811集成电路.docx
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811集成电路
TITLECF741TECHNOLOGYSIMULATIONOFVERTICALSECTIONNPNTR.
GRIDDYSI=0.01,DPTH=4,YMAX=8
SUBSELEM=B,CONC=1E15,ORNT=111
PRINTHEAD=Y
PLOTTOTL=N
COMMBURIEDOXIDATION
STEP1TYPE=OXID,TEMP=1180,TIME=10,MODL=DRY0
STEP2TYPE=OXID,TEMP=1180,TIME=100,MODL=WET0
STEP3TYPE=OXID,TEMP=1180,TIME=10,MODL=DRY0
COMMBURIEDPHOTOETCHING
PRINTHEAD=Y
PLOTTOTL=N
STEP4TYPE=ETCH,TEMP=25
COMMBURIED[SBSOURCE]DIFFUSION
PRINTHEAD=Y
PLOTTOTL=Y,IDIV=N,NDEC=6,WIND=8
STEP5TYPE=PDEP,ELEM=SB,CONC=2E18,TIME=150,TEMP=1200
STEP6TYPE=OXID,TEMP=1200,TIME=30,MODL=DRY0
PLOTTOTL=N
COMMETCHTHEBURIDEOXIDLAYERON
STEP7TYPE=ETCH,TEMP=25
PRINTHEAD=Y
COMMCHEMICALPOLISHINGINBEFOREEPITAXY
STEP8TYPE=ETCH,TEMP=1200,TIME=3,ERTE=0.08
COMMROWTHOFEPITAXYLAYER
PLOTTOTL=Y,WIND=22
STEP9TYPE=EPIT,TIME=15,TEMP=1200,GRTE=.8,ELEM=P,CONC=2.0E15
COMMGROWOXIDMASKLAYERFORISOLAYTIONOXIDATION
PRINTHEAD=Y
PLOTTOTL=N
STEP10TYPE=OXID,TEMP=1180,TIME=10,MODL=DRY0
PRINTHEAD=Y
PLOTTOTL=Y,WIND=22
STEP11TYPE=OXID,TEMP=1180,TIME=100,MODL=WET0
STEP12TYPE=OXID,TEMP=1180,TIME=10,MODL=DRY0
COMMISOLATTIONDIFFUSION
STEP13TYPE=OXID,TEMP=1160,TIME=20,MODL=NIT0
STEP14TYPE=OXID,TEMP=1200,TIME=480,MODL=NIT0
PLOTTOTL=Y,WIND=22
STEP15TYPE=OXID,TEMP=1200,TIME=30,MODL=DRY0
COMMETCHISOLATTIONOXIDLAYER
PRINTHEAD=Y
PLOTTOTL=N
STEP16TYPE=ETCH,TEMP=25
COMMLAYERFORBASEOXIDATION
PRINTHEAD=Y
PLOTTOTL=Y,WIND=22
MODELNAME=DRY1,LRTE=1.038E5,PRTE=16.20
STEP17TYPE=OXID,TEMP=1180,TIME=10,MODL=DRY1
MODELNAME=WET1,LRTE=6E6,PRTE=9
STEP18TYPE=OXID,TEMP=1180,TIME=30,MODL=WET1
MODELNAME=DRY1,LRTE=1.038E5,PRTE=16.20
STEP19TYPE=OXID,TEMP=1180,TIME=10,MODL=DRY1
COMMETCHTHEMASKOXIDFORBASE
PRINTHEAD=Y
PLOTTOTL=N
STEP20TYPE=ETCH,TEMP=25
COMMDIFFUSIONFORBASE
GRIDDYSI=0.015,DPTH=4,YMAX=20
PRINTHEAD=Y
PLOTTOTL=Y,WIND=10
MODELNAME=MBO1,STC0=1.674E7,DSXN=2.6E9,DSXD=1.4E1,DSXW=1.4E1
STEP21TYPE=PDEP,ELEM=B,TEMP=910,CONC=1E20,TIME=20,MODL=MBO1
MODELNAME=DRY2,LRTE=1.10E5,PRTE=16.25
STEP22TYPE=OXID,TEMP=1200,TIME=1,MODL=DRY2
MODELNAME=WET2,LRTE=6E6,PRTE=8.85
STEP23TYPE=OXID,TEMP=1200,TIME=30,MODL=WET2
PRINTHEAD=Y
PLOTTOTL=Y,WIND=22
MODELNAME=DRY2,LRTE=1.10E5,PRTE=16.25
STEP24TYPE=OXID,TEMP=1200,TIME=49,MODL=DRY2
COMMETCHTHEOXIDMASKFOREMITTER
PRINTHEAD=Y
PLOTTOTL=N
