模拟电路第三版课后习题答案详解.docx
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模拟电路第三版课后习题答案详解
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?
答:
二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?
已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。
解:
在20℃时的反向电流约为:
23
10
A
1.25A
在80℃时的反向电流约为:
23
10
A
80A
N7
习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示:
①如在二极管两端通过1k?
的电阻加上1.5V的电压,如图
(b),此时二极管的电流I和电压U各为多少?
②如将图(b)中的1.5V电压改为3V,则二极管的电流和电
压各为多少?
3
I/mA
解:
根据图解法求解
+U-
①电源电压为1.5V时
2
I
1.5UI
1
I
0.8A,
U
0.7V
0.511.52U/V
1.5V1k?
0
②电源电压为
3V时
(a)
(b)
3
UI
I
2.2A,
U
0.8V
可见,当二极管正向导通后,如电源电压增大,则二极管的电流随之增大,但管子两端的电压变化不大。
习题1-4已知在下图中,
uI=10sinωt(V),RL=1k?
,试
对应地画出二极管的电流
iD、电压uD以及输出电压uO的波
形,并在波形图上标出幅值。
设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
uI/V
+uD-
10
0
+
+
t
iD/mA
uI
iD
u
-
RL
D
10
-
0
(a)
t
uI/V
t
0
-10
uo/V
10
0
t
习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电
流IZ、动态电阻rZ以及温度系数αU,是大一些好还是小一些好?
答:
动态电阻rZ愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。
一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流IZ愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。
但应注意不要超过
其额定功耗,以免损坏稳压管。
温度系数αU的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。
习题1-6
某稳压管在温度为
20℃,工作电流为5mA时,
稳定电压UZ=10V,已知其动态内阻
rZ=8?
,电压的温度系
数αU=0.09%/℃,试问:
①当温度不变,工作电流改为
20mA时,UZ约为多少?
②当工作电流仍为
5mA,但温度上升至
50℃时,UZ约为
多少?
解:
①
UZ
IZrZ
(20
5)103
8
0.12V
UZ
10
0.1210.12V
②
UZ
UZ
U
T
0.09%
(50
20)2.7%
UZ
10
1
2.7%
10.27
习题1-7
在下图中,已知电源电压
U=10V,R=200?
,
RL=1k?
,稳压管的UZ=6V,试求:
①稳压管中的电流
IZ=?
②当电源电压U升高到12V时,IZ将变为多少?
③当U仍为10V,但RL改为2k?
时,IZ将变为多少?
解:
①
IR
UZ
6mA
+
R
RL
L
U
UZ
U
IZ
VDZ
RL
I
20mA
-
R
IZ
I
IRL
20
6
14mA
②
I
U
UZ
30
mA
IZ
I
IRL
30
6
24mA
R
③IRL
UZ
3mA
IZ
I
IRL
20
3
17mA
RL
习题1-8设有两个相同型号的稳压管,稳压值均为6V,当工作在正向时管压降均为0.7V,如果将他们用不同的方法串联后接入电路,可能得到几种不同的稳压值?
试画出各种不同的串联方法。
+
+
+
---
(1)12V
(1)6.7V
(1)1.4V
习题1-9
一个三极管的输出特性如图所示,
①试在图中求出u=5V,i=6mA处的电流放大系数
、、
CE
C
和
,并进行比较。
②设三极管的极限参数为
ICM=20mA,U(BR)CEO=15V,PCM
=100mW,试在特性曲线图中画出三极管的安全工作区。
解:
①由图可得:
iC
6
150,
iC
6
0.993
iB
0.04
iE
6.04
iB100A
iC
9
3.2
145,
80
A
iB
0.06
0.02
60
A
iC
9
3.2
0.993
40
A
iE
9.06
3.22
20
A
②
安全
0
A
工作区
习题1-10假设有两个三极管,已知第一个管子的
199,
则1?
当该管的IB1
10A时,其IC1和IE1各等于多少?
