ICT经验手册.docx

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ICT经验手册

GENRAD經驗手冊

本手冊之撰寫,是以GENRADVER4.2之操作介面作說明,往後若其版本更新,致操作介面更改,則其相關操作動作亦可能不同,但只要徹底了解各操作動做之意義,則在新介面或其它機種之操作介面,當可找到相對應之操作,這應不是問題.這其中之一個重點，就是外在之介面及資訊是會變動,但原理是不會變的,只要能掌握住原理,基礎,就能無懼於外在之變動,而輕鬆適應新的環境.希望本手冊能帶給讀者一些幫助,則已達到本手冊撰寫之目的.

本手冊共分以下四大項目:

一.程式發展準備

二.程試發展

三.程式及治具Debug

四.程式,治具及測試機台之維護

WrittenbyRonChen

1999

1.程式發展準備

1.分析電路圖

此項目為開始GO一個Project時相當重要之一個工作,但常為大家所忽略,因為此工作不做或做得不確實,將無法掌握測試程式及治具製作之完整性,也關係到後面程式發展及Debug時之速度,此分析電路之能力,則須平日對電子電路知識,不斷努力充實,此部份能力越強,測試則越能達到預期目標.以下將敘述分析電路圖時之重點:

1）系統之POWER電路

此部份極為重要,務必瞭解其電源產生方式,因此關係到治具製作之規格及數位測試時要件,如模糊不清,將造成做數位測試時之不確定性,如某些IC無法動作,是否會破壞IC等.以下為檢視POWER電路時,應注意及瞭解之部份:

a）找出電路圖上所有用到之VCC.

b）找出使系統動作之源頭電壓（即POWER/B之輸出電壓）,板子上其它電壓即是由這些源頭電壓經過電感或電晶體控制而產生的.

c）經由上面找出源頭電壓後,此則為當作程式及治具之電壓規格.

d）由於測試機台只提供源頭電壓至待測板,因此須經由電路控制才能產生之電壓,則在測試IC時用到這些電壓時須特別注意,要先控制這些電壓出來,才可測試.所以必須瞭解各VCC間之關聯.

2）了解整體電路之方塊圖,並儘可能去了解各BLOCK之功能:

此有助於測試之應用及將來DEBUG時,做最佳之參數調整.此部份能了解多少算多少,盡目前之能力即可,因這不是說懂就懂,而是須時間之培養,加上我們大部份都不是RD出身,目前又無此環境,自然此部份會較弱,但仍應努力,以求測試能力之提升.

3）是否有目前測試Library沒有之元件:

有能力測試之元件,大都已加入Library中了,但有時新機種中新增了一些元件,則必須將其記錄下來,事後評估是否有能力測試.若沒去注意這些元件,將來之測試程試將會漏失這些元件之測試.

2.研讀ICdatasheet並撰寫Library

若有新的元件加入而Library中沒有,則必須儘量發展Library去測試.故必須先取得該元件之datasheet（可從網路上,或RD獲得）,之後根據此datasheet去撰寫Library（如何撰寫Library,不在本手冊範圍,請自行看MANUAL練習,此部份亦為學習ICT之重點）.如果因難度較高,暫時無法寫出,可日後再研究或看廠商那有無現成之Library,但不管如何,親自撰寫Library是提升自己實力之好方法,儘量不要靠廠商,若不得以須廠商之協助,亦要去瞭解才能完全掌握測試.

3.訂定治具製作規格

治具規格應有下列幾項:

1）POWER

2）待測板擺放方向

3）用OPENXPRESS測試之待測IC及CONNECTOR

4）其他之特殊植針及應用

4.與治具廠商洽談

將先前擬妥之規格表帶去與廠商洽談,一般來說,若無特殊規格,加上先前已先準備好規格表,故洽談之速度會很快.

2.程式發展

1.處理CKTFile

1）從廠商獲得CKTFile

程式發展之第一步為獲得CKT,此File為廠商分析我們所給予之CADFile後所產生出來之檔案,而此檔案須做進一步之處理,才可得到一完整之檔案.（為能提前一點時間交貨,我們准許廠商對此File不須做任何修正,如Value,Type,…etc,只要格式正確,元件不漏失即可,而其大部份之修正則由自行發展之軟體執行之,如下所述:

2）利用自動修正程式自動修改原始CKTFile

自動修正程式ict.exe介紹如下:

a）目的:

為減少各Project重覆性人工處理,繁複性之人工編輯動作,減低錯誤並增快程式發展速度,特發展此程式,適用於Genrad及泰瑞達格式.

b）使用:

執行後,會要求輸入三個檔及一個輸出檔（若不輸入路徑,則路徑會default此程式所在之路徑）.

