电磁兼容技术.docx

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电磁兼容技术

第一讲电磁兼容的基本概念

一、概述

自从麦克斯韦建立电磁理论，赫兹发现电磁波百余年来，电磁能得到了充分的利用。

尤其在科学发达的今天，广播、电视、通信、导航、雷达、遥测遥控及计算机等领域得到了迅速的发展，给人类创造了巨大的物质财富，特别是信息、网络技术的爆炸性发展，使世界的对话距离和时间骤然缩短，世界的面貌焕然一新，地球村的梦想将成为现实。

然而，伴随电磁能的利用，也带来了电磁干扰的产生。

无用的电磁场，通过辐射和传导的途径，以场和电流（电压）的形式，侵入工作着的敏感的电子设备，使其无法正常工作。

而且，如同生态环境污染一样，随着科学技术的发展，电磁环境的污染也越来越严重。

它不仅对电子产品的安全与可靠性产生危害，还会对人类及生态产生不良影响。

电磁环境的不断恶化，引起了世界各工业发达国家的重视,特别是二十世纪七十年代以来，进行了大量的理论研究及实验工作。

进而提出了如何使电子设备或系统在其所处的电磁环境中，能够正常的运行，而对在该环境中工作的其他设备或系统也不引入不能承受的电磁干扰的新课题。

这就是所谓的电磁兼容（简称EMC）。

电磁兼容学是一门新兴的跨学科的综合性应用学科。

它是研究在有限的空间，时间和频谱资源条件下，各种用电设备可以共存并不致引起降级的一门学科。

作为边缘技术，它以电气和无线电技术的基本理论为基础，并涉及许多新的技术领域，如微波技术，微电子技术，计算机技术，通信和网络技术，以及材料科学和生物医学等等。

电磁兼容技术研究的范围很广，几乎所有现代化工业领域，如电力、通信、交通、航天、军工、计算机和医疗等都必须解决电磁兼容问题。

研究的热点内容主要有：

电磁干扰源的特性及其传输特性；

电磁干扰的危害效应；

电磁干扰的抑制技术；

电磁频谱的利用和管理；

电磁兼容性标准与规范；

电磁兼容分析与电磁兼容设计；

电磁兼容性的测量与试验技术；

电磁泄露与静电放电等。

电磁兼容学又是技术与管理并重的实用工程学。

它与工业生产和质量控制密切相关。

开展这样综合性的系统工程，需要投入大量的人力和财力。

美国及欧盟等国家在开展EMC技术研究的同时，还建立了国际标准化组织，已经和正在制定EMC的各类标准和规范。

我国在这方面的起步虽然较晚，但发展很快。

随着市场经济的发展和我国加入WTO，在参与世界技术市场的竞争中，进出口的电子产品都必须通过EMC检验。

为此，我国政府和相关部门越来越关注EMC问题，不断制定了有关的强制性贯彻的国家标准，建立了不同规模的EMC实验室和检测中心。

颁布了《EMC认证管理办法》和认证标志（CCC）。

随着电能的越来越广泛地应用，电磁兼容问题将会越来越复杂，电磁兼容的重要性也将会被越来越多的人们所认识。

所以说，坚持产品的电磁兼容性设计和检测是实现电磁兼容不可缺少的技术手段，强制贯彻电磁兼容标准，是保证产品质量和提高市场竞争力的先决条件。

二、电磁兼容术语及定义

关于EMC的术语和定义，在1995年颁布的国家标准GB/T4365“电磁兼容术语”中有详细的阐述。

这里仅就几个主要概念作一些辅助说明。

1、电磁环境（ElectromagneticEnvironment）

指存在于给定场所的所有电磁现象的总和。

给定场所即空间。

所有电磁现象包括全部时间与全部频谱。

不同标准对电磁环境有不同的要求，如GJB152A规定，当在屏蔽室内进行测试时，受试设备断电而所有辅助设备通电时，测得的电磁环境电平应至少低于规定的极限值6dB。

而国标一般要求在10dB或20dB.

