hspice一些注解进阶.docx

上传人:b****4 文档编号:3927705 上传时间:2022-11-26 格式:DOCX 页数:32 大小:802.14KB
下载 相关 举报
hspice一些注解进阶.docx_第1页
第1页 / 共32页
hspice一些注解进阶.docx_第2页
第2页 / 共32页
hspice一些注解进阶.docx_第3页
第3页 / 共32页
hspice一些注解进阶.docx_第4页
第4页 / 共32页
hspice一些注解进阶.docx_第5页
第5页 / 共32页
点击查看更多>>
下载资源
资源描述

hspice一些注解进阶.docx

《hspice一些注解进阶.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《hspice一些注解进阶.docx(32页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。

hspice一些注解进阶.docx

hspice一些注解进阶

hspice-一些注解(进阶)

runlvl用来设置仿真速度与精度最高精度级别runlvl=6,1=fast(事实上设为零,将回到早先的未加入些功能的版本)6=mostaccurate。

默认的值是runlvl=3。

较低数值适合于纯数字电路或大部分数字电路。

Hspice使用的是最好保存的runlvl设置。

通常是结合.optionrunlvl=5

Ifyouset.optionACCURATEthenHSPICElimitstheRUNLVLvalueto5or6.

p1input10z0=50port=1pulse(01.5100p40p40p)

Psourcedut_in0z0=zrefport=1pulse(vlovhitdtrtf)p代表port元件

Psourcedut_inpdut_inn0z0=zrefport=1pulse(vlovhitdtrtf)这里定义的是差分的port元件

对输出部分,没有源,所以无须加source部分。

Ptermdut_out0z0=50port=2

这里要区别在.measp(m1),p()组合是表现功率。

t无损传输线,结点,阻抗,延迟

T1dut_in0node10Z0=50td=1n

par可复用par(..)输出作为其他端口的输入电压

ReusingthePAR(...)OutputasInputtoOtherElements

可使用于.print.probe的输出

.printtranv(5)par('5*cos(6.28*v(10)*v(5)*k/360)')式子要加单引号括起来

IBIS模型使用

Inputbuffer:

B_INPUTnd_pcnd_gcnd_innd_out_of_in

Outputbuffer:

B_OUTPUTnd_pund_pdnd_outnd_in[nd_pcnd_gc]

InputECLBuffer:

B_INPUT_ECLnd_pcnd_gcnd_innd_out_of_in

OutputECLBuffer:

B_OUTPUT_ECLnd_pund_outnd_in[nd_pcnd_gc]

POInon-uniformspacing非一致间隔

DATA

对如下类型的不同列组的数据,即层数据。

FileDFileEFileF

d1d2d3e4e5f6

d1d2d3e4e5f6

使用如下样板

.DATAdatanameLAM

FILE=‘file1’p1=1p2=2p3=3

FILE=‘file2’p4=1p5=2

FILE=‘file3’p6=1

.ENDDATA

传输线模型(si125)

其中W代表精确建模的传输线,包括了导体与介质损耗,T代表相对简单的无损传输线。

有关传输线损耗的两个公式:

趋肤损耗:

介质损耗:

对W模型,考虑频率相关性模型:

INCLUDEGDIMAG=yes开启了使用复杂介质损耗的模型

频率相关复介质旁路损耗

其中wp是与极化时间常数相关的角频率

Wtestwin0wout0N=1RLGCMODEL=WE1L=0.3

+INCLUDEGDIMAG=yes

.MODELWE1WMODELTYPE=RLGC,N=11维矩阵,对于多维的情况,L0=val1val2val3….

+Lo=3.8e-07

+Co=1.3e-10

+Ro=2.74e+00

+Go=0.0

+Rs=1.1e-03

+Gd=8.2e-12

+wp=0.07不输入极化常数时,此项不要。

PRINTZO输出w元件的复特征阻抗到.wzo格式的文件(lowhalf)

W1N=2in1in2gndout1out2gndRLGCMODEL=2_linel=0.1

+PRINTZO=POI31e61e91e12

其中2_line.wzo保存输出

*w-elementmodel[2_line]CharacteristicImpedanceMatrix:

