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正激式开关电源的设计讲解

7-3正激式开关电源的设计

中山市技师学院曷中海

由于反激式开关电源中的开关变压器起到储能电感的作用,因此反激式开关变压器类似于电

感的设计,但需注意防止磁饱和的问题。

反激式在20〜100W的小功率开关电源方面比较有优势,因其电路简单,控制也比较容易。

而正激式开关电源中的高频变压器只起到传输能量的作用,其开关变压器可按正常的变压器设计方法,但需考虑磁复位、同步整流等问题。

正激式适合50〜

250W之低压、大电流的开关电源。

这是二者的重要区别!

7.3.1技术指标

正激式开关电源的技术指标见表7-7所示。

表7-7正激式开关电源的技术指标

项目

参数

输入电压

单相交流220V

输入电压变动范围

160Vac〜235Vac

输入频率

50Hz

输出电压

Vo=5.5V@20A

输岀功率

110W

7.3.2工作频率的确定

工作频率对电源体积以及特性影响很大,必须很好选择。

工作频率高时,开关变压器和输出

滤波器可小型化,过渡响应速度快。

但主开关元件的热损耗增大、噪声大,而且集成控制器、主开关元件、输出二极管、输出电容及变压器的磁芯、还有电路设计等受到限制。

这里基本工作频率fo选200kHz,则

11

T=一=3=5(is

f0200"O3

式中,T为周期,f0为基本工作频率。

7.3.3最大导通时间的确定

对于正向激励开关电源,D选为40%〜45%较为适宜。

最大导通时间tONmax为

toNmax=TDmax(7-24)

Dmax是设计电路时的一个重要参数,它对主开关元件、输出二极管的耐压与输出保持时间、

变压器以及和输出滤波器的大小、转换效率等都有很大影响。

此处,选Dmax=45%。

由式(7-24),

则有

电压Vo更小。

 

图7-26“等积变形”示意图

根据式(7-25),次级最低输出电压V2min为

V2min

VoVlVfT

toNmax

0.55=i4v

2.25

式中,Vf取0.5V(肖特基二极管),Vl取0.3V。

2•变压器匝比的计算

正激式开关电源中的开关变压器只起到传输能量|的作用,是真正意义上的变压器,绕组的匝比N为

V2

根据交流输入电压的变动范围160V〜235V,则Vi=200V〜350V,V|min=200V,

N=V|min=200~14.3

V2min14

把式(7-25)、(7-25)整合,则变压器的匝比N为

ViminDmax

N=

VoVlVf

7.3.5变压器次级输出电压的计算

变压器初级的匝数N!

与最大工作磁通密度Bm(高斯)之间的关系为

max

V|min

BmS

104

初、次级

(7-26)

所以有

(7-27)

(7-28)

式中,S为磁芯的有效截面积(mm2),Bm为最大工作磁通密度。

输出功率与磁芯的尺寸之间关系,见表2-3所示。

根据表2-3粗略计算变压器有关参数,磁

 

芯选EI-28,其有效截面积S约为85mm2,磁芯材料相当于TDK的H7C4,最大工作磁通密度Bm

可由图7-27查出。

根据式(7-28),得

N2=N=口=27/14.3=1.9匝,取整数2匝。

当N=N1/N2=27/2=13.5。

根据式(7-27),计算最大占空比Dmax为

200

Sax=2。

Wf+v»N=(5.5+0.5+0.3)M3.5#42.5%

VImin

输出电压正常,开关电源的最大占空比

也就是说,选定变压器初、次级绕组分别为27和2匝,为了满足最低输入电压时还能保证

Dmax约为42.5%,开关管的最大导通时间tONmax约为

2.1ys下面有关参数的计算以校正后的Dmax(=42.5%)和toNmax(=2.1⑴。

同时,由式(7-26)计算的输出最低电压V2min约为14.8V。

7.3.6变压器次级输出电压的计算

1

.计算扼流圈的电感量

流经输出扼流圈的电流IL如图7-28所示,则.'Il为

式中,L为输出扼流圈的电感(

这里选.Il为输出电流I。

(=20A)的10%〜30%,从扼流圈的外形尺寸、成本、过程响应

等方面考虑,此值比较适宜。

因此,按Il为Io的20%进行计算。

Il=Io0.2=200.2=4A

由式(7-29),求得

A114.8-(0.5+5.5)

Ah=x21~4.6□H

4'

如此,采用电感量为4.6□H,流过平均电流为20A的扼流圈。

若把变压器次级的输出电压与电流波形合并在一起,如图7-29所示。

在tON期间,为幅

度14.8V的正脉冲,VD1导通期间扼流圈电流线性上升,电感励磁、磁通量增大;在tOFF期间,

V2为幅度V;/N的负脉冲(具体分析见下文),VD!