已
知第二个管子的2
0.95,则其
2?
若该管的IE2=1mA,
则IC2和IB2各等于多少?
1
解:
①10.99
11
当IB110A时,IC10.99mA,IE11mA
②2219
12
当IE21mA时,IC20.95mA,IB250A
习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流ICBO=1μA,
β=30;试估算该管在50℃的ICBO和穿透电流ICEO大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时,ICBO大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1%。
解:
℃时,
I
CEO
1
I
CBO
31
A
20
50℃时,ICBO
8
A
1
1%
tt0
30
1
5020
0
1%
30
1
30
1%
39
ICEO
1
ICBO
320
A
0.32mA
习题1-12一个实际PNP型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流ICEO约为多大?
输入特性的死区电压约为多大?
②为了使PNP型三极管工作在放大区,其uBE和uBC的值分别应该大于零还是小于零?
并与NPN型三极管进行比较。
解:
①查图可知,ICEO=0.5mA,死区电压约为0.2V;
②为了使三极管工作在放大区,
对PNP型:
uBE<0,uBC>0;
对NPN型:
uBE>0,uBC<0。
习题1-13
测得某电路中几个三极管各极的电位如图
P1-13所
示,试判断各三极管分别工作在截止区、放大区还是饱和区。
+5V
+12V
0V
+10.3V
+0.7V+2V-5.3V+10.75V
0V
+12V
-6V
+10V
(a)
(b)
(c)
(d)
-5V
+4.7V
-10V
+8V
+0.3V+4.7V-1.3V+11.7V
0V
(e)
+5V
(f)
-1V
(g)
+12V
(h)
解:
判断依据:
NPN型:
uBE>0,uBC<0,放大;uBE>0,uBC>0,饱和;
uBE<0,uBC<0,截止。
PNP型:
uBE<0,uBC>0,放大;uBE<0,uBC<0,饱和;uBE>0,uBC>0,截止。
+5V+12V0V+10.3V
+0.7V+2V-5.3V+10.75V
0V
+12V
-6V
+10V
(a)
(b)
(c)
(d)
放大
截止
放大
饱和
-5V+4.7V-10V+8V
+0.3V+4.7V-1.3V+11.7V
0V
+5V
-1V
+12V
(e)
(f)
(g)
(h)
截止
临界饱和
放大
放大
习题1-14已知图P1-14(a)~(f)中各三极管的β均为50,
UBE≈0.7V,试分别估算各电路中的iC和uCE,判断它们各自
工作在哪个区(截止、放大或饱和),并将各管子的iC和
uCE对应在输出特性曲线上的位臵分别画在图P1-14(g)上。
2k?
20k?
10V
2V
(a)
IB
0.065mA
IC
3.25mA
UCE3.55V
三极管工作在放大区,
见图P1-14(g)中A点。
2k?
20k?
10V
(c)
IB
0.465mA
IC
23.25mA
UCE
36.5V
以上算出的IC与UCE值是荒谬
的,实质上此时三极管巳工作
在饱和区,故IB=0.465mA,
IC≈VCC/RC=5mA,UCE=UCES
≈0.3V,见图P1-14(g)中C点。
2k?
200k?
10V
(b)
IB
0.0465mA
IC
2.325mA
UCE
5.35V
三极管工作在放大区,
见图P1-14(g)中B点。
2k?
20k?
10V
2V
(d)
IB
0
IC
0
UCEVCC10V
三极管工作在截止区,
见图P1-14(g)中D点。
20k?
20k?
10V
(e)
IB0
IC0
UCEVCC10V
三极管工作在截止区,
见图P1-14(g)中E点
(与D点重合)。
C
200k?
