光电子材料与器件题库.docx
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光电子材料与器件题库
《光电子材料与器件》题库
选择题:
1.如下图所示的两个原子轨道沿z轴方向接近时,形成的分子轨道类型为(A)
(A)
(B)
(C)
(D)
2.基于分子的对称性考虑,属于下列点群的分子中不可能具有偶极矩的为(C)
(A)Cn(B)Cnv(C)C2h(D)Cs
3.随着温度的升高,光敏电阻的光谱特性曲线的变化规律为(B)。
(A)光谱响应的峰值将向长波方向移动
(B)光谱响应的峰值将向短波方向移动
(C)光生电流减弱
(D)光生电流增强
4.利用某一CCD来读取图像信息时,图像积分后每个CCD像元积聚的信号在同一时刻先转移到遮光的并行读出CCD中,而后再转移输出。
则该CCD的类型为(B)
(A)帧转移型CCD(B)线阵CCD(C)全帧转移型CCD(D)行间转移CCD
5.对于白光LED器件,当LED基片发射蓝光时,其对应的荧光粉的发光颜色应该为(D)
(A)绿光(B)紫光(C)红光(D)黄光
6.在制造高效率太阳能电池所采取的技术和工艺中,下列不属于光学设计的为(C)
(A)在电池表面铺上减反射膜;
(B)表面制绒;
(C)把金属电极镀到激光形成槽内;
(D)增加电池的厚度以提高吸收
7.电子在原子能级之间跃迁需满足光谱选择定则,下列有关跃迁允许的表述中,不正确的是(B):
(A)总角量子数之差为1
(B)主量子数必须相同
(C)总自旋量子数不变
(D)内量子数之差不大于2
8.物质吸收一定波长的光达到激发态之后,又跃迁回基态或低能态,发射出的荧光波长小于激发光波长,称为(B)。
(A)斯托克斯荧光(B)反斯托克斯荧光(C)共振荧光(D)热助线荧光
9.根据H2+分子轨道理论,决定H原子能否形成分子的主要因素为H原子轨道的(A)
(A)交换积分(B)库仑积分(C)重叠积分(D)置换积分
10.下列轨道中,属于分子轨道的是(C)
(A)非键轨道(B)s轨道(C)反键轨道(D)p轨道
11.N2的化学性质非常稳定,其原因是由于分子中存在(D)
(A)强σ键(B)两个π键(C)离域的π键(D)
三键
12.测试得到某分子的光谱处于远红外范围,则该光谱反映的是分子的(B)能级特性。
(A)振动(B)转动(C)电子运动(D)电声子耦合
13.下列的对称元素中,所对应的对称操作属于虚动作的是(C)
(A)C3(B)E(C)σh(D)C6
14.某晶体的特征对称元素为两个相互垂直的镜面,则其所处的晶系为(C)
(A)四方晶系(B)立方晶系(C)正交晶系(D)单斜晶系
15.砷化镓是III-V族化合物半导体,它的晶体结构是(D )。
(A)NaCl结构(B)纤锌矿结构(C)钙钛矿结构(D)闪锌矿结构
16.原子轨道经杂化形成分子轨道时,会发生等性杂化或非等性杂化。
下列物质中化学键属于不等性杂化的是(B)。
(A)CH4(B)H2O(C)石墨烯(D)金刚石
17.关于金属的特性,特鲁德模型不能成功解释的是(A)
(A)比热(B)欧姆定律(C)电子的弛豫时间(D)电子的平均自由程
18.下列有关半导体与绝缘体在能带上的说法中,正确的是(B)。
(A)在绝缘体中,电子填满了所有的能带
(B)在0K下,半导体中能带的填充情况与绝缘体是相同的
(C)半导体中禁带宽度比较大
(D)绝缘体的禁带宽度比较小
19.在非本征半导体中,载流子(电子和空穴)的激发方式为(B)?