2、电磁兼容性（ElectromagneticCompatibility-EMC）

设备或系统在其电磁环境中能正常工作且不对该环境中任何事物构成不能承受的电磁骚扰的能力。

对于EMC这一概念，作为一门学科或领域，可译为“电磁兼容”，而作为一个设备或系统的电磁兼容能力，可称为“电磁兼容性”。

由定义可以看出，EMC包括两个方面的含义，即设备或系统产生的电磁发射，不致影响其他设备或系统的功能；而本设备或系统的抗干扰能力，又足以使本设备或系统的功能不受其他干扰的影响。

3、电磁骚扰（ElectromagneticDisturbance）

是指任何可能引起装置、设备或系统性能降低或者对有生命或无生命物质产生损害作用的电磁现象。

它可能是电磁噪声、无用信号或传播媒介自身的变化，它可能引起设备或系统降级或损害，但不一定会形成后果。

而电磁干扰则是由电磁骚扰引起的后果。

所以，可以把电磁骚扰看成是电磁干扰源。

4、电磁干扰（ElectromagneticInterference-EMI）

电磁骚扰引起的设备、传输通道或系统性能的下降。

电磁干扰是由干扰源、耦合通道和接收器三部分构成的。

通常称作干扰三要素。

根据干扰传播的途径，电磁干扰可分为辐射干扰和传导干扰。

5、辐射干扰（RadiatedInterference）

是从干扰源（任何部件、天线、电缆或连接线等）通过空间并以电磁波的特性和规律传播的电磁干扰信号。

电磁波在空间的传播速度

波长

λ=/f=3*108/f（m）。

详细请参考：

6、传导干扰（ConductedInterence）

是沿着导体传播的干扰。

所以，传导干扰的传播要求在干扰源和接收器之间有一完整的电路连接。

7、电磁敏感度（ElectromagneticSusceptibility-EMS）

在存在电磁骚扰的情况下，装置、设备或系统不能避免性能降低的能力。

敏感度高，抗扰度低。

其实二者是一个问题的两个方面，既从不同角度反映装置、设备或系统的抗干扰能力。

以电平来表示，敏感度电平（刚刚开始出现性能降低时的电平）越小，说明敏感度越高，抗扰度越低；而抗扰度电平越高，说明抗扰度也越高，敏感度就越低。

电磁敏感度也分为辐射敏感度和传导敏感度。

8、干扰限值（Limitofconterference）

电磁骚扰使装置、设备或系统最大允许的性能降低。

9、抗扰性限值（ImmunityLimit）

规定的最小抗扰性电平。

限值亦称极限值或允许值。

受试设备必须在此极限值之下任意作用等级提供所要求的性能。

比方说，电场辐射敏感度的限值为10V/m，那么，受试设备就可以在5V/m或其他任何小于10V/m的电场作用下，满足其性能要求。

当然，限值与电磁兼容电平之间，还有一个差值，被称为欲量。

10、差模电压（Differentialmodevoltage）

一组规定的带电导体中任意两根之间的电压。

差模电压又称对称电压。

11、共模电压（Cocnmonmodevoltage）

每个导体与规定参照点（通常是地或机壳）之间的相电压的平均值。

共模电压又称不对称电压。

12、电压涌浪（Voltagesurge）

沿线路或电路传播的瞬态电压波。

其特征是电压快速上升后缓慢下降。