10V
(c)
IB0.0465mA
IC2.325mA
UCEVCC10V
三极管工作在放大区,
见图P1-14(g)中F点。
A
B
F
D、E
图P1-14(g)
习题1-15分别测得两个放大电路中三极管的各极电位如图
P1-15所示。
试识别它们的管脚,分别标上e、b、c,并判断这两个三极管是NPN型还是PNP型,硅管还是锗管。
1
3
1
3
(+3V)2
(-11V)2
(+9V)(+3.2V)
(-6V)(-6.7V)
(a)
(a)
解:
本题的前提是两个三极管均工作在放大区。
(a)1——发射极e,3——基级b,2——集电极c,三极管类型是NPN锗管。
(b)2——发射极e,3——基级b,1——集电极c,三极管类型是PNP硅管。
习题1-16已知一个N沟道增强型MOS场效应管的输出特性曲线如图P1-16所示。
试作出uDS=15V时的转移特性曲线,并
由特性曲线求出该场效应管的开启电压UGS(th)和IDO值,以及当uDS=15V,uGS=4V时的跨导gm。
uDS=15V
由图可得,开启电压UGS(th)=2V,IDO=2.5mA,
iD
4
1.2
gm
4.5
2.8mS
uGS
3.5
习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线,分别判断各
相应的场效应管的类型(结型或绝缘栅型,P型沟道或N型沟道,增强型或耗尽型)。
如为耗尽型,在特性曲线上标注出
其夹断电压UGS(off)和饱和漏极电流IDSS;如为增强型,标出其
开启电压UGS(th)。
(a)绝缘栅型N沟道增强型;(b)结型P沟道耗尽型;
(c)绝缘栅型N沟道耗尽型;(d)绝缘栅型P沟道增强型。
习题1-18已知一个N型沟道增强型MOS场效应管的开启电压UGS(th)=+3V,IDO=4mA,请示意画出其转移特性曲线。
习题1-18图习题1-19图
习题1-19已知一个P型沟道耗尽型MOS场效应管的饱和漏
极电流IDSS=-2.5mA,夹断电压UGS(off)=4V,请示意画出其转移特性曲线。
习题2-1试判断图P2-1中各电路有无放大作用,简单说明理由。
答:
(a)无放大作用(发射结反偏);
(b)不能正常放大(发射结无直流偏臵);
(c)无放大作用(集电结无直流偏臵);
(d)无放大作用(发射结无直流偏臵);
(e)有放大作用(是射极跟随器);
(f)无放大作用(输出交流接地);
(g)无放大作用(输入交流接地);
(h)不能正常放大(栅极无直流偏臵);
(i)无放大作用(电源极性接反);
习题2-2试画出图P2-2中各电路的直流通路和交流通路。
设各电路中的电容均足够大,变压器为理想变压器。
答:
(a)
Rb
+VCC
Rc
+
+
Re1
Uo
Ui
Re1
Rb
Rc
-
Re2
-
(a)直流通路(a)交流通路
+VCC
R3
R1R4
R2R5
(b)直流通路
+VCC
Rb2
Rb1Re
(c)直流通路
图(c)中,Ui
N2
Ui
N1
+
+
Uo
Ui
R1
R2
R4
-
-
(b)交流通路
+
Ui
RL
-
(c)交流通路
2
N3
RLRL
N4
习题2-3在NPN三极管组成的单管共射放大电路中,假设
电路其他参数不变,分别改变以下某一参数时,试定性说明放大电路的IBQ、ICQ和UCEQ将增大、减少还是基本不变。
①增大Rb;②增大VCC;③增大β。
答:
①增大Rb,则IBQ减少,ICQ减少,UCEQ增大。
②增大VCC,则IBQ增大,ICQ增大,UCEQ不确定。
③增大β,则IBQ基本不变,ICQ增大,UCEQ减少。
习题2-4在图2.5.2所示NPN三极管组成的分压式工作点稳定电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一参数