第一個輸入檔（必要）:

為待處理之CKT檔,即前述廠商給予之檔案.

第二個輸入檔（必要）:

BOM檔,程式主要根據此檔之資訊去Modify先前之CKT檔,故此檔案非常重要,一定要正確且最新版.

第三個輸入檔（Option）:

為零件位置資訊檔,描述各元件相對於待測板某點之座標,此程式可將其附加在CKT裏,測試程式產生出來時,會包括此位置資訊在所有元件中,以做為尋找零件位置之另一種選擇.

輸出檔:

經此程式處理後,產生出之目的CKT檔

c）功能:

c-1:

自動填入各元件之Value,Type等.

c-2:

自動判斷OJ或J之元件並修改之.

c-3:

檢察有無漏失之元件.

c-4:

整理同Type元件在同一段,並加註解.

c-5:

其他請自行比較修正前後之差異.

d）注意事項:

此程式處理完畢後,會產生一Log檔,裏面敘述處理完畢後所應注意之事項,由於無法得到完全之BOM格式,故每遇到一新定義時,可能Log檔所述之事項會有誤,如有些C（電容）定義為R,則可能記錄此電容漏失,諸如此情況為極少數,若有發生,照Log檔所述,再人工Check那些元件即可,不用花多少時間.

3）人工最後修正

a）修改及Check上述log檔所述之內容

b）check非標準Type之元件之名稱是否與Library中名稱一致,如一3支腳之二極體,名稱為RB425D,因標準二極體為2支腳,故標準Library無此元件,所以必須發展一Library給此元件,並將其命名為RB425D.其它如電晶體,IC等亦是如此.以下將說明如何修改及check:

b-1）進入genrad軟體中之LIBRARYPAGE中,選LIST將ACL及DTL之目錄顯示出來,以作為判斷該元件有無library及名稱為何.

b-2）比對CKT中之元件（通常為排阻,二極體,電晶體,IC等,當然還有其它,應說只要是自行定義之名稱,都適用）與上述目錄之元件名稱.

b-3）如發現CKT中有名稱與Library不一樣（可能差一,兩個字）,則修改CKT中之名稱,或在Library中再定義一alias與CKT中名稱一樣亦可,若根本無此元件之Library,則如屬digital測試方法方面,則將其名稱改為CONNXXX,其中XXX為該元件之PIN數,但此CONNXXX在DTL中亦必須有定義,改為CONNXXX是讓NailAssignment時能先把各PIN之Nail散開來,以預留日後測試之準備.

若屬Analog測試方法方面,則保留原名稱,因analog測試方法無nailassign之限制.

b-4）以上CKT之名稱,Type已大部份matchLibrary之名稱,做多了,大概就知道那些須修正,那些不須修正了.

c）將CONNECTOR之Type修改為UKXXX,其中XXX為PIN數,經過自動修正程式產生出之CKT檔,有將此資訊填入,但因BOM中顯示此PIN數之格式及位置有些不定,故會有一些有問題,加上一些CONNECTOR在其各PIN之NODENAMELIST中,最後常會加2pinGND,使其pin數不一致,而這些PIN數不一致會導至後面程式產生程序時有error產生,故須在這裏就要check並解決,否則到後面還是須修正.

d）四支PIN之單電感須將其後兩PIN（通常為GND）去掉,雙電感則須將其拆為2電感表示,或另外定義Library.

e）100歐姆以下電阻,用6線測試,須加SIXR參數.

f）從電路圖中找出極性電容,並將CKT中相關電容之TypeC改為CP1.

g）刪除一些無關緊要且定義不全之Type.

4）用Filter.exe做電容並聯處理

CKT中之電容很多都是並聯電容,若不事先加以處理,則在程式產生後須花更多時間處理,以避免重複測試.

Genrad提供一軟體filter.exe專為處理此問題,執行此程式後,選1,之後輸入欲處理之CKT,如無問題則產生一新CKT（原檔名.fil）及一記錄各並聯電容資訊檔ATX.fil.

P.S.輸入之CKT中Value區段之Keyword要為"%VALUE;",不可加入其它字,否則程式會無法處理.若此程式正常處理,則有一符號"|"會不停轉動,結束後自動跳出,若"|"靜止不動,則表不正常.

5）結論:

經過上述之CKT修正後,相信已得到一完整漂亮（說的技術一點就是在自己控制之下）之CKT了,程式發展花最多時間,也是最緊迫時候（因關係到給治具廠繞線檔之時間）已過去了,往後之程式產生就簡單多了.