(A)电(B)热(C)磁(D)掺杂
20.在P型半导体材料中,杂质能级被称之为(C)。
(A)施主能级(B)深陷阱能级(C)受主能级(D)浅陷阱能级
21.对于自然界中鲜花的颜色,以下因素不起决定作用的是(B)。
(A)太阳光的强弱(B)光的吸收(C)光的反射(C)光的透射
22.下列有关载流子迁移率的说法,错误的是(C)
(A)迁移率的大小反映了施加电场影响载流子运动的强度
(B)对于某一特定材料,迁移率由平均自由时间决定
(C)轻掺杂材料中,晶格振动散射对迁移率的影响可以忽略
(D)非轻掺杂材料中,高温时晶格振动散射是影响迁移率的主要因素
23.下列关于半导体材料中费米能级位置的正确的说法是(B)
(A)P型半导体中,费米能级靠近导带
(B)在热平衡下,PN结两边的半导体具有同一条费米能级
(C)N型半导体中,费米能级靠近价带
(D)在外加电压下,PN结两边的半导体具有同一条费米能级
24.下列半导体对光的吸收作用中,吸收波长位于本征吸收波长阈值短波侧的是(D)。
(A)激子吸收(B)自由载流子吸收(C)杂质吸收(D)基质吸收
25.高温下半导体材料中的杂质已完全电离,此时若升高温度,则材料的电阻率的变化趋势是(C)。
(A)升高(B)不变(C)下降(D)先升高后下降
26.红宝石激光器属于(A)
A.固体激光器B.气体激光器
C.液体激光器D.染料激光器
27.半导体激光器的缩写是(B)
A.LEDB.LD
C.LCDD.ELD
28.下列激光器属于气体激光器的是(B)
A.掺钕钇铝石榴石激光器B.Ar+激光器
C.GaAs半导体激光器D.光解离碘原子化学激光器
29.激光与普通光源最大的区别在于(D)
A.方向性好B.相干性好
C.单色性好D.光子简并度高
30.下列不属于均匀加宽的类型是(B)
A.碰撞加宽B.晶格缺陷加宽
C.晶格振动加宽D.压力加宽
31.哪种物质不是固体激光器常用的工作物质?
(B)
A.红宝石B.掺铽钇铝榴石C.钕玻璃D.掺钕钇铝石榴石
32.下列的激光器中哪一个是气体激光器?
(C)
A.红宝石激光器B.F-P激光器C.He-Ne激光器D.DFB激光器
33.固体激光器与其他激光器相比的主要优点是?
(D)
A、输出光束的质量好
B、输出能量大,峰值功率高
C、功耗低、转换效率高
D、重量轻、体积小
34.下列哪种激光器可以应用于光盘存贮?
(B)
A.光纤激光器B.半导体激光器C.CO2激光器D.染料激光器
35.在光纤通信中最常用的激光器是?
(C)
A.光纤激光器B.光纤激光器C.半导体激光器D.固体激光器
36.LED光源在汽车高位刹车灯上的应用主要是利用了发光二极管(C)的特点。
A、供电电压小B、对环境污染小
C、响应时间短D、稳定性好
37.LED光源在理想情况下的发光寿命约为(B)。
A、2000000小时B、100000小时
C、50000小时D、1000小时
38.下列哪一个不是高功率GaN基LED器件在蓝宝石衬底上生长的限制因素(C)。
A、两种材料的晶格失配率和不同的热胀系数B、高的位错密度和应力残存
C、对生长环境的温度要求很高D、蓝宝石差的导热性
39.下列哪一个不是垂直结构LED相对于水平结构的优势(D)。
A、避免了对LED器件表面的刻蚀B、提高了载流子的注入效率
C、增大了器件的出光面积D、减小了对样品边缘的损伤
40.以YAG固体激光光源的Micro-area激光剥离技术与传统的KrF激光剥离技术相比,优势在于(A)。
A、光斑能量呈现高斯分布B、具有高的转换效率
C、寿命长D、谱线窄
41.现阶段荧光OLED期间电子空穴发生耦合是在(C)层
A、阴极
B、阳极
