电子技术选择简答自测题11.docx

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电子技术选择简答自测题11

模拟部分

自测题1

一、选择题:

(每小题2分,共20分)

1、单极型半导体器件是(C)。

A、二极管;B、双极型三极管;C、场效应管;D、稳压管。

2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的(A)元素构成的。

A、三价;B、四价;C、五价;D、六价。

3、稳压二极管的正常工作状态是(C)。

A、导通状态;B、截止状态;C、反向击穿状态;D、任意状态。

4、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KΩ,说明该二极管(C)。

A、已经击穿;B、完好状态;C、内部老化不通;D、无法判断。

5、PN结两端加正向电压时,其正向电流是(A)而成。

A、多子扩散;B、少子扩散;C、少子漂移;D、多子漂移。

6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在(A)。

A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。

7、绝缘栅型场效应管的输入电流(C)。

A、较大;B、较小;C、为零;D、无法判断。

8、正弦电流经过二极管整流后的波形为(C)。

A、矩形方波;B、等腰三角波;C、正弦半波;D、仍为正弦波。

9、三极管超过(C)所示极限参数时,必定被损坏。

A、集电极最大允许电流ICM;B、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO;

C、集电极最大允许耗散功率PCM;D、管子的电流放大倍数

10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是(C)

A、发射结正偏、集电结正偏;B、发射结反偏、集电结反偏;

C、发射结正偏、集电结反偏;D、发射结反偏、集电结正偏。

二、简述题:

(每小题4分,共28分)

1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。

上述说法对吗?

为什么?

答:

这种说法是错误的。

因为,晶体在掺入杂质后,只是共价键上多出了电子或少了电子,从而获得了N型半导体或P型半导体,但整块晶体中既没有失电子也没有得电子,所以仍呈电中性。

2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③3.7V,试判断管子的类型以及各管脚所属电极。

答:

管脚③和管脚②电压相差0.7V,显然一个硅管,是基极,一个是发射极,而管脚①比管脚②和③的电位都高,所以一定是一个NPN型硅管。

再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极,管脚③是基极,管脚①是集电极。

3、图6-23所示电路中,已知E=5V,

V,二极管为理想元件(即认为正向导通时电阻R=0,反向阻断时电阻R=∞),试画出u0的波形。

答:

分析:

根据电路可知,当ui>E时,二极管导通u0=ui,当ui

所以u0的波形图如下图所示:

 

4、半导体和金属导体的导电机理有什么不同?

单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同?

答:

金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电,而半导体中则存在空穴载流子和自由电子两种载流子,它们同时参与导电,这就是金属导体和半导体导电机理上的本质不同点。

单极型晶体管内部只有多数载流子参与导电,因此和双极型晶体管中同时有两种载流子参与导电也是不同的。

5、图6-24所示电路中,硅稳压管DZ1的稳定电压为8V,DZ2的稳定电压为6V,正向压降均为0.7V,求各电路的输出电压U0。

答:

(a)图:

两稳压管串联,总稳压值为14V,所以U0=14V;

(b)图:

两稳压管并联,输出电压按小值计,因此U0=6V;

(c)图:

两稳压管反向串联,U0=8.7V;

(d)图:

两稳压管反向并联,可认为DZ1截止不通,则U0=0.7V。

6、半导体二极管由一个PN结构成,三极管则由两个PN结构成,那么,能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管?

如不能,说说为什么?

答:

将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。

因为,两个背靠背的二极管,其基区太厚,不符合构成三极管基区很薄的内部条件,即使是发射区向基区发射电子,到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉,根本不可能有载流子继续向集电区扩散,所以这样的“三极管”是不会有电流放大作用的。

7、如果把三极管的集电极和发射极对调使用?

三极管会损坏吗?

为什么?

