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PSpice模型制作.docx

PSpice模型制作

PSpice模型创建

PSpice模型是对电路元器件的数学描述,是进行电路仿真分析的前提条件,它的精度和速度直接影响电路分析结果的精确度和仿真速度。

因此,在进行PSpice仿真之前,需要有相应元器件的适当PSpice模型,如合适的直流模型、交流小信号模型、瞬态分析模型、噪声模型、温度模型等等。

在电路设计的过程中,如果直接调用软件自带模型库中的元件模型参数,不

一定能够满足各种不同的实际设计需要,这时就需要修改元件模型参数。

此外,对于新创建的元件,则需要用户自己设置适当的PSpice模型参数。

一、PSpice模型参数的修改

PSpice模型修改比较简单:

可以直接选择元件,然后右击选择EditPSpicemodel,即可打开PSpice模型编辑器,编辑所需修改的参数,存盘即可。

其中:

ModelsList栏用以显示模型名称;SimulationParameters栏用以修改设置模型参数;ModelText栏用以显示模型描述语言,当然这里只能读取,不可以在此进行编辑。

二、PSpice模型的创建

为了满足具体设计需要,设计者往往需要创建自己的元件库,要进行PSpice

仿真,就必须对新建元件进行模型设置,新建模型,有两种主要方式:

1、ModelEditor模型编辑

(1)执行Cadence/Release16.3/PSpiceAccessories/ModelEditor命令,进入模型编辑器界面,执行File/New命令,如下图:

(2)点击符号,弹出新建模型的NewModel对话框,如下图:

在该对话框中选择设置,ModelName填写模型名称;选择UseDevice

CharacteristicCurves表示用硬件的典型曲线来描述模型;选择UseTemplates

表示用软件自带样本进行参数的修改设置;FromModel用以选择模型类型。

择UseDeviceCharacteristicCurves,再确定模型,点击OK即可进入模型编

辑器窗口,其中可以设置元件的所有相关仿真参数设定,编辑器会以曲线形式将参数设定后的模型特性实时显示出来。

其中ReverseLeakage栏,用以设置曲线特定点的对应X、Y值;曲线显

示区可以实时显示电压、电流等模型典型特性曲线;Parameters栏用以编辑模

型特定参数范围。

(3)完成模型参数设置后,保存,而后执行File/ModelImportWizard

(Capture)弹出ModelImportWizard:

SpecifyLibrary对话框,输入创建的模型库*.lib文件,输出模型*.olb文件,即为所创建的模型自动分配模型的Capture符号,便于原理图绘制仿真。

(4)回到Capture原理图中,调用刚刚创建的*.olb库文件,即可调用新

建的元件PSpice模型,如下图:

 

(5)此后若想对该元件进行参数修改,即可直接右击选择EditPSpice

Model命令,即可进入模型编辑器中进行参数调整。

2、模型文本编辑

即直接将模型参数从键

元器件模型参数还可以采用文本形式进行编辑设置,盘输入,新建文本文件,用下列描述语言输入元件模型参数:

0627Dmodel.MODEL0627D

+RS=1.0000E-3

+CJO=1.0000E-12+M=.3333

+VJ=.75

+ISR=100.00E-12

+BV=100

+IBV=100.00E-6

+TT=5.0000E-9

模型参数描述文本设置完成后,保存为*.lib文件格式即可,然后再在ModelEditor中可以可以将该文件分配到Capture元件库文件*.olb,就可以进行模型调用了。

三、PSpice宏模型的创建

随着集成技术的发展,集成电路规模越来越大,集成度越来越高,芯片中的底层元件越来越多,分析软件受现实因素限制,进行晶体管级的大规模电路仿真分析是很不现实的,因此宏模型应运而生。

宏模型是指在一定精度范围内,电子系统的端口输入输出特性的简化等效模型,可以是一组等效电路、数学函数或一张数据表格,大大简化了原电路复杂度,加快了电路仿真分析计算的速度。

由于电路不同的等效模型,不同的宏模型由此产生:

电路简化宏模型、电路特性宏模型、表格特性宏模型以及数学函数宏模型等,其中PSpice仿真支持行为级宏模型、数学宏模型和表格宏模型。

1、行为级宏模型创建

行为级宏建模即电路模拟行为建模(ABM),经常采用的是字电路形式来描述,例如执行EditPSpiceModel即可对芯片编辑宏模型,以下为74AS168芯

片的行为级宏模型,:

*74AS168Synchronous4-bitUp/DownDecadeCounters

*

*TheALS/ASDataBook,1986,TI

*JSW7/27/92RemodeledusingLOGICEXP,PINDLY,&CONSTRAINTdevices

*

.SUBCKT74AS168CLK_IU/DBAR_IENPBAR_IENTBAR_ILOADBAR_I

+A_IB_IC_ID_IQA_OQB_OQC_OQD_ORCOBAR_O

+OPTIONAL:

DPWR=$G_DPWRDGND=$G_DGND

+PARAMS:

MNTYMXDLY=0IO_LEVEL=0

*

UAS168LOGLOGICEXP(17,15)DPWRDGND

+CLK_IU/DBAR_IENPBAR_IENTBAR_ILOADBAR_IA_IB_IC_ID_I

+QAQBQCQDQABARQBBARQCBARQDBAR

+CLKU/DBARENPBARENTBARLOADBARABCDRCOBARDADBDC

DDEN

+D0_GATEIO_AS00IO_LEVEL={IO_LEVEL}

+LOGIC:

ENPBAR={ENPBAR_I}

+ENTBAR={ENTBAR_I}

+U/DBAR={U/DBAR_I}

+LOADBAR={LOADBAR_I}

+A={A_I}

+B={B_I}

+C={C_I}

+D={D_I}

+UD={~U/DBAR}

+LOAD={~LOADBAR}

+EN={~ENTBAR&~ENPBAR&LOADBAR}+IA4={~((QABAR&U/DBAR)|(QA&UD))}+IB4={~((QBBAR&U/DBAR)|(QB&UD))}+IC4={~((QCBAR&U/DBAR)|(QC&UD))}+ID4={~((QDBAR&U/DBAR)|(QD&UD))}+IB5={~(U/DBAR&ID4)}

+IC5={~(QCBAR&UD&QDBAR)}

+IA1={A&LOAD}

+IA2={ENA(LOADBAR&QA)}

+IB1={B&LOAD}

+IB2={~(EN&IA4)&LOADBAR&QB}

+IB3={IA4&EN&IC5&IB5&QBBAR}

+IC1={C&LOAD}

+IC2={~(EN&IA4&IB4)&LOADBAR&QC}

+IC3={~(QC&LOADBAR)&EN&IA4&IB4&IC5}+ID1={D&LOAD}

+ID2={~(EN&IA4)&LOADBAR&QD}

+ID3={~(QD&LOADBAR)&EN&IA4&IB4&IC4}+DA={IA1|IA2}+DB={IB1|IB2|IB3}

+DC={IC1|IC2|IC3}

+DD={ID1|ID2|ID3}+RCOBAR={~((U/DBAR&IA4&ID4&~ENTBAR)|(~ENTBAR&UD

+IA4&IB4&IC4&ID4))}

UDFFDFF(4)DPWRDGND$D_HI$D_HICLKDADBDCDD

+QAQBQCQDQABARQBBARQCBARQDBARD0_EFFIO_AS00

UAS168DLYPINDLY(5,0,10)DPWRDGND

+RCOBARQAQBQCQD

+CLKENPBARENTBARU/DBARLOADBARABCDEN

+RCOBAR_OQA_OQB_OQC_OQD_O

+IO_AS00

+MNTYMXDLY={MNTYMXDLY}IO_LEVEL={IO_LEVEL}

+BOOLEAN:

+CLOCK={CHANGED_LH(CLK,0)}

+CNTENT={CHANGED(ENTBAR,0)}

+PINDLY:

+RCOBAR_O={

+CASE(

+CNTENT,DELAY(1.5NS,-1,9NS),

+CHANGED(U/DBAR,0)&TRN_LH,DELAY(2NS,-1,12NS),

+CHANGED(U/DBAR,0)&TRN_HL,DELAY(2NS,-1,13NS),

+CLOCK&TRN_HL,DELAY(2NS,-1,13NS),

+CLOCK&TRN_LH,DELAY(3NS,-1,16.5NS),

+DELAY(3NS,-1,16NS)

+)

+}

+QA_OQB_OQC_OQD_O={

+CASE(

+CLOCK&TRN_LH,DELAY(1NS,-1,7NS),

+CLOCK&TRN_HL,DELAY(2NS,-1,13NS),

+DELAY(2NS,-1,13NS)

+)

+}+FREQ:

+NODE=CLK+MAXFREQ=75MEG

+WIDTH:

+NODE=CLK

+MIN_LOW=6.7NS

+MIN_HIGH=6.7NS

+SETUP_HOLD:

+DATA(4)=ABCD

+CLOCKLH=CLK

+SETUPTIME=8NS

+WHEN={L0ADBAR!

='1ACHANGED(LOADBAR,0)}

+SETUP_HOLD:

+DATA

(2)=ENPBARENTBAR

+CLOCKLH=CLK

+SETUPTIME=8NS

(LOADBAR!

='0

+WHEN={CHANGED(EN,8NS)&

CHANGED(LOADBAR,0))}

+SETUP_HOLD:

+DATA

(1)=U/DBAR

+CLOCKLH=CLK

+SETUPTIME=8NS

+WHEN={EN!

='0ACHANGED(EN,0)}

+SETUP_HOLD:

+DATA

(1)=LOADBAR

+CLOCKLH=CLK

+SETUPTIME=8NS

.ENDS

*

行为级宏模型即将子系统内电路以网表的形式描述出来,描述该子系统的内部行为模型子电路。

按照以上语言的描述方式,可以对任意系统进行行为级宏建模。

注意:

输入文件语法还是有比较严格的规范的。

简单来说,文件结构是由注释,子电路模型声明,参数声明,函数声明,电路结构声明,结束声明构成。

子电路声明必须由关键字.subckt起始,描述子电路名、端口名和顺序;参数声明由.param起始,描述参数名和参数值;函数声明由.func起始,描述函数名和函数解析式;电路结构声明由电路结构关键字C电容,R电阻,E电压源,F电流源,G电导,Q晶体管,D二极管,X子电路等起始,描述元件名、连接节点、元件值。

结束声明是关键字.ends。

要注意每一行不得超过132个char,超过的要用行内连接符+移动到下一行去,否则在分析时会报错。

2、数学宏模型的创建

部电路如何连接、如何运行不予详细描述

3、表格宏模型的创建

非线性普遍存在于模拟电路中,有时,即使所有元件都是线性的,输入输出

之间的关系也可能是非线性的。

这时可以将电路或元件端口的测试数据制成表

格,在仿真分析时,计算机可以直接查询其测量数据,获得复杂元件的特性模拟

量,在保证精度的前提下,使计算速度大大加快。

Gtunnelnode1node2table{V(node1,node2)}={

(0,0)(0.01,2.153m)(0.02,2.973m)(0.03,4.567m)(0.04,5.155m)••…}

表格宏模型在OrCAD中符号为TABLE,当设置其属性时,按该元件图形符号下方标注的数据对形式,输入各数据对即可。

建立宏模型时,要注意以下两点:

(1)宏模型是在一定精度范围内准确模拟电路特性;

(2)宏模型的结构应尽量简单、复杂度尽量低。

四、动态系统仿真

动态系统仿真即利用OrCAD行为级宏模型,将动态系统各个单元(子系统)

用abm.olb中的模型来表示,通过设置各单元的属性来模拟其特性,再以一定的

方式将各单元连接起来,用以完成整个系统的功能模拟。

宏模型,ETABLE为表格宏模型,Elaplace为数学函数模型

0

完成动态系统绘制后,调整各个子系统宏模型的参数设置,就可以对这个动态系统进行仿真了,对于该系统动态系统时域仿真的结果如下图。

通过观察系统输出波形,则可对系统宏模型参数进行调整,以达到最佳系统

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