正激式开关电源的设计讲解.docx
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正激式开关电源的设计讲解
7-3正激式开关电源的设计
中山市技师学院曷中海
由于反激式开关电源中的开关变压器起到储能电感的作用,因此反激式开关变压器类似于电
感的设计,但需注意防止磁饱和的问题。
反激式在20〜100W的小功率开关电源方面比较有优势,因其电路简单,控制也比较容易。
而正激式开关电源中的高频变压器只起到传输能量的作用,其开关变压器可按正常的变压器设计方法,但需考虑磁复位、同步整流等问题。
正激式适合50〜
250W之低压、大电流的开关电源。
这是二者的重要区别!
7.3.1技术指标
正激式开关电源的技术指标见表7-7所示。
表7-7正激式开关电源的技术指标
项目
参数
输入电压
单相交流220V
输入电压变动范围
160Vac〜235Vac
输入频率
50Hz
输出电压
Vo=5.5V@20A
输岀功率
110W
7.3.2工作频率的确定
工作频率对电源体积以及特性影响很大,必须很好选择。
工作频率高时,开关变压器和输出
滤波器可小型化,过渡响应速度快。
但主开关元件的热损耗增大、噪声大,而且集成控制器、主开关元件、输出二极管、输出电容及变压器的磁芯、还有电路设计等受到限制。
这里基本工作频率fo选200kHz,则
11
T=一=3=5(is
f0200"O3
式中,T为周期,f0为基本工作频率。
7.3.3最大导通时间的确定
对于正向激励开关电源,D选为40%〜45%较为适宜。
最大导通时间tONmax为
toNmax=TDmax(7-24)
Dmax是设计电路时的一个重要参数,它对主开关元件、输出二极管的耐压与输出保持时间、
变压器以及和输出滤波器的大小、转换效率等都有很大影响。
此处,选Dmax=45%。
由式(7-24),
则有
电压Vo更小。
图7-26“等积变形”示意图
根据式(7-25),次级最低输出电压V2min为
V2min
VoVlVfT
toNmax
0.55=i4v
2.25
式中,Vf取0.5V(肖特基二极管),Vl取0.3V。
2•变压器匝比的计算
正激式开关电源中的开关变压器只起到传输能量|的作用,是真正意义上的变压器,绕组的匝比N为
V2
根据交流输入电压的变动范围160V〜235V,则Vi=200V〜350V,V|min=200V,
N=V|min=200~14.3
V2min14
把式(7-25)、(7-25)整合,则变压器的匝比N为
ViminDmax
N=
VoVlVf
7.3.5变压器次级输出电压的计算
变压器初级的匝数N!
与最大工作磁通密度Bm(高斯)之间的关系为
max
V|min
BmS
104
初、次级
(7-26)
所以有
(7-27)
(7-28)
式中,S为磁芯的有效截面积(mm2),Bm为最大工作磁通密度。
输出功率与磁芯的尺寸之间关系,见表2-3所示。
根据表2-3粗略计算变压器有关参数,磁
芯选EI-28,其有效截面积S约为85mm2,磁芯材料相当于TDK的H7C4,最大工作磁通密度Bm
可由图7-27查出。
根据式(7-28),得
N2=N=口=27/14.3=1.9匝,取整数2匝。
当N=N1/N2=27/2=13.5。
根据式(7-27),计算最大占空比Dmax为
200
Sax=2。
Wf+v»N=(5.5+0.5+0.3)M3.5#42.5%
VImin
输出电压正常,开关电源的最大占空比
也就是说,选定变压器初、次级绕组分别为27和2匝,为了满足最低输入电压时还能保证
Dmax约为42.5%,开关管的最大导通时间tONmax约为
2.1ys下面有关参数的计算以校正后的Dmax(=42.5%)和toNmax(=2.1⑴。
同时,由式(7-26)计算的输出最低电压V2min约为14.8V。
7.3.6变压器次级输出电压的计算
1
.计算扼流圈的电感量
流经输出扼流圈的电流IL如图7-28所示,则.'Il为
式中,L为输出扼流圈的电感(
这里选.Il为输出电流I。
(=20A)的10%〜30%,从扼流圈的外形尺寸、成本、过程响应
等方面考虑,此值比较适宜。
因此,按Il为Io的20%进行计算。
Il=Io0.2=200.2=4A
由式(7-29),求得
A114.8-(0.5+5.5)
Ah=x21~4.6□H
4'
如此,采用电感量为4.6□H,流过平均电流为20A的扼流圈。
若把变压器次级的输出电压与电流波形合并在一起,如图7-29所示。
在tON期间,为幅
度14.8V的正脉冲,VD1导通期间扼流圈电流线性上升,电感励磁、磁通量增大;在tOFF期间,
V2为幅度V;/N的负脉冲(具体分析见下文),VD!