.MODELZOSPN=2SPACING=POIMATRIX=SYMMETRIC

+DATA=3

+1.0e6

+175.362-156.577

+3.54758-2.53246175.362-156.577

+1.0e9

+48.7663-1.3087

+1.69417-0.007323348.7663-1.3087

+1e12

+48.95450.238574

+1.664440.034833248.95450.238574

混合阻抗矩阵

对于一个简单的养分传输线

对于一个弱耦合的对称双微带线,单线的特征阻抗Z11=Z22=50欧,Z21=Z12=0欧

传输线连接的系统模型

Delayopt准确的建立延迟模型,以保证时域仿真的准确

DELAYOPT=0|1|2todeactivate,activate,andautomaticallydetermine,默认设置为0不使用

DCACC保证低频部分的准确与收敛DCACC=0为关闭

完整的W语法(si125)其中5个例子在128页

Wxxxi1i2...iNiRo1o2...oNoRN=valL=val输入(输出)/输入(输出)参考节点

+[RLGCMODEL=name|RLGCFILE=name|UMODEL=name

+FSMODEL=name|TABLEMODEL=name|SMODEL=name]fsmodel来自场求解器

+[INCLUDERSIMAG=YES|NOFGD=val][DELAYOPT=0|1|2|3]includersimag默认考虑趋肤效应的虚部项fdg指定材料介质损耗的截止频率

+[INCLUDEGDIMAG=YES|NO][NODEMAP=XiYj[DCACC=[1|0]]

+[NOISE=[1|0]][DTEMP=val]

+[PRINTZO=frequency_sweepMIXEDMODEZO=0|1]printzo输出复阻抗可使用lindecoctpoi

+[SCALE_RS=val]

一个完整的包含W-同时调用W的例子

*W-Elementexample,four-conductorline

W1N=313502460RLGCMODEL=example_rlcl=0.97调用W元素

V110AC=1vDC=0vpulse(4.82v0v5ns0.1ns0.1ns25ns)

.AClin10000Hz1GHz

.DCv10v5v0.1v

.tran0.1ns200ns

*RLGCmatricesforafour-conductorlossy

.MODELexample_rlcWMODELTYPE=RLGCN=3使用.model对W进行详细地定义

+Lo=

+2.311e-6

+4.14e-72.988e-6

+8.42e-85.27e-72.813e-6

+Co=

+2.392e-11

+-5.41e-122.123e-11

+-1.08e-12-5.72e-122.447e-11

+Ro=

+42.5

+041.0+0033.5

+Go=+0.000609

+-0.00014190.000599

+-0.00002323-0.000090.000502

+Rs=

+0.00135

+00.001303

+000.001064

+Gd=

+5.242e-13

+-1.221e-135.164e-13

+-1.999e-14-7.747e-144.321e-13

.end

UMOEDL详情参考135(157)U模型中的RLGC是以自/互阻抗感抗的形式表示的。

W格式中R(f)=R0+sqrt(f)*(1+j)*Rs

U格式中,R=Rc+RsRc就是上式中的直流电阻。

而计算趋肤效应的起始频率Fskin=1/(15*risetime)

例子

*WElementexample,four-conductorline,Umodel

W113502460Umodel=exampleN=3l=0.97

.MODELexampleULEVEL=3NL=3Elev=2Llev=0Plev=1Nlay=2

+L11=2.311uH

+L12=0.414uHL22=2.988uH

+L13=84.2nHL23=0.527uHL33=2.813uH

+Cr1=17.43pF

+C12=5.41pFCr2=10.1pF

+C13=1.08pFC23=5.72pFCr3=17.67pF

+R1c=42.5R2c=41.0R3c=33.5

+Gr1=0.44387mS

+G12=0.1419mSGr2=0.3671mS

+G13=23.23uSG23=90uSGr3=0.38877mS

+R1s=0.00135R2s=0.001303R3s=0.001064

V110AC=1vDC=0vpulse(4.82v0v5ns0.1ns0.1ns25ns)

.AClin10000Hz1GHz

.DCv10v5v0.1v

.TRAN0.1ns200ns

.END

频率相关表格模型Frequency-DependentTabularModel见(si161)

可用来模拟传输线的任意频率特性(不支持RC传输线)

Smodel

Nodemap端口节点表近端/输入端用I,IN远端/输出端使用O,F示例如下:

NODEMAP=I1I2O1O2

****WElementExample:

SModel***

routout050

viningndLFSR(1000.1n0.1n1g1[5,2]rout=50)其中LFSR是伪随机序列产生器or线性反馈移位寄存器?

