滤波器有(C)两种连接方式。

(A)H形和N形(B)H形和L形(C)N形和L形(D)Y形和L形

22.(A—A—007)稳压管是根据二极管的(B)工作的。

(A)单向导电性(B)反向击穿性(C)稳压特性(D)场效应

23.(A—A—007)稳压管又称齐纳二级管,是一种用(C)材料制成的二极管。

(A)磷(B)硼(C)硅(D)锗

24.(A—A—007)稳压管用2CW表示,其中W表示(D)。

(A)反向电压(B)反向电流(C)功率(D)稳压

25.(A—B—001)晶体三极管由(A)构成。

(A)2个PN结,3个区,3个电极(B)1个PN结,2个区,3个电极

(C)2个PN结,3个区,2个电极(D)3个PN结,2个区,3个电极

26.(A—B—001)NPN型三极管基极、发射极和集电极分别是(D)型半导体材料。

(A)P,N和P(B)N,P和P(C)N,P和N(D)P,N和N

27.(A—B—001)PNP型三极管的基极、发射极和集电极分别是(B)型半导体材料。

(A)P,N和P(B)N,P和P(C)N,P和N(D)P,N和N

28.(A—B—001)NPN型三极管的表示方法是(D)。

(A)

(D)

29.(A—B—002)在晶体三极管的发射结和集电结分别加(B)偏置电压的条件下,只要基极有一个小电流通过.集电极就会产生1个很大的电流。

(A)反向和正向(B)正向和反向(C)反向和反向(D)正向和正向

30.(A—B—002)晶体三极管的集电极、基极和发射极分别用(C)表示。

(A)c,e,b(B)e,c,b(C)c,b,e(D)b,c,e

31.(A—B—002)在晶体三极管的主要参数中,β表示(A)。

(A)电流放大倍数(B)电压放大倍数

(C)功率放大倍数(D)集电极最大电流

32.(A—B—003)多级放大电路的放大倍数等于各级放大电路放大倍数的(C)。

(A)和(B)差(C)乘积(D)乘积的平方

33.(A—B—003)晶体三极管的电压增益K

通常用公式(D)表示。

其中U

是输出电压,U

是输入电压。

(A)K

=U

/U

(B)K

=U

-U

/U

(C)K

=U

-U

/U

(D)K

=U

/U

34.(A—B—004)为了简化图形.在电路图中常用(B)来表示集成运算放大器。

(A)正方形(B)三角形(C)长方形(D)平行四边形

35.(A—B—004)晶体三极管和场效应管分别是(C)控制元件。

(A)电压和电压(B)电压和电流(C)电流和电压(D)电流和电流

36.(A—B—004)场效应管有结型场效应管和绝缘栅型场效应管两类,每一类中又分(A)两种。

(A)N沟道和P沟道(B)H沟道和P沟道

(C)H沟道和N沟道(D)H沟道和Y沟道

37.(A—B—004)场效应管放大电路以(A)为信号输入端。

(A)栅极和源极(B)源极和基极(C)栅极和漏极(D)漏极和源极

38.(A—B—005)场效应管是(B)控制元件。

(A)电流(B)电压(C)功率(D)频率

39.(A—B—005)场效应管是利用半导体的导电能力随(B)变化的原理而制成的一种具有放大能力的半导体器件。

(A)磁场(B)电场(C)电阻(D)功率

40.(A—B—005)金属·氧化物半导体场效应管通常叫(A)管。

(A)MOS(B)PNP(C)NPN(D)SGR

41.(A—C—001)地质构造是指各地质时期内在地壳中形成的地质体或岩层本身具有的各种(D)特征。

(A)物理(B)化学(C)机械(D)形态

42.(A—C—001)地质构造分为(A)构造两类。

(A)褶皱和断裂(B)背斜和向斜(C)裂缝和断层(D)背斜和断层

43.(A—C—001)向斜构造的岩层向下弯曲,核部和两翼分别是由(B)的地层组成。

(A)较老和较老(B)较新和较老(C)较老和较新(D)较新和较新

44.(A—C—001)背斜构造岩层向上拱起,核部和两翼分别由(D)地层组成。

(A)较新和较新(B)较老和较老(C)较新和较老(D)较老和较新

45.(A—C—002)某岩层的真实厚度是指(D)。

(A)井深厚度(B)铅垂厚度

(C)视厚度(D)岩层顶面和底面的最短距离

46.(A—C—002)岩层面与水平面的交线称为(A),它向两端水平延伸的方向就是岩层的走向。

(A)走向线(B)倾向(C)倾斜线(D)斜线

47.(A—C—002)某一倾斜岩层的真实厚度(h)与其铅垂厚度(片)和岩层真倾角(。

)三者之间的关系式是(A)。

(A)h=H×cosa(B)h=H×sina(C)h=H×tga(D)h=H×ctga

48.(A—C—003)在地形地貌上.把四周高中间低的平洼地区称为(C)。

(A)高原(B)平原(C)盆地(D)丘岭

49.(A—C—003)一个盆地构造单元一般可以划分为(C)级。

(A)1(B)2(C)3(D)4

50.(A—C—003)一个盆地内的第三级构造单元包括(B),

(A)隆起,背斜(B)褶曲和断块(C)长垣和断块(D)背斜带和断块

51.(A—C—003)凡在地质构造上具有盆地类型的地区都称为(B)。

(A)沉积盆地(B)构造盆地(C)油气盆地(D)断陷盆地

52,(A—C—004)我国目前发现的多数储集油气的沉积岩是(B)。

(A)粘土岩(B)碎屑岩(C)碳酸盐岩(D)灰岩

53.(A—C—004)碳酸盐岩是(C)。

(A)火成岩(B)变质岩(C)沉积岩(D)岩浆岩

54.(A—C—004)地壳中的岩石,根据它们的成因不同分为(A)。

(A)岩浆岩、变质岩、沉积岩(B)岩浆岩、沉积岩

(C)碎屑岩、粘土岩(D)碳酸盐岩,粘土岩

55.(A—C—004)既是重要的生油岩又是重要的储油岩的是(C).

(A)粘土岩(B)碎屑岩(C)碳酸盐岩(D)泥岩

56.(A—C—005)沉积相的概念包括两层含义:

