（c）令V1、V2均断开，UN1＝0V、UN2＝6V、UP＝10V，UP—UN1>Up—UN2，故V1优先导通后，V2截止，所以输出电压U0＝V。
2．电路如图T1．2所示，二极管具有理想特性，已知ui＝（sinωt）V，试对应画出ui、u0、iD的波形。
解：
输入电压ui为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即u0＝0，而流过二极管的电流iD＝ui／R，为半波正弦波，其最大值IDm＝10V／1kΩ＝10mA；当ui为负半周时，二极管反偏截止，iD＝0，u0＝ui为半波正弦波。
因此可画出电压u0电流iD的波形如图（b）所示。
3．稳压二极管电路如图T1．3所示，已知UZ＝5V，IZ＝5mA，电压表中流过的电流忽略不计。
试求当开关s断开和闭合时，电压表
和电流表
、
读数分别为多大?
解：
当开关S断开，R2支路不通，IA2＝0，此时R1与稳压二极管V相串联，因此由图可得
可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为5V。
当开关S闭合，令稳压二极管开路，可求得R2两端压降为
故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此，R1、R2构成串联电路，电流表A1、A2的读数相同，即
而电压表的读数，即R2两端压降为V。
第2章半导体三极管及其基本应用
2．1填空题
1．晶体管从结构上可以分成PNP和NPN两种类型，它工作时有
2种载流子参与导电。
2．晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。
3．晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是放大、饱和、截止。
4．当温度升高时，晶体管的参数β增大，ICBO增大，导通电压UBE减小。
5．某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10μA变化到20μA时，集电极电流从1mA变为mA，则交流电流放大系数β约为99。
6．某晶体管的极限参数ICM=20mA、PCM=100mW、U（BR）CEO=30V，因此，当工作电压UCE=10V时，工作电流IC不得超过10mA；当工作电压UCE=1V时，IC不得超过20mA；当工作电流IC=2mA时，UCE不得超过30V。
7．场效应管从结构上可分为两大类：
结型、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：
耗尽型、增强型。
8．UGS（off）表示夹断电压，IDSS表示饱和漏极电流，它们是耗尽型场效应管的参数。
2．2单选题
1．某NPN型管电路中，测得UBE=0V，UBC=—5V，则可知管子工作于（C）状态。
A．放大B．饱和C．截止D．不能确定
2．根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（B）。
A．NPN型低频小功率硅晶体管B．NPN型高频小功率硅晶体管
C．PNP型低频小功率锗晶体管D．NPN型低频大功率硅晶体管
3．输入（C）时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。
A．正弦小信号B．低频大信号C．低频小信号D．高频小信号
4．（D）具有不同的低频小信号电路模型。
A．NPN型管和PNP型管B．增强型场效应管和耗尽型场效应管
C．N沟道场效应管和P沟道场效应管D．晶体管和场效应管
5．当UGS＝0时，（B）管不可能工作在恒流区。
A．JFETB．增强型MOS管C．耗尽型MOS管D．NMOS管
6．下列场效应管中，无原始导电沟道的为（B）。
A．N沟道JFETB．增强~AIPMOS管
C．耗尽型NMOS管D．耗尽型PMOS管
2．3是非题
1．可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。
（×）
2．MOSFET具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。
（√）
3．EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。
（×）
4．结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
（√）
5．场效应管用于放大电路时，应工作于饱和区。
（√）
2．4分析计算题
