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专利

磷扩散炉尾上下进气管多点进气装置

 本实用新型涉及扩散炉技术领域，特别是一种磷扩散炉尾上下进气管多点进气装置。

它包括进气管，进气管从炉尾伸入炉内后一分为二，分为上进气管和下进气管，上进气管和下进气管分别位于炉管的上部和下部，上进气管和下进气管上开有多个出气孔，出气孔方向平行硅片表面。

通入的反应气体可以通过上下进气管上的多点出气孔出气，提高磷扩散后的片内、片间方阻均匀性，达到较好的整管方阻分布。

一种磷扩散用匀流板

本实用新型公开了一种磷扩散用匀流板，所述匀流板的材质为石英板，石英板上均匀分布有匀流气孔；所述匀流气孔的直径3-5mm；所述石英板的厚度为300um-500um。

本实用新型的匀流板由于分布有多个匀流气孔，在使用时，将匀流板至于扩散用石英舟的炉口及炉尾，在进行磷扩散时，掺杂源的气流会匀流气孔中均匀的流入待扩散的硅片中，达到气氛在硅片与硅片之间的均匀分布，从而提高方块电阻的均匀性。

太阳能电池扩散工艺及其设备

本发明涉及一种太阳能电池加工技术领域，特别是一种太阳能电池扩散工艺及其设备。

本发明在太阳能电池扩散工艺中通过控制抽气排风压力，使抽气排风压力这个参数保持稳定，抽气排风压力的稳定导致磷在硅片中的注入浓度稳定，使加工后得到的硅片的方块电池保持稳定，在后道烧结中可以匹配出高效的太阳能电池。

抽气排风压力通过在机台排风端加装的排风压力控制阀和排风压力控制器来进行控制。

抽气排风压力稳定后，磷在硅片中的注入浓度稳定后，方块电阻也随之稳定，可以提升最终的太阳能电池效率5％。

一种低电阻的晶体硅太阳电池组件

本发明涉及一种低电阻的晶体硅太阳电池组件，具有太阳电池，太阳电池正面主栅线由反光段栅线与焊接段栅线组成，反光段栅线的宽度小于焊接段栅线的宽度，焊接段栅线宽度为2～5mm，反光段栅线的宽度为0.1～0.8mm。

太阳电池背面具有背面电极主栅线，背面电极主栅线由与正面焊接段栅线对应的宽焊接段和与宽焊接段连接并延伸到背面中部的窄栅段。

本发明可减少太阳电池组件光损失与电阻损失，可减少光学损耗2～4％，太阳电池组件功率可提升4～6％。

一种太阳能电池制作方法

 本发明涉及一种太阳能电池制作方法，该方法是在电池片表面通过等离子体化学气相沉积法镀膜，在薄膜沉积初期，NH3与SiH4的气体比例控制在1∶0.37左右，采取适当低的等离子体激发能量，沉积低致密性的薄膜，随着薄膜的生长，等离子体激发能量逐渐增加，NH3与SiH4的气体比例逐渐由1∶0.370降低至1∶0.176，在薄膜外层生长出贫硅的氮化硅薄膜，同时随着等离子能量的增强，沉积出的薄膜致密性增加，生产出多层渐进膜。

新的PECVD薄膜能够将电池的反射率大幅降低为原有的60％，在此基础上，成品电池片在原有效率上提高∽0.1％，相应的电池组件功率提升1∽2W（60P）.整个新生产过程未增加任何附加成本。

一种湿法刻蚀监控方法

 本发明提供一种湿法刻蚀监控方法，包括如下步骤：

第一步、用印刷或喷涂的方法在硅片表面的掩膜区制备出非掩膜区图形；第二步、把非掩膜区图形部分的掩膜刻蚀形成非掩膜区；第三步、用四探针探头测量非掩膜区的方块电阻，非掩膜区的方块电阻的阻值为90～160Ω。

