微电子作业.docx
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微电子作业
1.activeregion有源区
2.activecomponent有源器件
3.anneal退火
4.atmosphericpressureCVD（APCVD）常压化学气相淀积
5.BEOL生产线后端工序
6.BiCMOS双极CMOS
7.bondingwire焊线，引线
8.BPSG硼磷硅玻璃
9.channellength沟道长度
10.chemicalvapordeposition（CVD）化学气象积淀
11.chemicalmechanicalplanarization（CMP）化学机械平坦化
12.damascene大马士革工艺
13.deposition积淀
14.diffusion扩散
15.dopantconcentration掺杂浓度（剂量）
16.dryoxidation干法氧化
17.epitaxiallayer外延层
18.etchrate刻蚀速率
19.fabrication制造
20.gateoxide栅氧化硅
21.ICreliability
22.interlayerdielectric层间介质
23.ionimplanter离子注入机
24.magnetronsputtering磁控溅射
25.metalorganicCVD（MOCVD）金属有机化学气相积淀
26.pcboard印刷电路板
27.plasmaenhancedCVD（PECVD）等离子体增强CVD
28.polish抛光29.RFsputtering射频溅射
30.silicononinsulator绝缘体上硅
第九章
1．例举出芯片厂中6个不同的生产区域并对每一个生产区域做简单描述。
（20分）
2．离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？
（10分）
3．离子注入后为什么要进行退火？
（10分）
4．光刻和刻蚀的目的是什么？
（20分）
5．为什么要采用LDD工艺？
它是如何减小沟道漏电流的？
（10分）
6．为什么晶体管栅结构的形成是非常关键的工艺？
更小的栅长会引发什么问题？
（10分）
7、描述金属复合层中用到的材料？
（10分）
8、STI隔离技术中，为什么采用干法离子刻蚀形成槽？
（10分）
1.答：
芯片厂中通常分为扩散区、光刻区、刻蚀区、离子注入区、薄
膜生长区和抛光区6个生产区域：
①扩散区是进行高温工艺及薄膜积淀的区域，主要设备是高温炉和湿法清洗设备；
②光刻区是芯片制造的心脏区域，使用黄色荧光管照明，目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上；③刻蚀工艺是在硅片上没有光刻胶保护的地方留下永久的图形；
④离子注入是用高压和磁场来控制和加速带着要掺杂的杂质的气体；高能杂质离子穿透涂胶硅片的表面，形成目标硅片；⑤薄膜生长主要负责生产各个步骤中的介质层与金属层的淀积。
⑥抛光，即CMP（化学机械平坦化）工艺的目的是使硅片表面平坦化
2.答：
氧化层保护表面免污染，免注入损伤，控制注入温度
3.推进，激活杂质，修复损伤。
4.光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上，而刻蚀的目的是在硅片上无光刻胶保护的地方留下永久的图形。
即将图形转移到硅片表面
5.沟道长度的缩短增加了源漏穿通的可能性，将引起不需要的漏电流，所以需要采用LDD工艺。
轻掺杂漏注入使砷和BF2这些较大质量的掺杂材料使硅片的上表面成为非晶态。
大质量材料和表面非晶态的结合有助于维持浅结，从而减少源漏间的沟道漏电流效应
6.因为它包括了最薄的栅氧化层的热生长以及多晶硅栅的刻印和刻蚀，而后者是整个集成电路工艺中物理尺度最小的结构。
多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。
随着栅的宽度不断减少，栅结构（源漏间的硅区域）下的沟道长度也不断减少。
晶体管中沟道长度的减少增加了源漏间电荷穿通的可能性，并引起了不希望的沟道漏电流。
7.