截止、VD2导通,扼流圈电流线性下降,电感消磁,磁通量减小。

输出给负载的平均电流|O为20A。

稳态时,扼流圈的磁通增大量等于减

小量。

2•计算输出电容的电容量

输出电容大小主要由输出纹波电压抑制为几mV而确定。

输出纹波电压.Jr由.訂L以及输出

电容的等效串联电阻ESR①确定,但输出纹波一般为输出电压的0.3%〜0.5%。

(7-30)

(0.3~0.5化(0.3~0.5/51525V-1r===15〜25mV

100100

(7-31)

己lr=AlL汇ESR

由式(7-31),求得

△lr15~25

ESR=—L==3.75〜6.25mQ

△Il4

即工作频率为200kHz时,需要选用ESR值6.25mQ以下的电容。

适用于高频可查电容技术资料,例如,用8200卩F/10V的电容,其ESR值为31mQ,可选6个这样的电容并联。

另外,需要注意低温时ESR值变大。

流经电容的纹波电流Ic2rms为

A|.4

lC2rms==厂心1.16A(7-32)

2.32.3

因此,每一个电容的纹波电流约为0.2A,因为这里有6个电容并联。

此外,选用电容时还

要考虑到负载的变化、电流变化范围、电流上升下降时间、输出扼流圈的电感量,使电压稳定的环路的增益等,它们可能使电容特性改变。

等效串联电阻”。

ESR的出现导致电容的

ESR,是EquivalentSeriesResistance三个单词的缩写,翻译过来就是

行为背离了原始的定义。

ESR是等效串联”电阻,意味着将两个电容串联会增大这个数值,而并联则会减少之

7.3.7恢复电路设计

1•计算恢复绕组的匝数

恢复电路如图7-30所示。

VTi导通期间变压器Ti的磁通量增大,Ti蓄积能量;VTi截止期间释放蓄积的能量,磁通返回到剩磁。

图7-30恢复电路(VT1截止时)

电路中Ti上绕有恢复绕组N3,因此VTi截止期间,原来蓄积在变压器中的能量通过VD4

反馈到输入侧(C|暂存)。

由于VTi截止期间,恢复绕组N3两端的自感电压限制为输入电压VI

的数值,惟其如此,VD4才能把存储在N3中的磁场能转化为电场能反馈到输入侧。

这时变压器

初级感应电压为

'NMV]

Vi=N31(7-33)

式中,V,'是Ni的感应电压,极性为上负下正;V|是N3的自感电压,极性也是上负下正(等于电源电压)。

若主开关兀件的耐压为

800V,使用率为85%,即V|max-8000.85=680V。

Vi^680-350=330V

由式(7-33),求得

NV27350

N3_NiV|max=27350疋28.6匝,取整数29匝。

V330

2.计算RCD吸收电路的电阻与电容

VTi导通期间储存在Ti中的能量为

式中,Li为变压器初级的电感量。

(7-34)

VTi截止期间,初级感应电压使

VD3导通,磁场能转化为电场能,在R|上以热量形式消耗

掉。

R中消耗的热量为

因为Ei=E2,联立式(7-34)、(7-35),整理得

(7-36)

因为输入电压最高Vimax时开关管导通时间toNmin最短,把上式中的V换成Vimax,t°N换成

toNmin,加在VTi上的最大峰值电压Vdsp为

由此,求得Ri为

(7-38)

叫®s

350

又,当输入电压VImax时,toNmin为

toNmin=toNmax~=2.i

VImax

式(7-38)中,初级的电感量Li是未知数,下面求解。

Al-Value值由磁芯的产品目录提供。

EI(E)-28,H7C4的Ai-Value值为5950,则

(7-39)

2

Ai-Value=Li/Ni

由式(7-39),求得J为

^=5950N;10^=595027210-9~4.3mH

由式(7-38),求得R为

 

