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16、时钟周期为T,触发器D1的建立时间最大为T1max，最小为T1min。
组合逻辑电路最大延迟为T2max,最小为T2min。
问，触发器D2的建立时间T3和保持时间应满足什么条件。
还是华为出的题目最为详细.D2>T1maxT3>T2max慢点比错好！
17、给出某个一般时序电路的图，有Tsetup,Tdelay,Tck->q,还有clock的delay,写出决定最大时钟的因素，同时给出表达式。
（威盛VIA2003.11.06上海笔试试题）
18、说说静态、动态时序模拟的优缺点。
（威盛VIA2003.11.06上海笔试试题）
19、一个四级的Mux,其中第二级信号为关键信号如何改善timing。
（威盛VIA2003.11.06上海笔试试题）
20、给出一个门级的图，又给了各个门的传输延时，问关键路径是什么，还问给出输入，使得输出依赖于关键路径。
（未知）
21、逻辑方面数字电路的卡诺图化简，时序（同步异步差异），触发器有几种（区别，优点），全加器等等。
（未知）
22、卡诺图写出逻辑表达使。
（威盛VIA2003.11.06上海笔试试题）
23、化简F（A,B,C,D）=m（1,3,4,5,10,11,12,13,14,15）的和。
（威盛）
24、pleaseshowtheCMOSinverterschmatic,layoutanditscrosssectionwithP-wellprocess.Plotitstransfercurve（Vout-Vin）AndalsoexplaintheoperationregionofPMOSandNMOSforeachsegmentofthetransfercurve?
（威盛笔试题circuitdesign-beijing-03.11.09）
25、TodesignaCMOSinvertorwithbalanceriseandfalltime,pleasedefinetherationofchannelwidthofPMOSandNMOSandexplain?
26、为什么一个标准的倒相器中P管的宽长比要比N管的宽长比大？
（仕兰微电子）
27、用mos管搭出一个二输入与非门。
（扬智电子笔试）
28、pleasedrawthetransistorlevelschematicofacmos2inputANDgateandexplainwhichinputhasfasterresponseforoutputrisingedge.（lessdelaytime）。
（威盛笔试题circuitdesign-beijing-03.11.09）
29、画出NOT,NAND,NOR的符号，真值表，还有transistorlevel的电路。
（Infineon笔试）
30、画出CMOS的图，画出tow-to-onemuxgate。
（威盛VIA2003.11.06上海笔试试题）
31、用一个二选一mux和一个inv实现异或。
（飞利浦－大唐笔试）
32、画出Y=A*B+C的cmos电路图。
（科广试题）
33、用逻辑们和cmos电路实现ab+cd。
（飞利浦－大唐笔试）
34、画出CMOS电路的晶体管级电路图，实现Y=A*B+C（D+E）。
（仕兰微电子）
35、利用4选1实现F（x,y,z）=xz+yz’。
（未知）
36、给一个表达式f=xxxx+xxxx+xxxxx+xxxx用最少数量的与非门实现（实际上就是化简）。
37、给出一个简单的由多个NOT,NAND,NOR组成的原理图，根据输入波形画出各点波形。
（Infineon笔试）
38、为了实现逻辑（AXORB）OR（CANDD），请选用以下逻辑中的一种，并说明为什么？
1）INV2）AND3）OR4）NAND5）NOR6）XOR答案：
NAND（未知）
39、用与非门等设计全加法器。
（华为）
40、给出两个门电路让你分析异同。
（华为）
41、用简单电路实现，当A为输入时，输出B波形为…（仕兰微电子）
42、A,B,C,D,E进行投票，多数服从少数，输出是F（也就是如果A,B,C,D,E中1的个数比0多，那么F输出为1，否则F为0），用与非门实现，输入数目没有限制。
（未知）
43、用波形表示D触发器的功能。
（扬智电子笔试）
44、用传输门和倒向器搭一个边沿触发器。
（扬智电子笔试）
45、用逻辑们画出D触发器。
（威盛VIA2003.11.06上海笔试试题）
46、画出DFF的结构图,用verilog实现之。
（威盛）
47、画出一种CMOS的D锁存器的电路图和版图。
（未知）
48、D触发器和D锁存器的区别。
（新太硬件面试）
49、简述latch和filp-flop的异同。
（未知）
50、LATCH和DFF的概念和区别。
（未知）
51、latch与register的区别,为什么现在多用register.行为级描述中latch如何产生的。
（南山之桥）
52、用D触发器做个二分颦的电路.又问什么是状态图。
（华为）
53、请画出用D触发器实现2倍分频的逻辑电路？
（汉王笔试）
54、怎样用D触发器、与或非门组成二分频电路？
（东信笔试）
55、Howmanyflip-flopcircuitsareneededtodivideby16?