本发明利用在掩膜区挖出一定区域的非掩膜区，监控该非掩膜区的方块电阻来控制刻蚀工艺点，本发明可以使工艺控制有依据，方便对刻蚀过程的控制。

具有背面钝化的选择性发射结硅太阳能电池的制备方法

 本发明涉及硅太阳能电池的技术领域，尤其是一种具有背面钝化的选择性发射结硅太阳能电池的制备方法：

将硅片进行清洗制绒；采用热氧化的方法在硅片表面生长一层二氧化硅的薄膜；用腐蚀性浆料对硅片进行腐蚀，将硅片腐蚀出正电极后进行选择性扩散，在硅片的正面形成选择性发射结；将硅片去PSG及刻边；在硅片的背面沉积一层三氧化二铝薄膜作为钝化层；将硅片进行氢气退火、正面及背面电极的印刷、烧结并进行电性能测试。

本发明在硅片的背表面生长或沉积一层或多层的电介质薄膜，并在背面印刷电极，通过烧结实现欧姆接触，降低背面复合，提高了电池的效率。

一膜多用的掩膜法制备的N型太阳能电池及其制备方法

本发明涉及N型太阳能电池领域，特别是一种一膜多用的掩膜法制备的N型太阳能电池及其制备方法。

该N型太阳能电池是：

以n型直拉单晶硅为基体，硅片的背面是覆盖有SiO2和SiNx双层钝化膜的硼扩散制备的P型发射结，硅片的正面是磷扩散制备的前表面场，前表面场上覆盖有起钝化和减反射作用的薄膜。

制备该N型太阳能电池的方法是：

以n型直拉单晶硅为基体，首先通过硼扩散制备P型发射结，然后刻蚀掉正面的P型发射结，在硅片背面的P型发射结上制作SiO2薄膜，该SiO2薄膜既是后续磷扩散制备前表面场的掩膜，又是P型发射结的钝化膜，最后通过磷扩散制备前表面场。

本发明的有益效果是：

工艺过程简单，容易控制，成本低，光电转换效率高。

太阳电池或组件的IV特性模拟测试方法

 本发明涉及一种太阳电池或组件的IV特性模拟测试方法，具有如下步骤：

（1）光学模拟：

计算得到光生载流子速率，

（2）半导体器件模拟：

构建太阳电池或组件的微单元，得到微单元的J-V特性；（3）电路模拟：

微单元作为电压控制电流源G，电阻Rf、电阻Rb将多个电压控制电流源G串联起来形成整片太阳电池或整个组件的模拟电路，在模拟电路的主栅测试点和背电极间进行电压扫描并跟踪记录电流，得到整片太阳电池或整个组件的I-V特性。

本发明有效解决太阳电池或组件特性IV特性模拟的复杂性，太阳电池或组件的IV特性测试简单快捷。

一种太阳能电池浮动结背面钝化结构及其方法

 本发明涉及太阳能电池钝化技术领域，特别是一种太阳能电池浮动结背面钝化的方法。

P型晶体硅电池的传统背面钝化路线是使用二氧化硅或氮化硅作为背面的钝化层，但是在背面空穴是少子，而所增加的钝化层所带的电荷为正电，阻止了空穴向背面的运动，从而得不到背面钝化的效果，本发明在背面增加了一个N型区，大大的降低了背面的复合，增加电压和效率。

其结构为：

在P型硅基体的背面增加一层N型区，在N型区上生长或沉积钝化层。

其工艺方法为：

在硅片清洗制绒之后在硅片表面制作一层二氧化硅的薄膜，正面的二氧化硅在完成正面扩散后去除，在背面二氧化硅上开槽、扩散，在背面形成N型钝化层，然后在正面和背面分别沉积钝化膜。

一种扩散面水膜保护湿法刻蚀工艺

 本发明涉及太阳能电池制造过程中的链式湿法刻蚀工艺，特别是一种扩散面水膜保护湿法刻蚀工艺。

该工艺首先在待刻蚀的硅片扩散面形成一层水膜保护层，该水膜保护层在后续刻蚀时用来保护硅片的扩散面，然后该硅片漂浮在刻蚀药液上进行常规湿法刻蚀。

本发明利用液体的表面张力在硅片表面形成水膜保护层，不仅可以去除现有湿法刻蚀工艺中产生的多余刻蚀区域，增加PN结的有效受光面积，提高光电转换效率，而且可消除因刻蚀槽内气泡炸裂刻蚀药液飞溅、槽体上方凝结的刻蚀药液液滴滴落、排风不稳定、流量异常等问题，造成扩散面被刻蚀药液破坏，最终降低太阳能电池的各种外观不良片、电性能失效片的产生比例。

