光刻工艺基础知识PHOTO.docx
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光刻工艺基础知识PHOTO
光刻工艺基础知识PHOTO（注：
引用资料）
光刻工艺基础知识
PHOTO
PHOTO流程?
答：
上光阻→曝光→显影→显影后检查→CD量测→Overlay量测
何为光阻？
其功能为何？
其分为哪两种？
答：
Photoresist（光阻）.是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩（Reticle）上传递到Wafer上的一种介质。
其分为正光阻和负光阻。
何为正光阻?
答：
正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。
何为负光阻?
答：
负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。
什幺是曝光？
什幺是显影？
答：
曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。
何谓Photo?
答：
Photo=Photolithography,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。
Photo主要流程为何?
答：
Photo的流程分为前处理，上光阻，SoftBake,曝光，PEB，显影，HardBake等
。
何谓PHOTO区之前处理?
答：
在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。
前处理主要包括Bake，HDMS等过程。
其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS工作，以使Wafer表面更容易与光阻结合。
何谓上光阻?
答：
上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。
光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。
何谓SoftBake?
答：
上完光阻之后，要进行SoftBake，其主要目的是通过SoftBake将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。
何谓曝光?
答：
曝光是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程，同时将光罩上的图形传递到Wafer上的过程。
何谓PEB（PostExposureBake）?
答：
PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程。
其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。
何谓显影?
答：
显影类似于洗照片，是将曝光完成的Wafer进行成象的过程，通过这个过程，成象在光阻上的图形被显现出来。
何谓HardBake?
答：
HardBake是通过烘烤使显影完成后残留在Wafer上的显影液蒸发，并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。
何为BARC?
何为TARC?
它们分别的作用是什幺？
答：
BARC=BottomAntiReflectiveCoating,TARC=TopAntiReflectiveCoating.BARC是被涂布在光阻下面的一层减少光的反射的物质，TARC则是被涂布在光阻上表面的一层减少光的反射的物质。
他们的作用分别是减少曝光过程中光在光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。
何谓I-line？
答：
曝光过程中用到的光，由MercuryLamp（汞灯）产生，其波长为365nm，其波长较长，因此曝光完成后图形的分辨率较差，可应用在次重要的层次。
何谓DUV？
答：
曝光过程中用到的光，其波长为248nm，其波长较短，因此曝光完成后的图形分辨ott率较好，用于较为重要的制程中。
I-line与DUV主要不同处为何?
答：
光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。
I-Line主要用在较落后的制程（0.35微米以上）或者较先进制程（0.35微米以下）的Non-Criticallayer。
DUV则用在先进制程的Criticallayer上。
何为ExposureField?
答：
曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域
何谓Stepper?
其功能为何?
答：
一种曝光机，其曝光动作为Stepbystep形式,一次曝整個exposurefield,一個一個曝過去
何谓Scanner?
其功能为何?
答：
一种曝光机，其曝光动作为Scanningandstep形式,在一個exposurefield曝光時,先Scan完整個field,Scan完後再移到下一個field.
何为象差？
答：
代表透镜成象的能力,越小越好.
Scanner比Stepper优点为何？
答：
ExposureField大，象差较小
曝光最重要的两个参数是什幺？
答：
Energy（曝光量）,Focus（焦距）。
如果能量和焦距调整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的图形，主要表现在图形的CD值超出要求的范围。
因此要求在生产时要时刻维持最佳的能量和焦距，这两个参数对于不同的产品会有不同。
何为Reticle?
答：
Reticle也称为Mask，翻译做光掩模板或者光罩，曝光过程中的原始图形的载体，通过曝光过程，这些图形的信息将被传递到芯片上。
何为Pellicle?
