材料科学与工程基础期中期末复习考试题库完整.docx
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材料科学与工程基础期中期末复习考试题库完整
1.材料是由物质构成的,因而物质就是材料。
√×
×
2.材料是指用来制造某些有形物体的基本物质。
√×
√
3.按照化学组成,可以把材料分为三种基本类型
〔A金属材料、硅酸盐、有机高分子材料
〔B陶瓷材料、高分子材料、钢铁
〔C有机高分子材料、金属材料、无机非金属材料
〔D有机材料、无机非金属材料、金属材料
C
4．在四个量子数中,ms是确定体系角动量在磁场方向的分量〔ml。
×
5．在四个量子数中,ml决定电子自旋的方向〔ms。
×
6．在四个量子数中,n是第一量子数,它决定体系的能量。
√
7．在四个量子数中,l是第二量子数,它决定体系角动量和电子几率分布的空间对称性。
√
8．原子中每个电子必须有独自一组四个量子数。
n,l,ml,ms
√
9．泡利不相容原理、能量最低原则和洪特规则是电子在原子轨道中排列必须遵循的三个基本原则。
√
10．Na原子中11个电子的填充方式为1s22s22p53s2。
1s22s22p63s1
×
11．按照方框图,N原子中5个价电子的填充方式为
2s2p
×
12．Cu原子的价电子数是___3___个。
×
13．S原子的价电子数是5个。
×
1.晶体物质的共同特点是都具有金属键。
×
2.金属键既无方向性,也无饱和性。
√
3.共价键中两个成键电子的自旋方向必须相反。
√
4.元素的电负性是指元素的原子在化合物中把电子引向自己的能力。
√
5.两元素的电负性相等或接近,易形成离子键,不易形成共价键。
×
6.两元素的电负性差较大,易形成离子键,不易形成共价键。
√
7.离子键的基本特点是以离子而不是以原子为结合单元。
√
8.范德华力既无方向性亦无饱和性,氢键有方向性但无饱和性。
×
9.范德华力既无方向性亦无饱和性,氢键有方向性和饱和性。
√
10.绝大多数金属均以金属键方式结合,它的基本特点是电子共有化。
×
11．共价键既有饱和性又有方向性。
√
12．两种元素电负性差值决定了混合键合中离子键的比例。
√×
√
13．范德华力包括取向力、色散力和氢键三种类型。
√×
×
14．原子的基本键合中不一定存在着电子交换。
√×
×
15．氢键具有方向性,但无饱和性。
√×
×
16．三种基本键合的结合强弱顺序为金属键＞离子键＞共价键。
√×
×
17．金属键是由众多原子最〔及次外层电子释放而形成的电子气形成的,因而具有最高的键能。
√×
×
1．随着两个原子间距离减小,相互间的吸引力下降,排斥力增加。
√×
×
2．两个原子处于平衡间距时,键能最大,能量最高。
√×
×
3．同一周期中,原子共价半径随价电子数的增加而增加。
√×
×
4．同一族中,原子共价半径随价电子到原子核的距离增加而减小。
√×
×
5．正离子的半径随离子价数的增加而减小。
√×
√
6.原子半径大小与其在晶体中配位数无关。
√×
×
7.所谓原子间的平衡距离或原子的平衡位置是吸引力与排斥力的合力最小的位置。
√×
×
8.共价键是由两个或多个电负性相差不大的原子间通过共用电子对而形成的化学键。
√×
√？
×〔只能是两个原子间
9．离子化合物的配位数取决于离子最有效的堆积。
√×
×
10．在氧化物中,O2-的配位数主要有4、6、12三种类型。
√×
×
11．金属原子的配位数越大,近邻的原子数越多,相互作用越强,原子半径越小。
√×
×