截止、VD2导通,扼流圈电流线性下降,电感消磁,磁通量减小。
输出给负载的平均电流|O为20A。
稳态时,扼流圈的磁通增大量等于减
小量。
2•计算输出电容的电容量
输出电容大小主要由输出纹波电压抑制为几mV而确定。
输出纹波电压.Jr由.訂L以及输出
电容的等效串联电阻ESR①确定,但输出纹波一般为输出电压的0.3%〜0.5%。
(7-30)
(0.3~0.5化(0.3~0.5/51525V-1r===15〜25mV
100100
又
(7-31)
己lr=AlL汇ESR
由式(7-31),求得
△lr15~25
ESR=—L==3.75〜6.25mQ
△Il4
即工作频率为200kHz时,需要选用ESR值6.25mQ以下的电容。
适用于高频可查电容技术资料,例如,用8200卩F/10V的电容,其ESR值为31mQ,可选6个这样的电容并联。
另外,需要注意低温时ESR值变大。
流经电容的纹波电流Ic2rms为
A|.4
lC2rms==厂心1.16A(7-32)
2.32.3
因此,每一个电容的纹波电流约为0.2A,因为这里有6个电容并联。
此外,选用电容时还
要考虑到负载的变化、电流变化范围、电流上升下降时间、输出扼流圈的电感量,使电压稳定的环路的增益等,它们可能使电容特性改变。
等效串联电阻”。
ESR的出现导致电容的
ESR,是EquivalentSeriesResistance三个单词的缩写,翻译过来就是
行为背离了原始的定义。
ESR是等效串联”电阻,意味着将两个电容串联会增大这个数值,而并联则会减少之
7.3.7恢复电路设计
1•计算恢复绕组的匝数
恢复电路如图7-30所示。
VTi导通期间变压器Ti的磁通量增大,Ti蓄积能量;VTi截止期间释放蓄积的能量,磁通返回到剩磁。
图7-30恢复电路(VT1截止时)
电路中Ti上绕有恢复绕组N3,因此VTi截止期间,原来蓄积在变压器中的能量通过VD4
反馈到输入侧(C|暂存)。
由于VTi截止期间,恢复绕组N3两端的自感电压限制为输入电压VI
的数值,惟其如此,VD4才能把存储在N3中的磁场能转化为电场能反馈到输入侧。
这时变压器
初级感应电压为
'NMV]
Vi=N31(7-33)
式中,V,'是Ni的感应电压,极性为上负下正;V|是N3的自感电压,极性也是上负下正(等于电源电压)。
若主开关兀件的耐压为
800V,使用率为85%,即V|max-8000.85=680V。
Vi^680-350=330V
由式(7-33),求得
NV27350
N3_NiV|max=27350疋28.6匝,取整数29匝。
V330
2.计算RCD吸收电路的电阻与电容
VTi导通期间储存在Ti中的能量为
式中,Li为变压器初级的电感量。
(7-34)
VTi截止期间,初级感应电压使
VD3导通,磁场能转化为电场能,在R|上以热量形式消耗
掉。
R中消耗的热量为
因为Ei=E2,联立式(7-34)、(7-35),整理得
(7-36)
因为输入电压最高Vimax时开关管导通时间toNmin最短,把上式中的V换成Vimax,t°N换成
toNmin,加在VTi上的最大峰值电压Vdsp为
由此,求得Ri为
(7-38)
叫®s
350
又,当输入电压VImax时,toNmin为
toNmin=toNmax~=2.i
VImax
式(7-38)中,初级的电感量Li是未知数,下面求解。
Al-Value值由磁芯的产品目录提供。
EI(E)-28,H7C4的Ai-Value值为5950,则
(7-39)
2
Ai-Value=Li/Ni
由式(7-39),求得J为
^=5950N;10^=595027210-9~4.3mH
由式(7-38),求得R为
式中,加在VT1上的最大峰值电压Vdsp取680V。
时间常数R1C1比周期T要大的多,一般取10倍左右,则
T5x10》
G=10—=103〜1773pF
R28.210
3.计算主绕组感应电压
当Vmax=350V,根据式(7-33),得
'27350
V=一〜325V
29
阅读资料
对于正激式开关电源来说,主开关元件导通时变压器励磁,在tON即将结束时初级绕组的励