P.S.以上CKT修正,若有覺得須再修改地方,可於nailassign後,尚未以Target模式再產生CKT時,再修改亦可,因此時產生之測試程式才是真正需要的.

2.程式產生步驟

此部份為Genrad軟體之程式產生標準程序,在此只做概要敘述,詳細請參閱GR228XTestProgramGenerationManual.

1）進入ATGPAGE

a）首先設定Circuitprepare[YES],IDDprepare[YES],Crossreference[YES],ACLusr[Y]ACL=（填入路徑及檔名）,DTLusr[Y]DTL=（填入路徑及檔名）,其餘選No.

b）按RUN後,會開始第一階段之程式產生步驟,如有問題,則參閱產生之.err檔,當中會指出CKT錯誤之地方,修改完畢後重新RUN,一直到無error為止.

c）進入POWERPAGE,依據之前（第一部份,程式發展準備）分析之POWER規格輸入,會得到一ATX檔及.fwi檔（此檔為POWER繞線檔,給廠商之繞線檔之一）.

d）將欲加入各BURST之Digitalstatement,加在ATX檔中,如Digital測試時最好將系統之ClockDisable,此時可將此disable敘述加入.

e）選Analogtestgen.[YES],Digitaltestgen.[YES],Mergetestprograms[YES],Test_Xpresstestgen.[YES],Nailstate[TEMPORARY],ATLusr[Y]ATL=（填入路徑及檔名）,DTLusr[Y]DTL=（填入路徑及檔名）,Contacttest[YES],ATOusr[Y]ATX=,其餘選No.

f）按RUN後,經過一段時間會產生出.tpx檔,此時測試程式雛型已出來了.

2）進入NAILASSIGNMENTPAGE

此PAGE會要求輸入.DPI檔（此檔為產生OPENXPRESS繞線檔.DPR之依據）,請自行建立此檔,OPENXPRESS一般都是用OFM/B,如用兩片,則.DPI內容最少須輸入兩個,如U5191;

U3633;

如用一片,則只須輸入一個待測元件,如U5191;

其中U519,U36各為待測元件之一,1則代表第一片OFM/B之啟始CHANNEL,33則代表第二片OFM/B之啟始,這樣才能讓NAILASSIGNMENT軟體知到須用到幾片OFM/B,而產生出相對應之.DPR檔.

其它就無特殊之處,依一般設定各項參數後,按RUN,如無error則會產生一些繞線資訊,其中廠商製作治具須要之檔案為.nar及.dpr檔.

至此已告一段落,須給廠商製作治具之檔案有三:

.fwi

.nar

.dpr

將上述檔案給廠商後,廠商就可製作治具,在等待廠商交治具給我們這段期間,不是我們就沒事做了,請看以下敘述.

3）再進入ATGPAGE

Nailassign後,原.tpx會被修改成為.tpg,這已經可說是測試程式了,不過還是要再跑一次完整ATG,因Nailassign後產生之.tpg雖nailnumber已改為nailassign後之nail,但其註解之nailnumber則未改,且格式亦較不整齊,故須再RUN一次,此時則將上述合起來一起做,不一樣地方為Nailstate須選TARGET.如此產生出之.tpg才是真正之測試程式,但此程式還是須經過如下之修正.

3.修正產生出來之.tpg測試程式

由於Genrad程式產生軟體,目前並不是很成熟（以後新版應會改進,果真如此,此部份工作就可減輕了）,故產生出之程式在很多地方須人工修正,加上一些須人工加入之測試項目或一些程式產生雖正確,但為配合目前此MODEL之應用而須做之修正,須修改之地方很多,若此時不做,而留到Debug時再做,則須花更多時間解決,影響上線測試時間,故一個觀念是,能在OFF-LINE時分析並處理之動作,一定要先做,不要留到Debug時做,此部份通常亦須花較多時間處理,但時間絕對足夠,因治具製作這段期間皆可利用（約10~14天）,做得越徹底,Debug時花的時間越短,通常只要治具沒什麼問題,一天內程式Debug應可完成,否則就是OFF-LINE時做得不夠.以下將敘述該修改並注意之地方:

1）刪除一些空白過多之部份及一些無關緊要之註解（如在電容測試Statement上常有"/*THISFORMATTESTWILLEXECUTEWITHOUTNEEDING**TOHAVETHEBRANCHSTATEMENTSREMOVED.*/"）,使程式架構看起來較整齊,不會太亂.