（1）淀积Ti，使钨塞和下一层金属良好键合，层间介质良好键合；
（2）Al,Au合金，加入铜抗电迁移（3）TiN作为下一次光刻的抗反射层
8.采用干法刻蚀，是为了保证深宽比
第三章
1.按构成集成电路基础的晶体管分类可以将集成电路分为哪些类型？
每种类型各有什么特征？
（40分）
2.什么是无源元件？
例举出两个无源元件的例子。
什么是有源元件？
例举出两个有源元件的例子。
（30分）
3.什么是CMOS技术？
什么是ASIC？
（
1.分为双极型集成电路和Mos型集成电路两大类;双极型平面晶体管以及双极型平面晶体管为主要器件，MOS型电路以及MOS晶体管为主要器件
2.无源元件：
传输电流不能控制电流方向。
有源元件：
可控制电流方向，放大信号，并产生复杂电路的器件，例如二极管，发光二极管，晶体管
3.CMOS技术：
以MOS为基础，同时含有NMOS和PMOS的集成电路技术
ASIC:
专用集成电路，是用户完全的定制设计和制造以满足单个用户的需要
第十六章
1.刻蚀工艺有哪两种类型？
简单描述各类刻蚀工艺（10分）
2.定义刻蚀速率并描述它的计算公式。
为什么希望有高的刻蚀速率？
（10分）
3.定义刻蚀选择比。
干法刻蚀的选择比是高还是低？
高选择比意味着什么？
（10分）
4.干法刻蚀的目的是什么？
例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。
干法刻蚀的不足之处是什么？
（10分）
5.解释发生刻蚀反应的化学机理和物理机理。
（15分）
6.描述一个等离子体干法刻蚀系统的基本部件。
二氧化硅、铝、硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体？
（15分）
7.描述电子回旋共振（ECR）（10分）
8.哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？
描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
（10分）
9.叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。
（10分）
1.刻蚀工艺：
干法刻蚀和湿法刻蚀。
干法刻蚀是把硅片表面曝露于气态中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口，与硅片发生物理或化学反应（或这两种反应），从而去掉曝露的表面材料，一般用于亚微米尺寸。
湿法刻蚀中，液体化学试剂（如酸、碱和溶剂等）以化学方式去除硅片表面的材料，一般用于尺寸较大的情况下（大于3微米）。
2.刻蚀速率=△T/t（A/min）△T=去掉材料的厚度t=刻蚀所用的时间高的刻蚀速率，可以通过精确控制刻蚀时间来控制刻蚀的厚度。
3.刻蚀选择比SR=EF/ErEF=被刻蚀材料的速率Er=掩蔽层材的刻蚀速率干法刻蚀的选择比低高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料，一个高选择比的刻蚀工艺不刻蚀下面一层材料并且保护的光刻胶也未被刻蚀。
4.干法刻蚀的主要目的是完整地把掩膜图形复制到硅片表面上。
干法刻蚀的优点：
1.刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁剖面控制2.好的CD控制3.最小的光刻胶脱落或粘附问题4.好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性5.较低的化学制品使用和处理费用缺点：
对层材料的差的刻蚀选择比、等离子体带来的器件损伤和昂贵的设备
5.在纯化学机理中，等离子体产生的反应元素（自由基和反应原子）与硅片表面的物质发生应。
物理机理的刻蚀中，等离子体产生的带能粒子（轰击的正离子）在强电场下朝硅片表面加速，这些离子通过溅射刻蚀作用去除未被保护的硅片表面材料。
6.基本部件：
发生刻蚀反应的反应腔，一个产生等离子体的射频电源，气体流量控制系统，去除刻蚀生成物和气体的真空系统。
氟刻蚀二氧化硅，氯和氟刻蚀铝，氯，氟和溴刻蚀硅，氧去除光刻胶
7.ECR反应器在1~10毫托的工作压力下产生很密的等离子体。
它在磁场环境中采用2.45GHZ微波激励源来产生高密度等离子体。
ECR反应器的一个关键点是磁场平行于反应剂的流动方向，这使自由电子由于磁力的作用做螺旋运动。
