电力电子技术课程总结.docx

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电力电子技术课程总结

学号：

1111111111

HefeiUniversity

功率变换技术课程综述

报告题目：

IGBT研究现状及发展趋势

专业班级：

XXXXXXXXXXXX

学生姓名：

XXX

教师姓名：

ZZZZZ老师

完成时间：

2017年5月14日

IGBT研究现状及发展趋势

中文摘要

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。

IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

关键词：

IGBT；半导体；研究现状；发展前景

PresentsituationanddevelopmenttrendofIGBTresearch

ABSTRACT

IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）,insulatedgatebipolartransistor,iscomposedofBJT（bipolartransistor）andMOS（insulatedgateFET）compositefullcontrolledvoltagecomposedofdrivenpowersemiconductordevices,hastheadvantagesofhighinputimpedanceandlowconductanceGTRwithMOSFETthroughthetwoaspectspressuredrop.TheGTRsaturationvoltageisreduced,thecarriercurrentdensityislarge,butthedrivingcurrentislarge.ThedrivingpowerofMOSFETisverysmallandtheswitchingspeedisfast,buttheturn-onvoltagedropislargeandthecarriercurrentdensityissmall.IGBTcombinestheadvantagesoftheabovetwodevices,smalldrivingpowerandlowersaturationvoltage

KEYWORD:

IGBT;Semiconductor;Status;Developmentprospect

.

一、引言1

二、IGBT介绍1

2.1什么是IGBT1

2.2IGBT的各种有关参数2

2.3驱动方式及驱动功率2

三、存在的问题4

四、研究现状5

五、发展趋势6

参考文献7

一、引言

自20世纪50年代末第一只晶闸管问世以来,电力电子技术开始登上现代电气传动技术舞台,以此为基础开发的可控硅整流装置,是电气传动领域的一次革命,使电能的变换和控制从旋转变流机组和静止离子变流器进入由电力电子器件构成的变流器时代,这标志着电力电子的诞生。

进入70年代晶闸管开始形成由低电压小电流到高电压大电流的系列产品,普通晶闸管不能自关断的半控型器件,被称为第一代电力电子器件。

随着电力电子技术理论研究和制造工艺水平的不断提高,电力电子器件在容易和类型等方面得到了很大发展,是电力电子技术的又一次飞跃,先后研制出GTR.GTO,功率MOSFET等自关断全控型第二代电力电子器件。

而以绝缘栅双极晶体管（IGBT）为代表的第三代电力电子器件,开始向大容易高频率、响应快、低损耗方向发展。

二、IGBT介绍

2.1什么是IGBT

绝缘栅双极晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT）是在金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）和双极晶体管（Bipolar）基础上发展起来的一种新型复合功率器件，具有MOS输入、双极输出功能。

IGBT集Bipolar器件通态压降小、载流密度大、耐压高和功率MOSFET驱动功率小、开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好的优点于一身。

作为电力电子变换器的核心器件，为应用装置的高频化、小型化、高性能和高可靠性奠定了基础。

自IGBT商业化应用以来，作为新型功率半导体器件的主型器件，IGBT在1—100kHz的频率应用范围内占据重要地位，其电压范围为600V—6500V，电流范围为1A—3600A（140mmx190mm模块）。

IGBT广泛应用于工业、4C（通信、计算机、消费电子、汽车电子）、航空航天、国防军工等传统产业领域以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域。

采用IGBT进行功率变换，能够提高用电效率和质量，具有高效节能和绿色环保的特点，是解决能源短缺问题和降低碳排放的关键支撑技术，因此被称为功率变流产品的“CPU”、“绿色经济之核”。

