最新-物理师试题解析版第五部分真题部分.pdf

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真题解析之包子整理版仅供学习参考，请勿商用（第五篇真题解析篇）第1页共14页有关治疗电子束的产生的历年真题（2015.82）直线加速器作电子线治疗时，电子束不穿过的部件是（B）A、偏转磁场B、均整块C、监测电离室D、准直器E、散射片（2013.9）加速器产生的高能电子束，在经过散射箔、空气等介质后，其能谱的变化规律应为（D）A、先变窄，后变宽B、先变宽，后变窄C、不变D、逐渐变宽E、逐渐变窄（2011.10）直线加速器作电子线治疗时，电子束不穿过的部件是（B）A、偏转磁场B、均整块C、监测电离室D、准直器E、散射片（2010.45）电子束治疗多为表浅的肿瘤，一般选择深度（C）A、2cmB、3cmC、5cmD、10cmE、25cm有关带电粒子与物质相互作用的历年真题（2015.76）电子质量碰撞阻止本领与靶物质的每克电子数之间的关系是（B）A、没有关系B、一次方正比C、一次方反比D、平方反比E、平方正比（2015.87）在放射治疗中所应用的电子束能量范围内，电子在组织中损失能量的首要方式为（A）A、与组织中原子核外电子发生多次非弹性碰撞逐渐损失能量B、与组织中原子核发生多次非弹性碰撞逐渐损失能量C、与组织中原子核发生多次弹性碰撞逐渐损失能量D、与组织中自由电子发生湮灭辐射一次损失全部能量真题解析之包子整理版仅供学习参考，请勿商用（第五篇真题解析篇）第2页共14页E、与组织中原子核发生核反应损失全部能量（2014.21）关于电子的质量辐射阻止本领，不正确的是（D）A、SI单位是JKg-1m-2B、描述单位质量厚度的辐射能量损失C、与入射电子的能量成正比D、与靶原子的原子序数成反比E、与靶物质的每克电子数无关（2012.38）电子束的百分深度剂量随照射野增大而变化极小的条件是，照射野的直径与电子束射程比值（C）A、大于1B、等于1C、大于0.5D、等于0.5E、小于0.5（2012.59）描述高能电子与介质相互作用，是通过下述哪种方式损失能量（A）A、碰撞损失（利用阻止本领计算）B、照射量C、吸收剂量D、深度剂量E、吸收系数（2011.62）阻止本领是描述高能电子穿过单位路径长度介质时的（E）A、方向改变B、数量损失C、通量损失D、动量损失E、能量损失（2011.63）关于碰撞（电离）阻止本领，正确的是（E）A、光子与原子轨道电子的相互作用B、电子与原子轨道电子的相互作用C、质子与原子轨道电子的相互作用D、中子与原子轨道电子的相互作用E、带电离子与原子轨道电子的相互作用（2010.100）放射治疗所用的电子线能量通常不大于30MeV，关于能量损失的叙述，不正确的是（E）A、以碰撞损失为主B、以辐射损失为主C、碰撞损失和辐射损失几乎相同D、较低能量时，以碰撞损失为主真题解析之包子整理版仅供学习参考，请勿商用（第五篇真题解析篇）第3页共14页E、较低能量时，以辐射损失为主有关电子束百分深度剂量的历年真题（2015.32）不属于高能电子束百分深度剂量的是（B）A、剂量建成区B、低剂量坪区C、高剂量坪区D、X射线污染区E、剂量跌落区（2015.100多选题）影响电子线深度剂量分布的因素有（ACDE）A、电子线能量B、电子剂量率C、照射野D、有效源皮距E、入射角度（2014.14）电子束表面剂量随能量增加而（B）A、降低B、增加C、不变D、不确定E、随机变化（2014.46）不属于高能电子束百分深度剂量曲线组成部分的是（E）A、剂量建成区B、高剂量坪区C、X射线污染区D、剂量跌落区E、指数衰减区（2014.52）用高能电子束治疗靶区后缘深度为3cm的肿瘤时，电子束的能量应该选择（D）A、6MeVB、8MeVC、9MeVD、12MeVE、15MeV解析：

方法一，用治疗射程R90来解，因为要治疗的肿瘤深度为3cm，所以我们要把治疗射程R90定位到3cm，即E=43=12MeV；方法二，根据能量E与深度d后的计算公式：

E=d后3+23代入公式得E=1112，根据选项选D。

真题解析之包子整理版仅供学习参考，请勿商用（第五篇真题解析篇）第4页共14页（2014.56）描述电子束百分深度剂量的参数不包括（E）A、DS（表面剂量）B、DX（韧致辐射剂量）C、RT（剂量规定值深度）D、RP（射程）E、DT（剂量规定值）（2014.68）描述照射对电子束百分深度剂量的影响，正确的是（E）A、较高能量的电子束，照射野对百分深度剂量无影响B、较低能量的电子束，照射野对百分深度剂量无影响C、较低能量的电子束，较大照射野对百分深度剂量影响较大D、较高能量的电子束，较大照射野对百分深度剂量影响较大E、较高能量的电子束，较小照射野对百分深度剂量影响较大（2013.37）12MeV的Rp是（D）A、2.9cmB、4.0cmC、4.8cmD、6.0cmE、7.5cm（2013.55）电子束剂量分布中X射线成分来源于（D）A、靶B、电子窗C、均整器D、散射箔E、限光筒（2011.6）电子束中心轴深度剂量曲线同兆伏级光子束相比（A）A、表面剂量高、剂量迅速陡降B、表面剂量高、剂量迅速提高C、表面剂量不变、剂量不变D、表面剂量低、剂量迅速陡降E、表面剂量低、剂量迅速提高（2011.19）不属于高能电子束百分深度剂量曲线组成部分的是（E）A、剂量建成区B、高剂量坪区C、X射线污染区D、剂量跌落区E、指数衰减区（2011.24）电子束的射程（cm）约为电子束能量（MeV）的（C）A、1/4真题解析之包子整理版仅供学习参考，请勿商用（第五篇真题解析篇）第5页共14页B、1/3C、1/2D、2/3E、3/4（2011.69）8MeV的R80是多少cm（B）A、1.8B、2.6C、3.3D、4.lE、5.2（2011.93）高能电子束的深度剂量曲线分为剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区和X射线污染区，治疗肿瘤时应使靶区位于（B）A、剂量建成区B、高剂量坪区C、剂量建成区和高剂量坪区D、高剂量坪区和剂量跌落区E、剂量跌落区和X射线污染区（2011.126）电子束PDD曲线表示电子束的治疗射程（E）A、RqB、RpC、RmaxD、R50E、R90（2009.41）关于能量对电子束百分深度剂量的影响，哪项描述正确（D）A、随射线能量增加，表面剂量减少B、随射线能量增加，剂量建成更迅速C、随射线能量减小，高剂量坪区变宽D、随射线能量减小，剂量梯度增大E、随射线能量减小，X射线污染减少解析：