 提高多晶硅光伏电池转换效率的方法（铸锭）

 本发明涉及一种提高多晶硅光伏电池转换效率的方法，包括以下步骤：

1）将需要进行处理的多晶硅基材料置于热等静压炉炉腔中，炉腔发热体为石墨、钼、钽或二硅化钼；2）向抽取真空的炉腔中通入惰性气体，使炉腔内惰性气体的浓度达到99.999％以上；3）加热炉腔，以0.1～30℃/分钟的速率使其升温至900～1380℃，并在该温度下保温0.1～10小时，炉腔压力为0.5～250MPa；4）以10～50℃/分钟的速率冷却至室温，炉腔压力逐渐减小至大气压，开炉腔，取出多晶硅基材料。

采用本方法后多晶硅的少子寿命得到提高，多晶硅的微缺陷含量得到大幅度降低，由此制备的光伏电池转换效率得到提升。

一种太阳能电池

 本实用新型涉及一种太阳能电池，在电池的背面具有铝背场和背电极，将现有技术中铝背场2边缘与电池片1边缘的距离1cm，改为0.5-0.8cm。

将现有技术中的铝背场2的背电极3宽度有2.5cm改为1.2-2.2cm。

将现有技术中，整条的背电极3，改为5-10段式的分段式背电极4。

该设计增加了铝背场的面积，提高了太阳能电池片的开路电压和短路电流，最终可以提高太阳能电池片的光电转换效率。

根据实验证明，选择性发射结太阳能电池转换效率提高0.1％-0.2％。

而其组件功率可以提高1.5-2.5W。

极大的提高了太阳能电池片的价值。

PECVD沉积腔体吹扫系统

 本实用新型涉及PECVD镀膜设备技术领域，特别是一种PECVD沉积腔体吹扫系统。

它包括质量流量控制器以及质量流量控制器两端的管路，在质量流量控制器旁设置导气旁路，在质量流量控制器进气端的管路与导气旁路的交汇处加装保护质量流量控制器的气体控制阀门。

现有吹扫系统每次出现掉片只能开腔体解决，严重影响产能，本吹扫系统因为有保护阀门保护质量流量控制器，使N2能以更大的速度和压力通过导气旁路到达特气孔，吹扫掉堵在特气孔上的掉片实现不开腔体解决掉片问题，大大提升机台正常运行时间。

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蚀刻液槽

本实用新型蚀刻液槽，涉及太阳能电池，尤其涉及制绒蚀刻设备，具有密封槽体，在槽体上有HF加液管、HNO3加液管，在槽体的底部设置有排液管，在排液管设置有支管，槽体底部还设置有溢流管，在槽体的侧壁上设置有液位传感器，在槽体内设置有抽液管，在槽体顶部有溢液管，解决了频繁换药对药液及人力的浪费，使药液可以重复使用，且减少了换药时间，提高了产能；本实用新型也改善了药液使用初期由于硅酸盐过少导致的反应活性低的问题，使整个反应过程中药液保持较高的活性。

 一种晶体硅太阳电池主栅结构

本实用新型涉及硅太阳电池栅线技术领域，特别是一种晶体硅太阳电池主栅结构，本方案通过仅在电池IV测试的测试探针接触点附近印刷银浆，在电池片上形成1条或多条中部镂空的主栅线。

在电池IV测试时，由于每条主栅线通常有6到8个触点，使得电流路径相对较短，因此主栅线串联电阻的变化对电池测试影响较小，也不影响分档。

另外焊接在主栅线上导电性能优异的焊带可以减少电阻损耗，使得组件输出功率不受影响。

故本设计方案可在不影响电池IV测试分档的前提下，大大减少银浆的使用量，节约成本，提高产品的竞争力。

晶体硅太阳能电池的选择性一次扩散方法

 本发明涉及晶体硅太阳能电池的生产方法，特别是一种晶体硅太阳能电池的选择性一次扩散方法，这种方法是将磷不可渗透浆料或膜按照一定间隔选择性地覆盖在晶体硅片表面，然后扩散，去除磷不可渗透浆料或膜，再扩散。