磁电流丨1为VitON/L-1。
开关断开时,变压器需要消磁,恢复二极管VD3和绕组N3就是为此而
N3中,开关断开
设,励磁能量通过它们反馈到输入侧。
若绕组N1中蓄积的能量全部转移到绕组
瞬间“安•匝相等”原理仍然成立,则绕组n3的励磁电流I3为
N1
N3
把tON/l1代入上式,得
N1Vi
N3L1
又,绕组N3的励磁电感与绕组N1的励磁电感的关系为
L3
Li
恢复二极管VD3变为导通状态,变压器以输入电压VI进行消磁。
为消除tON/L1的
励磁电流i1,必要的时间类似I讦ytON/l1,即
t=L3汉上
treL3Vi
把上式L3、I3分别用前两式代入上式,整理得
V,1
L1tONVi
为防止变压器磁饱和,必须在开关断开期间变压器完全消磁,
tre-toFF=1-DT
N3
N1
因此,正激变换器的电压变比限制为
7.3.8MOSFET的选用
1.MOSFET的电压峰值
根据式(7-38),计算VTi上的电压峰值Vdsp为
\
\
-——
2.MOSFET的电流及功耗
根据变压器安匝相等原理,MOSFET的漏极电流平均值|ds为
心叫唱=20嗨1.48A
VT1的电压和电流波形如图7-32所示,VT1的总功耗PQ1为
IminIds1t13Vds(sat)Ids1'Ids2t?
'VdspIds2±3
(7-40)
根据电感电流的变化量为20%,确定Ids的前峰值Ids1和后峰值Ids2分别为
式中,Vjs(sat)是MOSFET导通电压,一般为在2V以下。
采用功率MOSFET计算功耗时应注意:
(1)PN结温度Tj越高,导通电阻Rds越大,Tj超过100C时,Rds一般为产品手册中给出值的1.5〜2倍。
(2)功率MOSFET功耗中,由于Rds占的比例比较高,必要时加宽t°N进行计算。
即在Vmax时,采用toNmin条件,或者Vimin时,采用toNmax条件进行计算。
另外,在toFF期间,由于功率
MOSFET的漏极电流极小,其功耗可忽略不计。
因为tONmax=2.1St1采用MOSFET产品手册中给出的上升时间,t3采用下降时间。
这里,
取t1=0.1卩st3=0.1卩s贝y
t2=2.1-0.1-0.1=1.9ys
由式(7-40),求得FQ1为
FQ1=12001.330.131.71.331.631.97201.630.1・5.3W
Q65
式中,Vds(sat)取1.7V。
结温Tj控制在120C,环境温度最高为50C时,需要的散热器的热阻Rfa为
max_Tamax〜Rjc汉FQ1)120—50—(1.0汉5.3)彳cccM/
=疋12.2C/W
FQ1
5.3
(7-41)
由冷却方式是采用自然风冷还是风扇强迫风冷来决
图7-33所示。
5JOJ52025
功耗twv
图7-33功耗与温升的关系
7.3.9恢复二极管的选用
恢复二极管选用高压快速二极管,特别注意反向恢复时间要短。
1.VD3的反向耐压
在tON期间VD3反偏,正极相当于接地,加在VD3上的反向电压等于电源电压。
当输入电压
最大时,VD3反偏电压Vrd3=350V。
2.VD4的反向耐压
在toN期间VD4反偏,加在VD4上的反向电压Vrd4为电源电压与恢复绕组感应电压的叠加,当输入电压最高时,VD4反偏电压Vrd4为
、/、/:
(29)
Vd4=Vimax汉1+汙=350汉1+右广726V(7-42)
7.3.10输出二极管的选用
输出二极管选用低压大电流SBD,特别注意反向恢复时间要短。
这是因为MOSFET通断时,
由于二极管反向电流影响初级侧的开关特性,功耗增大的缘故。
1•整流二极管VDi的反向耐压
在toFF期间,由于输出滤波电感反激,续流二极管VD2导通,主绕组Ni感应电压V,'=330V;
次级N2电压加在整流二极管VDi的两端,因此,:
VDi的反向电压Vrd1为
Vd1=V*也=325汉2〜24V(7-43)
N127
实际上,开关管截止时有几十伏的浪涌电压叠加在这电压上。
2•续流二极管VD2的反向耐压
在toN期间VDi导通,加在续流二极管VD2上的反向电压Vrd2与变压器次级绕组电压的最大