当电子的回旋频率等于所加的微波电场频率时，能有效地把电能转移到等离子体中的电子上。
这种振荡增加了电子碰撞的可能性，从而产生高密度的等离子体，获得大的离子流。
这些反应离子朝硅片表面运动并与表面层反应而引起刻蚀反应。
8.多晶硅等离子刻蚀用的化学气体通常是氯气、溴气或二者混合气体。
刻蚀多晶硅的三步工艺：
1.预刻蚀，用于去除自然氧化层、硬的掩蔽层和表面污染物来获得均匀的刻蚀。
2.接下来的是刻至终点的主刻蚀。
这一步用来刻蚀掉大部分的多晶硅膜，并不损伤栅氧化层和获得理想的各向异性的侧壁剖面。
3.最后一步是过刻蚀，用于去除刻蚀残留和剩余多晶硅，并保证对栅氧化层的高选择比。
这一步应避免在多晶硅周围的栅氧化层形成微槽。
9.去除氮化硅使用热磷酸进行湿法化学剥离掉的。
这种酸槽一般始终维持在160°C左右并对露出的氧化硅具有所希望的高选择比。
用热磷酸去除氮化硅是难以控制的，通过使用检控样片来进行定时操作。
在曝露的氮化硅上常常会形成一层氮氧化硅，因此在去除氮化硅前，需要再HF酸中进行短时间处理。
如果这一层氮氧化硅没有去掉，或许就不能均匀地去除氮化硅
第十三十四十五章
1.解释正性光刻和负性光刻的区别？
（第十三章）为什么正胶是普遍使用的光刻胶？
最常用的正胶是指哪些胶？
（第十五章）（10分）
2.解释什么是暗场掩模板。
（第十三章）（5分）
3.例出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要解释。
（第十三章）（15分）
4.在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
（第十三章）（5分）
5.例举并描出旋转涂胶的4个基本步骤（第十三章）（5分）
6.描述曝光波长和图像分辨率之间的关系（第十四章）（5分）
7.例举并描述光刻中使用的两种曝光光源（第十四章）（5分）
8.光学光刻中影响图像质量的两个重要参数是什么？
（第十四章）（5分）
9.解释扫描投影光刻机是怎样工作的？
扫描投影光刻机努力解决什么问题？
（第十四章）（10分）
10.光刻中采用步进扫描技术获得了什么好处？
（第十四章）（5分）
11.给出投影掩模板的定义。
投影掩模板和光掩模板的区别是什么？
（第十四章）（10分）
12.解释光刻胶显影。
光刻胶显影的目的是什么？
（第十五章）（5分）
13.解释光刻胶选择比。
要求的比例是高还是低？
（第十五章）（5分）
14.例举出两种光刻胶显影方法。
例举出7种光刻胶显影参数。
（第十五章）（10分）
1.正性光刻把与掩膜版上相同的图形复制到硅片上，负性光刻把与掩膜版上图形相反的图形复制到硅片表面，这两种基本工艺的主要区别在于所用的光刻胶的种类不同。
正刻胶在进行曝光后留下来的的光刻胶在曝光前已被硬化，它将留在硅片表面，作为后步工艺的保护层，不需要改变掩膜版的极性，并且负性光刻胶在显影时会变形和膨胀，所以正胶是普遍使用的光刻胶传统的I线光刻胶，深紫外光刻胶
2.暗场掩膜版是指一个掩膜版，它的石英版上大部分被铬覆盖，并且不透光
3.第一步：
气相成底膜处理，其目的是增强硅片和光刻胶之间的粘附性。
第二步：
旋转涂胶，将硅片被固定在载片台上，一定数量的液体光刻胶滴在硅片上，然后硅片旋转得到一层均匀的光刻胶图层第三步：
软烘，去除光刻胶中的溶剂
4.第四步：
对准和曝光，把掩膜版图形转移到涂胶的硅片上
5.第五步：
曝光后烘培，将光刻胶在100到110的热板上进行曝光后烘培第六步：
显影，在硅片表面光刻胶中产生图形
6.第七步：
坚膜烘培，挥发掉存留的光刻胶溶剂，提高光刻胶对硅片表面的粘附性
7.第八步：
显影后检查，检查光刻胶图形的质量，找出有质量问题的硅片，描述光刻胶工艺性能以满足规范要求
4.一，将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中二，在后续工艺中，保护下面的材料
5.1，分滴，当硅片静止或者旋转得非常缓慢时，光刻胶被分滴在硅片上2，旋转铺开，快速加速硅片的旋转到一高的转速使光刻胶伸展到整个硅片表面3，旋转甩掉，甩去多余的光刻胶，在硅片上得到均匀的光刻胶胶膜覆盖层4，溶剂挥发，以固定转速继续旋转已涂胶的硅片，直至溶剂挥发，光刻胶胶膜几乎干燥
6.减少曝光光源的波长对提高分辨率非常重要，波长的越小图像的分辨率就越高图像就越精确