按照上述方法可以方便地得到太阳能电池选择性发射极结构，方法简单，易实现，污染小，适于产业化生产。

晶体硅太阳能电池的选择性扩散方法

 本发明涉及晶体硅太阳能电池的生产技术领域，特别是一种晶体硅太阳能电池的选择性扩散方法，首先将磷浆按照一定间隔选择印刷在晶体硅片表面，烘干浆料，然后进行扩散，去磷硅玻璃，再扩散。

按照上述方法可以方便地得到太阳能电池选择性发射区结构，方法简单，易实现，污染小，适于产业化生产。

 晶体硅太阳电池刻槽印刷电极制备工艺

 本发明涉及一种晶体硅太阳电池刻槽印刷电极制备工艺，包括以下步骤：

1）将硅片清洗制绒后在硅片表面制备一层致密的化学腐蚀掩膜层；2）采用丝网印刷腐蚀性浆料选择性的去除电极栅线区域的化学腐蚀掩膜层；3）将硅片置于TMAH水溶液中进行腐蚀并在电极栅线区域形成凹槽。

采用本发明的制备工艺所制备的刻槽印刷电极，具有较低的电极电阻及接触电阻，与传统采用的激光刻槽埋栅电极相比，本发明的设备成本低，生产效率高，且适用于晶体硅太阳电池工业化生产。

 一种一次扩散制备选择性发射极的方法

 本发明涉及太阳能电池的生产方法技术领域，尤其涉及一种一次扩散制备选择性发射极的方法。

它依次具有如下工艺步骤：

先将硅片制绒，接着进行均匀重扩散，扩散后在硅片表面沉积氮化硅薄膜，然后将腐蚀性浆料印在硅片的非金属电极区以刻蚀掉该处的氮化硅薄膜，最后用酸溶液或碱溶液腐蚀掉非金属电极区的硅得到浅扩散区，电极区即为重扩散区。

重扩散过程可双面吸杂，氮化硅薄膜沉积温度低，整个工艺过程简单，容易控制，表面无损伤，无死层，成本低。

 印刷磷源单步扩散法制作选择性发射结太阳电池工艺

 本发明涉及印刷磷源单步扩散法制作选择性发射结太阳电池工艺，将硅片清洗制绒之后进行丝网印刷含磷的纳米Si浆料，在200～350℃下烘干约20分钟，脱除溶剂后，得到的含磷的氧化层的厚度为30～100纳米；扩散前实施BOE和RCA清洗去除70％的表面磷浆；将硅片放入扩散炉中，加入POCL3气源，加热到800～1000℃的温度范围，硅片在含磷的纳米浆料的栅线地方形成重扩散，形成较高表面浓度的重掺杂区，在其他区域形成浅扩散区。

本发明采用丝网印刷含磷的纳米浆料，通过高温加热进行扩散，在与栅线接触位置形成重掺，在其它区域进行轻掺。

在扩散均匀性控制较好的前提下，效率可达18.5％以上。

一种晶体硅太阳电池选择性发射结的制作方法

 本发明涉及一种晶体硅太阳电池选择性发射结的制作方法，其制作方法为：

将硅片清洗制绒后进行一次重扩散，在一次重扩散的硅片表面镀一层氮化硅薄膜，然后在硅片表面场区部分印刷刻蚀Si的刻蚀性浆料，或者，重扩散后直接在硅片表面场区部分印刷刻蚀Si的刻蚀性浆料，刻蚀时间20min～120min，硅片重扩散的温度为800℃～1000℃，扩散后方阻为10ohm/sq～50ohm/sq。

刻蚀Si的刻蚀性浆料含有1％～50％的氟化氢胺。

本发明的方法在刻蚀过程中可以去掉场区的一部分损伤层，有利于提高电池的效率，并且形成的轻掺杂区域的方阻均匀性好，表面浓度较低，有利于选择性发射结电池的效率的提高。

 太阳能电池表面三层减反钝化膜

 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是一种太阳能电池表面三层减反钝化膜，该减反膜是在硅片衬底表面上沉积一层第一氮化硅薄膜，在第一氮化硅薄膜表面上再沉积一层第二氮化硅薄膜，再在第二氮化硅薄膜表面上沉积一层二氧化硅薄膜，第一氮化硅薄膜的厚度为10～50纳米，折射率为2.5～3.0。