值V2max相同,即
V2max=V|max汉=350汉;2~26V(7-44)
N127
实际上,开关管导通时有几V浪涌电压叠加在这电压上。
加在VD1、VD2导通上的电压波
形如图7-34所示。
(a)整流二极管VD1两端的电压波形
(b)续流二极管VD1两端的电压波形
图7-34输出二极管电压波形
整流二极管VDi的功耗Pd1为
(7-45)
Fd1=VFIo竿Vrd1IrtOFF^trr¥:
Vrd1Irr(t)dt
续流二极管VD2的功耗Pd2为
7.3.11变压器参数的计算
Ii为
MOSFET的漏极电流平均值Ids为就是变压器初级电流的平均值,因此
li=1.48A
正激式开关电源初、次级的电流同相,且均为梯形波。
根据前述梯形波电流的有效值的公式
式中,K是梯形波电流的前峰值|1B与后峰值I1P的比值,即K=|1B/|1P。
本电路Ids1就是11B,Ids2就是11P,则
K=lds1/lds2=0.9I1/1.1I1~0.82
初级电流的有效值I1rms为
'D20422
l1rms=1・1>V3A3
或用简单公式
I1rms=IdsJD=1.48汇a/0.42&0.96A
次级电流的有效值I2rms为
..N127“cua
I2rms=hrms汉=0.96汉&12.95A
N22
恢复绕组电流的有效值13rms为
..N127
I3rms=hrms汉~=0.9^^3;&0.89A
N329
自然风冷时电流密度Jd选为2〜4(A/mm2),强迫风冷时选为3〜5(A/mm2)较适宜。
根据电流的有效值,变压器初级绕组使用的铜线①0.6,电流密度为3.4(A/mm2),次级绕组使用的铜线0.39,电流密度为4.8(A/mm2),恢复绕组的铜线0.6,电流密度为3.15(A/mm2)。
7.3.12输出扼流圈的计算
输出扼流圈用磁芯有El(EE)磁芯、环形磁芯、鼓形磁芯等。
设计时注意事项与变压器
样,磁通不能饱和,温升应在允许范围内。
使用的磁芯也与变压器一样,采用EI-28,电感量在
4.6^H以上。
因为流经线圈中的电流为20A,所以,使用0.5mm9mm的铜条,电流密度为
采用上述铜条可以计算出最多只能绕6匝。
H7C4材料磁芯的间隙与
图7-37所示。
由式(7-39),需要的A1-Value值为
A1-Value=L/N2=4.6210&12710^
62
查看图7-37所示曲线A1-Value值,可得间隙为1.4mm。
最大磁通密度Bm为
Bm=
NIo
S
(A1-Value)
10=
620
85
12710〜
1793咼斯
JCOOO
D
OC
OC
1A
5
0.
磁芯的最大磁通密度与变压器
3000高斯以下。
1MOO|
EI7C1
Qzrzu】冬IFA.丄成
00
DD
H7C1
JO
0.51.0
Lgg伽)
图7-37间隙与A1-Value之间的关系
正激式开关电源设计参数一览见表7-8。
200kHz
表7-8正激式开关电源设计参数一览
工作频率
输岀功率
初级
匝数弘
电感量
电流平均值Ids
电流有效值I1rms
绕组结构
电流密度
27匝
4.3mH
1.48A
0.96A
①0.6
2
3.4A/mm
次级绕组
匝数
电感量
电流平均值IO
电流有效值I2rms
绕组结构
电流密度
2匝
—
20
12.95A
①0.3汉9
2
4.8A/mm
恢复绕组
匝数
电感量
电流平均值
电流有效值
绕组结构
电流密度
29匝
—
1.38A
0.89A
①0.6
2
3.15A/mm2
磁芯
型号
有效截面积S
剩磁通密度Bm
最大磁通密度Bm
EI-28
85mm2
1000高斯
3000高斯
Po
100W
变压器
开关管
漏-源极最高电压Udsp
功率损耗PQ1
热阻Rfa
400V
7.3W
122C/W
输岀滤波电感
匝数
导线
电感量
电流
电流密度
磁通密度Bm
6匝
0.5mm汇9mm
4.6gH
20A
2
4.4A/mm
1793
反向电压Vrd1
整流二极管VD1
最大反向电压Vrd2
26V
最大反向电压Vrd3
350V
恢复二极管VD4
最大反向电压Vrd4
726V