式中,加在VT1上的最大峰值电压Vdsp取680V。

时间常数R1C1比周期T要大的多,一般取10倍左右,则

T5x10》

G=10—=103〜1773pF

R28.210

3.计算主绕组感应电压

当Vmax=350V,根据式(7-33),得

'27350

V=一〜325V

29

阅读资料

对于正激式开关电源来说,主开关元件导通时变压器励磁,在tON即将结束时初级绕组的励

磁电流丨1为VitON/L-1。

开关断开时,变压器需要消磁,恢复二极管VD3和绕组N3就是为此而

N3中,开关断开

设,励磁能量通过它们反馈到输入侧。

若绕组N1中蓄积的能量全部转移到绕组

瞬间“安•匝相等”原理仍然成立,则绕组n3的励磁电流I3为

N1

N3

把tON/l1代入上式,得

N1Vi

N3L1

又,绕组N3的励磁电感与绕组N1的励磁电感的关系为

L3

Li

恢复二极管VD3变为导通状态,变压器以输入电压VI进行消磁。

为消除tON/L1的

励磁电流i1,必要的时间类似I讦ytON/l1,即

t=L3汉上

treL3Vi

把上式L3、I3分别用前两式代入上式,整理得

V,1

L1tONVi

为防止变压器磁饱和,必须在开关断开期间变压器完全消磁,

tre-toFF=1-DT

N3

N1

因此,正激变换器的电压变比限制为

7.3.8MOSFET的选用

1.MOSFET的电压峰值

根据式(7-38),计算VTi上的电压峰值Vdsp为

\

\

-——

2.MOSFET的电流及功耗

根据变压器安匝相等原理,MOSFET的漏极电流平均值|ds为

心叫唱=20嗨1.48A

VT1的电压和电流波形如图7-32所示,VT1的总功耗PQ1为

IminIds1t13Vds(sat)Ids1'Ids2t?

'VdspIds2±3

(7-40)

根据电感电流的变化量为20%,确定Ids的前峰值Ids1和后峰值Ids2分别为

式中,Vjs(sat)是MOSFET导通电压,一般为在2V以下。

采用功率MOSFET计算功耗时应注意:

(1)PN结温度Tj越高,导通电阻Rds越大,Tj超过100C时,Rds一般为产品手册中给出值的1.5〜2倍。

(2)功率MOSFET功耗中,由于Rds占的比例比较高,必要时加宽t°N进行计算。

即在Vmax时,采用toNmin条件,或者Vimin时,采用toNmax条件进行计算。

另外,在toFF期间,由于功率

MOSFET的漏极电流极小,其功耗可忽略不计。

因为tONmax=2.1St1采用MOSFET产品手册中给出的上升时间,t3采用下降时间。

这里,

取t1=0.1卩st3=0.1卩s贝y

t2=2.1-0.1-0.1=1.9ys

由式(7-40),求得FQ1为

FQ1=12001.330.131.71.331.631.97201.630.1・5.3W

Q65

式中,Vds(sat)取1.7V。

结温Tj控制在120C,环境温度最高为50C时,需要的散热器的热阻Rfa为

max_Tamax〜Rjc汉FQ1)120—50—(1.0汉5.3)彳cccM/

=疋12.2C/W

FQ1

5.3

(7-41)

由冷却方式是采用自然风冷还是风扇强迫风冷来决

图7-33所示。

5JOJ52025

功耗twv

图7-33功耗与温升的关系

7.3.9恢复二极管的选用

恢复二极管选用高压快速二极管,特别注意反向恢复时间要短。

1.VD3的反向耐压

在tON期间VD3反偏,正极相当于接地,加在VD3上的反向电压等于电源电压。

当输入电压

最大时,VD3反偏电压Vrd3=350V。

2.VD4的反向耐压

在toN期间VD4反偏,加在VD4上的反向电压Vrd4为电源电压与恢复绕组感应电压的叠加,当输入电压最高时,VD4反偏电压Vrd4为

、/、/:

(29)

Vd4=Vimax汉1+汙=350汉1+右广726V(7-42)

7.3.10输出二极管的选用

输出二极管选用低压大电流SBD,特别注意反向恢复时间要短。

这是因为MOSFET通断时,

由于二极管反向电流影响初级侧的开关特性,功耗增大的缘故。

1•整流二极管VDi的反向耐压

在toFF期间,由于输出滤波电感反激,续流二极管VD2导通,主绕组Ni感应电压V,'=330V;

次级N2电压加在整流二极管VDi的两端,因此,:

VDi的反向电压Vrd1为

Vd1=V*也=325汉2〜24V(7-43)

N127

实际上,开关管截止时有几十伏的浪涌电压叠加在这电压上。

2•续流二极管VD2的反向耐压

在toN期间VDi导通,加在续流二极管VD2上的反向电压Vrd2与变压器次级绕组电压的最大

值V2max相同,即

V2max=V|max汉=350汉;2~26V(7-44)

