第八章 静电场中的导体和电介质精.docx

上传人:b****5 文档编号:29093343 上传时间:2023-07-20 格式:DOCX 页数:13 大小:33.93KB
下载 相关 举报
第八章 静电场中的导体和电介质精.docx_第1页
第1页 / 共13页
第八章 静电场中的导体和电介质精.docx_第2页
第2页 / 共13页
第八章 静电场中的导体和电介质精.docx_第3页
第3页 / 共13页
第八章 静电场中的导体和电介质精.docx_第4页
第4页 / 共13页
第八章 静电场中的导体和电介质精.docx_第5页
第5页 / 共13页
点击查看更多>>
下载资源
资源描述

第八章 静电场中的导体和电介质精.docx

《第八章 静电场中的导体和电介质精.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《第八章 静电场中的导体和电介质精.docx(13页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。

第八章 静电场中的导体和电介质精.docx

第八章静电场中的导体和电介质精

第八章静电场中的导体和电介质

一、基本要求

1.理解导体的静电平衡,能分析简单问题中导体静电平衡时的电荷分布、场强分布和电势分布的特点。

2.了解两种电介质极化的微观机制,了解各向同性电介质中的电位移和场强的关系,了解各向同性电介质中的高斯定理。

3.理解电容的概念,能计算简单几何形状电容器的电容。

4.了解电场能量、电场能量密度的概念。

二、本章要点

1.导体静电平衡

导体内部场强等于零,导体表面场强与表面垂直;导体是等势体,导体表面是等势面。

在静电平衡时,导体所带的电荷只能分布在导体的表面上,导体内没有净电荷。

2.电位移矢量

在均匀各向同性介质中

D=εE=ε0εrE

介质中的高斯定理D⋅ds=∑Qi自si

3.电容器的电容

C=

电容器的能量Q∆U

1Q2

W=2C

4.电场的能量

电场能量密度

w=

电场能量1E⋅D2

W=⎰VwdV

三、例题

8-1下列叙述正确的有(B)

(A)若闭合曲面内的电荷代数和为零,则曲面上任一点场强一定为零。

(B)若闭合曲面上任一点场强为零,则曲面内的电荷代数和一定为零。

103

(C)若闭合曲面内的点电荷的位置变化,则曲面上任一点的场强一定会改变。

(D)若闭合曲面上任一点的场强改变,则曲面内的点电荷的位置一定有改变。

(E)若闭合曲面内任一点场强不为零,则闭合曲面内一定有电荷。

i解:

选(B)。

由高斯定理E⋅ds=∑qi/ε0,由∑q=0⇒φ=0,但场强则

不一定为零,如上题。

(C)不一定,受静电屏蔽的导体内部电荷的变动不影响外部场强。

(D)曲面上场强由空间所有电荷产生,改变原因也可能在外部。

(E)只要通过闭曲面电通量为0,面内就可能无电荷。

8-2如图所示,一半径为R的导体薄球壳,带电量为-Q1,在球壳的正上方距球心O距离为3R的B点放置一点电荷,带电量为+Q2。

令∞处电势为零,则薄球壳上电荷-Q1在球心处产生的电势等于___________,+Q2在球心处产生的电势等

于__________,由叠加原理可得球心处的电势U0等于_____________;

球壳上最高点A处的电势为_______________。

解:

由电势叠加原理可得,球壳上电荷-Q1在O点的电势为

U1=-

点电荷Q2在球心的电势为Q14πε0R

U2=

所以,O点的总电势为Q2Q2=4πε0⋅3R12πε0R

U0=U1+U2=

由于整个导体球壳为等势体,则Q2-3Q112ε0R

UA=U0=Q2-3Q112ε0R

8-3两带电金属球,一个是半径为2R的中空球,一个是半径为R的实心球,两球心间距离r(>>R),因而可以认为两球所带电荷都是均匀分布的,空心球电势为U1,实心球电势为U2,则空心球所带电量Q1=___________,实心球所带电Q2=___________。

若用导线将它们连接起来,则空心球所带电量为______________,两球电势为______________。

解:

连接前,空心球电势U1=Q1,所以带电量为

4πε02R

104

Q1=8πε0RU1实心球电势U2=Q2

4πε0R,所以带电量为

Q2=4πε0RU2

连接后,两球电势相等,但总电量不变。

'=U2'=U'或U1Q1'8πε0R='Q2

4πε0R

Q'1+Q'2=Q1+Q2

联立解得

Q1'=8πε0R2U1+U2(2U1+U2)U'=33

8-4一不带电的导体壳,壳内有一个点电荷q0,壳外有点电荷q1和q2。

导体壳不接(A)q1与q2的电量改变后,壳内场强分布不变。

(B)q1与q2在壳外的位置改变后,壳内的场强分布不变。

(C)q0的电量改变后,壳外的场强分布不变。

(D)q0在壳内的位置改变后,壳外的场强分布不变。

8-5如图,半径为R的不带电的金属球内有两个球形空腔,在两个空腔中分别放点电荷q1和q2,在金属球外放一点电荷q3,它们所带电荷均为q。

若q1和q2到球心距离都是地,下列说法中正确的是(A、B、D);若导体壳接地,下列说法中正确的是(A、B、C、D)。

R/2,q3到球心距离r>>R,则q1受力为_______,q2受力为_________,q3受力约为________。

解:

q1、q2受力为0。

球为等势体,球外

表面感应电荷均匀分布,电场在球外也呈径向

对称分布。

由高斯定理球外场强为

E=

所以,q3受力约为q1+q24πε0r2

q3(q1+q2)2q2

F==224πε0r4πε0r

8-6半径分别为R1和R2(R1<R2)互相绝缘的两个同心导

体球壳,内球带电+Q。

取地球与无限远的电势均为零。

(1)外球的电荷和电势。

105

(2)将外球接地后再重新绝缘,此时外球的电荷和电势。

(3)再将内球接地,此时内球的电荷。

解:

(1)由于内球带电+Q,由静电平衡条件和高斯定理知,外球壳内表面带电-Q,外表面带电+Q。

因为外球壳外面的场强为

E=

所以,外球的电势为Q4πε0r2(r>R2)

U=⎰∞

R2∞E⋅dr=⎰Q4πε0r2R2dr=Q4πε0R2

(2)外球接地,内表面电量不变,外表面电量变为零,电势为零。

(3)将内球接地后,内球电势为零。

设内球电量变为q,则

U=q

4πε0R1-Q4πε0R2=0q=R1QR2

8-7在半径为R1的均匀带电Q的金属球外有一层相对介电常数为εr均匀电介质,外半径为R2,画出电势U~r关系曲线和场强E~r关系曲线(r是球心到场点之间的距离)。

解:

利用高斯定理

2D⋅ds=D⋅4πr=Q内自s

D=Q内自

4πr2由于D=εE,且

⎧0⎪Q内自=⎨Q

⎪Q⎩

所以,场强分布为rR2

⎧⎪0⎪Q⎪E=⎨2⎪4πε

0εrr

Q⎪⎪4πεr2

0⎩rR2

106

下面求电势分布:

r>R2时

U=⎰

∞r

∞E⋅dr=⎰

R

Q4πε0r2

dr=

Q4πε0r

R1

U=⎰=

r

R2E⋅dr=⎰

r

Q4πε0εrrQ

+

2

dr+⎰Q

Q4πε0r

2

R2

dr

Q4πε0εrr

-

4πε0εrR24πε0R2

r≤R1时

U=⎰

∞r

R1R2E⋅dr=⎰0dr+⎰

r

R1

Q4πε0εrrQ

2

dr+⎰Q

Q4πε0r

2

R2

dr

=

Q4πε0εrR1

-

4πε0εrR2

+

4πε0R2

U~r曲线和E~r曲线如图所示:

8-8如图,一无限大均匀带电介质平板A,电荷面密度为σ1,将介质板移近导体B后,B导体外表面上靠近P点处的电荷面密度为σ2,P点是B导体表面外靠近导体的一点,则P点的电场强度大小为__________________。

