石德珂材料科学选择题.docx
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石德珂材料科学选择题
《材料科学基础》
选择题
第一章材料结构的基本知识
1、原子结合健中B的键的本质是相同的
A、金属键与离子键B、氢键与范德瓦尔斯键C、离子键与共价键
2、钨、钼熔点很高,其结合键是A的混合键
A、金属键和离子键B、金属键和共价键C、离子键和共价键
3、MgO、Al2O3等的结合键是C的混合键
A、金属键和离子键B、金属键和共价键C、离子键和共价键
4、工程材料的强度与结合键有一定的联系,结合键能高的其强度也A些。
A、高B、低
5、激活能反应材料结构转变B的大小;
A、动力B、阻力
6、材料处于能量最低状态称为A;
A、稳态结构B、亚稳态结构
7、一般而言,晶态结构的能量比非晶态要B;
A、高B、低C、相等
第二章材料的晶体结构
1.氯化铯(CsCl)为有序体心立方结构,它属于C
A、体心立方B、面心立方C、简单立方点阵;
2.理想密排六方结构金属的c/a为B
A、B、2(2/3)1/2;C、2/3
3.对面心立方晶体而言,表面能最低的晶面是c
A、(100);B、(110),C、(111);D、(121)
4.下列四个六方晶系的晶面指数中,哪一个是错误的:
C
A、
;B、
;C、
;D、
5.面心立方结构的铝中,每个铝原子在本层(111)面上的原子配位数为B
A、12;B、6;C、4;D、3
6.简单立方晶体的致密度为C
A、100%B、65%C、52%D、58%
7.立方晶体中(110)和(211)面同属D晶带
A、[110]B、[100]C、[211]D、
8.立方晶体中(111)和(101)面同属D晶带
A、[111]B、[010]C、[011]D、
9.原子排列最密的一族晶面其面间距
A、最小B、最大
10.六方晶系中和
晶面等同的晶面是A
A、
面;B、
面;C、
面;D、
面
11.配位数是指晶体结构中:
B
A、每个原子周围的原子数;B、每个原子周围最邻近的原子数;C、每个原子周围的相同原子数;D、每个原子周围最邻近的和次近邻的原子数之和
12.密排六方与面心立方均属密排结构,他们的不同点是:
D
A、晶胞选取方式不同;B、原子配位数不同;C、密排面上,原子排列方式不同;D、原子密排面的堆垛方式不同
13.在立方晶系中,与(101)、(111)同属一晶带的晶面是:
d
A、(110);Bb、(011);C、
;D、(010)
14.TiC与NaCl具有相同的晶体结构,但它们不属于同一类中间相,这是因为:
D
A、TiC是陶瓷,NaCl是盐;B、NaCl符合正常化合价规律,TiC不符合正常化合价规律;
C、TiC中电子浓度高,D、NaCl的致密度高
15.立方晶体中(110)和(310)面同属D晶带
A、[110]B、[100]C、[310]D、[001]
16.14种布拉菲点阵:
A
A、按其对称性分类,可归结为七大晶系;B、按其点阵常数分类,可归结为七大晶系;
C、按阵点所在位置分类,可归结为七大晶系D;、按其几何形状分类,可归结为七大晶系
17.与(113)和(112)同属一晶带的有:
C
A、
B、
C、(110)D、(211)
18.引入空间点阵概念是为了:
C
A、描述原子在晶胞中的位置,B、描述晶体的对称性,
C、描述晶体结构周期性,D、同时描述晶体结构周期性和对称性
19.有A、B两晶体,下面几种说法中正确的是C;
A、所属空间点阵相同,则此两晶体的结构相同;B、晶体结构相同,它们所属空间点阵可能不同;
C、晶体结构不同,它们所属空间点阵必然不同;D、所属空间点阵不同,晶体结构可能相同
20.体心立方晶体中间隙半径比面心立方中的小,但BCC的致密度却比FCC低,这是因为:
D
A、BCC中原子半径小,B、BCC中的密排方向<111>上原子排列比FCC密排方向上的原子排列松散,C、BCC中的原子密排面{110}的数量太少,D、BCC中的原子配位数比FCC中原子配位数低
21.组成固溶体的两组元完全互溶的必要条件是:
B
A、两组元的电子浓度相同,B、两组元的晶体结构相同,
C、两组元的原子半径相同,D、两组元的电负性相同,
22.晶体结构和空间点阵的相互关系C
A、空间点阵的每一阵点代表晶体中的一个原子;B、每一种空间点阵代表唯一的一种晶体结构;C、晶体结构一定,它所属的空间点阵也唯一地被确定;D、每一种晶体结构可以用不同的空间点阵表示
23.晶体中配位数和致密度之间地关系是A
A、配位数越大,致密度越大;B、配位数越小,致密度越大;
C、配位数越大,致密度越小,D、两者之间无直接联系