7.汞灯，高压汞灯，电流通过装有氙汞气体的管子产生电弧放电，这个电弧发射出一个特征光谱，包括240纳米到500纳米之间有用的紫外辐射准分子激光，准分子是不稳定分子是有惰性气体原子和卤素构成只存在与准稳定激发态
8.分辨率和焦深
9.扫描投影光刻机的概念是利用反射镜系统把有1:
1图像的整个掩膜图形投影到硅片表面，其原理是，紫外光线通过一个狭缝聚焦在硅片上，能够获得均匀的光源，掩膜版和带胶硅片被放置在扫描架上，并且一致的通过窄紫外光束对硅片上的光刻胶曝光由于发生扫描运动，掩膜版图像最终被光刻在硅片表面。
扫描光刻机主要挑战是制造良好的包括硅片上所有芯片的一倍掩膜版
10.增大了曝光场，可以获得较大的芯片尺寸，一次曝光可以多曝光些芯片，它还具有在整个扫描过程调节聚焦的能力
11.投影掩膜版是一种透明的平板，在它上面有要转印到硅片上光刻胶层的图形。
投影掩膜版只包括硅片上一部分图形，而光掩膜版包含了整个硅片的芯片阵列并且通过单一曝光转印图形
12.光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域，其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中
13.光刻胶选择比是指显影液与曝光的光刻胶反应的速度快慢，选择比越高，反应速度越快，所以要比例高
14.连续喷雾显影，旋覆浸没显影显影温度，显影时间，显影液量，硅片洗盘，当量浓度，清洗，排风
十一章
1.什么是薄膜？
例举并描述可接受的薄膜的8个特性。
（15分）
2.例举并描述薄膜生长的三个阶段。
（10分）
3.什么是多层金属化？
它对芯片加工来说为什么是必需的？
（10分）
4.例举淀积的5种主要技术。
（10分）
5.描述CVD反应中的8个步骤（15分）。
6.例举高k介质和低k介质在集成电路工艺中的作用。
（10分）
7、名词解释：
CVD、LPCVD、PECVD、VPE、BPSG。
（将这些名词翻译成中文并做出解释）（10分）
8、质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工艺的区别？
（10分）
9、采用LPCVDTEOS淀积的是什么膜？
这层膜的优点是什么？
（10分）
1.
（1）薄膜：
指某一维尺寸远小于另外两维上的尺寸的固体物质。
.
（2）.好的台阶覆盖能力..高的深宽比填隙能力（>3:
1）
厚度均匀（避免针孔、缺陷）..高纯度和高密度..受控的化学剂量
..结构完整和低应力（导致衬底变形,
..好的粘附性避免分层、开裂致漏电）
2.
（1）晶核形成
分离的小膜层形成于衬底表面，是薄膜进一步生长的基础。
（2）凝聚成束
形成（Si）岛，且岛不断长大（3）连续成膜
岛束汇合并形成固态的连续的薄膜淀积的薄膜可以是单晶（如外延层）、多晶（多晶硅栅）和无定形（隔离介质，金属膜）的
3.答：
..多层金属化：
用来连接硅片上高密度器件的金属层和绝缘层..关键层：
线条宽度被刻蚀为器件特征尺寸的金属层。
..对于ULSI集成电路而言，特征尺寸的范围在形成栅的多晶硅、栅氧以及距离硅片表面最近的金属层。
介质层
..层间介质（ILD）
ILD－1：
隔离晶体管和互连金属层；隔离晶体管和表面杂质。
采用低k介质作为层间介质，以减小时间延迟，增加速度。
4.答：
膜淀积技术分类化学方法
（1）CVD
a.APCVD（AtmospherePressureChemicalVaporDeposition）b.LPCVD
c.等离子体辅助CVD：
HDPCVD（High-DensityPlasmaCVD）、PECVD（PlasmaenhancedCVD）d.VPE和金属有机化学气相淀积
（2）电镀：
电化学淀积（ECD）、化学镀层物理方法：
（1）PVD
（2）蒸发（含MBE）（3）旋涂（SOG,SOD）
5.答：
1）质量传输2）薄膜先驱物反应3）气体分子扩散4）先驱物吸附
5）先驱物扩散进衬底6）表面反应7）副产物解吸8）副产物去除
6.答：
（1）低k介质须具备
低泄漏电流、低吸水性、低应力、高附着力、高硬度、高稳定性、好的填隙能力，便于图形制作和平坦化、耐酸碱以及低接触电阻。
研究较多的几种无机低介电常数
（二）高k介质
应DRAM存储器高密度储能的需要，引入了高k介质，在相同电容（或储能密度）可以增加栅介质的物理厚度，避免薄栅介质隧穿和大的栅漏电流。
同时，降低工艺难度。
有潜力的高k介质：
Ta2O5,（BaSr）TiO3.