时,试定性说明放大电路的IBQ、ICQ和UCEQ、rbe和Au将增大、减少还是基本不变。
①增大Rb1;②增大Rb2;③增大Re;④增大β。
答:
①增大Rb1,则IBQ↑,ICQ↑,UCEQ↓,rbe↓,Au↑。
②增大Rb2,则IBQ↓,ICQ↓,UCEQ↑,rbe↑,Au↓。
③增大Re,则IBQ↓,ICQ↓,UCEQ↑,rbe↑,Au↓。
④增大β,则IBQ↓,ICQ基本不变,UCEQ基本不变,rbe↑,Au基本不变
习题2-5设图P2-5中的三极管β=100,UBEQ=0.6V,VCC=12V,Rc=3k,Rb=120k。
求静态工作点处的
IBQ、ICQ和UCEQ值。
解:
Rc
3k
+VCC
120k
+
VCC
(ICQ
IBQ)Rc
IBQRb
UBEQ
C1Rb
iC
+
(1)Rc
IBQRbUBEQ
iB
uO
uI
VCC
UBEQ
-
IBQ
0.027mA-
(1
)Rc
Rb
UCEQ
VCC
ICQ
IBQRc
3.82V
习题2-6设图P2-6(a)中:
Rb=510k,Rc=10k,RL=1.5k
,
VCC=10V。
三极管的输出特性曲线如图(b)所示。
①试用图解法求出电路的静态工作点,并分析这个工作点选
得是否合适;
②在VCC和三极管不变的情况下,为了把三极管的静态集电极电压UCEQ提高到5V左右,可以改变那些参数?
如何改法?
③在VCC和三极管不变的情况下,为了使ICQ=2mA,UCEQ=2V,应改变那些参数?
改成什么数值?
Rb
Rc
+VCC
C2
C1
+
+
++
RL
Uo
Ui
-
-
(a)
(b)
Q1
解:
①可先用近似估算法求
IBQ
IBQ
VCCUBEQ
10
0.7
20A
Rb
0.02mA
510
直流负载线方程:
uCEVCC
iCRC
10
10iC
静态工作点Ql点处,UCEQ
0.5V,
ICQ
0.95mA
由图可见Q1点靠近饱和区,易产生饱和失真。
②为将UCEQ提高到5V左右,可同时减小只Rc和Rb,如图中Q2点,也可以Rb不变,减小Rc;或Rc不变,增大Rb;或同时增大Rc和Rb等。
Q2
Q1
③将i
=2mA,u
CE
=2V的一点与横坐标上
u=10V的一点相
C
CE
连即可得到此时的直流负载线,此时集电极电阻为
Rc
VCC
UCEQICQ
10
22
4k
由图可见,
Q3点处IBQ=40μA,则
Rb
VCC
UBEQIBQ
10
0.7
0.04
250k
因此,需减小Rc和Rb,可减为Rc=4k?
,Rb=250k?
Q2
Q3
Q1
习题2-7
放大电路如图
P2-7(a)所示,试按照给定参数,
在图P2-7(b)中:
①画出直流负载线;
②定出Q点(设UBEQ=0.7V);
③画出交流负载线。
Rb1
VCC
+15V
39k?
Rc
C2
C1
2k?
+
+
RL
Uo
UiRb2
Re
2k?
CE
_
_
11k?
2k?
(a)
(b)
图P2-7
解:
①直流负载线方程为:
uCE
VCCiC(RcRe)153iC
Rb2
VCC3.3V
②UBQ
Rb1
Rb2
UBQ
UBEQ
2.6mA
ICQIEQ
Re
2.6
则由iC=2.6mA的一条水平线
与直流负载线的交点即为
Q,
7.2
由图可得UCEQ=7.2V。
(b)
③交流负载线通过
Q点,且斜率为
1,其中
RL
RL
Rc//RL
1k
习题2-8在图P2-7(a)中,如果输出电压波形为,试问:
①电路产生截止失真还是饱和失真?
②应如何调整电路参数以消除失真?
答:
①饱和失真;
VCC
Rb1+15V
39k?
RcC2
②应降低Q点,为此可增大
C1
2k?
+
+
RL
R(原为39