13、电磁屏蔽（Screen）

用导电材料减少交变电磁场向指定区域穿透的屏蔽。

电磁屏蔽的关键是保证屏蔽体的导电连续性。

14、横电磁波室（TEMcell）

一个封闭系统,通常为矩形同轴线,电磁波在其中以横电磁波模式传输,从而产生供测试使用的规定的电磁场。

三、有关概念及常用单位

（一）电磁场

1、电磁场的产生

●电场（E场）产生于两个具有不同电位的导体之间。

如图1-3-1所示。

图1-3-1电场示意图

●磁场（H场）产生于载流导体的周围。

如图1-3-2所示。

图1-3-2磁场示意图

●当交变电压通过导体网络产生交变电流时，便产生以波的形式向外传播的场，通常称电磁场，电磁波。

2、电磁波的传播

●电磁波的电场（E）与磁场（H）互相垂直并同时传播；

●电磁场与电磁波的传播方向垂直；

●电磁波的传播速度由媒体决定。

在自由空间以光速运动。

即=3*108m/s。

电磁波的传播示意图见图1-3-3。

图1-3-3电磁波传播示意图

3、电磁场的分类

在自由空间按观测点到辐射干扰源距离的不同，电磁场可分为近区场和远区场。

距离（R）又与干扰源的工作波长（）有关。

或R<0.15915λ为近区场

或R>15.9154λ为远区场

式中

=3*108/f（m）或λ（cm）=30/f（GHz）。

4、电磁场的特性

近区场与远区场的特性不同。

1）近区场

●电磁场的几何分布和强度由干扰源的特性决定；

●电场和磁场是互为独立的，电场由电荷产生，磁场由电流产生；

●电场和磁场均与距离的平方成反比，故场的衰减快；

●在传播方向上有场的分量；

●波阻抗是时间和位置的函数,而不是常数；

●近场为感应场；

●场的计算方法服从于静态场的计算方法。

2）远区场

●电场由变化的电荷与变化的磁场共同产生，磁场由变化的电流和变化的电场共同产生，电场与磁场不再是互为独立，而是互为源；

●波阻抗是常数；

●场的结构简单,在垂直于传播方向的平面上，电场与磁场的大小，方向和相位是相同的，也就是说没有传播方向的分量，是共面的，是横电磁场。

所以，在自由空间，远区场接近于平面波；

●场强与距离成反比规律衰减（如距离增大一倍,场强减少一倍），较近场衰减的慢；

●远场为辐射场；

●场的计算方法应服从于辐射场的计算方法，即天线理论中的计算方法。

对于近场与远场之间的过度区场（转换区域），其特性和计算方法应在二者之间，但主要类似于辐射场的基本特征。

一般讲平面波时，总是假设为远场，当分别考虑电场波或磁场波时，则假设为近场。

近场与远场的分界面随频率的不同而变化。

5、波阻抗

在EMC的分析中，常用到波阻抗物理量。

定义：

电磁波中的电场分量与磁场分量之比值，称为波阻抗。

即

Zw=E/H

近场与远场的特性不同，波阻抗也不同。

在远场区波阻抗仅与电磁波的传播介质有关。

所以在自由空间，Zw=（μ0/ε0）0.5=377Ω

式中，μ0=自由空间的磁导率=410-7H/m

ε0=自由空间的介电常数=8.85*10-12E/m

在近场区，则根据辐射源的情况，对于高阻抗源（高电压、小电流）或电场波来说，ZW>377Ω，对于低阻抗源（大电流、低电压）或磁场波，ZW<377Ω,图1-3-4给出了波阻抗的示意图。

