半导体所成果论文专利及著作奖励通告精.docx
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半导体所成果论文专利及著作奖励通告精
2004年半导体所成果、论文、专利及著作奖励通告
所属各单位：
科技开发处对2004年我所科技人员（所属单位为半导体所）在国际学术期刊上发表的论文，专利申请和授权情况进行了统计。
并根据半发科技字[2004]9号《半导体所科研成果获奖、专利、论文及专著的奖励办法》对以下成果进行奖励。
2004年我所在获奖、论文、专利及著作等方面取得了较好的成绩，获国家奖一项；在国际学术期刊上共发表论文125篇；申请专利146项，版图设计8项，授权专利20项；编著一本、译著一本，希望全所科技人员在新的一年中作出更多更优秀的科研成果，取得更高水平的论文和申请更多的专利。
附件：
1、半导体所2004年国际期刊发表论文统计表
2、半导体所2004年各室奖励奖励情况及列表
3、2004年国际期刊影响因子附表
4、半发科技字[2004]9号《半导体所科研成果获奖、专利、论文及专著的奖励办法》
中国科学院半导体研究所
2005年4月28日
附件一：
半导体所2004年国际期刊发表论文统计表
1、超晶格室33篇，共奖励元
其中：
1）ChinesePhysicsLetters6
2）J.ApplPhys.4
3）JOURNALOFPHYSICS:
CONDENSEDMATTER2
4）AppliedPhysicsLetters2
5） SolidstateComm2
6） JournalofCrystalGrowth 3
7）SuperlatticesandMicrostructures1
8）PhysicalReviewB4
9）PhysicalReviewA3
10）OpticsCommunications1
11）J.Phys.A：
Math.Gen.1
12）J.Phys.D:
Appl.Phys1
13）Phil.Trans.R.Soc.Lond.A1
14）JPNJAPPLPHYS1
15）J.Phy.:
Condens.Matter1
2、材料开放室33篇，共奖励元
其中：
1）J.Appl.Phys.3
2）JournalofCrystalGrowth19
3）Appl.Phys.Lett.3
4）PhysicaE1
5）IEEEPHOTONICSTECHNOLOGYLETTERS1
6）JournalofPhysics:
CondensedMatter1
7）Nanotechnology1
8）ChineseJournalofChemistry1
9）J.Vac.Sci.Technol.B,1
10）PhysicaStatusSolidi（b）1
11）Eur.Phys.J.Appl.Phys1
3、光电子工艺中心38篇，共奖励元
其中：
1.Appl.Phys.Lett.3
2.JournalofCrystalGrowth8
3.J.Phys.D:
Appl.Phys.1
4.J.Appl.Cryst1
5.SolidstateCommunications1
6.OpticsandlasersinEngineering1
7.Chin.Phys.Lett4
8.IEEProc.-Optoelectron1
9.IEEEJournalofQuantumElectronics2
10.IEEEPhotonicsTechnologyLetters3
11.ThinSolidFilm1
12.J.A.P1
13.ElectronicsLetter1
14.OpticalEngineering6
15.OpticsCommunications1
16.ScienceinChinaE1
17.MaterialsChemistryandPhysics1
18．JPNJAPPLPHYS1
4,材料中心4篇,奖励元
1,JournalofNuclearMaterials1
2,ScienceinChinaSer.EEngineering&materialsScience1
3,chinesephysics1
4，Eur.Phys.J.Appl.Phys1
5,工程中心6篇,奖励元
1,J.Cryst.Growth2
2,ChinesePhysicsLetters1
3,SEMICONDUCTORSCIENCEANDTECHNOLOGY1
4，ActaPhysicaSinica1
5,MICROWAVEANDOPTICALTECHNOLOGYLETTERS1
6,表面物理室10篇，奖励元
1,JournalofAppliedPhysics1
2,J.CrystalGrowth5
3,ScienceinChinaSer.EEngineering&materialsScience1
4，JournalofNon-CrystallineSolid1
5,SolidEnergyMaterial&SolarCells1
6，ActaPhysicaSinica1
7,集成技术中心1篇，奖励元
ElectronicsLetters1
附件二：
半导体所2004年各室奖励奖励情况及列表
一，成果
名称
类别
姓名
奖励金额（元）
半导体纳米结构物理性质的理论研究
国家二等奖
夏建白、李树深、常凯
30000
二、论文
部门：
超晶格室（元）基数：
500元
作者
刊名
单位排序
影响因子