12．金属原子半径随配位数增加而增加。
√×
√
13.金属半径是原子间平衡间距的一半。
〔A√,〔B×,〔C,〔D
A
1．当中心原子的杂化轨道为sp3dx2时,其配位原子的空间排列为
〔A四方锥形〔B三方双锥形〔C八面体形
B
2.原子轨道杂化形成杂化轨道后,其轨道数目、空间分布和能级状态均发生改变。
√×
×
3.杂化轨道是原子不同轨道线性组合后的新原子轨道,而分子轨道则是不同原子轨道线性组合成的新轨道。
√×
√
4．δ轨道是由两个d轨道线性组合而成,它们是
〔Adx2、dx2〔Bdx2-y2、dx2-y2〔Cdxy、dxy
B
5．费米能级是对金属中自由电子能级填充状态的描述。
√×
×〔T＝0K时
6．费米能级是,在T＝0K时,金属原子中电子被填充的最高能级,以下能级全满,以上能级全空。
√×
×
7．按照费米分布函数,T≠0时,-------------,f〔E＝1/2
〔AE＝EF〔BE＜EF〔CE＞EF
A
8．在固体的能带理论中,能带中最高能级与最低能级的能量差值即带宽,取决于聚集的原子数目。
√×
×
9．能带是许多原子聚集体中,由许多原子轨道组成的近似连续的能级带。
√×
√？
×〔原子轨道裂分的分子轨道
10.价带未填满〔A绝缘体,〔B导体,〔C半导体,〔D
B
11.满带与空带重叠〔A绝缘体,〔B半导体,〔C导体,〔D
C
12.满带与空带不重叠〔A绝缘体,〔B导体,〔C半导体,〔D
A,C
13.能带宽度与原子数目无关,仅取决于原子间距,间距大,带宽大。
〔A√,〔B×,〔C,〔D
B
14.原子数目越多,分裂成的能带宽度越大。
〔A√,〔B×,〔C,〔D
B
15.能带宽度与原子数目无关,仅取决于原子间距,间距小,带宽大。
〔A√,〔B×,〔C,〔D
A
1.具有一定有序结构的固态物质就是晶体。
√×
×
2.同一晶面族的晶面形状相同,面上原子密度相同,彼此相互平行。
√×
×
3.在实际应用的工业金属中都存在各向异性。
√×
×
4.空间点阵相同的晶体,它们的晶体结构不一定相同。
√×
√
5.空间点阵有１４种,它们每个点阵都代表一个原子。
√×
×
6.如果空间点阵中的每一个阵点只代表一个原子时,则空间点阵与晶体点阵是同一概念。
√×
√
7.由液态转变为固态的过程称为凝固亦称结晶。
√×
×
8.在立方晶系中点阵〔晶格常数通常是指____。
a）最近的原子间距,〔B晶胞棱边的长度,〔C棱边之间的夹角
B
9.空间点阵中每个阵点周围具有等同的环境。
√×
√
10.空间点阵只可能有____种型式。
〔A12,〔B14,〔C16,〔D18
B
11.空间点阵结构中只可能划分出____个晶系。
〔A5,〔B6,〔C7,〔D8
C
12.晶格常数常用____表示。
〔Aa,b,c；〔Bα,β,γ；〔Ca,b,c和α,β,γ；〔D都不是
C
13.晶胞中原子占有的体积分数称为____。
〔A配位数,〔B致密度,〔C点阵常数,〔D晶格常数
B
1.fcc密排面的堆垛顺序是___。
〔AABAB,〔BABCD,〔CABCA
C
2.fcc结构的致密度为___。
〔A0.62,〔B0.68,〔C0.74,〔D0.82
C
3.fcc结构的配位数是___。
〔A6,〔B8,〔C10,〔D12
D
4.fcc晶胞中原子数为___。
〔A6,〔B4,〔C3,〔D2
B
5.fcc晶胞中原子的半径是____。
〔A21/2a/2,〔B21/2a/4,〔C31/2a/2,〔D31/2a/4
B
6.以原子半径R为单位,fcc晶体的点阵常数a是____。
