液晶模块12864M中文资料.docx
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液晶模块12864M中文资料
12864M中文字库
一、液晶显示模块概述
12864M汉字图形点阵液晶显示模块，可显示汉字及图形，内置8192个中文汉字（16X16点阵）、128个字符（8X16点阵）及64X256点阵显示RAM（GDRAM）。
主要技术参数和显示特性:
电源：
VDD3.3V~+5V（内置升压电路，无需负压）；
显示内容：
128列×64行
显示颜色：
黄绿
显示角度：
6：
00钟直视
LCD类型：
STN
与MCU接口：
8位或4位并行/3位串行
配置LED背光
多种软件功能：
光标显示、画面移位、自定义字符、睡眠模式等
二、外形尺寸
外观尺寸：
93×70×12.5mm视域尺寸：
73×39mm
外形尺寸图
外形尺寸
ITEM
NOMINALDIMEN
UNIT
模块体积
93×70×12.5
mm
视域
73.0×39.0
mm
行列点阵数
128×64
dots
点距离
0.52×0.52
mm
点大小
0.48×0.48
mm
二、模块引脚说明
128X64HZ引脚说明
引脚号
引脚名称
方向
功能说明
1
VSS
-
模块的电源地
2
VDD
-
模块的电源正端
3
V0
-
LCD驱动电压输入端
4
RS（CS）
H/L
并行的指令/数据选择信号；串行的片选信号
5
R/W（SID）
H/L
并行的读写选择信号；串行的数据口
6
E（CLK）
H/L
并行的使能信号；串行的同步时钟
7
DB0
H/L
数据0
8
DB1
H/L
数据1
9
DB2
H/L
数据2
10
DB3
H/L
数据3
11
DB4
H/L
数据4
12
DB5
H/L
数据5
13
DB6
H/L
数据6
14
DB7
H/L
数据7
15
PSB
H/L
并/串行接口选择：
H-并行；L-串行
16
NC
空脚
17
/RET
H/L
复位低电平有效
18
NC
空脚
19
LED_A
（LED+5V）
背光源正极
20
LED_K
（LED-OV）
背光源负极
逻辑工作电压（VDD）：
4.5～5.5V
电源地（GND）：
0V
工作温度（Ta）：
0～60℃（常温）/-20～75℃（宽温）
三、接口时序
模块有并行和串行两种连接方法（时序如下）：
8位并行连接时序图
MPU写资料到模块
MPU从模块读出资料
2、串行连接时序图
串行数据传送共分三个字节完成：
第一字节：
串口控制—格式11111ABC
A为数据传送方向控制：
H表示数据从LCD到MCU，L表示数据从MCU到LCD
B为数据类型选择：
H表示数据是显示数据，L表示数据是控制指令
C固定为0
第二字节：
（并行）8位数据的高4位—格式DDDD0000
第三字节：
（并行）8位数据的低4位—格式0000DDDD
串行接口时序参数：
（测试条件：
T=25℃VDD=4.5V）
四、用户指令集
1、指令表1：
（RE=0：
基本指令集）
指令
指令码
说明
执行时间（540KHZ）
RS
RW
DB7
DB6
DB5
DB4
DB3
DB2
DB1
DB0
清除显示
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
将DDRAM填满“20H”，并且设定DDRAM的地址计数器（AC）到“00H”
4.6ms
地址归位
0
0
0
0
0
0
0
0
1
X
设定DDRAM的地址计数器（AC）到“00H”，并且将游标移到开头原点位置；这个指令并不改变DDRAM的内容
4.6ms
进入点
设定
0
0
0
0
0
0
0
1
I/D
S
指定在资料的读取与写入时，设定游标移动方向及指定显示的移位
72us
显示状态
开/关
0
0
0
0
0
0
1
D
C
B
D=1：
整体显示ON
C=1：
游标ON
B=1：
游标位置ON
72us
游标或显示移位控制
0
0
0
0
0
1
S/C
R/L
X
X
设定游标的移动与显示的移位控制位元；这个指令并不改变DDRAM的内容
72us
功能设定
0
0
0
0
1
DL
X
0
RE
X
X
DL=1（必须设为1）
RE=1：
扩充指令集动作
RE=0：
基本指令集动作
72us
设定CGRAM地址
0
0
0
1
AC5
AC4
AC3
AC2
AC1
AC0
设定CGRAM地址到地址计数器（AC）
72us
设定DDRAM
地址
0
0
1
AC6
AC5
AC4
AC3
AC2
AC1
AC0
设定DDRAM地址到地址计数器（AC）
72us
读取忙碌标志（BF）和地址
0
1
BF
AC6
AC5
AC4
AC3
AC2
AC1
AC0
读取忙碌标志（BF）可以确认内部动作是否完成，同时可以读出地址计数器（AC）的值
0us
写资料到RAM
1
0
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
写入资料到内部的RAM（DDRAM/CGRAM/IRAM/GDRAM）
72us
读出RAM的值
1
1
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