一是反映了(D)的特征,二是揭示了一定的沉积环境。

(A)岩石的物理、化学性质(B)岩石的成份

(C)岩石的构造(D)沉积岩和化石

57.(A—C—005)沉积相分为(C)。

(A)陆相、海相(B)海相、湖泊相

(C)陆相、海相和过渡相(D)河流相、湖泊相

58.(A—C—005)陆相沉积的岩石以(D)为主。

(A)化学岩和粘土岩(B)碳酸盐岩

(C)碎屑岩和化学生物岩(D)碎屑岩和粘土岩

59.(A—C—005)在陆相沉积中。

与油气关系比较密切的是(A)。

(A)河流相和湖泊相(B)泻湖相和三角洲相

(C)河流相和泻湖相(D)湖泊相和三角洲相

60.(A—C—006)油田水按产状分为(A)。

(A)吸附水、束缚水和自由水(B)自由水和夹层水

(C)高矿化水和低矿化水(D)边水、底水和夹层水

61.(A—C—006)油田水按它与油气分布的相对位置可分为(C)。

(A)吸附水、束缚水和自由水(B)自由水和夹层水

(C)边水、底水和夹层水(D)高矿化度水和低矿化度水

62.(A—C—006)油田水的矿化度是指油田水中(D)。

(A)矿物质种类的多少(B)离子的总含量

(C)化合物的总含量(D)各种分子、离子、化合物的总含量

63.(A—C—007)油气生成的一个必要条件是要有大量的(C)。

(A)无机物质(B)盐(C)有机物质(D)矿物

64.(A—C—007)有机学说的核芯是油气是由(B)生成的。

(A)无机物质(B)有机物质(C)矿物(D)细菌

65.(A—C—008)粘土岩类生油层以(B)为主。

(A)泥灰岩和白云岩(B)泥岩和页岩

(C)生物灰岩和泥岩(D)白云岩和页岩

66.(A—C—008)碳酸盐岩类生油层以含有大量有机质的(C)为主。

(A)生物灰岩、泥灰岩和粉砂岩(B)泥岩和页岩

(C)生物灰岩、泥灰岩和白云岩(D)泥岩和砂岩

67.(A—C—009)碳酸盐岩储集层的孔隙度一般在(D)左右。

(A)35%(B)25%(C)15%(D)5%

68.(A—C—009)正确的说法是(B)。

(A)孔隙度越大,渗透率越高

(B)有效孔隙度越大,渗透率越高

(C)孔隙单位面积的表面积越大,对流体产生的阻力越小

(D)在有效孔隙度相同的情况下,直径小的孔隙比直径大的孔隙渗透率高

69.(A—C—009)砂岩储集层的有效孔隙度变化范围一般是(B)。

(A)5%左右(B)5%一30%(C)30%左右(D)30%~40%

70.(A—C—0103位于储集层上方能阻止储集层内的油气向上运移散失的致密不渗透岩层称为(C)。

(A)生油层(B)借油层(C)盖层(D)生油层系

71.CA—C—O107不能形成盖层的岩石为(B)。

(A)致密灰岩(B)孔隙性灰岩(C)页岩(D)泥岩

72.(A—C—O107可以形成盖层的岩石为(A)。

(A)泥岩(B)孔隙性灰岩(C)孔隙性砂岩(D)孔隙性白云岩

73.(A—C—011)地壳中凡是能阻止油气继续运移,适合于油气聚集起来形成油气藏的场所称为(B)。

(A)盖层(B)圈闭(C)遮挡物(D)遮挡层

74.(A—C—011)油气藏包括(C)两个基本要素。

(A)生油岩和盖层(B)生油岩和圈闭(C)油气和圈闭(D)油气和盖层

75.(A—C—011)根据(D)的成因类型,可以把油气藏划分为构造油气藏、岩性油气藏和地层油气藏。

(A)生油岩层(B)储油岩层(C)盖层(D)圈闭

76.(A—C—012)由共同地质因素控制的、具有相似油气特征的油田系列称为(D)。

(A)油田气(B)油气藏(C)含油气盆地(D)油气聚集带

77.(A—C—012)受同一局部构造或地层不整合或岩性变化因素所控制的、同一面积范围内油气藏的总和称为(A)。

(A)油气田(B)油气藏(C)含油气盆地(D)油气聚集带

78.(A—C—012)在一个构造沉积盆地内,油气聚集单元规模最大的是(D)。

A)油气藏(B)油气田(C)油气聚集带(D)含油气盆地

79.(A—D—0017投影线(D)的投影方法,称平行投影法。

(A)相互垂直(B)相互重叠(C)相互斜交(D)相互平行

80.(A—D—001)投影能如实反映物体的(A)。

(A)形状与大小(B)长度与高度(C)轮廓与形状(D)大小与截面

81.(A—D—001)投影是投影线与投影面(B)的投影。

(A)平行(B)垂直(C)重叠(D)相交

82.(A—D—002)三投影面体系中。

3个互相垂直的投影面的名称分别是正投影面、(C)和侧投影面。

(A)上投影面(B)下投影面(C)水平投影面(D)垂直投影面

83.(A—D—0027三投影面体系中,x,y,z三轴的交点O,称为(B)。

(A)交点(B)原点(C)中点(D)垂足

84.(A—D—0027三投影面体系中,3个投影面互相(A)。

(A)垂直(B)平行(C)对称(D)重叠

85.(A—D—003)图样中机件要素的线性尺寸与(A)相应要素的线性尺寸之比,称为比例。

(A)实际机件(B)设计要求(C)规定图样(D)同一图样

86.(A—D—003)实际制图中对大机件应尽量采用(C)比例。

(A)1:

l(B)放大(C)缩小(D)任意

87.(A—D—004)实际制图中。

规定采用粗实线表示(C)。

(A)剖面线(B)轴芯线(C)可见轮廓线(D)不可见轮廓线

88.(A—D—004)在机械制图中,虚线表示(C)。

(A)对称中芯线(B)可见轮廓线(C)不可见轮廓线(D)尺寸界线

89.(A—D—004)制图中细实线表示尺寸线、尺寸界线、(A)和引出线。

(A)剖面线(B)轴线(C)中芯线(D)断裂处边界线

90.(A—D—005)在圆的直径尺寸数字前,应加注符号(C)。

(A)r(B)尺(C)φ(D)b

91.(A—D—005)机件的真实大小应以图样上所注的尺寸(B)为依据。

(A)形状(B)数据(C)精度(D)大小

92.IA—D—005)一个完整的尺寸应包含尺寸界线、(B)及箭头、尺寸数字3个要素。

(A)尺寸单位(B)尺寸线(C)线性尺寸(D)角度

93.(A—D—006)三视图中。

在水平面上投影所得的图形称为(A)。

(A)俯视图(B)主视图(C)基本视图(D)侧视图

94.(A—D—006)将物体放在三投影体系中,用正投影法分别向3个投影面投影所得的图形称为(B)。

(A)视图(B)三视图(C)基本视图(D)旋转视图

95.(A—D—006)零件向投影面投影所得的图形称为(B)。

(A)三视图(B)视图(C)基本视图(D)侧视图

96.CA—D—007)三视图的配置应以主视图为主,俯视图和左视图分别在主视图的(B)。

(A)上方和右方(B)下方和右方(C)下方和左方(D)上方和左方

97.(A—D—007)主视图反映了物体的(C)。

(A)宽和高(B)长和宽(C)长和高(D)上和下

98.(A—D—007)左视图反映了物体的(C)。

(A)宽和长(B)长和高(C)宽和高(D)左和右

99.(A—D—008)用刮切平面完全地剖开机件所得的剖视图称为(B)。

(A)削切平面(B)全剖视图(C)局部剖视图(D)半剖视图

100.(A—D—008)为使剖视图正确反映零件的内部形状,剖切平面应平行于(A)。

(A)投影面(B)对称面(C)剖切轴线(D)切剖角度

101.(A—D—008)金属材料的剖面符号一律画成与水平成(D)间隔均匀的细实线。

(A)30°(B)50°(C)90°(D)45°

102..(A—D—009)在零件图中,除配合尺寸标注偏差外,其它非配合尺寸(B)偏差。

(A)根据要求标注(B)一般不标注(C)也必须标注(D)不存在

103.(A—D—009)零件图的内容包括一组图形、零件尺寸、(B)和标栏。

(A)装夹位置(B)技术要求(C)尺寸比例(D)公差标注

104.(A—D—009)标栏用以填写零件名称材料、(A)、比例及有关人员签名等。

(A)数量和图号(B)加工粗糙度(C)技术要求(D)精度等级

105.(A—D,010)螺纹画法规定,外螺纹的大径平顶用(C)表示。

(A)细实线(B)点划线(C)粗实线(D)虚线

106.(A-D—010)内螺纹一般画成(B)图。

(A)主视(B)剖视(C)侧视(D)府视

107.(A—D—010)通常把螺纹的牙型,(B)和螺距统称螺纹三要素。

(A)小径(B)大径(C)中径(D)精度

108.(A—D—011)看零件图的一般步骤是:

一看标题栏,二看视图,三看尺寸标注,四看公差标注,五看(D)。

(A)尺寸公差(B)材料分析(C)处理要求(D)技术要求

109.(A—D—011)分析视图,首先要找出(A)图。