〔A2<2>1/2R,〔B4<2>1/2R,〔C4<3>1/2R,〔D4<3>1/2R/3
A
7.bcc结构的致密度为___。
〔A0.62,〔B0.68,〔C0.74,〔D0.82
B
8.bcc结构的配位数是___。
〔A6,〔B8,〔C10,〔D12
B
9.bcc晶胞中原子数为___。
〔A6,〔B4,〔C3,〔D2
D
10.bcc晶胞中原子的半径是___。
〔A21/2a/2,〔B21/2a/4,〔C31/2a/4,〔D31/2a/2
C
11.以原子半径R为单位,bcc晶体的点阵常数a是___。
〔A2<2>1/2R,〔B4<2>1/2R,〔C4<3>1/2R/2,〔D4R/<3>1/2
D
12.hcp密排面的堆垛顺序是___。
〔AABAB,〔BABCD,〔CABCA
A
13.hcp结构的致密度为___。
〔A0.82,〔B0.74,〔C0.68,〔D0.62
B
14.hcp结构的配位数是___。
〔A12,〔B10,〔C8,〔D6
A
15.hcp晶胞中原子数为____。
〔A3,〔B4,〔C5,〔D6
D
16.在体心立方晶胞中,体心原子的坐标是____。
〔A1/2,1/2,0；〔B1/2,0,1/2；〔C1/2,1/2,1/2；
〔D0,1/2,1/2
C
17.在fcc晶胞中,八面体间隙中心的坐标是____。
〔A1/2,1/2,0；〔B1/2,0,1/2；〔C0,1/2,1/2；
〔D1/2,1/2,1/2
D
18.每个面心立方晶胞有１４个原子。
√×
×
19.密排六方晶胞共有十七个原子。
√×
×
1.
下图为简单立方点阵晶胞,其中ABC面的指数是____。
〔A〔111,〔B〔110,〔C〔101,〔D〔011
C
2.
下图为简单立方点阵晶胞,其中ABCD面的指数是____。
〔A〔111,〔B〔110,〔C〔101,〔D〔011
C
3.
下图为简单立方点阵晶胞,AD的晶向指数是____。
〔A,〔B[110],〔C[101],〔D[011]
A
4.
下图为简单立方点阵晶胞,AB的晶向指数是____。
〔A[111],〔B[100],〔C,〔D[001]
C
5.
下图为简单立方点阵晶胞,AC的晶向指数是____。
〔A[111],〔B[110],〔C[101],〔D[010]
D
6.在下图的简单立方晶胞中,指数为〔01-1的晶面是____。
〔AADE,〔BCDE,〔CACE,〔DCHF
C=CEG,以F为原点若X轴为FB,则C正确。
7.在下图的简单立方晶胞中,指数为〔11-1的晶面是____。
〔AAFD,〔BACH,〔CACE,〔DCHEBEG
B乘负号<-1,-1,1>,原点为D,由于是晶面族,X轴方向变,可
<1,1,-1>,原点为F,BEG
8.
在下图的简单立方晶胞中,____的晶向指数为[11-1]。
〔AAF,〔BHA,〔CCE,〔DFD
D
9.在下图的简单立方晶胞中,____的晶向指数为[1–10]。
〔ABG,〔BCH,〔CCE,〔DGEHA
A×,F为原点可？
〔HAH为原点,A点坐标为1,-1,0
也可是GB,G点为原点,B点坐标为1,-1,0>
10.
在简单立方晶胞中画出的<1-21>晶面为____。
〔ABGN,〔BBEM,〔CCFM,〔DAFN
C
11.
在简单立方晶胞中画出的[22-1]晶向为____。
〔AOS,〔BBR,〔COR,〔DGS
B
12.在简单立方晶胞中画出的[210]晶向为____。
〔ABS,〔BBR,〔CBQ,〔DBT
A
13.