在未来很长一段时间内，为适应全球降低CO2排放的战略需要，IGBT必将扮演更为重要的角色，是节能技术和低碳经济的重要支点。

2.2IGBT的各种有关参数

2.2.1容量

低功率IGBT应用范围一般都在600V、1KA、1KHZ以上区域，为满足家电行业的需求，ST半导体，三菱公司推出低功率IGBT产品，适用于微波炉，洗衣机等。

而非传统性IGBT采用薄片技术，在性能上高速，低损耗，在设计600V-1200V的IGBT时，其可靠性最高。

2.2.2开关频率

IGBT的开通过程按时间可以分为四个过程，如下：

第一：

门射电压Vge小于阀值电压Vth时。

其门极电阻RG和门射电容CGEI的时间常数决定这一过程。

当器件的集电极电流IC 和集射电压VCE均保持不变时，CGEI就是影响其导通延迟时间tdon的唯一因素。

第二：

当门射电压Vge达到其阀值电压时，开通过程进入第二阶段，IGBT开始导通，其电流上升速率dI/dt的大小与门射电压Vge和器件的跨导gfs有如下关系：

dIc/dt=gfs（Ic）＊dVge/dt。

其中，dVge/dt由器件的门极电阻Rg和门射电容CGEI所决定（对于高压型IGBT来说，门集电容Cgc可忽略不计）。

第三：

第三阶段从集电极电流达到最大值ICmax。

第四：

通之后，器件进入稳定的导通状态。

2.2.3关断过程

当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内。

在任何情况下，如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是因为换向开始后，在N层内还存在少数的载流子（少子）。

这种残余电流值（尾流）的降低，完全取决于关断时电荷的密度，而密度又与几种因素有关，如掺杂质的数量和拓扑，层次厚度和温度。

少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形，集电极电流引起以下问题：

功耗升高；交叉导通问题，特别是在使用续流二极管的设备上，问题更加明显。

鉴于尾流与少子的重组有关，尾流的电流值应与芯片的温度、IC和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。

因此，根据所达到的温度，降低这种作用在终端设备设计上的电流的不理想效应是可行的。

2.3驱动方式及驱动功率

2.3.1栅极驱动电压

因IGBT栅极—发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行驱动，但IGBT的输入电容较MOSFET大，所以IGBT的驱动偏压应比MOSFET驱动所需偏压强。

在+20℃情况下，实测60A，1200V以下的IGBT开通电压阀值为5～6V，在实际使用时，为获得最小导通压降，应选取Ugc≥（1.5～3）Uge（th），当Uge增加时，导通时集射电压Uce将减小，开通损耗随之减小，但在负载短路过程Uge增加，集电极电流Ic也将随之增加，使得IGBT能承受短路损坏的脉宽变窄，因此Ugc的选择不应太大，这足以使IGBT完全饱和，同时也限制了短路电流及其所带来的应力（在具有短路工作过程的设备中，如在电机中使用IGBT时，+Uge在满足要求的情况下尽量选取最小值，以提高其耐短路能力）。

2.3.2对电源的要求

对于全桥或半桥电路来说，上下管的驱动电源要相互隔离，由于IGBT是电压控制器件，所需要的驱动功率很小，主要是对其内部几百至几千皮法的输入电容的充放电，要求能提供较大的瞬时电流，要使IGBT迅速关断，应尽量减小电源的内阻，并且为防止IGBT关断时产生的du/dt误使IGBT导通，应加上一个-5V的关栅电压，以确保其完全可靠的关断（过大的反向电压会造成IGBT栅射反向击穿，一般为-2～10V之间）。

2.3.3对驱动波形的要求

从减小损耗角度讲，门极驱动电压脉冲的上升沿和下降沿要尽量陡峭，前沿很陡的门极电压使IGBT快速开通，达到饱和的时间很短，因此可以降低开通损耗，同理，在IGBT关断时，陡峭的下降沿可以缩短关断时间，从而减小了关断损耗，发热量降低。