（Intel）16分频？
56、用filp-flop和logic-gate设计一个1位加法器，输入carryin和current-stage，输出carryout和next-stage（未知）
57、用D触发器做个4进制的计数。
（华为）
58、实现N位JohnsonCounter,N=5。
（南山之桥）
59、用你熟悉的设计方式设计一个可预置初值的7进制循环计数器，15进制的呢？
（仕兰微电子）
60、数字电路设计当然必问Verilog/VHDL，如设计计数器。
（未知）
61、BLOCKINGNONBLOCKING赋值的区别。
（南山之桥）
62、写异步D触发器的verilogmodule。
（扬智电子笔试）
moduledff8（clk,reset,d,q）;
inputclk;
inputreset;
input[7:
0]d;
output[7:
0]q;
reg[7:
0]q;
always@（posedgeclkorposedgereset）
if（reset）
q<=0;
else
q<=d;
endmodule
63、用D触发器实现2倍分频的Verilog描述？
（汉王笔试）
moduledivide2（clk,clk_o,reset）;
inputclk,reset;
outputclk_o;
wirein;
regout;
always@（posedgeclkorposedgereset）
if（reset）
out<=0;
else
out<=in;
assignin=~out;
assignclk_o=out;
endmodule
64、可编程逻辑器件在现代电子设计中越来越重要，请问：
a）你所知道的可编程逻辑器
件有哪些？
b）试用VHDL或VERILOG、ABLE描述8位D触发器逻辑。
（汉王笔试）
PAL，PLD，CPLD，FPGA。
moduledff8（clk,reset,d,q）;
inputclk;
inputreset;
inputd;
outputq;
regq;
always@（posedgeclkorposedgereset）
if（reset）
q<=0;
else
q<=d;
endmodule
65、请用HDL描述四位的全加法器、5分频电路。
（仕兰微电子）
66、用VERILOG或VHDL写一段代码，实现10进制计数器。
（未知）
67、用VERILOG或VHDL写一段代码，实现消除一个glitch。
（未知）
68、一个状态机的题目用verilog实现（不过这个状态机画的实在比较差，很容易误解的）。
（威盛VIA2003.11.06上海笔试试题）
69、描述一个交通信号灯的设计。
（仕兰微电子）
70、画状态机，接受1，2，5分钱的卖报机，每份报纸5分钱。
（扬智电子笔试）
71、设计一个自动售货机系统，卖soda水的，只能投进三种硬币，要正确的找回钱数。
（1）画出fsm（有限状态机）；
（2）用verilog编程，语法要符合fpga设计的要求。
（未知）
72、设计一个自动饮料售卖机，饮料10分钱，硬币有5分和10分两种，并考虑找零：
（1）画出fsm（有限状态机）；
（2）用verilog编程，语法要符合fpga设计的要求；（3）设计工程中可使用的工具及设计大致过程（未知）
73、画出可以检测10010串的状态图,并verilog实现之。
（威盛）
74、用FSM实现101101的序列检测模块。
（南山之桥）
a为输入端，b为输出端，如果a连续输入为1101则b输出为1，否则为0。
例如a：
0001100110110100100110b：
0000000000100100000000请画出statemachine；请用RTL描述其statemachine。
（未知）
75、用verilog/vddl检测stream中的特定字符串（分状态用状态机写）。
（飞利浦－大唐笔试）
76、用verilog/vhdl写一个fifo控制器（包括空，满，半满信号）。
（飞利浦－大唐笔试）
77、现有一用户需要一种集成电路产品，要求该产品能够实现如下功能：
y=lnx，其中，x为4位二进制整数输入信号。
y为二进制小数输出，要求保留两位小数。
电源电压为3~5v假设公司接到该项目后，交由你来负责该产品的设计，试讨论该产品的设计全程。
（仕兰微电子）
78、sram，falshmemory，及dram的区别？
（新太硬件面试）
79、给出单管DRAM的原理图（西电版《数字电子技术基础》作者杨颂华、冯毛官205页图9－14b），问你有什么办法提高refreshtime，总共有5个问题，记不起来了。
（降低温度，增大电容存储容量）（Infineon笔试）
80、PleasedrawschematicofacommonSRAMcellwith6transistors,pointoutwhichnodescanstoredataandwhichnodeiswordlinecontrol?
（威盛笔试题circuitdesign-beijing-03.11.09）
81、名词:
sram,ssram,sdram
名词IRQ,BIOS,USSRAM：
静态RAM
DRAM：
动态RAM
SSRAM：
SynchronousStaticRandomAccessMemory同步静态随机访问存储器。
它的一种类型的SRAM。
SSRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。
地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。
这一点与异步SRAM不同，异步SRAM的访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制。
SDRAM：
SynchronousDRAM同步动态随机存储器
B,VHDL,SDR
IRQ:
InterruptReQuest
BIOS:
BasicInputOutputSystem
USB:
UniversalSerialBus
VHDL:
VHICHardwareDescriptionLanguage
SDR:
SingleDataRate
压控振荡器的英文缩写（VCO）。
动态随机存储器的英文缩写（DRAM）。
名词解释，无聊的外文缩写罢了，比如PCI、ECC、DDR、interrupt、pipeline、
IRQ,BIOS,USB,VHDL,VLSIVCO（压控振荡器）RAM（动态随机存储器），FIRIIRDFT（离散傅立叶变换）或者是中文的，比如：
a.量化误差b.直方图c.白平衡
IC设计基础（流程、工艺、版图、器件）
1、我们公司的产品是集成电路，请描述一下你对集成电路的认识，列举一些与集成电路相关的内容（如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概念）。
（仕兰微面试题目）
2、FPGA和ASIC的概念，他们的区别。
（未知）
答案：
FPGA是可编程ASIC。
ASIC:
专用
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