在简单立方晶胞中画出的[02-1]晶向为____。
〔ABR,〔BBS,〔CBQ,〔DBT
D
14.画出立方晶胞中具有下列指数〔111的晶面和指数[111]的晶向,可以发现它们彼此____。
平行,〔B垂直,〔C既不平行也不垂直,〔D
B
15.晶面指数通常用晶面在晶轴上截距的互质整数比来表示。
√×
×改正：
晶面在晶轴上截距倒数的互质整数比
16.晶面指数较高的晶面通常具有____的原子密度排列。
〔A较高,〔B较低,〔C居中
B
1.原子排列最密的晶面,其面间距____。
a）最小,〔B最大,〔C居中
B
2.在fcc和bcc结构中,一切相邻的平行晶面间的距离可用公式：
d=a/1/2√×
×
3.晶面间距公式d=a/[]1/2适用于____的一切晶面〔h,k,l为密勒指数。
〔A立方晶系所包含的三种点阵,〔B立方和四方所包含的各种点阵,〔C简单立方点阵
C
4.若在晶格常数相同的条件下体心立方晶格的致密度,原子半径都最小。
√×
×
5.面心立方与密排六方晶体结构,其致密度、配位数、间隙大小都是相同的,密排面上的堆垛顺序也是相同的。
√×
×
6.在下列堆积方式中,属于最紧密堆积的是____。
体心立方,面心立方,简单立方,
B
7.在下列堆积方式中,属于最紧密堆积的是____。
简单立方,体心立方,密排六方,
C
8.氯化钠具有面心立方结构,其晶胞分子数是____。
5,6,4,8
C
9.Al为面心立方结构,其点阵常数为0.4049nm,其晶胞中原子体积是___。
0.04912nm3,0.06638nm3,0.04514nm3,0.05032nm3
A
10.Al的点阵常数为0.4049nm,其晶胞中原子体积是0.04912nm3,其结构为___。
密排六方,体心立方,面心立方,简单立方
C
11.Al为面心立方结构,晶胞中原子体积是0.04912nm3,其点阵常数为___。
0.3825nm,0.6634nm,0.4523nm,0.4049nm
D
1.面心立方结构每个晶胞中八面体间隙数为____。
〔A4,〔B8,〔C2,〔D1
A
2.面心立方结构每个晶胞中四面体间隙数为____。
〔A2,〔B4,〔C6,〔D8
D
3.面心立方结构每个原子平均形成的八面体间隙数为____。
〔A4,〔B3,〔C2,〔D1
D
4.面心立方结构每个原子平均形成的四面体间隙数为____。
〔A4,〔B3,〔C2,〔D1
C
5.体心立方结构每个晶胞中八面体间隙数为____。
〔A4,〔B6,〔C8,〔D12
B
6.体心立方结构每个晶胞中四面体间隙数为____。
〔A4,〔B6,〔C8,〔D12
D
7.体心立方结构每个原子平均形成的八面体间隙数为____。
〔A1,〔B2,〔C3,〔D4
C
8.体心立方结构每个原子平均形成的四面体间隙数为____。
〔A4,〔B6,〔C8,〔D12
B
9.每一个面心立方晶胞中有八面体间隙m个,四面体间隙n个,其中：
〔Am=4,n=8,〔Bm=6,n=8,〔Cm=2,n=4〔Dm=4,n=12
A
10.每一个体心立方晶胞中有八面体间隙m个,四面体间隙n个,其中：
〔Am=4,n=8,〔Bm=6,n=8,〔Cm=6,n=12〔Dm=8,n=12
C
11.Fcc和bcc结构中的八面体间隙均为正八面体。
√×
×
12.面心立方结构的总间隙体积比体心立方小。
√×
√
13.等径球最紧密堆积时,四面体空隙的体积____八面体空隙的体积。
大于,等于,小于,
C
1.二元相图中三相平衡时温度恒定,而平衡三相成分可变。
√×
×
2.在二元相图中,L→S1+S2叫_____转变。
〔A共晶,〔B共析,〔C包晶
A
3.在二元相图中,S→S1+S2称为____转变。
〔A共晶,〔B共析,〔C包晶
B
4.在二元相图中,S→L＋S1称为_____转变。
〔A共晶,〔B共析,〔C包晶
C
5.共晶线代表共晶反应温度其物理意义是____。
（A）无论何种成分的液相冷却至共晶温度就发生共晶反应,
（B）无论何种成分的液相冷却至共晶温度时,如剩余的液相具有共晶成分就发生共晶反应,？
表达不确切
（C）无论何种成分的液相冷却至共晶温度时,全部会变成具有共晶成分的液相而发生共晶反应
B×A
6.共晶反应发生在三相平衡的水平线上,可利用杠杆定理计算相组成物与组织组成物相对量,所以杠杆定理也可以在三相平衡区使用。
√×共晶反应发生在三相平衡点,不能用.