很抱歉，当时这条题目没看仔细，答案应该选D，至于E项，因为随着能量的降低，X射线污染（主要韧致辐射）产生的几率几乎越来越低，所以随着射线能量降低，X射线污染先减少，后几乎保持不变。

（2009.51）剂量跌落的公式表达是（C）A、G=Rp/（Rq-Rp）B、G=Rp/（Rq+Rp）C、G=Rp/（Rp-Rq）真题解析之包子整理版仅供学习参考，请勿商用（第五篇真题解析篇）第6页共14页D、G=Rq/（Rq-Rp）E、G=Rq/（Rq+Rp）（2009.68）电子束斜入射对百分深度剂量的影响是（C）A、源于电子束的侧向散射效应B、距离平方反比造成的线束的扩散效应C、源于电子束的侧向散射效应和距离平方反比造成的线束的扩散效应的双重作用的结果D、源于电子束的偏射角度E、源于射程的增加（2009.84）电子射程（Rp）的定义是（D）A、水中百分深度剂量或深度电离曲线下降部分梯度最大点的切线，与入射表面剂量DS水平线交点处的深度B、水中百分深度剂量或深度电离曲线下降部分梯度最大点的切线，与半峰值剂量深度R50水平线交点处的深度C、水中百分深度剂量或深度电离曲线下降部分梯度最大点的切线，与Dm水平线交点处的深度D、水中百分深度剂量或深度电离曲线下降部分梯度最大点的切线，与轫致辐射部分外推延长线交点处的深度E、水中百分深度剂量或深度电离曲线下降部分梯度最大点的切线，与R85即有效治疗深度水平线交点处的深度（2009.86）电子束百分深度剂量曲线的高剂量“坪区”的形成原因是（E）A、电子束无明显建成效应B、电子束的皮肤剂量较高C、电子束的照射范围平坦D、电子束射程较短E、电子束容易被散射有关电子束能量参数的历年真题（2015.28）高能电子线的模体表面的平均能量的单位是（A）A、MeVB、JC、cm-1D、MeVcm-1E、Sv（2015.38）对于表面平均能量为E0电子束，在深度z处的电子束的平均能量可近似用下式表示（E）A、Ez=E0/（1+z/Rp）B、Ez=E0/（1-z/R50）C、Ez=E0/（1+z/R50）D、Ez=E0（1+z/R50）E、Ez=E0（1-z/Rp）真题解析之包子整理版仅供学习参考，请勿商用（第五篇真题解析篇）第7页共14页（2015.71）在源皮距为100，照射野1010的参考条件下测量得到某电子束水模体深度吸收剂量曲线，根据曲线测得电子射程为9，则按照IAEA方法，模体表面最可几能量为（E）A、6.24MeVB、9.24MeVC、12.24MeVD、15.24MeVE、18.24MeV（2014.36）E0和R50的经验关系如公式E0=CR50所示，常数C的大小是（B）A、2MeV/cmB、2.33MeV/cmC、3MeV/cmD、3.33MeV/cmE、4.33MeV/cm（2009.29）高能电子束在模体表面的平均能量为（E）A、2.33RPB、2.33/R85C、2.33/R50D、2.33R85E、2.33R50（2013.67）根据电子射程可计算高能电子束体模表面最大可几能量，计算公式Ep.0=C1+C2Rp+C3R2p中，C3的量纲为（E）A、MeVB、MeVcmC、MeVcm2D、MeVcm-1E、MeVcm-2解析：

因Rp的单位量纲是cm，模体表面最大可几能量单位为MeV；所以推出C3的量纲为MeVcm-2。

（2013.80）根据IEC标准，电子线的半影定义在哪个深度的平面（A）A、最大剂量深度B、90%剂量深度C、90%剂量深度的50%D、80%剂量深度E、80%剂量深度的50%解析：

InternationalElectrotechnicalCommission（IEC1989）definesthestandardmeasurementdepthashalfthedepthofthedistal80%doseonthecentralaxis。

Thepenumbraforelectronbeamsisdefinedeitherintermsofthedistancebetweentwoisodosevaluesonabeamprofileatthedepthofmaximumdose（oratthestandardmeasurementdepth）。

真题解析之包子整理版仅供学习参考，请勿商用（第五篇真题解析篇）第8页共14页E项错误的原因是少了中心轴上。

（2011.60）根据IEC标准，电子线的半影定义在哪个深度的平面（A）A、最大剂量深度B、90%剂量深度C、90%剂量深度的50%D、80%剂量深度E、80%剂量深度的50%（2010.59）根据IEC标准，电子线的半