从内部RAM读取资料（DDRAM/CGRAM/IRAM/GDRAM）
72us
指令表—2：
（RE=1：
扩充指令集）
指令
指令码
说明
执行时间（540KHZ）
RS
RW
DB7
DB6
DB5
DB4
DB3
DB2
DB1
DB0
待命模式
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
将DDRAM填满“20H”，并且设定DDRAM的地址计数器（AC）到“00H”
72us
卷动地址或IRAM地址选择
0
0
0
0
0
0
0
0
1
SR
SR=1：
允许输入垂直卷动地址
SR=0：
允许输入IRAM地址
72us
反白选择
0
0
0
0
0
0
0
1
R1
R0
选择4行中的任一行作反白显示，并可决定反白与否
72us
睡眠模式
0
0
0
0
0
0
1
SL
X
X
SL=1：
脱离睡眠模式
SL=0：
进入睡眠模式
72us
扩充功能设定
0
0
0
0
1
1
X
1
RE
G
0
RE=1：
扩充指令集动作
RE=0：
基本指令集动作
G=1：
绘图显示ON
G=0：
绘图显示OFF
72us
设定IRAM地址或卷动地址
0
0
0
1
AC5
AC4
AC3
AC2
AC1
AC0
SR=1：
AC5—AC0为垂直卷动地址
SR=0：
AC3—AC0为ICONIRAM地址
72us
设定绘图RAM地址
0
0
1
AC6
AC5
AC4
AC3
AC2
AC1
AC0
设定CGRAM地址到地址计数器（AC）
72us
备注：
1、当模块在接受指令前，微处理顺必须先确认模块内部处于非忙碌状态，即读取BF标志时BF需为0，方可接受新的指令；如果在送出一个指令前并不检查BF标志，那么在前一个指令和这个指令中间必须延迟一段较长的时间，即是等待前一个指令确实执行完成，指令执行的时间请参考指令表中的个别指令说明。
2、“RE”为基本指令集与扩充指令集的选择控制位元，当变更“RE”位元后，往后的指令集将维持在最后的状态，除非再次变更“RE”位元，否则使用相同指令集时，不需每次重设“RE”位元。
具体指令介绍：
1、清除显示
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
功能：
清除显示屏幕，把DDRAM位址计数器调整为“00H”
2、位址归位
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
L
L
L
L
L
L
L
H
X
功能：
把DDRAM位址计数器调整为“00H”，游标回原点，该功能不影响显示DDRAM
3、位址归位
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
L
L
L
L
L
L
H
I/D
S
功能：
把DDRAM位址计数器调整为“00H”，游标回原点，该功能不影响显示DDRAM功能：
执行该命令后，所设置的行将显示在屏幕的第一行。
显示起始行是由Z地址计数器控制的，该命令自动将A0-A5位地址送入Z地址计数器，起始地址可以是0-63范围内任意一行。
Z地址计数器具有循环计数功能，用于显示行扫描同步，当扫描完一行后自动加一。
4、显示状态开/关
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
L
L
L
L
L
H
D
C
B
功能：
D=1；整体显示ONC=1；游标ONB=1；游标位置ON
5、游标或显示移位控制
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
L
L
L
L
H
S/C
R/L
X
X
功能：
设定游标的移动与显示的移位控制位：
这个指令并不改变DDRAM的内容
6、功能设定
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
L
L
L
H
DL
X
0RE
X
X
功能：
DL=1（必须设为1）RE=1；扩充指令集动作RE=0：
基本指令集动作
7、设定CGRAM位址
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
L
L
H
AC5
AC4
AC3
AC2
AC1
AC0
功能：
设定CGRAM位址到位址计数器（AC）
8、设定DDRAM位址
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
L
H
AC6
AC5
AC4
AC3
AC2
AC1
AC0
功能：
设定DDRAM位址到位址计数器（AC）
9、读取忙碌状态（BF）和位址
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
H
BF
AC6
AC5
AC4
AC3
AC2
AC1
AC0
功能：
读取忙碌状态（BF）可以确认内部动作是否完成，同时可以读出位址计数器（AC）的值
10、写资料到RAM
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
H
L