√？
×
7.根据相律,二元系三相平衡时自由度为0,即表明三相反应是在恒温下进行,三个平衡相的成分也是相同的,不可改变。
√×
√
8.所谓相,即是系统中具有均匀成份而且性质相同并与其他部分有界面分开的部分。
√×
√
9.在界面两侧性质发生突然变化的是两个不同的相,否则是同一相。
√×
√
10.用杠杆规则进行过程量的计算,得到的是____。
累积量瞬时量
A
11.等压条件下,二元合金中最大平衡相数为3。
√×
√
12.二元合金处于单相平衡时,自由度为2,这就是说温度变化时,成份随之变化。
√×
×
13.在热力学平衡条件下,二元凝聚系统最多可以3相平衡共存,它们是一个固相、一个液相和一个气相。
√×
×改正：
两个固相和一个液相。
14.相数即为系统内性质相同且均匀的部分的种类数。
〔A√,〔B×,〔C,〔D
A
15.自由度数是指相平衡系统中可独立改变而不引起相变的变量数。
〔A√,〔B×,〔C,〔D?
A在一定范围内改变,故B
1.点缺陷表现有两种类型：
〔A置换原子、晶格间隙；〔B空位、间隙原子；〔C空位、晶格间隙
B
2.晶体中存在着许多点缺陷,例如____。
〔A被激发的电子,〔B沉淀相粒子,〔C空位
C
3.柏格斯矢量是位错的符号,它代表____。
〔A位错线的方向,〔B位错线的运动方向,〔C晶体的滑移方向
B×C,应为C
4.实际金属中都存在着点缺陷,即使在热力学平衡状态下也是如此。
√×
√
5.柏格斯矢量就是滑移矢量。
√×
√
6.位错线的运动方向总是垂直于位错线。
√×去掉
√?
该题有问题
7.空间点阵有１４种,它们每个点阵都代表一个原子。
√×
×
8.刃型位错线与其柏氏矢量平行,且其运动方向垂直于该柏氏矢量,螺型位错线与其柏氏矢量垂直,且运动方向平行于该柏氏矢量。
√×
×
9.刃型位错的柏氏矢量与位错线平行,螺型位错的柏氏矢量与位错线垂直。
√×
×
10.晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而____。
增加,不变,降低,
A
11.属于晶体中的热缺陷有____。
空位,非化学计量缺陷,杂质缺陷,
12.替代式固溶体中,d溶质≈d溶剂。
√×
×
13.间隙式固溶体中,d溶质/d溶剂≥0.59。
√×
√
1.扩散是原子在固体物质内部无规的运动产生定向迁移的过程。
√×
？
×
2.扩散的推动力是浓度梯度,所有扩散系统中,物质都是由高浓度处向低浓度处扩散。
√×
×改正：
扩散也可以从低浓度向高浓度进行。
<从自由能考虑>
3.扩散系数一般表示为D=D0Exp<-Q/RT>,显然扩散激活能与扩散系数呈正比,Q值愈大,D值愈大。
√×
？
×不是正比
4.最常见的扩散机理是____。
间隙扩散,空位扩散,易位扩散,
B
5.一般说来,扩散系数越大扩散通量也越大。
√×
×？
√还有浓度差,〔按照Fick第一定律,该表述应是正确的
6.菲克第一定律只适用于稳态扩散,而菲克第二定律只适用于非稳态扩散。
√×
×？
√〔按照教材的内容,该表述应是正确的
7.稳态扩散就是指扩散通量不随时间变化仅随距离变化的扩散。
√×
×
8.扩散通量是指单位时间通过任意单位面积的物质量。
√×
×
9.金属的自扩散的激活能应等于____。
〔A空位的形成能与迁移能的总和,〔B空位的形成能,〔C空位的迁移能