答:

集电极和发射极对调使用,三极管不会损坏,但是其电流放大倍数大大降低。

因为集电极和发射极的杂技浓度差异很大,且结面积也不同。

自测题2

一、选择题:

(每小题2分,共20分)

1、基本放大电路中,经过晶体管的信号有(C)。

A、直流成分;B、交流成分;C、交直流成分均有。

2、基本放大电路中的主要放大对象是(B)。

A、直流信号;B、交流信号;C、交直流信号均有。

3、分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现(B)。

A、截止失真;B、饱和失真;C、晶体管被烧损。

4、共发射极放大电路的反馈元件是(B)。

A、电阻RB;B、电阻RE;C、电阻RC。

5、功放首先考虑的问题是(A)。

A、管子的工作效率;B、不失真问题;C、管子的极限参数。

6、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是(A)。

A、放大电路的电压增益;B、不失真问题;C、管子的工作效率。

7、射极输出器的输出电阻小,说明该电路的(A)

A、带负载能力强;B、带负载能力差;C、减轻前级或信号源负荷。

8、功放电路易出现的失真现象是(C)。

A、饱和失真;B、截止失真;C、交越失真。

9、基极电流iB的数值较大时,易引起静态工作点Q接近(B)。

A、截止区;B、饱和区;C、死区。

10、射极输出器是典型的(C)。

A、电流串联负反馈;B、电压并联负反馈;C、电压串联负反馈。

二、简答题:

(共23分)

1、共发射极放大器中集电极电阻RC起的作用是什么?

(3分)

答:

RC起的作用是把晶体管的电流放大转换成放大器的电压放大。

2、放大电路中为何设立静态工作点?

静态工作点的高、低对电路有何影响?

(4分)

答:

设立静态工作点的目的是使放大信号能全部通过放大器。

Q点过高易使传输信号部分进入饱和区;Q点过低易使传输信号部分进入截止区,其结果都是信号发生失真。

3、指出图7-21所示各放大电路能否正常工作,如不能,请校正并加以说明。

(8分)

答:

(a)图缺少基极分压电阻RB1,造成VB=UCC太高而使信号进入饱和区发生失真,另外还缺少RE、CE负反馈环节,当温度发生变化时,易使放大信号产生失真;

(b)图缺少集电极电阻RC,无法起电压放大作用,同时少RE、CE负反馈环节;

(c)图中C1、C2的极性反了,不能正常隔直通交,而且也缺少RE、CE负反馈环节;

(d)图的管子是PNP型,而电路则是按NPN型管子设置的,所以,只要把管子调换成NPN型管子即可。

4、说一说零点漂移现象是如何形成的?

哪一种电路能够有效地抑制零漂?

(4分)

答:

直接耦合的多级放大电路,当输入信号为零时,输出信号电压并不为零的现象称为零点漂移。

晶体管参数受温度的影响是产生零漂的根本和直接原因。

采用差动放大电路可以有效地解决零漂问题。

5、为削除交越失真,通常要给功放管加上适当的正向偏置电压,使基极存在的微小的正向偏流,让功放管处于微导通状态,从而消除交越失真。

那么,这一正向偏置电压是否越大越好呢?

为什么?

(4分)

答:

这一正向电压较小,仅使两个管子都工作在微导通状态即可。

因为,交越失真实际上是两个功放管都存在正向死区电压造成的,消除交越失真,实际上就是解决死区电压的问题。

如果这一正向偏置电压大于死区电压较多,势必造成两个功放管不能正常工作。

自测题3

一、选择题:

(每小题2分,共20分)