图1-3-4波阻抗示意图

（二）天线

1、定义：

天线是从空间辐射或接收电磁波（信息）的装置。

2、分类：

天线的种类很多，主要分有源天线和无源天线两大类。

商业辐射测量中常用的天线有：

双锥天线（30-300MHz）、对数周期天线（200MHz—1GHz）和宽带天线（30MHz—1GHz）等。

3、特性：

1）极化：

天线发出的电磁波可以作垂直极化或水平极化。

当干扰源天线（或发射天线）与敏感设备天线（或接收天线）极化特性相同时，辐射干扰在敏感设备输入端产生的感应电压最强。

2）方向性：

干扰源朝空间各个方向辐射电磁干扰或敏感设备接收来自各个方向的电磁干扰的能力是不同的。

描述这种辐射或接收能力的参数称方向特性。

3）极性图：

天线最重要的特性是它的辐射图或极性图。

极性图是天线从不同角度方向辐射出去的功率或场强所形成的图

4）天线增益：

天线的方向性用天线功率增益G表达。

某一方向上的G可定义为：

G=

天线辐射功率

基准天线辐射功率

由于天线内的损耗，天线的辐射功率略小于输入功率

5）互易性：

接收天线的极性图类似于发射天线的极性图。

所以，发射天线与接收天线无根本性差异，但有时也是不能互易的。

6）依从性：

天线对频率有依从性，在其设计的频段内能有效的工作，在此频率以外则是低效的。

不同形状、结构的天线接收的电磁波的频率不同。

天线被广泛地应用于无线电业务领域。

在电磁兼容中，天线主要是作为测量电磁辐射的传感器，将电磁场转换为交变电压。

再借助天线系数获得电磁场强度值。

所以，EMC中的测量天线，要求天线系数的精度要高，参数稳定性好，而且天线的频带要宽。

3、天线系数

是指被测量的天线的场强值与接收机测得的天线的输出端口电压之比。

其表达式为：

AF=E/V

以对数表示：

dBAF=dBE-dBV

AF（dB/m）=E（dBμv/m）-V（dBμv）

E（dBμv/m）=V（dBμv）+AF（dB/m）

式中：

E--天线的电场强度，单位为dBμv/m

V--天线端口处的电压，单位为dBμv

AF—天线系数，单位为dB/m

天线系数AF应在天线出厂时给出，并定期校准。

天线手册中给出的天线系数，一般都是在远区场、无反射和50欧负载下测得的。

（三）分贝（dB）

在频域中分析干扰信号既可实现在较宽的频率范围内观察，又可分辨淹没在大信号中的小信号。

EMC中的干扰信号，其幅度范围和频率范围都很宽，所以常沿用通信系统所使用的频域分析方法。

测试中，为了同时观察大信号与小信号，而采用对数幅度标度。

它不仅能压缩大的信号幅度，而且能扩展小的信号幅度。

这种标度的单位以分贝（deci-Bel-dB）表示。

在测试和计算中，还常以某一测试点的电压或负载吸收的功率与某一电压或功率基准之比的对数来表达。

如对功率比值的表达式为：

dB=10log（P1/P2）式中P2为基准功率。

由式可以看出：

当P1>P2时，dB值为正，可用来表示功率增益。

当P1

当以“1”为基准值时，各物理量的单位就变成用分贝表示的形式。

因为分贝本身没有物理含义，所以用分贝表示特定的物理量时，需加上对应的后缀。

在EMC中，以分贝表示的常用物理量单位有：

1、功率：

dBW,dBmW

定义：

以1mW为基准的分贝数，用以表示功率值。

其表达式为：

dBm=10lgPx

也就是说，以基准量P0=1mW作为零功率电平，即0dBm。

那么，任意功率电平为：

dBm=10lg（Px/P0）=10（Px[mW]/1mW=10lgPx（mW）

如果定义以1W为基准分贝数，表达功率值，其表达式为：

dBW=10lgPx（W）

在EMC的测量中，很少以功率作基准。

而电流和电压的单位却是用得最多的。

2、电压：

dBv，dBμv。

根据p=V2/R，当R1=R2时，

dBv=10lg（V1/V2）2=20lg（V1/V2）

如果定义以1V作为基准的分贝数，则

dBv=20lgV1

在EMC测量中，常以μV作为基准电平。

如1μV=0dBμV,

100μV=40dBμV,1mv=60dBμV,1V=120dBμV，等等。

3、电流：

dBA,dBμA

dBA=20lg（I1/I2）

同样常以1μA作为基准的分贝数，来表示电流值。

4、电场强度：

dBμv/m

定义：

以每米1μv（1μv/m）为基准的分贝数，用以表示电场强度值。

即

1μv/m为0dBμv/m。