1．图T2．1所示电路中的晶体管为硅管，试判断其工作状态。
解：
（a）UBE=UB—UE＝—0＝，发射结正偏；
UBC=UB—UC＝—3＝—V，集电结反偏
因此晶体管工作在放大状态。
（b）UBE=UB—UE＝2—3＝—1V，发射结反偏；
UBC=UB—UC＝2—5＝—3V，集电结反偏
因此晶体管工作在截止状态。
（c）UBE=UB—UE＝3—＝，发射结正偏；
UBC=UB—UC＝3—＝，集电结正偏
因此晶体管工作在饱和状态。
（d）该管为PNP型晶体管
UEB=UE—UB＝（—2）—（—＝，发射结正偏；
UCB=UC—UB＝（—5）—（—＝—，集电结反偏
因此晶体管工作在放大状态。
2．图T2．2所示电路中，晶体管均为硅管，β=100，试判断各晶体管工作状态，并求各管的IB、IC、UCE。
解：
（a）方法一：
设晶体管工作在放大状态，则有IC＝βIB＝100×＝
UCE＝12—×3＝—V<0
说明上述假设不成立，晶体管已工作在饱和区。
令晶体管的饱和压降UCE（Sat）＝V，则集电极电流为
因此可得晶体管的IB＝mA、IC＝ICS＝mA、UCE＝UCE（Sat）＝V
方法二：
因为IB>IBS，所以晶体管处于饱和状态，因而有
IB＝mA、IC＝ICS＝mA、UCE＝UCE（Sat）＝V
（b）
设晶体管工作在放大状态，则有
IC＝100×4mA＝mA
UCE＝5V—×3＝V>UCE（Sat）
说明晶体管工作在放大状态，故上述假设成立，计算结果正确。
（c）基极偏压为负电压，发射结和集电结均反偏，所以晶体管截止，则IB＝0，IC＝0，UCE＝5V
3．放大电路如图T2．3所示，试图中所有电容对交流信号的容抗近似为零，试画出各电路的直流通路、交流通路和小信号等效电路。
解：
（a）将C1、C2断开，即得直流通路如下图（a）所示；将C1、C2短路、直流电源对地短接，即得交流通路如下图（b）所示；将晶体管用小信号电路模型代人，即得放大电路小信号等效电路如下图（c）所示。
（b）按上述相同方法可得放大电路的直流通路、交流通路、小信号等效电路如下图（a）、（b）、（c）所示。
4．场效应管的符号如图T2．4所示，试指出各场效应管的类型，并定性画出各管的转移特性曲线。
解：
（a）为P沟道耗尽型MOS管，它的转移特性曲线如下图（a）所示，其特点是uGS＝0时，iD＝—IDSS
（b）为N沟道增强型MOS管，它的转移特性曲线如下图（b）所示，其特点是uGS＝0时，iD＝0
（c）为N沟道结型场效应管，它的转移特性曲线如下图（c）所示，其特点是uGS＝0时，iD＝IDSS，且uGS≤0
第3章放大电路基础
3．1填空题
1．放大电路的输入电压Ui＝10mV，输出电压U0＝1V，该放大电路的电压放大倍数为100，电压增益为40dB。
2．放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越小，输入电压也就越大；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越小，放大电路的负载能力就越强。
3．共集电极放大电路的输出电压与输入电压同相，电压放大倍数近似为1，输入电阻大，输出电阻小。
4．差分放大电路的输入电压Ui1＝1V，Ui2＝V，则它的差模输入电压Uid＝V，共模输入电压UiC＝V。
5．差分放大电路对差模输入信号具有良好的放大作用，对共模输入信号具有很强的抑制作用，差分放大电路的零点漂移很小。
6．乙类互补对称功放由NPN和PNP两种类型晶体管构成，其主要优点是效率高。
7．两级放大电路，第一级电压增益为40dB，第二级电压放大倍数为10倍，则两级总电压放大倍数为1000倍，总电压增益为60dB。
8．集成运算放大器输入级一般采用差分放大电路，其作用是用来减小
零点漂移。
9．理想集成运算放大器工作在线性状态时，两输入端电压近似相等，称为虚短；输入电流近似为0，称为虚断。
10．集成运算放大器的两输入端分别称为同相输入端和反相输入端，前者的极性与输出端反相，后者的极性与输出端同相。
3．2单选题
1．测量某放大电路负载开路时输出电压为3V，接入2kΩ的负载后，测得输出电压为1V，则该放大电路的输出电阻为（D）kΩ。
A．B．1.0C．D．4
2．为了获得反相电压放大，则应选用（A）放大电路。
A．共发射极B．共集电极C．共基极D．共栅极
3．为了使高内阻的信号源与低阻负载能很好配合，可以在信号源与负载之间接入（B）放大电路。
A．共发射极B．共集电极C．共基极D．共源极
4．放大电路如图T3．1所示，已知R
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