A
10.伴有浓度变化的扩散或者说与溶质浓度梯度有关的扩散被称为是____。
〔A反应扩散,〔B互扩散,〔C自扩散
B？
确实有问题,题目的目的不明确。
去掉
11.在扩散过程中,原子的流量直接正比于____。
〔A温度,〔B浓度梯度,〔C时间
B
12.原子越过能垒的激活能为Q,则扩散速率____。
〔A随Q增加而减小,〔B随Q增加而增加,〔C与Q无关
A
13.当液体与固体的真实接触角大于90度时,粗糙度愈大,就愈____润湿。
容易,不易,,
B
14.当液体与固体的真实接触角小于90度时,粗糙度愈大,就愈____润湿。
容易,不易,,
A
由于粗糙度涉及到,未讲,建议去掉
15.温度升高,熔体的表面张力一般将____。
不变,减少,增加,
B
16.液体与固体的接触角大于90°。
〔A润湿,〔B不润湿,〔C,〔D
B
17.液体与固体的接触角小于90°。
〔A润湿,〔B不润湿,〔C,〔D
A
1.Percentioniccharacter〔A离子的特点,〔B键的离子性结合比例,〔C,〔D
B
2.EnergyBand〔A能级,〔B能隙,〔C能带,〔D
C
3.Valenceband〔A价带,〔B能带,〔C价电子能级展宽成的能带,〔D
A,C
4.UnitCell〔A晶胞,〔B单位矢量,〔C,〔D
A
solidsolution〔A固溶体,〔B杂质原子等均匀分布于基质晶体的固体,〔C固体溶解液,〔DA,B？
5.IonicBond〔A共价键,〔B次价键,〔C离子键,〔D氢键
C
6.CovalentBond〔A氢键,〔B离子键,〔C次价键,〔D共价键
D
7.EquilibriumSpacing〔A平衡力,〔B平衡间距,〔C原子间斥力和引力相等的距离,〔D
B,C
8.CoordinationNumber〔A配位数,〔B原子具有的第一邻近原子数,〔C价电子数,〔D
A,B
9.AtomicPackingFactor〔A晶胞内原子总体积与晶胞体积之比,〔B原子体积〔C致密度,〔D原子堆积因子
A,C,D
10.DirectionalIndices〔A点阵,〔B晶体方向,〔C晶向指数,〔D晶向
C
11.Millerindices〔A晶向指数,〔B晶面指数,〔C密勒指数,〔D
B,C
12.interplanarspacing〔A晶面组中最近两晶面间的距离,〔B晶面指数,〔C原子间距,〔D晶面间距
A，D
8．fcc〔A面心立方,〔B密排六方,〔C体心立方,〔D
A
1.bcc〔A面心立方,〔B密排六方,〔C体心立方,〔D
C
2.hcp〔A面心立方,〔B密排六方,〔C体心立方,〔D
B
3.PointDefect〔A点阵,〔B体缺陷,〔C面缺陷,〔D点缺陷
D
4.InterfacialDefects〔A位错,〔B点缺陷,〔C面缺陷,〔D体缺陷
C
5.EdgeDislocation〔A螺旋位错,〔B刃位错,〔C点缺陷,〔D
B
6.ScrewDislocation〔A棱位错,〔B刃位错,〔C螺旋位错,〔D
C
7.Interstitialposition〔A间隙,〔B空位,〔C空隙,〔D空洞
A
9.vacancy〔A空洞,〔B空位,〔C
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