答：
Pellicle是Reticle上为了防止灰塵（dust）或者微塵粒子（Particle）落在光罩的图形面上的一层保护膜。
何为OPC光罩？
答：
OPC（OpticalProximityCorrection）为了增加曝光图案的真实性，做了一些修正的光罩，例如，0.18微米以下的Poly,Metallayer就是OPC光罩。
何为PSM光罩？
答：
PSM（PhaseShiftMask）不同于Crmask,利用相位干涉原理成象，目前大都应用在contactlayer以及较小CD的Criticallayer（如AA，POLY，METAL1）以增加图形的分辨率。
何为CRMask？
答：
传统的铬膜光罩,只是利用光讯0与1干涉成像,主要应用在较不Critical的layer
光罩编号各位代码都代表什幺？
答：
例如003700-156AA-1DA,0037代表产品号，00代表Specialcode,156代表layer,A代表客户版本，后一个A代表SMIC版本，1代表FAB1，D代表DUV（如果是J,则代表I-line）,A代表ASML机台（如果是C，则代表Canon机台）
光罩室同时不能超过多少人在其中？
答：
2人，为了避免产生更多的Particle和静电而损坏光罩。
存取光罩的基本原则是什幺？
答：
（1）光罩盒打开的情况下，不准进出MaskRoom,最多只准保持2个人
（2）戴上手套
（3）轻拿轻放
如何避免静电破坏Mask？
答：
光罩夹子上连一导线到金属桌面，可以将产生的静电导出。
光罩POD和FOUP能放在一起吗？
它们之间至少应该保持多远距离？
答：
不能放在一起，之间至少要有30公分的距离，防止搬动FOUP时碰撞光罩Pod而损坏光罩。
何谓Track?
答：
Photo制程中一系列步骤的组合，其包括：
Wafer的前、后处理，Coating（上光阻），和Develop（显影）等过程。
In-lineTrack机台有几个Coater槽，几个Developer槽？
答：
均为4个
机台上亮红灯的处理流程？
答：
机台上红灯亮起的时候表明机台处于异常状态，此时已经不能RUN货，因此应该及时CallE.E进行处理。
若EE现在无法立即解决，则将机台挂DOWN。
何谓WEE?
其功能为何?
答：
WaferEdgeExposure。
由于Wafer边缘的光阻通常会涂布的不均匀，因此一般不能得到较好的图形，而且有时还会因此造成光阻peeling而影响其它部分的图形，因此将WaferEdge的光阻曝光，进而在显影的时候将其去除，这样便可以消除影响。
何为PEB？
其功能为何？
答：
PostExposureBake，其功能在于可以得到质量较好的图形。
（消除standingwaves）
PHOTOPOLYIMIDE所用的光阻是正光阻还是负光阻
答：
目前正负光阻都有，SMICFAB内用的为负光阻。
RUN货结束后如何判断是否有wafer被reject？
答：
查看RUN之前lot里有多少Wafer,再看Run之后lot里的WAFER是否有少掉，如果有少，则进一步查看机台是否有Reject记录。
何谓Overlay?
其功能为何?
答：
迭对测量仪。
由于集成电路是由很多层电路重迭组成的，因此必须保证每一层与前面或者后面的层的对准精度，如果对准精度超出要求范围内，则可能造成整个电路不能完成设计的工作。
因此在每一层的制作的过程中，要对其与前层的对准精度进行测量，如果测量值超出要求，则必须采取相应措施调整processcondition.
何谓ADICD?
答：
CriticalDimension，光罩图案中最小的线宽。
曝光过后，它的图形也被复制在Wafer上，通常如果这些最小的线宽能够成功的成象，同时曝光的其它的图形也能够成功的成象。
因此通常测量CD的值来确定process的条件是否合适。
何谓CD-SEM?
其功能为何?
答：
扫描电子显微镜。
是一种测量用的仪器，通常可以用于测量CD以及观察图案。
PRS的制程目的为何？
答：
PRS（ProcessReleaseStandard）通过选择不同的条件（能量和焦距）对Wafer曝光，以选择最佳的processcondition。
何为ADI？
ADI需检查的项目有哪些？
答：
AfterDevelopInspection，曝光和显影完成之后，通过ADI机台对所产生的图形的定性检查，看其是否正常，其检查项目包括：
LayerID,LockingCorner,Vernier,PhotoMacroDefect
何为OOC,OOS，OCAP？
答：
OOC=outofcontrol,OOS=OutofSpec,OCAP=outofcontrolactionplan
当需要追货的时候，是否需要将ETCH没有下机台的货追回来？
答：
需要。
因为通常是process出现了异常，而且影响到了一些货，因此为了减少损失，必须把还没有ETCH的货追回来，否则ETCH之后就无法挽回损失。
PHOTOADI检查的SITE是每片几个点？
答：
5点，Wafer中间一点，周围四点。
PHOTOOVERLAY检查的SITE是每片几个点？
答：
20
PHOTOADI检查的片数一般是哪几片？
答：
#1，#6，#15，#24;统计随机的考量
何谓RTMS，其主要功能是什幺？
答：
RTMS（ReticleManagementSystem）光罩管理系统用于trace光罩的History,Status,Location,andInformation以便于光罩管理
PHOTO区的主机台进行PM的周期？
答：
一周一次
PHO
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