(A)主视(B)俯视(C)剖面(D)左视

110.(A—D—011)分析尺寸,主要是综合分析视图和分析(C),找出零件长、宽、高三个方向尺寸上的主要基准。

(A)材料(B)配置(C)形体(D)等级

111.(B—A—001)构成元素的最小单元是(C)。

(A)质子(B)中子(C)原子(D)分子

112.(B—A—001)原子核由(A)组成的。

(A)质子和中子(B)质子和电子(C)中子和电子(D)分子和中子

113.(B—A—001)原子由(B)组成的。

(A)质子和中子(B)原子核和电子(C)原子核和中子(D)电子和中子

114.(B—A—002)一种元素可以有多种同位素,它们的化学性质(A)。

(A)基本一样(B)完全一样(C)差别很大(D)差别较大

115.(B—A—002)不是放射性同位素的是(A)。

(A)氚(B)碘—131(C)铯—137(D)镅—241

116.(B—A—002)同位素元素的核内(D)。

(A)质子和中子数都不同(B)质子和中子数都相同

(C)质子数不同中子数相同(D)质子数相同中子数不同

117.(B—A—003)7射线是一种波长极短的电磁波,其电荷特征是(D)。

(A)带正电(B)带负电(C)带1个正电荷(D)不带电

118.(B—A—003)a衰变是指放射性核素放出射线的过程,a射线(B)。

(A)带正电,穿透力大(B)带正电,穿透力大

(C)带负电,穿透力大(D)带负电,穿透力小

119.(B—A—003)p衰变是指放射性核素放出日射线的过程,日射线的电荷特性是(D)。

(A)带正电(B)不带电(C)带多个正电荷(D)带负电

120.(B—A—003)7衰变是指放射性核素放出了光子的过程,7射线(D)。

(A)带正电,穿透力小(B)带负电,穿透力小

(C)带正电,穿透力小(D)不带电,穿透力大

121.(B—A—004)属于中子测井的测井方法是(D)。

(A)密度测井(B)自然伽马能谱测并

(C)同位素示踪测井(D)补偿中子测井

122.(B—A—004)中子测井是以(A)和地层相互作用为基础的一种测井方法。

(A)中子(B)质子(C)原子(D)光子

123.(B—A—005)过去使用的放射性活度单位居里和新规定的强度单位贝可(Bq)之间的换算

关系为1C

=(A)Bq。

(A)3.7×10

(B)3.7×10

(C)3.7×10

(D)3.7×10

124.(B—A—005)目前测井最常用的伽马源是(A)。

(A)铯源(B)镭源(C)镅铍源(D)镅源

125.(B—A—005)目前测井最常用的中子源是(C)。

(A)镭源(B)铯源(C)镅铍源(D)镅源

126.(B—B—001)VCT—2000能够进行(D)测井。

(A)岩性密度(B)地层倾角(C)补偿中子(D)吸水剖面

127.(B—B—002)用SK—88测井仪进行测井时不需要给(C)井下仪器供电。

(A)井温仪(B)X—Y井径仪(C)磁定位仪(D)井斜仪

128.(B—B—002)利用SK—88数控测井仪进行裸眼井测井必须使用(A)。

(A)7芯电缆(B)单芯电缆(C)4芯电缆(D)5芯电缆

129.(B—B—003)SDCL—2000测井系统中的电极系面板采用(B)供电方式。

(A)恒压源(B)恒流源(C)恒功率源(D)求商式

130.(B—C—001)在(A)中,由于这种钻井液不导电形不成回

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