STEP25TYPE=ETCH,TEMP=25
COMMDIFFUSIONFOREMITTER
PRINTHEAD=Y
MODELNAME=MPH1,STC0=9E5,DSXN=8.5E10,DSXD=4.5E10,DSXW=4.46E10
STEP26TYPE=PDEP,ELEM=P,TEMP=1030,CONC=9E20,TIME=35,MODL=MPH1
MODELNAME=DRY3,LRTE=4.86E5,PRTE=24.2
STEP27TYPE=OXID,TEMP=1050,TIME=5,MODL=DRY3
MODELNAME=WET3,LRTE=2.75E6,PRTE=7.85
STEP28TYPE=OXID,TEMP=1050,TIME=20,MODL=WET3
PLOTTOTL=Y,IDIV=Y,WIND=22,AXIS=Y
MODELNAME=DRY3,LRTE=4.86E5,PRTE=24.2
STEP29TYPE=OXID,TEMP=1050,TIME=10,MODL=DRY3
COMMSAVETHEPROFILEFORSEDANANALYSIS
SAVELUNM=22,TYPE=A
COMMFIRSTPASSIVATION
PRINTHEAD=Y
PLOTTOTL=N
MODELNAME=DRY4,LRTE=6.89E5,PRTE=26.15
STEP30TYPE=OXID,TEMP=950,TIME=10,MODL=DRY4
MODELNAME=WET4,LRTE=3.705E6,PRTE=8.505
STEP31TYPE=OXID,TEMP=950,TIME=11,MODL=WET4
PRINTHEAD=Y
PLOTTOTL=Y,IDIV=Y,WIND=22,AXIS=Y
STEP32TYPE=OXID,TEMP=950,TIME=10,MODL=DRY0
END
1
***山东工业大学电子工程系微电子CAD研究室微电子工艺模拟***
***SGD01中文版PC386***
1....TITLECF741TECHNOLOGYSIMULATIONOFVERTICALSECTIONNPNTR.
2....GRIDDYSI=0.01,DPTH=4,YMAX=8
3....SUBSELEM=B,CONC=1E15,ORNT=111
4....PRINTHEAD=Y
5....PLOTTOTL=N
6....COMMBURIEDOXIDATION
7....STEP1TYPE=OXID,TEMP=1180,TIME=10,MODL=DRY0
8....STEP2TYPE=OXID,TEMP=1180,TIME=100,MODL=WET0
9....STEP3TYPE=OXID,TEMP=1180,TIME=10,MODL=DRY0
10....COMMBURIEDPHOTOETCHING
11....PRINTHEAD=Y
12....PLOTTOTL=N
13....STEP4TYPE=ETCH,TEMP=25
14....COMMBURIED[SBSOURCE]DIFFUSION
15....PRINTHEAD=Y
16....PLOTTOTL=Y,IDIV=N,NDEC=6,WIND=8
17....STEP5TYPE=PDEP,ELEM=SB,CONC=2E18,TIME=150,TEMP=1200
18....STEP6TYPE=OXID,TEMP=1200,TIME=30,MODL=DRY0
19....PLOTTOTL=N
20....COMMETCHTHEBURIDEOXIDLAYERON
21....STEP7TYPE=ETCH,TEMP=25
22....PRINTHEAD=Y
23....COMMCHEMICALPOLISHINGINBEFOREEPITAXY
24....STEP8TYPE=ETCH,TEMP=1200,TIME=3,ERTE=0.08
25....COMMROWTHOFEPITAXYLAYER
26....PLOTTOTL=Y,WIND=22
27....STEP9TYPE=EPIT,TIME=15,TEMP=1200,GRTE=.8,ELEM=P,CONC=2.0E15
28....COMMGROWOXIDMASKLAYERFORISOLAYTIONOXIDATION
29....PRINTHEAD=Y
30....PLOTTOTL=N
31....STEP10TYPE=OXID,TEMP=1180,TIME=10,MODL=DRY0
32....PRINTHEAD=Y
33....PLOTTOTL=Y,WIND=22
34....STEP11TYPE=OXID,TEMP=1180,TIME=100,MODL=WET0
35....STEP12TYPE=OXID,TEMP=1180,TIME=10,MODL=DRY0
36....COMMISOLATTIONDIFFUSION
37....STEP13TYPE=OXID,TEMP=1160,TIME=20,MODL=NIT0
38....STEP14TYPE=OXID,TEMP=1200,TIME=480,MODL=NIT0
39....PLOTTOTL=Y,WIND=22