解:

仅知P点附近电荷面密度,其它地方不知,不能用场强叠加方法。

做如图所示的高斯面,其底面面积s很小,可认为s面上各点场强相等。

由于导体表面是等势面,所以s面上各点场强垂直于导体表面。

P点在底面上,另一底面在导体内部,面上各点场强为零。

由高斯定理,得

EPs=σ2s/ε0EP=σ2/ε0

8-9

将一带电导体平板A和一电介质平面B平行放置,如图所示。

在真空中平衡后,

107

A两侧的面电荷密度分别为σ1和σ2,则B的面电荷密度σ3等于

___________。

解:

在导体平板内任找一点P,则

σσσEP=E1-E2-E3=0=1-2-3=0

2ε02ε02ε0

所以

σ3=σ1-σ2

8-10半径为R、相对介电常数为εr均匀电介质球中心放一点电荷

Q,球外是真空,在距中心r>R的P点场强大小为__________。

解:

利用高斯定理容易求得P点场强E=Q

4πε0r2。

8-11平行板电容器中充满某种均匀电介质,电容器与一个电源相连,然后将介质取出,则电容器的电容量C、电量Q、电位移D、电场强度E、板间电压U与取出介质前相比,增大的有_______,减小的有__________,不变的有__________。

解:

介质取出前,有

E=UεUεsεsD=εE=C=Q=Udddd

介质取出后,有

E=εUεsεsUD=0C=0Q=0Udddd

所以,各量均无增大,减小的有C、Q、D,不变有E、U。

8-12一球形电容器由半径为R的导体球壳和与它同心的半径为4R的导体球壳所组成,R到2R为相对电容率为εr=2的电介质,2R到4R为真空。

若将电容器两极板接在电压为U的电源上,求

(1)电容器中场强的分布;

(2)电容器的电容。

-Q,由高斯定理容易求得场强分布解:

不妨先设内外球壳电量分别为+Q、

Q⎧⎪⎪4πε0εrr2

E=⎨Q⎪2⎪⎩4πε0rR4R

电容器两极板之间的电压为

4R2R4RQQQ=U=⎰E⋅dr=⎰dr+dr⎰2R4πε0r2RR4πεεr28πε0R0r

所以

Q=

8πε0RU

108

(1)电容器中场强的分布

⎧RU⎪2E=⎨r2RU⎪2⎩r

(2)电容器的电容R4R

Q=8πε0RUC=

8-13半径分别为R1和R2的同轴导体圆筒间充满相对

电容率为εr的均匀电介质。

现使圆筒带电,单位长度电荷

各为+λ1(内筒)和+λ2(外筒),如图所示。

(1)求两筒间的电压;

(2)设轴线上电势为零,分别求P点和Q点的电势。

(P

和Q与轴分别相距rP和rQ)

解:

(1)场强分布为

⎧0⎪E=⎨λ1

⎪⎩2πε0εrr

两筒间电压r

U=⎰R2

R1R2E⋅dr=⎰R1λ1λ1dr=lnR2/R12πε0εrr2πε0εr

UP=0

(2)设轴线上电势为零,则

UR1-UQ=⎰Edr=⎰R1rQrQR1λ1λ1dr=lnrQ/R12πε0εrr2πε0εr

UQ=-λ1lnrQ/R12πε0εr

8-14将一空气平行板电容器与电源相连进行充电,使电容器储存能量W1。

若充电后断开电源,然后将相对介电常数为εr的电介质充满该电容器,电容器储存的能量变为W2,则比值W1/W2=______________;如果充电后不断开电源,则比值W1/W2=______________。

解:

(1)若充电后断开电源,则Q不变。

因为

εS1Q2

W=C=

d2C

109

所以

W1C2ε===εrW2C1ε0

(2)如果充电后不断开电源,则U不变。

因为所以

110W=12CU2W1C1εW==0=12C2εεr

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索

当前位置:首页 > 教学研究 > 教学计划

copyright@ 2008-2022 冰豆网网站版权所有

经营许可证编号:鄂ICP备2022015515号-1