7.答：
（1）CVD、化学气相淀积（ChemicalVaporDeposition）是指利用热能、辉光放电等离子体或其它形式的能源，使气态物质在固体的热表面上发生化学反应并在该表面上淀积，形成稳定的固态物质的工艺过程。
（2）低压CVD（LPCVD）装片；炉子恒温并对反应室抽真空到1.3Pa；充N2气或其它惰性气体进行吹洗；再抽真空到1.3Pa；完成淀积；关闭所有气流，反应室重新抽到1.3Pa；回充N2气到常压，取出硅片。
（3）等离子体增强CVD（PECVD）淀积温度低，冷壁等离子体反应，产生颗粒少，需要少的清洗空间等等离子体辅助CVD的优点。
（4）VPE气相外延：
硅片制造中最常用的硅外延方法是气相外延，属于CVD范畴。
在温度为800-1150℃的硅片表面通过含有所需化学物质的气体化合物，就可以实现气相外延。
（5）BPSG：
硼磷硅玻璃（boro-phospho-silicate-glass，BPSG）：
这是一种掺硼的SiO2玻璃。
可采用CVD方法（SiH4+O2+PH3+B2H6，400oC~450oC）来制备。
BPSG与PSG（磷硅玻璃）一样，在高温下的流动性较好，广泛用作为半导体芯片表面平坦性好的层间绝缘膜
8.答：
1、质量传输限制淀积速率淀积速率受反应物传输速度限制，即不能提供足够的反应物到衬底表面，速率对温度不敏感（如高压CVD）。
2、反应速度限制淀积速率
淀积速率受反应速度限制，这是由于反应温度或压力过低（传输速率快），提供驱动反应的能量不足，反应速率低于反应物传输速度。
可以通过加温、加压提高反应速度。
9.答：
2）用TEOS（正硅酸乙酯）-臭氧方法淀积SiO2Si（C2H5O4）＋8O3SiO2＋10H2O＋8CO2优点：
a、低温淀积；
b、高的深宽比填隙能力；c、避免硅片表面和边角损伤；
第十章
1．二氧化硅薄膜在集成电路中具有怎样的应用？
（15分）
2.说明水汽氧化的化学反应，水汽氧化与干氧氧化相比速度是快还是慢？
为什么？
（15分）
3.描述热氧化过程。
（20分）
4.影响氧化速度的因素有哪些？
（15分）
5.例举并描述热生长SiO2–Si系统中的电荷有哪些？
（15分）
6.立式炉系统的五部分是什么？
例举并简单描述（20分）
1.1.保护器件避免划伤和沾污
2.限制带电载流子场区隔离（表面钝化）
3.栅氧或存储单元结构中的介质材料
4.掺杂中的注入掩蔽
5.金属导电层间的电介质
6.减少表面悬挂键
2.化学反应：
Si+2H2O->SiO2+2H2
水汽氧化与干氧氧化相比速度更快，因为水蒸气比氧气在二氧化硅中扩散更快、溶解度更高
3.、1.干氧：
Si＋O2SiO2
氧化速度慢，氧化层干燥、致密，均匀性、重复性好，与光刻胶
的粘附性好
2、水汽氧化：
Si+H2OSiO2（固）+H2（气）
氧化速度快，氧化层疏松，均匀性差，与光刻胶的粘附性差
3、湿氧：
氧气携带水汽，故既有Si与氧气反应，又有与水汽反应
氧化速度、氧化质量介于以上两种方法之间
4.掺杂物、晶体晶向、压力、温度、水蒸气
5.界面陷阱电荷、可移动氧化物电荷
6.工艺腔、硅片传输系统、气体分配系统、尾气系统、温控系统
4.工艺腔是对硅片加热的场所，由垂直的石英罩钟、多区加热电阻丝和加热管套组成硅片传输系统在工艺腔中装卸硅片，自动机械在片架台、炉台、装片台、冷却台之间移动气体分配系统通过将正确的气体通到炉管中来维持炉中气氛控制系统控制炉子所有操作，如工艺时间和温度控制、工艺步骤的顺序、气体种类、气流速率、升降温速率、装卸硅片...