1V/m=120dBμv/m,3v/m=130dBμv/m，等等。

5、功率密度：

dBm/M2

以每平方米通过1mW功率为基准的分贝数，用以表示功率密度。

表达式：

dBm/M2=10lgP/S

单位之间的换算，可以计算，亦可查表。

（四）电磁屏蔽

1、定义：

所谓电磁屏蔽就是利用屏蔽体对电磁波产生衰减的作用。

这种作用的大小用屏蔽效能来度量。

SE=E1/E2

或SE=20log（E1/E2）dB

或SE=20log（H1/H2）dB

由式可以看出屏蔽效能是指没有屏蔽时空间某点的场强与有屏蔽时该点场强之比。

它表征了屏蔽体对电磁波的衰减程度。

屏蔽体通常能将电磁波的强度衰减到原来的百分之一至百万分之一。

所以，屏蔽体作为电磁兼容控制的重要手段可以有效的抑制电磁干扰。

1、机理：

利用电磁波在穿过屏蔽体截面时，会发生反射耗损和吸收损耗的特性来衰减电磁波传输的能量。

●反射损耗：

当电磁波入射到不同媒质的界面时，会发生反射，使穿过界面的电磁能量减弱。

反射波的幅度决定了损耗的大小。

反射现象造成的电磁能量损失称为反射损耗。

电磁波穿过一层屏蔽体时，需经两个界面，故反射损耗为两个界面上反射损耗的总和。

●吸收损耗：

电磁波在屏蔽材料中传播时，会有一部分能量转换成热量，导致电磁能量的损失。

损失的这部分能量称为屏蔽材料的吸收损耗。

因为反射是多次的，所以，屏蔽效能应为反射损耗（R）、吸收损耗（A）与多次反射修正系数（B）之和。

即

SE=R1+R2+A+B

如图1-3-5所示。

图1-3-5屏蔽效能计算示意图

2、屏蔽效能的计算

屏蔽效能与屏蔽材料的特性、电磁波的频率以及阻抗等关系甚大。

反射损耗的计算：

反射损耗R取决于电磁波的波阻抗Zw与屏蔽材料的特征阻抗Zs。

其表达式为：

R=log（Zw/Zs）dB

由式不难看出，对于特定的屏蔽材料（Zs一定），被屏蔽的电磁波的波阻抗越高，则反射损耗越大；对于确定的电磁波（Zw一定），屏蔽材料的阻抗越低，则反射损耗越大。

而材料的阻抗又与电导率，磁导率和电磁波的频率有关。

如铜和铝的反射损耗就大于钢。

|Zs|=3.68*10-7（fμr/σr）1/2Ω

式中f=入射电磁波的频率（Hz）

μr=相对磁导率

σr=相对电导率

从波阻抗（Zw）来看，

远场：

电磁波的波阻抗为377

近场：

电场波的波阻抗为Zw>377

磁场波的波阻抗为Zw<377

而且，近场的波阻抗还与屏蔽体到辐射源的距离有关。

所以，反射损耗功率可表示为：

远场：

R=20log（377/4Zs）dB

电场：

R=20l0g（4500/DfZs）dB

磁场：

R=20lg（2Df/Zs）dB

式中Zs—屏蔽体阻抗（）

D---屏蔽体到源的距离（m）

f----电磁波的频率

由式可以看出，反射损耗的最大特点是与电磁波的波阻抗有关。

波阻抗越大，反射损耗越大；反射损耗还与电磁波的频率有关，它不仅影响波阻抗，还会使屏蔽材料的阻抗发生变化。

值得注意的是，反射损耗并非是将电磁能量损耗掉，而是将其反射到空间，传播到其他地方，污染电磁环境。

如果辐射源在屏蔽体内，反射将对电路不利。

吸收损耗的计算：

吸收损耗与材料的厚度和趋肤深度有关。

所谓趋肤深度是指电磁波衰减为原始强度的37%时所传播的距离。

它取决于屏蔽材料的特性。

其表达式表达式为：

=0.066/fμrσr）1/2mm,f单位为MHz

电磁波在介质中传播时，其幅度是按照指数规律衰减的：

E1=E0e-t/,H1=H0e-t/

图1-3-6给出了吸收损耗的示意图。

E0吸收损耗

A=20log（E0/E1）=20lg（e-t/）dB

37％E0A=8.69（t/）dB

A=3.34t（frr）1/2dB

t

E1＝E0e-t/式中t为屏蔽体的厚度。

图1-3-6吸收损耗示意图

由式可以看出，屏蔽材料越厚，吸收损耗越大；屏蔽材料的磁导率越高，吸收损耗越大；屏蔽材料的电导率越高，吸收损耗越大；被屏蔽的电磁波的频率越高，吸收损耗越大。

吸收损耗与电磁波的种类（波阻抗）无关。

不同材料的趋肤深度不同。

趋肤深度越小，吸收损耗越大。

如钢比铜和铝具有更大的吸收损耗。

（因为钢、铝和铜在10MHz时，值分别为：

0.0025mm，0.025mm，0.02mm）。

低频时的屏蔽效能主要取决于反射损耗，因为低频时值大，吸收损耗很小），而且，对不同波阻抗的电磁波其屏蔽效能差别很大。

低频磁场波的阻抗很低，这就决定了反射损耗也很小。

