模拟电子技术基础李国丽习题答案.docx
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模拟电子技术基础李国丽习题答案
1半导体二极管
自我检测题
一.选择和填空
1.纯净的、结构完整的半导体称为本征半导体，掺入杂质后称杂质半导体。
若掺
入五价杂质，其多数载流子是电子。
2.在本征半导体中，空穴浓度_C_电子浓度；在N型半导体中，空穴浓度旦电子浓度；在P型半导体中，空穴浓度_A_电子浓度。
（A.大于，B.小于，C.等于）
3.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_C_,而少数载流子的浓度与_A_关系十分密切。
（A.温度，B.掺杂工艺，C.杂质浓度）
4.当PN结外加正向电压时，扩散电流A漂移电流，耗尽层E;当PN结外加反
向电压时，扩散电流B漂移电流，耗尽层D。
（A.大于，B.小于，C.等于，D.变宽，E.变窄，F不变）
5.二极管实际就是一个PN结，PN结具有单向导电性，即处于正向偏置时，处于
导通状态；反向偏置时，处于截止状态。
6.普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B_，反向电流一般C;普通小功率锗二
极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。
（A.0.1〜0.3V，B.0.6〜0.8V，C.小于1口A，D.大于1口A）
7•已知某二极管在温度为25C时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为T
时的伏安特性如图中虚线所示。
在25C时，该二极管的死区电压为0.5伏，反向击穿电
压为160伏，反向电流为10-6安培。
温度T小于25C。
（大于、小于、等于）
图选择题7
v
&PN结的特性方程是i=ls（e*-1）。
普通二极管工作在特性曲线的正向区：
稳
压管工作在特性曲线的反向击穿区，
.判断题（正确的在括号内画"，错误的画X）
1.N型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。
（X）
2.在P型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。
（“）
3.P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（X）
4.PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
（V）
5.由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时就有电流流过。
（X）
6.PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性，又描写了PN结的反向击穿特性。
（X）
7.稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（V）,它不允许工作在
正向导通状态（X）。
习题
（c）
1.1图题1.1各电路中，
Vi=5Sin3t（V），忽略D的导通压降和死区电压，画出各电路相
应的输出电压波形。
lV0V
（b）图中，二极管导通，Vo=Vi+10。
vo=0
0
图题1.2
解：
（a）Va-£0.7--5.3V
Id二仝冷4,T
RR2
（b）10-Va_Va-（-6）.Va-0.7
R1R2R3
得Va4.96V
ID=V-0^=1.42mA
R3
0.3V;D2为硅二极管，其死区电压为Vth=0.5V，正向导通压降为0.7V。
求流过D1>D2的电流h和丨2。
15—0.3
I^1^103+100Afc1.46mA
d2两端电压=
I1X100+0.3=0.45V
小于D2的开启电压，所以D2截止，因此
I2=0
1.4设二极管的正向导通压降可以忽略不计，反向饱和电流为10吩，反向击穿电压为
30V，并假设一旦击穿反向电压保持30V不变，不随反向击穿电流而变化。
求图题1.4中各电
路的电流I。
图题1.5
解:
（a）图中，D导通，I=（12—0.7）.3R=11.33R
11.3
V2=I2R2R=7.53V
3R
V1=0.7+V2=8.23V
（b）D截止，I=0,V1=12V,V2=0V
1.6忽略图题1.6中二极管的死区电压，试判断图中二极管是否导通。
解：
先将D断开，计算A、B点对地电压
31
（a）va=（1°越Wr）”
Vb，所以D1导通
Va:
:
:
Vb，所以D2截止
的值。
解:
先假设所有二极管都截止，看哪个二极管的正偏电压高，先导通。
（a）图中，Vdi=0_（_6）=6V
VD2=3_（£）=9V
所以，D2先导通，导通后Vo=3-0.7=2.3V,Vdi=0-2.3=-2.3VDi截止。
（b）图中，Vdi=-5-（七）=1V
VD2VD3VD=6V
所以，D2、D4先导通，则Vdi二-5-（-2.1）=-2.9V,Di截止,
Vo=-1.4V
Req=3[233]=1.62k「
2+3||3丄2I丄3
Veq=63（23）3.69V
3（233）33（2-3）23
所以
Id二Ve^ZM.85mA
Req
1.9已知图题1.9电路中稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和9V，求电压Vo的值。
解:
（a）图中Dz1、Dz2均工作于稳压状态，Vo二9-5二4V
（b）Dzi工作于稳压状态，Dz2工作于反向截止区，所以DZ2支路的电流近似为零,
Vo：
5V
1.10已知图题1.10所示电路中，Vi=9sin・.t（V），稳压管Dzi、Dz2的稳定电压分别为5V、
3V，正向导通压降均为0.7V。
试画出Vo的波形。
Ot
0
图题1.10
解：
V正半周时，Dz1承受正向压降，Dz2承受反向压降，在VdZ2=3V之前，Dz2反向截止，iD=0，Vo=Vi；Vi上升到Vdz2=3V之后，Dz2击穿，Vo=3.7V；
V负半周时，Dz2承受正向压降，Dz1承受反向压降，在Vdz1=5V之前，Dz1反向截止，
iD=0，Vo=Vi；V反向电压达到Vdz1=5V之后，Dz1击穿，Vo=—5.7V;
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