2）修改R,C之測試所給之Stim電壓:

通常是200mv,但產生出來之程式有一些為1V,根據經驗必須將其改回200mv測試才會穩定.

3）CheckR,C之DLY,RDLY參數:

常會有一些此參數高達500M,根據經驗,這些大部份都必須修改,建議為若看到10M以上之參數,一律改為1M,等上線Debug時再依實際狀況調整參數值,以降低測試時間.

4）將Guard全部拿掉:

等上線Debug時再依實際狀況加Guarding.

P.S.觀念:

可不加Guard而能通過測試,則儘量不須加Guard.

5）修改電容測試TYPE:

電容值1U（不含）以下,用CPType測試,1U（含）以上用CSType測試,產生出來之程式很多都不是如此,要更正.

6）Check極性電容測試端點:

正端應在CHA,負端在CHB

7）Check極性電容之BIAS參數:

其測試Statement應有BIAS=300M之參數,如無或BIAS=-300M,則須更正之,另外不是極性電容之Statement若有BIAS=300M之參數,則須去掉.

8）刪除1U（不含）以下之電容放電程式:

程式產生時,只要是0.1U以上之電容均會產生放電程式,以M/B來說將高達100個左右,以執行測試時前後各執行放電程式一次,時間約8秒,這是無法接受的,因此必須精減,其做法如下:

a）打開.rpt檔,裏面記載各元件產生測試程式之敘述,其中一開始就敘述著產生放電測試之電容資訊.

b）將Value值在1U（不含）以下之電容之Nailnumber記錄下來.

c）search.tpg檔案之"SU_",使其到放電程式之開頭.

d）依序search之前記錄下來之nailnumber,並將該放電statement區段刪掉.

e）完成.

9）插入並聯電容資訊:

將先前filter產生出之ATX.fil插入至.tpg電容區段之最上方,以利日後查詢並聯電容資訊.

10）插入testability資訊:

用report.exe處理廠商給之testability,產生出一新檔,對照CKT檔找出相對應Nodename之Nailnumber（測試程式之number）,並將此Nailnumber置換原其內之number（FabMaster或其它所編之number）.

11）將上述檔案插入至.tpg之最上方,以便日後查詢.

12）DisableNOTP之元件:

根據上述之testability檔案,預先disable不能測試之元件及去掉NOTP及UNUSE之nailnumberCONTACT測試.

13）分析間接並聯電容:

用GRDBG進入模擬之測試MODE,執行每一電容測試時,用NA或SUR觀察該電容有無透過電感或小電阻成並聯狀態,若有則記錄下來.完畢後,將各組之並聯電容選一個較大值測試,其餘則Disable,並將上述之並聯資訊加入ATX.fil之最後.

此部份須花較多時間及人力,須有耐心,不做或不確實,上線Debug時還是要做且debug時間會加長.

14）人工加入敘述:

加入一些無Library但用人工加入較方便之測試敘述,如量測輸出電壓（如DCtoDC之IC）等.

15）經驗修正:

根據自己經驗,對產生之Digital測試做一些修正.

16）其它:

以上為列舉一些可在OFF-LINE時修正之一些項目,可能無法包括全部,除了上面項目之外,隨各人經驗不同,應會再增加或減少,可視情況修正之.

17）進入模擬測試MODE:

以上之一些動作,須進入測試O.S.之TEST或DEBUGMODE中,但因為OFF-LINE,無法實際進入,但其有提供一模擬ON-LINE環境,其進入步驟如下:

*輸入GRDBG

*Simulator選YES,CLIENT_1=空白,CLIENT_6=%gr228dir%\exe\rtssim

*按RUN即可進入模擬MODE

18）退出模擬測試MODE:

*回到DIAGNOSTICPAGE

*輸入NOGRDBG後,按enter即退出模擬測試MODE

以上一,二項為OFF-LINE分析處理之階段,做得好,往後Debug及維護就輕鬆,反之則反,依我的看法,此兩階段占一Project之80%完成度.

3.程式及治具Debug

做完OFF-LINE之工作後,等到治具到來,就可開始實際驗證程式之正確性及最後修正之工作,此時亦可驗證當治具沒問題時,如OFF-LINE之工作做得好,其實程式只須做少許修正（較花時間為在小電容值之調整）.以下將敘述一些debug之順序及可能遭遇到之一些狀況.

1.debug順序:

debug通常是依程式測試之順序,contact-->short-->analog元件-->power-->digital元件來進行,但OPENXPRESS根據個人習慣是放至最後才DEBUG.