但在实际使用中，过快的开通和关断在大电感负载情况下反而是不利的。

因为在这种情况下，IGBT过快的开通与关断将在电路中产生频率很高、幅值很大、脉宽很窄的尖峰电压Ldi/dt，并且这种尖峰很难被吸收掉。

此电压有可能会造成IGBT或其他元器件被过压击穿而损坏。

所以在选择驱动波形的上升和下降速度时，应根据电路中元件的耐压能力及du/dt吸收电路性能综合考虑。

2.3.4对驱动功率的要求

由于IGBT的开关过程需要消耗一定的电源功率，最小峰值电流可由下式求出：

IGP=△Uge/RG+Rg；式中△Uge=+Uge+|Uge|；RG是IGBT内部电阻；Rg是栅极电阻。

驱动电源的平均功率为：

PAV=Cge△Uge2f，（*式中f为开关频率；Cge为栅极电容）。

2.3.5栅极电阻

为改变控制脉冲的前后沿陡度和防止震荡，减小IGBT集电极的电压尖峰，应在IGBT栅极串上合适的电阻Rg。

当Rg增大时IGBT导通时间延长，损耗发热加剧;Rg减小时，di/dt增高，可能产生误导通，使IGBT损坏。

应根据IGBT的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取Rg的数值。

通常在几欧至几十欧之间（在具体应用中，还应根据实际情况予以适当调整）。

另外为防止门极开路或门极损坏时主电路加电损坏IGBT，建议在栅射间加入一电阻Rge，阻值为10kΩ左右。

2.3.6栅极布线要求

合理的栅极布线对防止潜在震荡，减小噪声干扰，保护IGBT正常工作有很大帮助：

（1）布线时须将驱动器的输出级和lGBT之间的寄生电感减至最低（把驱动回路包围的面积减到最小）；

（2）正确放置栅极驱动板或屏蔽驱动电路，防止功率电路和控制电路之间的耦合；

（3）应使用辅助发射极端子连接驱动电路；

（4）驱动电路输出不能和IGBT栅极直接相连时，应使用双绞线连接；

（5）栅极保护，箝位元件要尽量靠近栅射极。

2.3.7隔离问题

由于功率IGBT在电力电子设备中多用于高压场合，所以驱动电路必须与整个控制电路在电位上完全隔离。

三、存在的问题

因为IGBT工作时，其漏极区（p+区）将要向漂移区（n-区）注入少数载流子——空穴，则在漂移区中存储有少数载流子电荷；当IGBT关断（栅极电压降为0）时，这些存储的电荷不能立即去掉，从而IGBT的漏极电流也就相应地不能马上关断，即漏极电流波形有一个较长时间的拖尾——关断时间较长（10～50ms）。

所以IGBT的工作频率较低。

为了缩短关断时间，可以采用电子辐照等方法来降低少数载流子寿命，但是这将会引起正向压降的增大等弊病。

IGBT中存在有寄生晶闸管—MOS栅控的n+-p-n-p+晶闸管结构，这就使得器件的最大工作电流要受到此寄生晶闸管闭锁效应的限制（采用阴极短路技术可以适当地减弱这种不良影响）。