C、发光层
D、传导电子发光层
42、与荧光相比,下列有关磷光的说法不正确的是(A):
A、磷光的波长较荧光更长
B、磷光的寿命比荧光长
C、磷光是由三重态跃迁到基态是所发出的光
D、磷光的衰减强烈的受温度影响
43.下列哪一项不能作为OLED的阴极材料:
(D)
A低功函数金属B镁铝合金C锂铝合金D金属Ni、Au、Pt
44.选择发光材料时下列哪项不是应该满足的条件(B)
A.高量子效率的荧光特性,荧光光谱主要成分分布400-700nm可见光区域
B.高量子效率的磷光特性,磷光光谱主要成分分布400-700nm可见光区域
C.能够获得较高的电致发光效率和亮度
D.好的成膜特性,在几十纳米的薄层中不产生针孔
45.下面属于OLED显示器时的优势描述中哪一项是错误的(C)
A.技术优势——无辐射,超轻薄(可达1毫米以下),柔软显示,屏幕可卷曲
B.适应性强——能在-45℃~80℃正常显示
C.成本优势——OLED制造工艺比较简单,批量生产时的成本要比LCD至少节省20%
D.节能性强——利用背光源,因而更加节省能源
46.N型半导体的多数载流子是(A):
A:
电子,B:
空穴,C:
电子和空穴,D:
声子
47.存在外场时对电流有贡献的是(A):
A:
导带,B:
价带,C:
禁带,D:
导带和价带
48.以下属于固态照明的是(C):
(1)白炽灯,
(2)节能灯,(3)蜡烛
A:
(1)、
(2),B:
(2)、(3),C:
(1)、(3),D:
(1)、
(2)、(3)
49.下列不属于LED交通信号灯的优点的是(D):
A、没有强的反射,B、光直射下也足以分辨信号,C、效率高,D、发光功率大
50.明亮环境下人的视觉对555nm的绿光最灵敏,在这个波长上,1W光能能够产生多少lm的光度(A)?
A.100lmB.200lmC.95lmD.50lm
51.下面哪一个不是电---光---电转换器件(D)。
A、光耦B、光电隔离器C、光电耦合器D、光纤耦合器
52.光电耦合器有如下的几个应用,除了(D)。
A、组成开关电路B、酒店的电卡
C、逻辑电路组成D光路的分路
53.CCD的感光范围是:
(A、B)。
(多选)
A、可见光B、红外光C紫外光D、X射线
54.下列哪一项不是CCD的特点:
(B)。
A、体积小B、功率高C、可靠性高D、寿命长
55.如下为CCD电荷转移的示意图,那么正确的电荷转移的顺序是(B)。
abc
de
A、a-d-b-e-cB、c-a-d-e-b
C、b-a-d-e-cD、d-c-a-e-b
56.下列关于硅制备的说法错误的是(B)
A硅的制备主要是在电弧炉中用碳还原石英砂而成
B经过还原、提纯和精炼后得到的硅被称为冶金级硅
C多晶硅锭通过单晶拉制变为单晶硅
D单晶硅太阳能电池是目前发展最成熟的太阳能电池技术
57.以下对多晶硅的描述正确的是B
A多晶硅的光学、电学性质比单晶硅优良
B制造多晶硅碇的主要方法是熔化浇铸技术
C多晶硅由晶面取向相同的晶粒结合而成
D多晶硅制造成本高于单晶硅
58.关于多元化合物太阳能电池的描述错误的是(A)
A大多数已经产业化
B砷化镓电池的理论效率远高于硅光电池
C硒光电池的光电转换效率低
D多元化合物电池指不是用单一元素半导体材料制成的电池
59.以下对国内太阳能产业现状的描述错误的是(C)
A国内生产的太阳能电池产品90%靠出口
B我国太阳能资源较丰富的地区为西部地区
C我国多晶硅生产基地和太阳能光伏产业基地主要分布在西部地区
D国内生产太阳能的核心技术主要靠进口
60.对比几种不同材质的太阳能电池,正确的是(C)
A单晶硅太阳能电池成本较低
B非晶硅电池成本较低