HeadsetMicReceiverSpeaker音频电路分析以及设计.docx

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HeadsetMicReceiverSpeaker音频电路分析以及设计

NETname

Useto

SPK_P

Speaker

SPKtype

AB/D

700mW

3.7V8ohm

SPK_N

AU_HSN

Receiver

Support16/32ohmReceiver

AU_HSP

AU_HPL

Headset

AU_HPR

AU_VIN0_P

主麦

UseMicbias0

AU_VIN0_N

AU_VIN1_P

耳麦

DCCmode

2.5kΩpulluptoMicbias1

AU_VIN1_N

AU_VIN2_P

副麦

UseMicbias0

AU_VIN2_N

 

MIC

ECMMIC(驻极体电容器MIC)

ECM模拟麦克风通常是由振膜,背极板,结型场效应管(JFET)和屏蔽外壳组成。

振膜是涂有金属的薄膜。

背极板由驻极体材料做成,经过高压极化以后带有电荷,两者形成平板电容。

当声音引起振膜振动,使得两者距离产生变化,从而引起电压的变化,完成声电转换。

利用JFET用来阻抗变换和信号放大。

C209,C210主要用于滤除射频信号的干扰。

有GSM900MHZ干扰,则使用30PF电容;

有GSM1800MHZ干扰,则使用12PF电容;

有WIFI2.4GHZ的用8.2PF电容;

C215100PF主要是用于抑制共模干扰信号。

C206,C200为100NF的电容,主要作用是隔直通交,防止直流电使得PA饱和,产生信号偏移,主要滤除100HZ以下的电流干扰。

B203,B202为磁珠,主要滤除高频部分的干扰,抑制电流声。

C202的主要作用:

去耦,稳定偏置电压。

磁珠具有很高的电阻率和磁导率,它等效于电阻和电感的串联,但是电阻值和电感值都随频率变化。

它比普通的电感具有更好的高频滤波特性,在高频时呈现阻性,所以能在相当宽的频率保持较高的阻抗,从而提高高频的滤波效果。

*InternalBiasmeansinchiphasresistortoAU_VINPandAU_VINN(ForECMtypeMiconly)

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ACCMODE(ECMTraditional)

DCCMODEwithinternalbias(ECM)

*据个人分析,ACCmode的音频效果会比DCCmode好一些。

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

MEMSMIC(微型机电系统MIC)

简单地说,就是一个电容器集成在微硅晶体上,具有改进的噪声消除性能与良好的RF以及EMI抑制性能。

其在不同温度下的性能都十分稳定,不会受温度,振动,湿度和时间的影响。

ACCMODE

DCCMODE

Speaker

电路原理图:

FB9和FB10(220ohm磁珠)主要用于滤除高频信号干扰;

C315100pF主要用于抑制共模干扰;

C350和C352主要用于抑制射频信号的干扰;

扬声器功耗:

PL=(V0_rms)2/RL;

RL:

负载阻抗;

V0_rms:

差分模拟信号有效电压值;

*注意平台的扬声器的输出功率大小,MT6328SPKAMPOutputpower为700mW。

 

Receiver

电路原理图

FB17和FB22主要作用为抑制高频信号干扰(costdown时可贴0Ω);

C328和C329主要作用为滤除射频信号的干扰;

MLV(压敏电阻)或者TVS管则用于防静电设计;

*16ohm/32ohm的RCV使用时,电路会有差异:

Headset

ACCMODE:

DCCMODE:

HeadsetMICACC/DCCMode电路区别:

ACCMode时:

|DCCMode时:

R149和R148贴1uF电容;|R149和R148贴0Ω电阻;

R136贴0Ω;|R136贴NC;

R143为NC;|R143为2.5K;

R141和R142分别贴1K和1.5K;|R141和R142为NC;

*据个人分析,ACCmode的音频效果会比DCCmode好一些。

 

EINTofAudiojack耳机插入中断

1.ACCDETasEINTfunction:

R6008贴47K;R6002为NC;R6005为NC。

2.UseMT6735EINT:

R6008为NC;R6002贴470K,R6005贴47K。

 

HeadsetR/L声道电路配置:

左右声道串联的磁珠大小为1800ohm,并联470欧姆电阻到地,并联33PF电容到地,以及防ESD冲击的TVS和MVL器件;

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