sg3525中文资料.docx
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sg3525中文资料
在软起动功能上较SG3524有很大的改进。
关键词：
SG3524;SG3525;脉宽调制；软起动
0引言:
电源的设计过程中，常常使用各种PWM勺IC。
因此，作为开关电源的设计者，有必要熟悉各种
PWM勺集成芯片的性能差别，才能在设计的时候灵活应用。
下面主要针对常用的SG3524与SG3525两种芯片进行对比分析。
1SG3524与SG3525:
SG3524是定频PWM电路，采用16引脚标准DIP封装。
其各引脚功能如图1（a）所示，内
部框图如图1（b）所示。
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（a）SG3524的引脚
（b）内部框图
SG3524引脚及内部框图
脚9可以通过对地接阻容网络，补偿系统的幅频和相频响应特性。
根据试验结果，对地接电容就可以实现软起动功能。
SG3525也是定频PWM电路，采用16引脚标准DIP封装。
其各引脚功能如图2（a）所示，内部框图如图2（b）所示。
脚8为软起动端。
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（a）SG3525的引脚
SG3525引脚及内部框图
2SG3525相对SG3524的改进：
SG3525在SG3524的基础上，主要作了以下改进。
信号共用一个反相输入端，现改为增加一个反相输入端，误差放大器与关闭电路各自送至比较器
的反相端。
这样，便避免了彼此相互影响，有利于误差放大器和补偿网络工作精度的提高。
存器，锁存器由关闭电路置位，由振荡器输岀时间脉冲复位。
这样，当关闭电路动作，即使过电
流信号立即消失，锁存器也可维持一个周期的关闭控制，直到下一个周期时钟信号使锁存器复位为止。
路是相同的。
SG3525的振荡器，除了CT及RT引脚外，增加了放电引脚7、同步引脚3。
RT阻值
决定对CT充电的内部恒流值，CT的放电则由脚5及脚7之间外接的电阻值RD决定。
把充电和放电回路分开，有利于通过RD来调节死区的时间，这是重大的改进。
在SG3525中增加了同步引
脚3专为外同步用，为多个SG3525的联用提供了方便。
状态。
另外，为了适应驱动MOSFET勺需要，末级采用了推挽式电路，使关断速度更快。
8增加的软起动功能，避
SG3525增加的工作性能在实际应用中具有重要意义。
例如，脚
免了开关电源在开机瞬间的电流冲击，可能造成的末级功率开关管的损坏。
3实验结果：
对SG3525与SG3524的软起动功能作了对比试验。
图3给岀了SG3525与SG3524软起动试验的原理图。
图4给岀了SG3525脚8接100卩F电容和SG3524脚9接100卩F电容时，在通电2s和5s时的输岀脉宽波形图。
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（b）采用SG3524
软起动试验原理图
（a）SG3524通电2s的波形
（b）SG3525通电2s的波形
（C）SG3524通电5s的波形
（d）SG3525通电5s的波形
在实际实现软起动的过程中，由其
动功能，但是，由于SG3525本身设计了软起动电路，因此,
SG3524要实现软起动，就要
内部的恒流源给外部电容充电，工作时不会影响到其它的电路，而与误差放大器、电流控制器等同用一个反相端，就会彼此互相影响。
另外，在相同电容量的情况下，SG3525更有利于提高软起动时间。
SG3525脚8接不同的对地电容时的软起动时间
脚8对地电容C卩F
软启动时间t/s
10
0.58
22
1.26
33
1.84
47
2.33
100
4.76
SG3524脚9接不同的对地电容时的软起动时间
脚9对地电容C卩F
软启动时间t/s
10
0.29
22
0.58
4结语：
通过实验证明，SG3525的软起动性能优于SG3524。
SG3525中文资料引脚图应用电路图⑴
简介：
SG3525中文资料引脚图应用电路图随着电能变换技术的发展，功率MOSFET在开关变换器中开
始广泛使用。
为此，美国硅通用半导体公司推出了SG3525,以用于驱动。
关键字：
SG3525
随着电能变换技术的发展，功率MOSFET在开关变换器中开始广泛使用。
为此，美国
硅通用半导体公司推出了SG3525，以用于驱动N沟道功率MOSFET。