奖励金额（元）
备注
董庆瑞
J.A.P
1
2.25
1125
董庆瑞
CHIN.PHYS.LETT
1
1.0
500
董庆瑞
J.Phys:
Condens.Matter
1
1.75
875
倪海桥
A.P.L
1
4.0
2000
龚政
SolidStateCommunication
1
1.5
750
龚政
J.Phys:
Condens.Matter
1
1.75
875
龚政
J.C.G
1
1.5
750
龚政
A.P.L
1
4.0
2000
迟峰
SuperlatticandMicrostructures
1
0.5
250
艾合买提
PhysicalReviewA
1
2.5
1250
李树深
CHIN.PHYS.LETT
2
1.0
250
杨谋
PhysicalReviewB
1
3.0
1500
杨谋
PhysicalReviewB
1
3.0
1500
金光生
PhysicalReviewA
1
2.5
1250
白彦魁
PhysicalReviewA
1
2.5
1250
李新奇
PhysicalReviewB
1
3.0
1500
张国峰
OpticsCommunications
1
1.5
750
王亮
J.Phys.A:
MathematicalandGeneral
1
1.25
625
江德生
J.C.G
1
1.5
750
边历峰
Chin.Phys.Lett
1
1.0
500
边历峰
SolidStateCommunications
1
1.5
750
常凯
J.A.P
1
2.25
1125
常凯
PhysicalReviewB
1
3.0
1500
李桂荣
J.Phys:
Condens.Matter
1
1.75
875
黄劲松
J.C.G
1
1.5
750
黄劲松
CHIN.PHYS.LETT
1
1.0
500
徐晓华
CHIN.PHYS.LETT
1
1.0
500
方志丹
J.Phys.D:
Appl.Phys
1
1.25
625
李国华
Phys.stat.sol.（b）
1
1.0
500
苏付海
J.A.P
1
2.25
1125
马宝珊
J.A.P
1
2.25
1125
欧晓斌
JPNJAPPLPHYS
1
1.25
625
谭平恒
Phil.Trans.R.Soc.Lond.A
1
1.0
500
部门：
光电子工艺中心（元）基数：
500元
作者
文章刊名
单位排序
影响因子
奖励金额（元）
备注
赵德刚
A.P.L.
1
4.0
2000
刘建平
J.C.G
1
1.5
750
刘建平
J.C.G
1
1.5
750
刘建平
A.P.L.
1
4.0
2000
刘建平
J.Phys.D:
Appl.Phys
1
1.25
625
张纪才
J.C.G
1
1.5
750
张纪才
ActaPhysicaSinica
1
1.25
625
张纪才
J.C.G
1
1.5
750
张纪才
J.Appl.Cryst.
1
2.25
1125
张宝顺
J.C.G
1
1.5
750
伍墨
J.C.G
1
1.5
750
金瑞琴
J.C.G
1
1.5
750
李娜
SolidstateCommunications
1
1.5
750
国伟华
CHIN.PHYS.LETT
1
1.0
500
黄永箴
IEEProc.Optoeletronic
1
1.0
500
国伟华
IEEEJournalofQuantumElectronics
1
2.75
1375
国伟华
IEEEPhotonicsTechnologyLetters
1
2.25
1125
金潮渊
IEEEJournalofQuantumElectronics
1
2.75
1375
陆巧银
IEEEPhotonicsTechnologyLetters
1
2.25
1125
李传波
ThinSolidFilm
1
1.5
750
李传波
J.A.P．
1
2.25
1125
李传波
A.P.L.
1
4.0
2000
李传波
ElectronicsLetter
1
1.0
500
毛荣伟
IEEEPhotonicsTechnologyLetters
1
2.25
1125
夏金松
OpticsCommunications
1
1.5
750
夏金松
OpticsCommunications
1
1.5
750
夏金松
OpticalEngineering
1
1.0
500
夏金松
CHIN.PHYS.LETT
1
1.0
500
李艳萍
CHIN.PHYS.LETT
1
1.0
500
王书荣
OpticalEngineering
1
1.0
500
王书荣
JPNJAPPLPHYS
1
1.25
625
王书荣
J.C.G
1
1.5
750
王书荣
CHIN.PHYS.LETT
1
1.0
500
杨林
OpticalEngineering
1
1.0
500
杨林
OpticalEngineering
1
1.0
500
祝宁华
ScienceinChinaSer.EEngineering&materialsScience
1
0.25
125
吴远大
MaterialsChemistryandPhysics
1
1.25
625
徐应强
CHIN.PHYS.LETT
1
1.0
500
部门：
材料开放室（元）基数：
500元
作者
刊名
单位排序
影响因子
奖励金额（元）
备注
尹志岗
J.A.P.