本发明提高了太阳能电池表面的钝化效果，降低了太阳电池表面的反射率，并使之能与组件相匹配，减少组件封装损失，提高电池电性能。

一种背面钝化的太阳能电池的生产方法

 本发明涉及一种背面钝化的太阳能电池的生产方法。

它具有如下步骤：

清洗制绒、生长二氧化硅、选择性扩散，去正面二氧化硅保留背面二氧化硅、去磷硅玻璃及刻边、印刷正负电极以及烧结和电性能测试；或者清洗制绒、生长二氧化硅、选择性扩散，去背面二氧化硅、去磷硅玻璃及刻边、背面沉积氮化硅，腐蚀出背电极以及烧结和电性能测试。

该工艺简单，成本较低，可控性和稳定性好，背面钝化之后，大大降低了背面的复合速率，背面的发射率高，提高了电压电流及电池的效率。

 实现太阳能电池缓变叠层减反射薄膜的方法

 本发明涉及太阳能电池生产方法领域，尤其是实现太阳能电池缓变叠层减反射薄膜的方法。

在经处理后的太阳能电池硅片受光表面通过化学气相沉积工艺法进行沉积减反射薄膜，开始沉积时的气体为SiH4和NH3的混合气体或SiH4和N2的混合气体，在沉积过程中逐渐加入N2O，使得薄膜的组分由硅片表面的氮化硅向外层变为硅的氮氧化物再向外层变为二氧化硅，薄膜的厚度在50nm～300nm之间。

本发明沉积速度快，产量高，能一次实现多种薄膜的沉积，沉积出来的薄膜致密度高。

沉积的薄膜能有效地降低有不同薄膜组合带来的界面态，沉积出的薄膜具有特有的氮氧化硅兼具有氧化硅和氮化硅的优点，而且简单容易控制，成本低，高效率。

 实现太阳能电池背表面缓变叠层钝化薄膜的方法

 本发明涉及太阳能电池生产方法领域，尤其是实现太阳能电池背表面缓变叠层钝化薄膜的方法，在经处理后的太阳能电池硅片背光表面通过化学气相沉积工艺法进行沉积薄膜，开始沉积时的气体为SiH4和N2O的混合气体，在沉积过程中逐渐加入NH3，使得薄膜的组分由硅片表面的二氧化硅向外层变为硅的氮氧化物再向外层变为氮化硅，薄膜的厚度在50nm～300nm之间。

本发明沉积速度快，产量高，能一次实现多种薄膜的沉积，沉积出来的薄膜致密度高。

工艺中不需要高温过程，所需的热预算少，避免了热氧化的高温影响，这种叠层缓变薄膜能有效地降低由不同薄膜组合带来的界面态，且比起单纯的氮化硅改善了热稳定性，降低了膜应力。

一种两次丝网印刷与刻槽结合的太阳能电池制造工艺

 一种两次丝网印刷与刻槽结合的太阳能电池制造工艺，用于制造一种两次印刷电极的太阳能电池，包含有刻槽工艺和两次印刷工艺，刻槽工艺为：

在硅片表面的电极栅线区域刻槽，使电极栅线区域形成蚀槽；两次印刷工艺为：

a、第一次印刷电极：

将印刷的电极浆料填入蚀槽并进行烘干，在蚀槽中形成第一层电极；b、第二次印刷电极：

在第一层电极外表面印刷电极，使硅片表面电极栅线区域形成第二层电极。

采用本发明所制造的太阳能电池的串联电阻较低，电极浆料在烧结过程中不易铺张，能够减少遮光损失，而且还具有选择性发射极，太阳能电池的转换效率较高。

 一种改善太阳能电池扩散薄膜电阻片内均匀性的方法

本发明涉及一种改善太阳能电池扩散薄膜电阻片内均匀性的方法，包括下列步骤：

i、将经扩散炉管扩散后得到的硅片进行扩散薄膜电阻分布测试。

ii、根据扩散薄膜电阻分布测试，得到硅片的扩散薄膜分布测试数据。

iii、根据硅片的扩散薄膜分布测试数据，调节石英舟的支撑脚高度h或调节石英舟的卡槽位置。

本发明通过调节石英舟的支撑脚高度和石英舟的卡槽位置，来调节石英舟上硅片的位置，使硅片位于扩散炉管的热量均衡点处，硅片上、下、左、右受热均匀，制作出的太阳能电池的扩散薄膜电阻片内均匀性较好，其太阳能电池的转换效率较高。