SG3525是一种性能
PWM
优良、功能齐全和通用性强的单片集成PWM控制芯片，它简单可靠及使用方便灵活，输出
驱动为推拉输出形式，增加了驱动能力；内部含有欠压锁定电路、软启动控制电路、
锁存器，有过流保护功能，频率可调，同时能限制最大占空比。
其性能特点如下:
2）内置5.1V±1.0%的基准电压源。
3）芯片内振荡器工作频率宽100Hz〜400kHz。
4）具有振荡器外部同步功能。
5）死区时间可调。
为了适应驱动快速场效应管的需要，末级采用推拉式工作电路，使开关速
6）内设欠压锁定电路。
当输入电压小于8V时芯片内部锁定，停止工作（基准源及必要电路除
外），使消耗电流降至小于2mA。
8,可外接软启动电容。
7）有软启动电路。
比较器的反相输入端即软启动控制端芯片的引脚
该电容器内部的基准电压Uref由恒流源供电，达到2.5V的时间为t=（2.5V/50卩A）C,占空比由小到大（50%）变化。
8）内置PWM（脉宽调制）。
锁存器将比较器送来的所有的跳动和振荡信号消除。
只有在下
个时钟周期才能重新置位，系统的可靠性高。
I脉宽调制器SG3525简介
1.1结构框图
PWM电路，采用原理16引脚标准DIP封装。
其各引脚功能如图1所示，内
图2SG3525内部原理框图
1.2引脚功能说明
直流电源Vs从脚15接入后分两路，一路加到或非门；另一路送到基准电压稳压器的输入
端，产生稳定的元器件作为电源。
振荡器脚5须外接电容CT,脚6须外接电阻RT。
振荡
相输入端，比较器的反向输入端接误差放大器的输出，误差放大器的输出与锯齿波电压在比
脉冲送到或非门的一个输入端。
或非门的另两个输入端分别为双稳态触发器和振荡器锯齿
T2分别输出相位相差为180。
的PWM波。
2系统结构设计
直流变换器原理图。
性能指标是：
输入电压为DC24〜35V可调，输入额定电压为30V，输
出为5V/IA。
本系统由SG3525产生两路反向方波来控制MOSFET的导通与关闭，MOSF
30V直流电压，输出部分采用全波
ET驱动采用推挽方式，本设计在变压器的中心抽头加入
整流，在输出点上有分压电阻给TL431提供参考电压，并通过光电隔离反馈到SG3525，以
路中仅有一个开关的通态压降，而半桥和全桥电路有2个，因此在同样的条件下，产生的通
态损耗较小，这种拓扑特别适合输入电压较低的场合，这也是本设计为什么采用推挽变换器
低。
2.1高频变压器设计
数选择如下:
所以次
变压器输入电压幅值Up1=24V，直流输出电压5V，串联二极管串联压降取0.6V,
级绕组电压幅值Up2取5.6V，最大工作比a=045,次级绕组峰值电流Ip2=1A，次
级绕组电流有效值孑严如1上9扎，
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压器计算功率匕V
（变压器效率n取为1，这个效率不包括整流二极管在内），取工作磁感应强度Bm=170mT,
电流密度j取4.8A/mm2，铜在磁心窗口中的占空系数Km（初选时取0.2〜0.
3），实际
计算是取Km=0.25，则计算面积乘积
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0x4.Si
取EEI6磁心，它的中心磁铁截面积（Ae）19.2mm2，磁心的窗口面积（Aw）为39.
85mm2,
因此EEI6的功率容量为AeXAw=19.2X39.85mm4=0.0765cm4,而计算面积乘积
AP=O.0
29cm4,它明显小于上面的功率容量的乘积0.0765，可见采用EEl6磁心时，其功率容量已
足够大。
绕组匝数计算如下：
先确定最低电压绕组的匝数
取偶数N1=34，其中开关管最大导通时间Tcn=9us,控制器输出频率f=45kHZ。
按照原边3
4匝，副边8匝绕制变压器，在变压器的绕制过程中，为了减少变压器的漏感，要将原边绕
组和副边绕组紧密耦合。
2.2控制及驱动电路设计
采用SG3525集成PWM控制器作为控制芯片，它的外围电路简单。
电路中的锯齿波生成电
路由RT、CT和内部电路组成，本设计取CT=4700pF,RT=3.3kQ,RD=10①，经计算振
荡器输出频率是90kHz,PWM输出频率定为45kHz。
软启动电容接入端（引脚8）接一个I门
的软启动电容。
只有软启动电容充电使引脚8处于高电平时，SG3525才开始工作。
系统中的基准比较
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