*+pulse(0100.1n0.1n0.9n2n)

W1ingndoutgndSMODEL=smodelN=1l=0.3

+NODEMAP=I1O1

.MODELsmodelSTSTONEFILE=w.s2p

+XLINELENGTH=0.3XLINELENGTH表明的是所用S参数来自的系统模型的线长。

Amusttermfor.spfileandWelement

.optaccuratepost.opitonaccurate自动设置RUNLVLvalueto5or6.

.tran.01n20n

.end

W-elementpassivenoisemodel无源噪声模型(热噪声)(.NOISEand.LINnoisecalc=1[多端口时]

+[NOISE=[1|0]][DTEMP=val]=1时,会产生2N*2N噪声-电流源相关矩阵

T-element阻抗和延迟(无损)

简单的示例

T1ingndt_outgndmodel_name1L=200m

U1ingndu_outgndmodel_name1L=200m

.modelmodel_name1ULEVEL=3PLEV=1ELEV=1wd=2mht=2mth=0.25m几何描述ELEV=1,planarstructure即平面结构PLEV=1,wd导体宽度ht,th介质维度

+KD=5KD为介质常数

理想传输线示例

TxxxinrefinoutrefoutZ0=valTD=val[L=val]

+[IC=v1,i1,v2,i2]IC=为设定传输线的初始条件,各端口初始输入电压,电流

TxxxinrefinoutrefoutZ0=valF=val[NL=val]F与NL,在频率F时,归一化电气长度(默认为1/4单位波长)为NL

+[IC=v1,i1,v2,i2]

利用场求解器来求解抽取传输线参数对应的是Welementpagesi_188

要求解趋肤阻抗,设置

.FSOPTIONSCOMPUTE_RS=yes

场求解器对应声明

.MATERIAL

.LAYERSTACK用来声明介质与金属层,但不包括导线部分,导线部分在最后的场求解指令里用conductor

.SHAPE声明形状rectangle.circlestrippolygon多边形Trapezoid梯形

示例.shaperectrectanglewidth=400e-6height=40e-6这一系列的都是类似的布局:

先名称,类型

.FSOPTIONS求解选项

.MODELwmodeltype=fieldsolver指定传输线类型为场求解器

语法

.MODELmnameWMODELTYPE=FieldSolver

+LAYERSTACK=name[FSOPTIONS=name]cood为选定座标系

+[RLGCFILE=name][COORD=0|DESCART|1|POLAR]RLGC文件名首字母必须为字母,不能为数字

+[OUTPUTFORMAT=RLGC|RLGCFILE]设置.FSOPTIONSPRINTDATAt=YES为输出RLGC文件

+CONDUCTOR=SHAPE=name[MATERIAL=name]

+[ORIGIN=(val1,val2)]

[TYPE=SIGNAL|REFERENCE|FLOATING]..导体类型:

默认signal设置为w-element中的信号节点

Floating浮空的导体,w-element中没有参考

抽取RLGC表格模型

.FSOPTIONSname[ACCURACY=HIGH|MEDIUM|LOW]

+[GRIDFACTOR=val]

+[COMPUTE_GO=YES|NO][COMPUTE_GD=NO|YES]

+[COMPUTE_RO=YES|NO][COMPUTE_RS=NO|YES|DIRECT|ITER]

+[COMPUTE_TABLE=frequency_sweep]

+[PRINTDATA=NO|YES|APPEND]

对于介质损耗项Gd,必须定义材料的损耗值才会在矩阵里出现材料声明如下Gd=2*p*tan0*Co

.MATERIALdie1DIELECTRICER=4.1LOSSTANGENT=.012

详例见194?

考虑到导体损耗的二阶效应粗糙表面

两种方法:

比例因子计算表面粗糙高度的均方值(RMS)见si196

比例因子:

Wxxxni1ni2…ref_inno1no2…ref_out

+[SCALE_RS=value]

取均方值;

.materialcoppermetalconductivity=value[roughness=value]

一个完整的场求解器指令例子:

(此例主要是生成RLGC)

***usecopper_roughsw/roughness=2um***

P3in20port=3ac=1

P4out20port=4

W2in2gndout2gndFSmodel=line1_roughN=1l=0.1

.materialdieldielectricer=4.3

.materialcoppermetalconductivity=57.6meg

.materialcopper_roughmetalconductivity=57.6meg

+ROUGHNESS=2e-6计算介质材料的粗糙高度的均方值

.shaperectrectanglewidth=400e-6height=40e-6分别定义形状

.layerstackstack1background=air叠层结构,注意顺序是从下至上,即铜层为最下层,上一层是介质

+layer=(copper,10e-6)1layer包含两个项:

材料material厚度0.5mm

+layer=(diel,200e-6)2

.fsoptionsopt1printdata=yescomputeGd=nocomputeRs=yes控制选项,不计算介质损耗Gd

.modelline1_roughWModeltype=fieldsolver,在model中完整陈述所求解的结构

+layerstack=stack1,

+fsoptions=opt1,

+Rlgcfile=line1_rough.rlgc,使用line1_rough.rlgc这个文件来存储矩阵,在同路径文件夹内

+conductor=(shape=rect,origin=(0,110e-6),material=copper_rough)conductor作用是声明导线的部分,包括三个项,material,shape,origin,如有多个导体,依次书写,如下

+conductor=(shape=rect,origin=(0,110e-6),material=copper_rough)

.optpost

.acdec1001e61e10

.end

使用多核进程技术加速场求解器ppsi_198

主要用于加速趋肤效应部分电阻Rs的计算,相对另外三部分指令+[COMPUTE_GO=NO|YES]

[COMPUTE_RS=NO|YES|DIRECT|ITER]其中direct和yes一样,使用加速,iter使用迭代的矩阵算法

Gridfactor=.fsoption中的指令,只能使用整数,用来指定确定求解形状的最终分割数乘法因子,当compute_rs=yes时,场求解器不会计算Ro.Rs.

蒙特卡罗si_207页关于蒙特卡罗的和生产工艺上尺度误差相关的例子非常好。

下面是一个使用polar座标的共轴线模型(完整例子参见si_209页)

.SHAPEcircle_1CIRCLERADIUS=0.5m

*[[LayerStack]]

.LAYERSTACKcoaxialLAYER=(diel_111m))$onlyone因为外围导体为无穷地,不要定义,所以这里只定义了中间部分的介质,而最中间部分的导体在下面的conductor中定义。

.MODELcoaxWMODELTYPE=FIELDSOLVERFSOPTIONS=myOptCOORD=polar声明使用极座标

+LAYERSTACK=coaxial,RLGCFILE=coax.rlgc

+CONDUCTOR=(SHAPE=circle_1,MATERIAL=copper,ORIGIN=(0,0))

.MODELtwinWMODELTYPE=FIELDSOLVERFSOPTIONS=myOptCOORD=polar

+LAYERSTACK=coaxial,RLGCFILE=twin.rlgc

+CONDUCTOR=(SHAPE=circle_1,MATERIAL=copper,

ORIGIN=(4.5m,0))

+CONDUCTOR=(SHAPE=circle_1,MATERIAL=copper,

ORIGIN=(4.5m,180))

由于使用polar座标系,只须定义半径与角度

而且Onlyonedielectricispermittedandthedielectriclayerissurroundedbyground.

就是只要定义中央的导体部分,外围为无穷地,且把介质完全包围起来。

(见si_208)

IBIS模型支持DC,AC,transientanalysis

bxxxnode_1node_2...node_N所有外部结点

+file='filename'model='model_name'指定所用到的IBIS的名字以及相关的model

+keyword_1=value_1...[keyword_M=value_M]可选关键词

+M=num乘法因子,正整数

解决超频以及输入过载带来的问题,si_217

rm_dly_rwf=default|rdly_time_value值设为正数值

rm_dly_fwf=default|fdly_time_value

rm_tail_rwf=default|rtail_time_value

rm_tail_fwf=default|ftail_time_value

各种buffer

Input输入BUFFERsi_218

B_INPUTnd_pcnd_gcnd_innd_out_of_in共4个节点,node_in的观测电压可在node_out_of_in探测看

+file='filename'model='model_name'

+[typ={typ|min|max|fast|slow}][power={on|off}]如果设置power=on,那么地/电钳位连接并开启(所以不要再把它们连接到电源或地上),如果power=off,那么就要另外通过RLC或传输线来连接电源到这些结点

+[buffer={1|input}]

+[interpol={1|2}]

+[nowarn]

+[c_com_pc=c_com_pc_value]

+[c_com_gc=c_com_gc_value]

+[pc_scal=pc_scal_value]

+[gc_scal=gc_scal_value]

打印时,.PRINTV(nd_pc)V(nd_gc)

Output输出BUFFER

B_OUTPUTnd_pund_pdnd_outnd_in[nd_

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索

当前位置:首页 > 考试认证 > 其它考试

copyright@ 2008-2022 冰豆网网站版权所有

经营许可证编号:鄂ICP备2022015515号-1