 SiC砂子检测方法

 本发明涉及硅晶切片所用辅料检测的领域，尤其是一种SiC砂子检测方法。

将SiC砂子粒度划分为3个区域：

小颗粒区域粒径范围为1～5.53um，可切割颗粒区域粒径范围为8.21～12.18um，大颗粒区域粒径范围为23.52～34um，规定小颗粒含量≤3.00％，可切割颗粒含量≥55％，大颗粒含量0.35％。

本发明SiC砂子检测方法，对微分分布进行表征，控制了SiC砂子的质量，由砂子引起的合格率波动值由8％降低至2％。

晶体硅太阳能电池片控制二氧化硅厚度的方法

 本发明涉及晶体硅太阳能电池领域，尤其是晶体硅太阳能电池片控制二氧化硅厚度的方法，其方法为：

先将晶体硅太阳能扩散时的中心温度调整为为840-850℃，时间调整为30-40min，当二氧化硅沉积时，氮气大流量为20-30SLM，氮气小流量为1000-1400SCCM，氧气干燥为300-500SCCM后，二氧化硅的厚度达到正常。

本发明的有益效果是，本发明通过调整工艺，扩散后长生的不良比例得到大幅度降低，二氧化硅的厚度达到正常，从而太阳能电池的效率得到提高。

 一种N型背接触电池

 本发明涉及一种N型背接触电池，电池背面负电极为Ag电极，电池背面正电极为Al电极，Ag电极由一条以上纵向Ag主栅线、两条以上横向Ag细栅线组成，各条Ag细栅线之间的中心间距为1.6～2.5mm，每条Ag细栅线的宽度为40～120um，Al电极由一条以上纵向Al主栅线、两条以上横向Al细栅线组成，各条Al细栅线之间的中心间距为1.6～2.5mm，每条A1细栅线的宽度为1.3～2.3mm。

本发明采用新型的电池背面电极印刷图案，采用Al、Ag作为背面正、负电极，具有新型的结构，使得本发明的电池效率较高，可达到17％，并且制作工艺简单，生产成本也较低。

 一种一次扩散制备选择性发射极的方法

 本发明涉及太阳能电池的生产方法技术领域，尤其涉及一种一次扩散制备选择性发射极的方法。

它依次具有如下工艺步骤：

先将硅片制绒，接着进行均匀重扩散，扩散后在硅片表面沉积氮化硅薄膜，然后将腐蚀性浆料印在硅片的非金属电极区以刻蚀掉该处的氮化硅薄膜，最后用酸溶液或碱溶液腐蚀掉非金属电极区的硅得到浅扩散区，电极区即为重扩散区。

重扩散过程可双面吸杂，氮化硅薄膜沉积温度低，整个工艺过程简单，容易控制，表面无损伤，无死层，成本低。

背钝化电池的制造方法

 本发明涉及太阳能电池生产方法技术领域，尤其是一种背钝化电池的制造方法。

其工艺步骤为：

先将P型单晶硅片清洗制绒；再进行B扩散；然后放入氧化炉中生长湿氧；再用刻蚀性浆料对硅片正面进行刻蚀，然后用离子水加超声清洗硅片；对硅片进行P扩散；等离子边缘刻蚀；用HF溶液清洗；再放入氧化炉生长薄干氧；再对硅片正面沉积氮化硅，背面沉积氮化硅或碳化硅或溅射铝；最后电极印刷，烧结。

本发明同时采用了正背面叠层钝化，同时背面采用B扩散，具备了优越的正面钝化及背面钝化性能，使电池在长波段具有很好的光电响应，而且背面叠层钝化具有很好的反射作用，能使到达背面的光子再次反射回电池片更充分的利用。