1、理想运放的开环放大倍数Au0为(A),输入电阻为(A),输出电阻为(B)。

A、∞;B、0;C、不定。

2、国产集成运放有三种封闭形式,目前国内应用最多的是(C)。

A、扁平式;B、圆壳式;C、双列直插式。

3、由运放组成的电路中,工作在非线性状态的电路是(C)。

A、反相放大器;B、差分放大器;C、电压比较器。

4、理想运放的两个重要结论是(B)。

A、虚短与虚地;B、虚断与虚短;C、断路与短路。

5、集成运放一般分为两个工作区,它们分别是(B)。

A、正反馈与负反馈;B、线性与非线性;C、虚断和虚短。

6、(B)输入比例运算电路的反相输入端为虚地点。

A、同相;B、反相;C、双端。

7、集成运放的线性应用存在(C)现象,非线性应用存在(B)现象。

A、虚地;B、虚断;C、虚断和虚短。

8、各种电压比较器的输出状态只有(B)。

A、一种;B、两种;C、三种。

9、基本积分电路中的电容器接在电路的(C)。

A、反相输入端;B、同相输入端;C、反相端与输出端之间。

10、分析集成运放的非线性应用电路时,不能使用的概念是(B)。

A、虚地;B、虚短;C、虚断。

二、问题:

(共20分)

1、集成运放一般由哪几部分组成?

各部分的作用如何?

(4分)

答:

集成运放一般由输入级、输出级和中间级及偏置电路组成。

输入级一般采用差动放大电路,以使运放具有较高的输入电阻及很强的抑制零漂的能力,输入级也是决定运放性能好坏的关键环节;中间级为获得运放的高开环电压放大倍数(103~107),一般采用多级共发射极直接耦合放大电路;输出级为了具有较低的输出电阻和较强的带负载能力,并能提供足够大的输出电压和输出电流,常采用互补对称的射极输出器组成;为了向上述三个环节提供合适而又稳定的偏置电流,一般由各种晶体管恒流源电路构成偏置电路满足此要求。

2、何谓“虚地”?

何谓“虚短”?

在什么输入方式下才有“虚地”?

若把“虚地”真正接“地”,集成运放能否正常工作?

(4分)

答:

电路中某点并未真正接“地”,但电位与“地”点相同,称为“虚地”;电路中两点电位相同,并没有真正用短接线相连,称为“虚短”,若把“虚地”真正接“地”,如反相比例运放,把反相端也接地时,就不会有ii=if成立,反相比例运算电路也就无法正常工作。

3、集成运放的理想化条件主要有哪些?

(3分)

答:

集成运放的理想化条件有四条:

①开环差模电压放大倍数AU0=∞;②差模输入电阻rid=∞;③开环输出电阻r0=0;④共模抑制比KCMR=∞。

4、在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中,单门限电压比较器和滞回比较器的输出电压各变化几次?

(3分)

答:

在输入电压从足够低逐渐增大至足够高的过程中,单门限电压比较器和滞回比较器的输出电压均只跃变一次。

5、集成运放的反相输入端为虚地时,同相端所接的电阻起什么作用?

(3分)

答:

同相端所接电阻起平衡作用。

6、应用集成运放芯片连成各种运算电路时,为什么首先要对电路进行调零?

(3分)

答:

调零是为了抑制零漂,使运算更准确。

 

数字部分

自测题一

一、选择题(每小题2分,共20分)

1、逻辑函数中的逻辑“与”和它对应的逻辑代数运算关系为(B)。

A、逻辑加B、逻辑乘C、逻辑非

2.、十进制数100对应的二进制数为(C)。

A、1011110B、1100010C、1100100D、11000100

3、和逻辑式

表示不同逻辑关系的逻辑式是(B)。

A、

B、

C、

D、

4、八输入端的编码器按二进制数编码时,输出端的个数是(B)。

A、2个B、3个C、4个D、8个

5、四输入的译码器,其输出端最多为(D)。

A、4个B、8个C、10个D、16个

6、当74LS148的输入端

按顺序输入11011101时,输出

为(B)。

A、101B、010C、001D、110

7、一个两输入端的门电路,当输入为1和0时,输出不是1的门是(D)。

A、与非门B、或门C、或非门D、异或门

8、多余输入端可以悬空使用的门是(B)。

A、与门B、TTL与非门C、CMOS与非门D、或非门

9、数字电路中机器识别和常用的数制是(A)。

A、二进制B、八进制C、十进制D、十六进制

10、能驱动七段数码管显示的译码器是(A)。

A、74LS48B、74LS138C、74LS148D、TS547

二、简述题(共8分)

1、组合逻辑电路有何特点?