40....STEP15TYPE=OXID,TEMP=1200,TIME=30,MODL=DRY0
41....COMMETCHISOLATTIONOXIDLAYER
42....PRINTHEAD=Y
43....PLOTTOTL=N
44....STEP16TYPE=ETCH,TEMP=25
45....COMMLAYERFORBASEOXIDATION
46....PRINTHEAD=Y
47....PLOTTOTL=Y,WIND=22
48....MODELNAME=DRY1,LRTE=1.038E5,PRTE=16.20
49....STEP17TYPE=OXID,TEMP=1180,TIME=10,MODL=DRY1
50....MODELNAME=WET1,LRTE=6E6,PRTE=9
51....STEP18TYPE=OXID,TEMP=1180,TIME=30,MODL=WET1
52....MODELNAME=DRY1,LRTE=1.038E5,PRTE=16.20
53....STEP19TYPE=OXID,TEMP=1180,TIME=10,MODL=DRY1
54....COMMETCHTHEMASKOXIDFORBASE
55....PRINTHEAD=Y
56....PLOTTOTL=N
57....STEP20TYPE=ETCH,TEMP=25
58....COMMDIFFUSIONFORBASE
59....GRIDDYSI=0.015,DPTH=4,YMAX=20
60....PRINTHEAD=Y
61....PLOTTOTL=Y,WIND=10
62....MODELNAME=MBO1,STC0=1.674E7,DSXN=2.6E9,DSXD=1.4E1,DSXW=1.4E1
63....STEP21TYPE=PDEP,ELEM=B,TEMP=910,CONC=1E20,TIME=20,MODL=MBO1
64....MODELNAME=DRY2,LRTE=1.10E5,PRTE=16.25
65....STEP22TYPE=OXID,TEMP=1200,TIME=1,MODL=DRY2
66....MODELNAME=WET2,LRTE=6E6,PRTE=8.85
67....STEP23TYPE=OXID,TEMP=1200,TIME=30,MODL=WET2
68....PRINTHEAD=Y
69....PLOTTOTL=Y,WIND=22
70....MODELNAME=DRY2,LRTE=1.10E5,PRTE=16.25
71....STEP24TYPE=OXID,TEMP=1200,TIME=49,MODL=DRY2
72....COMMETCHTHEOXIDMASKFOREMITTER
73....PRINTHEAD=Y
74....PLOTTOTL=N
75....STEP25TYPE=ETCH,TEMP=25
76....COMMDIFFUSIONFOREMITTER
77....PRINTHEAD=Y
78....MODELNAME=MPH1,STC0=9E5,DSXN=8.5E10,DSXD=4.5E10,DSXW=4.46E10
79....STEP26TYPE=PDEP,ELEM=P,TEMP=1030,CONC=9E20,TIME=35,MODL=MPH1
80....MODELNAME=DRY3,LRTE=4.86E5,PRTE=24.2
81....STEP27TYPE=OXID,TEMP=1050,TIME=5,MODL=DRY3
82....MODELNAME=WET3,LRTE=2.75E6,PRTE=7.85
83....STEP28TYPE=OXID,TEMP=1050,TIME=20,MODL=WET3
84....PLOTTOTL=Y,IDIV=Y,WIND=22,AXIS=Y
85....MODELNAME=DRY3,LRTE=4.86E5,PRTE=24.2
86....STEP29TYPE=OXID,TEMP=1050,TIME=10,MODL=DRY3
87....COMMSAVETHEPROFILEFORSEDANANALYSIS
88....SAVELUNM=22,TYPE=A
89....COMMFIRSTPASSIVATION
90....PRINTHEAD=Y
91....PLOTTOTL=N
92....MODELNAME=DRY4,LRTE=6.89E5,PRTE=26.15
93....STEP30TYPE=OXID,TEMP=950,TIME=10,MODL=DRY4
94....MODELNAME=WET4,LRTE=3.705E6,PRTE=8.505
95....STEP31TYPE=OXID,TEMP=950,TIME=11,MODL=WET4
96....PRINTHEAD=Y
97....PLOTTOTL=Y,IDIV=Y,WIND=22,AXIS=Y
98....STEP32TYPE=OXID,TEMP=950,TIME=10,MODL=DRY0
99....END
1
CF741TECHNOLOGYSIMULATIONOFVERTICALSECTIONNPNTR.