 选择性发射极太阳能电池的制造工艺及结构

本发明涉及太阳能晶体硅电池PN结的精细制造工艺并提出了一种新型的电池结构，其工艺步骤：

硅片清洗制绒、扩散、HF溶液酸洗并去除硅片表面的氧化膜；制备氮化硅掩膜；将晶体硅太阳能电池放入HF、HNO3、H2SO4的混合溶液中，去除硅片边缘的N型层；利用氮化硅掩膜的作用进行选择性地腐蚀；对晶体硅太阳能电池进行后处理过程，在硅片表面进行PECVD镀膜、印刷、烧结并测试，形成一片完整的电池。

本发明的工艺制备发射极太阳能电池，可以实现发射极有选择性的轻重掺的结果，成本低，工艺简单，适合大规模生产。

 降低表面复合减反膜电池的工艺

 本发明涉及太阳能电池结构及制作工艺技术领域，尤其是一种降低表面复合减反膜电池的工艺，其具有如下工艺步骤：

a.硅片进行扩散处理；b.然后对硅片进行去PSG和刻边处理；c.再对硅片表面进行减反和/或钝化处理；d.再在减反和/或钝化处理后的硅片表面进行RIE制绒；e.最后进行丝网印刷，烧结制成成品。

本发明通过对传统电池工艺流程步骤改变，改变了传统电池的结构，不直接在硅片表面进行制绒而是在ARC（表面减反射膜）层上进行制绒，这样制绒后可达到同样的表面限光效果，同时也不会在硅片表面造成刻蚀损伤，达到了提升电池效率的目标。

 具有高反光栅线的太阳电池

 本发明涉及一种具有高反光栅线的太阳电池，其包括电池片，电池片的表面构筑有高反光主栅线以及与高反光主栅线垂直的副栅线，高反光主栅线表面具有沟槽，相邻电池片通过焊带相连接，高反光主栅线的一端部具有用于连接焊带的高反光主栅线端部平表面。

本发明降低了电池的串联电阻，提高电池的光电转换效率。

另外，利用高反光结构，封装成组件后可以有效提高入射光的利用率，从而提高组件的输出功率，提高组件的填充因子。

镀膜用挂钩及采用该挂钩的硅片载片器

 本发明涉及太阳能光伏产业镀膜工艺设备技术领域，尤其涉及镀膜用挂钩及采用该挂钩的硅片载片器。

该镀膜用挂钩，包括钩体，在钩体的侧部具有带有一定向下倾斜角度的硅片支撑体，硅片支撑体与硅片的边缘接触。

硅片载片器，包括石墨框和挂钩，石墨框具有多个用于放置硅片的框格，每个框格的四周设置多个挂钩。

本挂钩装配到载片器上，挂钩与硅片的边缘接触，起到支撑硅片的作用，硅片需要镀膜的面不与挂钩接触，从而将挂钩印迹降低到最低程度甚至不会产生挂钩印。

 太阳能电池高方阻扩散方法

 本发明涉及一种太阳能电池高方阻扩散方法，是对太阳能用晶体硅片进行表面制绒，送入扩散炉进行高方阻扩散，然后进行后续太阳能电池工艺。

采用本发明的优点是：

（1）在扩散很高方阻的时候仍然能保持优越的方阻均匀性；

（2）在预氧化的时候通入TCA或TCE能加快氧化，降低基地层错数，提高基底硅的少子寿命；（3）通过氧化层能很好的避免死层的出现；（4）低温预沉积和高温推进形成结的方法能很好的控制扩散的表面浓度和结深形貌。

一种一步扩散制备N型太阳能电池的方法

 本发明涉及一种一步扩散制备N型太阳能电池的方法，是以n型直拉单晶硅为基体，正面有随机分布的正金字塔绒面结构，硅片的正面是覆盖有SiN减反膜的磷扩散制备的表面场，表面场上是印有银金属电极，背面是有丝网印刷AL浆扩散制备的P-型发射结，表面场和发射结是在高温链式扩散炉中进行同时扩散。

本发明工艺过程简单，容易控