1）contact及short:

此兩部份是用來確定治具繞線及針點之正確性,唯有先確定治具是沒問題的,程式之debug才有意義,通常此兩部份須花較長時間.此部份完成後通常已解決大部份之治具問題.

2）analog:

包括R,RS,L,C,D,Q（通常放在digital測試）等,此部份為debug程式,偶爾會發現治具繞線問題.

3）power:

此部份為確定power繞線及電壓之正確性,要確定無問題,digital測試才能安全無慮.

4）digital:

包括IC,Q等,此部份為debug程式,偶爾會發現治具繞線問題.

5）OPENXPRESS:

檢查繞線及LEARN值.

2.debug技巧及經驗

1）contact:

a）出現contact之點,如其連接之元件為connector,電容,此些點不適用contact測試,可從contact之SNSlist中將這些點去除.

b）有些點雖接至IC之有效pin,但仍可能有contact發生,此時先確定針點正確後,先記錄下來,若後面之該ICPASS,則表此點無問題,可從contact之SNSlist中將這些點去除.

c）較嚴僅之contact點確認方法為,從元件腳接線出來findpin,或若可直接touch到元件腳亦可（此治具須為單面且上蓋開放的）

c）其餘處理方式可參閱四.程式及治具維護中有關contact之部份.

2）short:

參閱四.程式及治具維護中有關short之部份.

3）電阻R:

測不準或測不穩時,可採如下方法:

a）swapCHA,CHB.

b）用NA或SUR查看CHB之nail所連接之零件,如有接至75歐姆以上之電阻,電容,二極體等,可GUARD其另一端,通常為電阻優先,其次電容,二極體很少做此動作,只要其中一個成立即可,不須全都GUARD,但有時須同時GUARD幾點,但佔少數,須視狀況而定.

如所連接之元件為低電阻值或電感,則不能直接GUARD,須繼續連串找下去,直到無元件可GUARD或如上述可GUARD之元件Node.

c）若其兩端點有連接電容,可試著調整DLY或RDLY參數,先delay將電容充電後,再測試會得到較準確之測試值.注意增加delay之時間,能越小越好,以能通過測試之最小delaytime為主,以免增加太多測試時間.

d）若須要可調整HI,LOW值以配合實際測試值（可以電錶為主）.

e）查看是否無測點,有可能OFF-LINE時沒有將其disable.

f）都無效,查看針點編號是否正確,及此零件是否正確mount在待測板上.

4）電容C:

測不準或測不穩時,可採如下方法

a）加GUARD,原則同電阻.

b）查看是否為並聯電容,因可能在OFF-LINE時,沒注意到.

c）通常P值之小電容,都須視其實際測到之值調整HI,LOW值.

d）調F（頻率）參數,通常P級用10K,N級用1K,μ級用100,可視情況調整之.

e）查看是否無測點,有可能OFF-LINE時沒有將其disable.

f）都無效,查看針點編號是否正確,及此零件是否正確mount在待測板上.

5）二極體:

a）如測到值為2.045V,則可能為CHA,CHB相反,互換nailnumber看看.

b）如測到值太低或太高,調整其HI,LOW值

c）查看是否無測點,有可能OFF-LINE時沒有將其disable.

d）都無效,查看針點編號是否正確,及此零件是否正確mount在待測板上.

二極體Debug較單純,通常只有上述狀況.

6）power:

若fail,參照以下可能情況:

a）通常powersense線不在INTERFACE處連接,而在POWERISLAND處連接,因如此可避免高電流時漏失過多電壓,導致fail,可check此部份是否連接正確.

b）對照.fwi檔,檢視power接線是否正確.

c）檢視欲量測之power點是否正確繞至正確之nail.

7）digital:

a）常用語法:

*LVLA（B）（naillist）:

設定在digital測試時會用到之nail,如測試statement中有用到此naillist中沒有之nail,執行translate時會有error發生.

*VIHA（B）:

設定輸入測試之HI電壓值,如VIHA=5,即設定輸入電壓為5V.

*VILA（B）:

設定輸入測試之LOW電壓值,如VILA=0.1,即設定輸入電壓為0.1V.

*VOHA（B）:

設定輸出電壓之HILEVEL,如VOHA=2.4,表若sense到之電壓>=2.4V,則視為HI.

*VOLA（B）:

設定輸出電壓之LOWLEVEL,如VOLA=0.8,表示若量測到之電壓<=0.8V,則視為LOW.

*IC:

INPUTCONNECT,欲DRIVE某點電壓時,須先執行此STATEMENT,使系統DRIVE電路與治具接觸之INT