1
2.25
1125
刘力峰
J.C.G.
1
1.5
750
刘力峰
J.C.G.
1
1.5
750
刘力峰
J.C.G.
1
1.5
750
周剑平
J.C.G
1
1.5
750
周剑平
J.C.G
1
1.5
750
李艳丽
J.C.G
1
1.5
750
宋书林
J.C.G
1
1.5
750
宋书林
J.C.G
1
1.5
750
李艳丽
J.C.G
1
1.5
750
张富强
J.C.G
1
1.5
750
陈晨龙
J.C.G
1
1.5
750
金鹏
A.P.L.
1
4.0
2000
张春玲
J.C.G
1
1.5
750
史桂霞
J.C.G
1
1.5
750
黄秀颀
J.C.G
1
1.5
750
赵凤瑗
PhysicaE
1
1.0
500
赵凤瑗
JournalofPhysics:
CondensedMatter
1
1.75
875
张子炀
IEEEPHOTONICSTECHNOLOGYLETTERS
1
2.25
1125
叶小玲
Eur.Phys.J.Appl.Phys
1
0.75
375
五春华
J.C.G
1
1.5
750
孙捷
J.C.G
1
1.5
750
孙捷
Nanotechnology
1
2.25
1125
孙捷
ChineseJournalofChemistry
1
0.5
250
何军
A.P.L.
1
4.0
2000
卢励吾
J.C.G
1
1.5
750
李杰民
J.Vac.Sci.Technol.B
1
1.5
750
陆沅
A.P.L.
1
4.0
2000
陆沅
J.A.P.
1
2.25
1125
陆沅
J.C.G
1
1.5
750
吴洁君
J.C.G
1
1.5
750
韩修训
J.C.G
1
1.5
750
韩修训
PhysicaStatusSolidi（b）
1
1.0
500
部门：
材料中心（元）基数：
500元
作者
刊名
单位排序
影响因子
奖励金额
备注
张晓昕
CHIN.PHYS.
1
1.25
625
董志远
ScienceinChinaSer.EEngineering&materialsScience
1
0.25
125
JournalofNuclearMaterials
1
1.25
625
赵有文
Eur.Phys.J.Appl.Phys
1
0.75
375
部门：
工程中心（元）基数：
500元
作者
刊名
单位排序
影响因子
奖励金额
备注
钟源
SEMICONDUCTORSCIENCEANDTECHNOLOGY
1
1.5
750
钟源
MICROWAVEANDOPTICALTECHNOLOGYLETTERS
1
0.5
250
林涛
J.C.G
1
1.5
750
江李
J.C.G
1
1.5
750
王勇刚
ActaPhysicaSinica
1
1.25
625
王勇刚
ChinesePhysicsLetters
1
1.0
500
部门：
表面物理室（元）基数：
500元
作者
刊名
单位排序
影响因子
奖励金额
备注
曾湘波
J.C.G.
1
1.5
750
曾湘波
ActaPhysicaSinica
1
1.25
625
陈维德
J.C.G.
1
1.5
750
宋淑芳
J.C.G.
1
1.5
750
宋淑芳
J.C.G.
1
1.5
750
宋淑芳
J.A.P
1
2.25
1125
胡志华
ScienceinChinaSer.EEngineering&materialsScience
1
0.25
125
胡志华
J.C.G.
2
1.5
500
张世斌
JournalofNon-CrystallineSolid
1
1.5
750
张世斌
SolidEnergyMaterial&SolarCells
2
1.25
416
部门：
集成技术中心（元）基数：
500元
作者
刊名
单位排序
影响因子
奖励金额
备注
李建明
ElectronicsLetters
1
1.0
500
三、专利申请
半导体所2004年专利申请及授权统计表
2004年申请的专利（项）：
奖励元
序号
专利名称
类别
姓名
奖励金额（元）
1.