第四章
1.例举得到半导体级硅的三个步骤。
半导体级硅的纯度能达到多少？
（50分）
2.将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程？
（30分）
3.什么是外延层？
为什么硅片上要使用外延层？
（20分）
1.答：
（1）制备半导体级硅的过程：
a）制备冶金级硅：
SiC（s）+SiO2（s）→Si（l）+SiO（g）+CO（g）
b）化学反应提纯生成三氯硅烷：
Si（s）+3HCl（g）→SiHCl3（g）+H2（g）+heat
c）生产半导体级硅：
2SiHCl3（g）+2H2（g）→2Si（s）+6HCl（g）
（2）半导体级硅的纯度能达到99.9999999%。
2.答：
晶体生长→整型→切片→磨片倒角→腐蚀→抛光→清洗→检查→包装
3.外延层：
硅基片作为籽晶在硅片上生长的一薄层硅
外延层与衬底有相同的晶体结构，保持了对杂质类型和浓度的控制
第一章
1.什么叫集成电路？
写出集成电路发展的五个时代及晶体管的数量？
（15分）
2.写出IC制造的５个步骤？
（15分）
3.写出半导体产业发展方向？
什么是摩尔定律？
（15分）
4.什么是特征尺寸CD？
（10分）
5.什么是Moremoore定律和MorethanMoore定律？
（10分）
6.名词解释：
high-k;low-k;Fabless;Fablite;IDM;Foundry;Chipless（20分）
7.例举出半导体产业的8种不同职业并简要描述.（15分）
1.集成电路：
将多个电子元件集成在一块衬底上，完成一定的电路或系统功能。
小规模时代（SSI）,元件数2-50；中规模时代（MSI），元件数30-5000；大规模时代（ISI）,元件数5000-10万；超大规模时代（visi），10万-100万；甚大规模，大于100万。
2、写出IC制造的５个步骤？
（1）硅片制备（Waferpreparation）：
晶体生长，滚圆、切片、抛光。
（2）硅片制造（Waferfabrication）：
清洗、成膜、光刻、刻蚀、掺杂。
（3）硅片测试/拣选（Wafertest/sort）：
测试、拣选每个芯片。
（4）装配与封装（Assemblyandpackaging）：
沿着划片槽切割成芯片、压焊和包封。
（5）终测（Finaltest）：
电学和环境测试。
3.发展方向：
①提高芯片性能②提高芯片可靠性③降低成本
摩尔定律：
其内容是：
硅集成电路按照4年为一代，每代的芯片集成度要翻两番、工艺线宽约缩小30%，IC工作速度提高1.5倍等发展规律发展。
。
4.硅片上的最小特征尺寸称为CD，CD常用于衡量工艺难易的标志。
5.
“MoreMoore”：
是指继续遵循Moore定律，芯片特征尺寸不断缩小（Scalingdown），以满足处理器和内存对增加性能/容量和降低价格的要求。
它包括了两方面：
从几何学角度指的是为了提高密度、性能和可靠性在晶圆水平和垂直方向上的特征尺寸的继续缩小，以及与此关联的3D结构改善等非几何学工艺技术和新材料的运用来影响晶圆的电性能。
“MoreThanMoore”：
指的是用各种方法给最终用户提供附加价值，不一定要缩小特征尺寸，如从系统组件级向3D集成或精确的封装级（SiP）或芯片级（SoC）转移。
它更强调功能多样化，更注重所做器件除了运算和存储之外的新功能
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