（2）L2C2、L1C1若呈容性，fosc>f01、f02，L3C3呈感性，foscfosc>f01、f02。
3-8试改正如图所示振荡电路中的错误，并指出电路类型。
图中CB、CD、CE均为旁路
电容或隔直流电容，LC、LE、LS均为高频扼流圈。
解：
改正后电路如图所示。
图（a）中L改为C1，C1改为L1，构成电容三点式振荡电路。
图（b）中反馈线中串接隔值电容CC，隔断电源电压VCC。
图（c）中去掉CE，消除CE对回路影响，加CB和CC以保证基极交流接地并隔断电源电压VCC；L2改为C1构成电容三点式振荡电路。
3-9试运用反馈振荡原理，分析如图所示各交流通路能否振荡。
解：
图（a）满足正反馈条件，LC并联回路保证了相频特性负斜率，因而满足相位平衡条件。
图（b）不满足正反馈条件，因为反馈电压Vf比Vi1滞后一个小于90的相位，不满足相位
11
由gL，得Reo4.115kΩ
RLReo则能满足起振条件的振荡频率为Reo102.9106rad/s。
LQo
由图示电路知，CC3C1C2。
3C1C2
当C3=250pF时，C=300pF。
可见该振荡器的振荡角频率范围
min~max=（102.9~179.2）106rad/s，即振荡频率范围fmin~fmax=16.38~28.52MHz。
3-15一LC振荡器，若外界因素同时引起0、f、Qe变化，设oo，ff，Qe分
别大于Qe或小于Qe，试用相频特性分析振荡器频率的变化。
解：
振荡回路相频特性如图，可见：
（2）当ff时，设为osc，oscosc；
（3）当Qe增加时，相频特性趋于陡峭，
f不变，osc
f变化，Qeosc，Qeosc。
3-16如图所示为克拉泼振荡电路，已知L=2H，C1=1000pF，C2=4000pF，C3=70pF，Q0=100，RL=15k，Cbe=10pF，RE=500，试估算振荡角频率osc值，并求满足起振条件时的
IEQmin。
设很大。
RLRL//Re07.95kΩ，C2C2Cbe4010pF
3-18试指出如图所示各振荡器电路的错误，并改正，画出正确的振荡器交流通路，指出晶体的作用。
图中CB、CC、CE、CS均为交流旁路电容或隔直流电容。
解：
改正后的交流通路如图所示。
图（a）L用C3取代，为并联型晶体振荡器，晶体呈电感。
图（b）晶体改接到发射极，为串联型晶体振荡器，晶体呈短路元件。
3-22试判断如图所示各RC振荡电路中，哪些可能振荡，哪些不能振荡，并改正错误。
图中，CB、CC、CE、CS对交流呈短路。
解：
改正后的图如图所示。
（a）为同相放大器，RC移相网络产生180相移，不满足相位平衡条件，因此不振。
改正：
将反馈线自发射极改接到基极上。
（b）中电路是反相放大器，RC移相网络产生180相移，满足相位平衡条件，可以振荡。
（c）中放大环节为同相放大器，RC移相网络产生180相移，不满足相位平衡条件，因此不振。
改正：
移相网络从T2集电极改接到T1集电极上。
（d）中放大环节为反相放大器，因为反馈环节为RC串并联电路，相移为0，所以放大
环节应为同相放大。
改正：
将T1改接成共源放大器。
3-23图（a）所示为采用灯泡稳幅器的文氏电桥振荡器，图（b）为采用晶体二极管稳
幅的文氏电桥振荡器，试指出集成运算放大器输入端的极性，并将它们改画成电桥形式的电路，指出如何实现稳幅。
解：
电桥形式电路如图所示。
（a）中灯泡是非线性器件，具有正温度系数。
起振时，灯泡凉，阻值小（Rt），放大器增益
大，便于起振。
随着振荡振幅增大，温度升高，Rt增加，放大器增益相应减小，最后达到平
衡。
（b）中D1、D2是非线性器件，其正向导通电阻阻值随信号增大而减小。
起振时，D1、D2
截止，负反馈最弱，随着振荡加强，二极管正向电阻减小，负反馈增大，使振幅达到平衡。
根据相位平衡条件Z-加石訴得"7⅛応
39NP3-24
（!
）已知C：
-C,-0.05pF,R1-5kΩ.lΛ=1（）kΩ.∕√^-Ri#RI-5kΩ
=ΛltCl≡C.CIRl-H
所以3«-=4×IO3rad/s
因为1+台十刽厂3・Ujg*）=*
根捌振幅屆振条件•二反相放大器瞎益应大于3（SJllJ
所以
（2）RIU
Rj=吕RS=17.32kΩ
Kj-iokn,C∖=0.（）1rb∖（∖0∙l/zFx∕√;-RZ〃心=5IcC
所以
s*4・47X1（）γλ<1∕s
VRl^ClC2
因为
］亠°27Q_一0.】也IIO_小丄/・∖J
1C?
"R7^1+O.（⅛,5^-,3∙Zr（J^）=I3
级反相放大器总增池应大丁13倍■求得R-"√r13∕√3=36.06k∏
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