分析组合逻辑电路的目的是什么?

简述分析步骤。

(4分)

答:

组合逻辑电路的特点是输出仅取决于输入的现态。

分析组合逻辑电路的目的是找出已知组合逻辑电路的功能,分析的步骤为四步:

①根据已知逻辑电路图用逐级递推法写出对应的逻辑函数表达式;②用公式法或卡诺图法对的写出的逻辑函数式进行化简,得到最简逻辑表达式;③根据最简逻辑表达式,列出相应的逻辑电路真值表;④根据真值表找出电路可实现的逻辑功能并加以说明,以理解电路的作用。

2、何谓编码?

何谓译码?

二进制编码和二—十进制编码有何不同?

(4分)

答:

编码就是把人们熟悉的特定信息编成机器识别的二进制代码的过程;译码则是编码的逆过程,就是把机器识别的二进制代码还原成人们识别的特定信息。

二—十进制编码则每四位二进制数对应一个十进制数,其中具有无效码;而二进制编码则不具有无效码。

 

自测题2

一、选择题(每小题2分,共20分)

1、描述时序逻辑电路功能的两个必不可少的重要方程式是(B)。

A、次态方程和输出方程B、次态方程和驱动方程

C、驱动方程和特性方程D、驱动方程和输出方程

2、由与非门组成的基本RS触发器不允许输入的变量组合

为(A)。

A、00B、01C、10D、11

3、按各触发器的状态转换与时钟输入CP的关系分类,计数器可为(A)计数器。

A、同步和异步B、加计数和减计数C、二进制和十进制

4、按计数器的进位制或循环模数分类,计数器可为(C)计数器。

A、同步和异步B、加计数、减计数C、二进制、十进制或任意进制

5、四位移位寄存器构成扭环形计数器是(A)计数器。

A、四进制B、八进制C、十六进制

6、存在空翻问题的触发器是(B)

A、D触发器B、钟控RS触发器

C、主从JK触发器D、维持阻塞D触发器

7、利用中规模集成计数器构成任意进制计数器的方法是(B)

A、复位法B、预置数法C、级联复位法

8、不产生多余状态的计数器是(A)。

A、同步预置数计数器B、异步预置数计数器C、复位法构成的计数器

9、数码可以并行输入、并行输出的寄存器有(C)

A、移位寄存器B、数码寄存器C、二者皆有

10、改变555定时电路的电压控制端CO的电压值,可改变(C)

A、555定时电路的高、低输出电平B、开关放电管的开关电平

C、比较器的阈值电压D、置“0”端

的电平值

二、简述题(共10分)

1、时序逻辑电路和组合逻辑电路的区别有哪些?

(2分)

答:

主要区别有两点:

时序逻辑电路的基本单元是触发器,组合逻辑电路的基本单元是门电路;时序逻辑电路的输出只与现时输入有关,不具有记忆性,组合逻辑电路的输出不仅和现时输入有关,还和现时状态有关,即具有记忆性。

2、何谓“空翻”现象?

抑制“空翻”可采取什么措施?

(3分)

答:

在一个时钟脉冲为“1”期间,触发器的输出随输入发生多次变化的现象称为“空翻”。

空翻造成触发器工作的不可靠,为抑制空翻,人们研制出了边沿触发方式的主从型JK触发器和维持阻塞型的D触发器等等。

这些触发器由于只在时钟脉冲边沿到来时发生翻转,从而有效地抑制了空翻现象。

3、试述时序逻辑电路的分析步骤。

(3分)

答:

时序逻辑电路的分析步骤一般有如下几点:

①确定时序逻辑电路的类型。

根据电路中各位触发器是否共用一个时钟脉冲CP触发电路,判断电路是同步时序逻辑电路还是异步时序逻辑电路。

若电路中各位触发器共用一个时钟脉冲CP触发,为同步时序逻辑电路;若各位触发器的CP脉冲端子不同,就为异步时序逻辑电路;根据时序逻辑电路除CP端子外是否还有输入信号判断电路是米莱型还是莫尔型,如有其它输入信号端子时,为米莱型时序逻辑电路,否则为莫尔型时序逻辑电路。