所以，低频磁场的屏蔽是比较困难的。

（五）线路阻抗稳定网络（LISN）

1、LISN的功能与作用：

LISN是在进行传导干扰发射测试中，为了客观地考核受试设备（EUT）的干扰，在电网与受试设备之间加入的网络。

该网络具有以下功能：

1）在规定的频率范围内提供一个规定的稳定的线路阻抗。

由于电网受各种因素影响，使其线路阻抗不稳定。

可是，在传导干扰的测量中，阻抗是非常重要的。

为了用电压法在进行传导发射电压的测量中能有一个统一的测试条件，而人为的拟制一个稳定的线路阻抗。

一般在射频段提供50Ω网络阻抗。

2）LISN将电网与受试设备进行隔离。

供给EUT的电源必须是纯净的。

否则，电网将会向EUT注入干扰，EUT也会向电网馈入干扰，这就会在EMC分析仪上搞不清哪些是EUT上的干扰。

所以，只有将二者隔离，测量结果才是有效的。

3）利用LISN的高通滤波器使EUT产生的干扰信号耦合至EMC分析仪上，并阻止电网电压加至EMC分析仪。

2、LISN的工作原理：

LISN网络是基于滤波器理论。

当干扰的频谱成分不同于有用信号的频带时，可用滤波器滤掉其无用信号。

恰当的设计、选择和正确地使用滤波器，是实现LISN功能的关键。

如图1-3-7所示。

图1-3-7LISN网络原理示意图

1F电容与50H电感组成隔离电网与EUT干扰电压的低通滤波器。

0.1F电容和串联电阻，控制高频阻抗的上升，并将EUT在网络上产生的干扰电压耦合到监测端口，供50的EMC分析仪检测。

在高于150KHz的频率上，EUT的信号是以50阻抗提供的。

曲线图表示EUT端口的阻抗随频率的变化情况。

3、LISN的使用：

1）LISN网络的接地要可靠。

最好与接地平板搭接。

2）不同的网络对电网来的干扰隔离能力不尽相同。

为确定所测传导干扰数据的可信性，试验前应检查经阻抗网络窜入的剩余传导干扰。

其方法是从网络上撤去EUT的电源线，保留网络的电源进线和网络与EMC分析仪之间的连接电缆，在EMC分析仪上测出这些干扰值（相当于背景噪声）。

只有当这些剩余干扰电压小于EUT的干扰极限值6dB以上，试验才是有效的。

如果该值太大，可在网络之前加接电源EMI滤波器。

3）LISN网络在低频段和高频段的阻抗值都会偏离标称值，所以，网络出厂时都会给出校正曲线（系数），使在传导测量时加以修正。

第二讲电磁干扰的危害

在我们的生活环境中，所有的电子产品在操作时都会产生电磁骚扰，并且通过电源线、传输线进行传播以及通过空间辐射这些骚扰。

当这种骚扰积累到一定程度，就会造成干扰。

超过一定量值就会影响正在使用中的电子设备，造成信息传输的错误、信息的丢失、系统的误动作、死机，甚至造成严重的破坏。

过去人们常说的射频干扰（RadioFrequencyInterference-RFI）是指无线电广播范围的干扰。

1934年在巴黎举行的国际无线电干扰特别委员会（CISPR），就是第一次开始对电磁干扰及其控制技术的世界性有组织的研究。

在人类进入信息化社会的今天，电磁波作为一种资源已在0Hz-400GHz宽频范围内，广泛地用于信息技术产品中，如汽车、通信、计算机、家电等产品，大量地拥入社会和家庭。

伴之而来的电磁干扰也就从甚低频到微波波段，无孔不入地辐射或传导至运行中的电子设备或系统以及周围的环境。

给设备或系统以及生态带来各种各样的危害。

尽管电磁污染源一旦停止时，这种骚扰就会消失，但它在工作时所造成的危害是不容忽视的。

在实际生活中，电子产品受到电磁干扰的案例很多，现就几个领域的电磁骚扰现象作简要介绍。

一、信息技术设备的电磁干扰不容忽视。

信息技术设备（1nformationTechnologyEquipment-ITE）是指用于以下目的的设备：

●接收来自外部源的数据（如通过键盘、数据线输入）；

●对接收到的数据进行某些处理；

●提供数据输出。

我们经常接触的由数字逻辑电路构成的计算机、打印机、数据采集系统、数字通信设备等，均属此类。

过去，人们往往认为，计算机是以逻辑为特征的数字系统，受自身和外来电磁干扰影响不会很大。

只要逻辑功能实现了，就算达到了要求。

有时尽管在系统设计和工程实现中，也自觉或不自觉地进行着防止和消除各种干扰的工作，然而，提到掌握和运用EMC技术上来认识和研究，其意识性还显得欠缺。

随着微电子技术的发展，计算机己朝高速度、高灵敏度、高集成和多功能方向发展，系统已是含有多种元器件和许多分系统的低压传输信息的复杂设备。

高速和高密，会使系统的辐射发射加重（主要