四、研究现状

最近20年中，IGBT的发展很快，技术改进方案很多，并且实用化。

每种改进措施的采取，都会把IGBT的性能向前推进。

其中，最重要的还是不断把“通态压降—开关时间”的矛盾处理到更为优化的折衷点。

不同公司宣布自己研制生产的IGBT进入了第X代。

但是，总体看，随着重大技术改进措施的成功，可以把IGBT的演变归纳成以下五代。

（1）第一代：

即平面栅（PT）型。

它提出了在功率MOS场效应管结构中引入一个漏极侧pn结以提供正向注入少数载流子实现电导调制来降低通态压降的基本方案。

（2）第二代：

采用缓冲层，精密控制图形和少子寿命的平面栅穿通（PT）型外延衬底IGBT。

器件纵向采用n′缓冲层，既可以减薄有效基区厚度和硅片总厚度来减小通态压降，又能降低该发射结的注入系数，以抑制“晶闸管效应”。

器件横向（平面）采用精密图形，减少每个元胞的尺寸，提高器件的开关速度。

再采用专门的扩铂与快速退火措施，以控制基区内少数载流子寿命的较合理分布。

这样的IGBT耐压达到1200V，通态压降达到2.1-2.3V，锁定效应得到有效抑制。

这时，IGBT已经充分实用化了。

（3）第三代：

沟槽栅（Trench gate）型IGBT。

这一代IGBT采取沟槽栅结构代替平面栅。

在平面栅结构中，电流流向与表面平行的沟道时，栅极下面由P阱区围起来的一个结型场效应管（J-FET）是电流的必经之路，它成为电流通道上的一个串联电阻。

在沟槽栅结构中，这个栅下面的J-FET是被干法刻蚀的工艺很好地挖去了，连同包围这个区域、延伸到原来栅极下构成沟道的部分P区层也都挖掉。

于是n+发射源区和留下的P区层就暴露在该沟槽的侧壁，通过侧壁氧化等一系列特殊加工，侧壁氧化层外侧的P区内形成了垂直于硅片表面的沟道。

（4）第四代：

非穿通（NPT）型IGBT。

随着阻断电压突破2000V的需求，IGBT中随承受电压的基区宽度超过150微米。

这时靠高阻厚外延来生成硅衬底的做法，不仅十分昂贵（外延成本同外延层厚度成正比），而且外延层的掺杂浓度和外延层厚度的均匀性都难以保证。

这时，采用区熔单晶硅片制造IGBT的呼声日渐成熟，成本可以大为降低，晶体完整性和均匀性得到充分满足。

（5）第五代：

电场截止（FS）型。

当单管阻断电压进一步提高，硅片的基区厚度就会急剧增加。

于是，IGBT的通态压降势必随其耐压的提高而增大。

FS型IGBT吸收了PT型和NPT型两类器件的优点，形成硅片厚度比NPT型器件薄约1/3、又保持正电阻温度系数单极特征的各项优点。

五、发展趋势

IGBT作为电力电子领域非常理想的开关器件，各种新结构、新工艺及新材料技术还在不断涌现，推动着IGBT芯片技术的发展，其功耗不断降低，工作结温不断升高，从125℃提升到了175℃并向200℃迈进，并可以在芯片上集成体二极管，形成逆导IGBT（RC-IGBT/BIGT），无需再反并联续流二极管，在相同的封装尺寸下，可将模块电流提高30%，还可以将电流及温度传感器集成到芯片内部，实现芯片智能化。

IGBT芯片内部集成传感器通过对IGBT芯片的边缘结构进行隔离处理，可以形成具有双向阻断能力的IGBT（RB-IGBT）,在双向开关应用中无需再串联二极管，并具有更小的漏电流及更低的损耗。

与此同时，IGBT的工艺水平也在不断提升，许多先进工艺技术，如离子注入、精细光刻等被应用到IGBT制造上。

IGBT芯片制造过程中的最小特征尺寸已由5um，到3um，到1um，甚至达到亚微米的水平。

采用精细制造工艺可以大幅提高功率密度，同时可以降低结深，减小高温扩散工艺，从而使采用12英寸甚至更大尺寸的硅片来制造IGBT成为可能。

随着薄片与超薄片加工工艺的发展，英飞凌在8英寸硅片上制造了厚度只有40um的芯片样品，不久的未来有望实现产品化应用。

此外，新材料如宽禁带半导体材料技术的发展，可以实现更低功耗、更大功率容量、更高工作温度的器件，其中SiC成为目前的大功率半导体的主要研究方向，并在单极器件上实现商品化，在IGBT等双极器件的研究上也不断取得进展。

目前IGBT主要受制造工艺及衬底材料的缺陷限制，例如沟道迁移率及可靠性、电流增益较小及高掺杂P型衬底生长等问题，未来随着材料外延技术的发展，SiC IGBT将会实现突破。

参考文献

[1]王兆安，黄俊电力电子技术[M].4版.北京：

机械工业出版社，2000.

[2]陈志明.电力电子器件基础[M].北京：

机械工业出版社，1992

[3] 周志敏，周纪海，纪爱华.IGBT和IPM及其应用电路，北京：

人民邮电出版社，2006.3   

[4] 刘国友, 罗海辉, 刘可安等.牵引用3300V IGBT芯片均匀性及其对可靠性的影响[J]，机车电传动，2013, No.231（02） 6-9