高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法
发明
李传波
800
2.
电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作工艺
发明
路秀真
800
3.
在硅衬底上生长无裂纹3族氮化物薄膜的方法
发明
陆沅
800
4.
利用光掩模板作无源对准的方法
发明
陈弘达
800
5.
用于实现光波导制备的方法
发明
李健
800
6.
正交频分复用系统帧同步技术
发明
刘扬
800
7.
平顶和陡峭带边响应的窄带热光调谐Fabry-Perot滤波器
发明
蔡晓
800
8.
具有平顶输出响应的窄带Fabry-Perot滤波器
发明
蔡晓
800
9.
混合集成的可调谐半导体激光器
发明
徐庆扬
800
10.
制造半导体双极器件的方法
发明
徐嘉东
800
11.
锁模光纤光栅外腔半导体激光器结构
发明
陈少武
800
12.
应用自聚焦透镜阵列的并行光发射模块及制作方法
发明
陈弘达
800
13.
提高半导体光电转换器件性能的方法
发明
李建明
800
14.
抑制相邻通道间耦合串扰的电极布线结构及其制造方法
发明
贺月娇
800
15.
可提高消光比的电光型波导光开关结构
发明
陈少武
800
16.
便携式低功耗微照明用光纤冷光源
发明
祝宁华
800
17.
采用非平面工艺实现硅基二氧化硅波导偏振无关的方法
发明
安俊明
800
18.
基于脊形光波导的强限制多模干涉耦合器的制作方法
发明
樊中朝、
800
19.
掩埋有高反射率布拉格反射镜的基片键合方法
发明
毛容伟
800
20.
带内同频道数字音频广播中模拟调制载波干扰消除方法
发明
于云华
800
21.
二元判定图器件
发明
吴南健
800
22.
测量激光器芯片用的夹具及其制作方法
发明
张胜利
800
23.
带有锥形增益区的脊形波导高功率半导体激光器结构
发明
张洪波
800
24.
湿法腐蚀两步法制备超薄柔性硅衬底的腐蚀工艺
发明
王晓峰
800
25.
制备纳米级超薄硅可协变衬底的可控性腐蚀方法
发明
王晓峰
800
26.
氮化镓基肖特基结构紫外探测器及制作方法
发明
赵德刚
800
27.
氮化镓基肖特基势垒高度增强型紫外探测器及制作方法
发明
赵德刚
800
28.
单电子模拟数字信号转换装置
发明
吴南建
800
29.
同轴封装半导体激光器陶瓷插针
发明
王欣
800
30.
模式识别专用神经网络计算机系统及应用方法
发明
王守觉
800
31.
光纤定位槽、光斑转换器和光波导器件的一体化制作方法
发明
杨笛
800
32.
低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法
发明
江李
800
33.
具有倾斜波导结构的半导体光放大
器封装用的热沉
发明
刘超
800
34.
低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法
发明
杨少延
800
35.
透过式兼输出镜的半导体可饱和吸收镜
发明
王勇刚
800
36.
便携式低功耗微照明用光纤冷光源
发明
祝宁华
800
37.
氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法
发明
王晓亮
800
38.
高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法
发明
肖红领
800
39.
生长高迁移率氮化镓外延膜的方法
发明
王晓亮
800
40.
生长高阻氮化镓外延膜的方法
发明
王晓亮
800
41.
改进砷化镓晶片表面质量的方法
发明
李建明
800
42.
脊形波导量子级联激光器制作方法
发明
路秀真
800
43.
单电子数字模拟信号转换装置
发明
欧晓斌
800
44.
自适应柔性层制备无裂纹硅基III族氮化物薄膜的方法
发明
吴洁君
800
45.
一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的新方法
发明
张南红
800
46.
氮化镓紫外色度探测器及其制作方法
发明
赵德刚
800
47.
PIN结构氮化镓基紫外探测器及其制作方法
发明
赵德刚
800
48.
一种氮化铝交叠式单片集成微通道热沉
发明
马杰慧
800
49.
表面态式驰豫区的半导体可饱和吸收镜
发明
王勇刚
800
50.
半导体光放大器封装用的具有斜面结构的热沉
发明
刘超
800
51.
高击穿电压的高电子迁移率晶体管
发明
徐晓华
800
52.
光纤激光器谐振腔的制作方法
发明
冯小明
800
53.
一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置
升级会员 