N127

实际上,开关管导通时有几V浪涌电压叠加在这电压上。

加在VD1、VD2导通上的电压波

形如图7-34所示。

 

(a)整流二极管VD1两端的电压波形

(b)续流二极管VD1两端的电压波形

 

图7-34输出二极管电压波形

整流二极管VDi的功耗Pd1为

(7-45)

Fd1=VFIo竿Vrd1IrtOFF^trr¥:

Vrd1Irr(t)dt

续流二极管VD2的功耗Pd2为

7.3.11变压器参数的计算

Ii为

MOSFET的漏极电流平均值Ids为就是变压器初级电流的平均值,因此

li=1.48A

正激式开关电源初、次级的电流同相,且均为梯形波。

根据前述梯形波电流的有效值的公式

式中,K是梯形波电流的前峰值|1B与后峰值I1P的比值,即K=|1B/|1P。

本电路Ids1就是11B,Ids2就是11P,则

K=lds1/lds2=0.9I1/1.1I1~0.82

初级电流的有效值I1rms为

'D20422

l1rms=1・1>

V3A3

或用简单公式

I1rms=IdsJD=1.48汇a/0.42&0.96A

次级电流的有效值I2rms为

..N127“cua

I2rms=hrms汉=0.96汉&12.95A

N22

恢复绕组电流的有效值13rms为

..N127

I3rms=hrms汉~=0.9^^3;&0.89A

N329

自然风冷时电流密度Jd选为2〜4(A/mm2),强迫风冷时选为3〜5(A/mm2)较适宜。

根据电流的有效值,变压器初级绕组使用的铜线①0.6,电流密度为3.4(A/mm2),次级绕组使用的铜线0.39,电流密度为4.8(A/mm2),恢复绕组的铜线0.6,电流密度为3.15(A/mm2)。

7.3.12输出扼流圈的计算

输出扼流圈用磁芯有El(EE)磁芯、环形磁芯、鼓形磁芯等。

设计时注意事项与变压器

样,磁通不能饱和,温升应在允许范围内。

使用的磁芯也与变压器一样,采用EI-28,电感量在

4.6^H以上。

因为流经线圈中的电流为20A,所以,使用0.5mm9mm的铜条,电流密度为

采用上述铜条可以计算出最多只能绕6匝。

H7C4材料磁芯的间隙与

图7-37所示。

由式(7-39),需要的A1-Value值为

A1-Value=L/N2=4.6210&12710^

62

查看图7-37所示曲线A1-Value值,可得间隙为1.4mm。

最大磁通密度Bm为

Bm=

NIo

S

(A1-Value)

10=

620

85

12710〜

1793咼斯

JCOOO

D

OC

OC

1A

5

0.

磁芯的最大磁通密度与变压器

3000高斯以下。

1MOO|

EI7C1

Qzrzu】冬IFA.丄成

00

DD

H7C1

JO

0.51.0

Lgg伽)

图7-37间隙与A1-Value之间的关系

正激式开关电源设计参数一览见表7-8。

200kHz

表7-8正激式开关电源设计参数一览

工作频率

输岀功率

初级

匝数弘

电感量

电流平均值Ids

电流有效值I1rms

绕组结构

电流密度

27匝

4.3mH

1.48A

0.96A

①0.6

2

3.4A/mm

次级绕组

匝数

电感量

电流平均值IO

电流有效值I2rms

绕组结构

电流密度

2匝

20

12.95A

①0.3汉9

2

4.8A/mm

恢复绕组

匝数

电感量

电流平均值

电流有效值

绕组结构

电流密度

29匝

1.38A

0.89A

①0.6

2

3.15A/mm2

磁芯

型号

有效截面积S

剩磁通密度Bm

最大磁通密度Bm

EI-28

85mm2

1000高斯

3000高斯

Po

100W

变压器

开关管

漏-源极最高电压Udsp

功率损耗PQ1

热阻Rfa

400V

7.3W

122C/W

输岀滤波电感

匝数

导线

电感量

电流

电流密度

磁通密度Bm

6匝

0.5mm汇9mm

4.6gH

20A

2

4.4A/mm

1793

反向电压Vrd1

整流二极管VD1

最大反向电压Vrd2

26V

最大反向电压Vrd3

350V

恢复二极管VD4

最大反向电压Vrd4

726V

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