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
功能：
写入资料到内部的RAM（DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM）
11、读出RAM的值
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
H
H
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
功能：
从内部RAM读取资料（DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM）
12、待命模式（12H）
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
功能：
进入待命模式，执行其他命令都可终止待命模式
13、卷动位址或IRAM位址选择（13H）
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
L
L
L
L
L
L
L
H
SR
功能：
SR=1；允许输入卷动位址SR=0；允许输入IRAM位址
14、反白选择（14H）
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
L
L
L
L
L
L
H
R1
R0
功能：
选择4行中的任一行作反白显示，并可决定反白的与否
15、睡眠模式（015H）
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
L
L
L
L
L
H
SL
X
X
功能：
SL=1；脱离睡眠模式SL=0；进入睡眠模式
16、扩充功能设定（016H）
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
L
L
L
H
H
X
1RE
G
L
功能：
RE=1；扩充指令集动作RE=0；基本指令集动作G=1；绘图显示ONG=0；绘图显示OFF
17、设定IRAM位址或卷动位址（017H）
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
L
L
H
AC5
AC4
AC3
AC2
AC1
AC0
功能：
SR=1；AC5~AC0为垂直卷动位址SR=0；AC3~AC0写ICONRAM位址
18、设定绘图RAM位址（018H）
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
L
H
AC6
AC5
AC4
AC3
AC2
AC1
AC0
功能：
设定GDRAM位址到位址计数器（AC）
五、显示坐标关系
1、图形显示坐标
水平方向X—以字节单位
垂直方向Y—以位为单位
2、汉字显示坐标
X坐标
Line1
80H
81H
82H
83H
84H
85H
86H
87H
Line2
90H
91H
92H
93H
94H
95H
96H
97H
Line3
88H
89H
8AH
8BH
8CH
8DH
8EH
8FH
Line4
98H
99H
9AH
9BH
9CH
9DH
9EH
9FH
3、字符表
代码（02H---7FH）
六、显示RAM
1、文本显示RAM（DDRAM）
1、文本显示RAM（DDRAM）
文本显示RAM提供8个×4行的汉字空间，当写入文本显示RAM时，可以分别显示CGROM、HCGROM与CGRAM的字型；ST7920A可以显示三种字型，分别是半宽的HCGROM字型、CGRAM字型及中文CGROM字型。
三种字型的选择，由在DDRAM中写入的编码选择，各种字型详细编码如下：
显示半宽字型：
将一位字节写入DDRAM中，范围为02H-7FH的编码。
显示CGRAM字型：
将两字节编码写入DDRAM中，总共有0000H，0002H，0004H，0006H四种编码
显示中文字形：
将两字节编码写入DDRAMK，范围为A1A0H-F7FFH（GB码）或A140H-D75FH（BIG5码）的编码。
绘图RAM（GDRAM）
绘图显示RAM提供128×8个字节的记忆空间，在更改绘图RAM时，先连续写入水平与垂直的坐标值，再写入两个字节的数据到绘图RAM，而地址计数器（AC）会自动加一；在写入绘图RAM的期间，绘图显示必须关闭，整个写入绘图RAM的步骤如下：
1、关闭绘图显示功能。
2、先将水平的位元组坐标（X）写入绘图RAM地址；
再将垂直的坐标（Y）写入绘图RAM地址；
将D15——D8写入到RAM中；
将D7——D0写入到RAM中；
打开绘图显示功能。
绘图显示的缓冲区对应分布请参考“显示坐标”
游标/闪烁控制
ST7920A提供硬件游标及闪烁控制电路，由地址计数器（addresscounter）的值来指定DDRAM中的游标或闪烁位置。
八、中文字符表：
*************************************文档结束*******************************************
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