②根据已知时序逻辑电路,分别写出相应的驱动方程、次态方程、输出方程(注:

莫尔型时序逻辑电路没有输出方程),当所分析电路属于异步时序逻辑电路,还需要写出各位触发器的时钟方程。

③根据次态方程、时钟方程或输出方程,填写状态转换真值表或状态转换图。

④根据分析结果和转换真值表(或状态转换图),得出时序逻辑电路的逻辑功能。

4、试述米莱型时序逻辑电路和莫尔型时序逻辑电路的最大区别有哪些?

(2分)

答:

米莱型时序逻辑电路和莫尔型时序逻辑电路的最大区别就是米莱型电路不仅含有触发器,而且还含有其它类型的输入端子和门电路,而莫尔型电路仅含有触发器。

自测题3

一、选择题(每小题2分,共20分)

1、图11-15输出端表示的逻辑关系为(A)。

A、ACDB、

C、BD、

2、利用电容的充电来存储数据,由于电路本身总有漏电,因此需定期不断补充充电(刷新)才能保持其存储的数据的是(B)

A、静态RAM的存储单元B、动态RAM的存储单元

3、关于存储器的叙述,正确的是(A)

A、存储器是随机存储器和只读存储器的总称

B、存储器是计算机上的一种输入输出设备

C、计算机停电时随机存储器中的数据不会丢失

4、一片容量为1024字节×4位的存储器,表示有(C)个存储单元。

A、1024B、4C、4096D、8

5、一片容量为1024字节×4位的存储器,表示有(A)个地址。

A、1024B、4C、4096D、8

6、只能读出不能写入,但信息可永久保存的存储器是(A)

A、ROMB、RAMC、PRAM

7、ROM中译码矩阵固定,且可将所有输入代码全部译出的是(C)。

A、ROMB、RAMC、完全译码器

8、动态存储单元是靠(B)的功能来保存和记忆信息的。

A、自保持B、栅极存储电荷

9、利用双稳态触发器存储信息的RAM叫(B)RAM。

A、动态B、静态

10、在读写的同时还需要不断进行数据刷新的是(A)存储单元。

A、动态B、静态

二、简答题:

(10分)

1、现有(1024B×4)RAM集成芯片一个,该RAM有多少个存储单元?

有多少条地址线?

该RAM含有多少个字?

其字长是多少位?

访问该RAM时,每次会选中几个存储单元?

答:

该RAM集成芯片有4096个存储单元;地址线为10根;含有1024个字,字长是4位;访问该RAM时,每次会选中4个存储单元。

 

*应用能力训练附加题:

用与非门设计一个组合逻辑电路,完成如下功能:

只有当三个裁判(包括裁判长)或裁判长和一个裁判认为杠铃已举起并符合标准时,按下按键,使灯亮(或铃响),表示此次举重成功,否则,表示举重失败。

解:

附加题显然是一个三变量的多数表决电路。

其中三个裁判为输入变量,按键为输出变量。

普通裁判同意为1分,裁判长A同意为2分,满3分时F为1,同意举重成功;不足3分F为0,表示举重失败。

真值表为:

ABC

F

000

0

001

0

010

0

011

0

100

0

101

1

110

1

111

1

相应逻辑表达式为:

 

解:

UR=UI-UZ=10-6=4(V)

IDZ=IR-IRL=10~30(mA)

IRL=6/1200=0.005(A)=5(mA)

IR=15~35(mA)

R=UR/IR=4/(15~35)=267~114()

R取值范围为114~267

[例1.2.2]图中稳压管稳定电压UZ=6V,最小稳定电流IZmin=10mA,最大稳定电流Izmin=30mA。

负载电阻RL=1200。

求限流电阻R的取值范围。

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