BURIEDOXIDATION
步骤#1
热氧化过程DRYOXYGEN
总时间=10.0分钟
初始温度=1180.00摄氏度C.
氧化层厚度=6.6440E-02微米
线性氧化速率常数=1.201413E-02微米/分钟
抛物线氧化速率常数=6.976344E-04微米]2/分钟
氧化生长气分压强=1.00000大气压强
I杂质在SiO2中的I杂质在Si中的II杂质在硅表面的I
I扩散I扩散I分凝I输运
I系数I系数I系数I系数I
------------------------------------------------------------------------------
BORONI1.08369E-06I4.55914E-03I.78601I4.15931E-02I
表面杂质浓度=8.285731E+14原子数/CM]3
扩散结深I扩散层方块电阻
----------------------I---------------------------
I17250.3欧姆/方块
净有效杂质浓度
在二氧化硅中的电荷=3.573161E+09是.448%电荷总数
在硅中的电荷=7.932472E+11是99.6%电荷总数
电荷总数=7.968203E+11是99.6%初始电荷
初始电荷=8.000000E+11
平均化学浓度BORON
在二氧化硅中的电荷=3.573161E+09是.448%电荷总数
在硅中的电荷=7.932472E+11是99.6%电荷总数
电荷总数=7.968203E+11是99.6%初始电荷
初始电荷=8.000000E+11
1
CF741TECHNOLOGYSIMULATIONOFVERTICALSECTIONNPNTR.
BURIEDOXIDATION
步骤#2
热氧化过程WETOXYGEN
总时间=100.0分钟
初始温度=1180.00摄氏度C.
氧化层厚度=1.008微米
线性氧化速率常数=.177639微米/分钟
抛物线氧化速率常数=1.067432E-02微米]2/分钟
氧化生长气分压强=.842105大气压强
I杂质在SiO2中的I杂质在Si中的II杂质在硅表面的I
I扩散I扩散I分凝I输运
I系数I系数I系数I系数I
------------------------------------------------------------------------------
BORONI1.08369E-06I4.55914E-03I.78601I4.15931E-02I
表面杂质浓度=5.686328E+14原子数/CM]3
扩散结深I扩散层方块电阻
----------------------I---------------------------
I18769.6欧姆/方块
净有效杂质浓度
在二氧化硅中的电荷=6.783662E+10是8.52%电荷总数
在硅中的电荷=7.287182E+11是91.5%电荷总数
电荷总数=7.965548E+11是100.%初始电荷
初始电荷=7.968203E+11
平均化学浓度BORON
在二氧化硅中的电荷=6.783662E+10是8.52%电荷总数
在硅中的电荷=7.287182E+11是91.5%电荷总数
电荷总数=7.965548E+11是100.%初始电荷
初始电荷=7.968203E+11
1
CF741TECHNOLOGYSIMULATIONOFVERTICALSECTIONNPNTR.
BURIEDOXIDATION
步骤#3
热氧化过程DRYOXYGEN
总时间=10.0分钟
初始温度=1180.00摄氏度C.
氧化层厚度=1.011微米
线性氧化速率常数=1.201413E-02微米/分钟
抛物线氧化速率常数=6.976344E-04微米]2/分钟
氧化生长气分压强=1.00000大气压强
I杂质在SiO2中的I杂质在Si中的II杂质在硅表面的I
I扩散I扩散I分凝I输运
I系数I系数I系数I系数I
------------------------------------------------------------------------------
BORONI1.08369E-06I4.55914E-03I.78601I4.15931E-02I
表面杂质浓度=6.599149E+14原子数/CM]3
扩散结深I扩散层方块电阻
----------------------I---------------------------
I18780.3欧姆/方块
净有效杂质浓度
在二氧化硅中的电荷=6.824748E+10是8.57%电荷总数
在硅中的电荷=7.282868E+11是91.4%电荷总数
电荷总数=7.965342E+11是100.%初始电荷
初始电荷=7.965548E+11
平均化学浓度BORON
在二氧化硅中的电荷=6.824748E+10是8.57%电荷总数
在硅中的电荷=7.282868E+11是91.4%电荷总数
电荷总
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