24.离子晶体和纯金属晶体各有配位数的概念,两者的含义:
C
A、完全相同,
B、不同,离子晶体的配位数是指最近邻的同号离子数,而纯金属晶体的配位数是指最近邻的原子数,
C、不同,离子晶体的配位数是指最近邻的异号离子数,而纯金属晶体的配位数是指最近邻的原子数,
D、不同,离子晶体的配位数是指最近邻的异号离子数,而纯金属晶体的配位数是指最近临和次近邻的原子数之和
25.在离子晶体中B
A、阳离子半径大于阴离子半径;B、阴离子半径大于阳离子半径;
C、阳离子半径与阴离子半径相等;D、阳离子半径可以大于阴离子半径;也可以小于阴离子半径;
26.硅酸根四面体中的氧离子C
A、只属于一个硅酸根四面体;B、可以被多个硅酸根四面体共用;C、只能被两个硅酸根四面体共用;D、可以被四个硅酸根四面体共用
第三章高分子材料的结构
1.已知聚氯乙烯的平均相对分子质量是27500,则其平均聚合度是(A)。
A、4400B、4800C、3600D、5000
2.高聚物多分散性越大,其多分散系数d值(A)
A、越大于1B、越小于1C、越接近1D、越接近零
3.下列高分子可以通过缩聚反应合成的是(B)。
A、聚乙烯B、涤纶C、聚四氟乙烯D、聚氯乙烯
4.已知某交替共聚物数均相对分子量为250000,数均聚合度为3420,如果一种共聚单体是苯乙烯,则另一种共聚单体是(B)。
A、乙烯B、丙烯C、四氟乙烯D、氯乙烯
5.下列主链结构中,按内旋的难易程度比较柔顺性的大小,柔顺性最好的是(B)
A、C-OB、Si-OC、C-CD、C=C
6.高分子中不利于高分子结晶的因素有(D)
A、结构简单B、规整度高C、对称性好D、侧基较大
7.下列聚合物中一般为非晶态聚合物的是(C)。
A、聚酰胺B、聚对苯二甲酸乙二醇酯C、聚苯乙烯D、聚碳酸酯
8.下列方法中,能提高聚合物模量的是(B)
A、提高支化程度B、提高结晶度C、加入增塑剂D、与橡胶共混
第四章晶体缺陷
27.在理想热力学平衡状态下,下列哪类缺陷是不应该存在的:
B
A、空位、晶界;B、位错、晶界;C、空位、位错;D、空位、位错、晶界
28.螺位错的位错线是
A、曲线;B、直线;C、折线;D、环行线
29.如下说法哪个是正确的,C
A、形成点缺陷所引起的熵的变化使晶体能量增加;B、晶体总是倾向于降低点缺陷的浓度;
C、当点缺陷浓度达到平衡值时,晶体自由能最低
30.氮、氧在金属中一般占据间隙位置,这是因为。
A.金属中间隙半径大于氮、氧原子半径B.氮、氧都是气体
C.氮、氧原子半径小,能挤入金属中间隙位置
31.在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子,这样的缺陷为B
A、肖脱基缺陷B、弗兰克尔缺陷C、间隙缺陷
31.肖脱基缺陷是离位原子进入其它空位或迁移至晶界或表面形成的点缺陷
A、肖脱基B、弗兰克尔
32、当点缺陷浓度达到平衡值时,晶体自由能最低
A、最大值B、最小值C、平衡值
33、攀移是通过原子的扩散而实现的,攀移需要正应力,滑移需要切应力;
A、正B、负C、任意
34、晶体材料的界面能会促使显微组织发生变化,尺寸较小的晶粒一定具有较少的边界数,边界向A弯曲;尺寸较大的晶粒边数大于6,晶界向B弯曲;只有6条边的晶粒晶界才是C
A、外、B、内、C、直线D、曲线
第五章材料的相结构及相图
32.间隙相和间隙固溶体的区别之一是D
A、间隙相结构比间隙固溶体简单;B、间隙相的间隙原子比间隙固溶体中的间隙原子大;
C、间隙相的固溶度比间隙固溶体大;D、间隙相的结构和其组元的结构不同
33.熔点和硬度最高的中间相是C
A、正常价化合物;B、电子化合物;C、间隙相;D、间隙化合物;
34.二元相图中,计算两相相对含量的杠杆法则只能用于B
A、单相区中B、两相区中C、三相平衡水平线上
35.根据二元相图相区接触法则,。
A、两个单相区之间必定有一个三相区隔开B、两个两相区之间必须以单相区或三相水平线隔开C、三相水平线和四个两相区相邻
36.钢中的珠光体是。
A.铁素体和渗碳体的混合物B.铁素体和奥氏体的混合物C.奥氏体和渗碳体的混合物
37.A、B二组元形成共晶系,则:
A
A、具有共晶成分的合金铸造工艺性能最好;B、具有亚共晶成分的合金铸造工艺性能最好;
C、具有过共晶成分的合金铸造工艺性能最好;D、不发生共晶转变的合金铸造工艺性能最好
38.铸铁与碳钢的区别在于有无A。
A、莱氏体B、珠光体C、铁素体
第六章材料凝固与气相沉积
1.形成临界晶核的体积自由能的减少只能补偿表面能的B
A、1/3B、2/3C、3/4
2.凝固时在形核阶段,只有核胚半径等于或大于临界尺寸时才能成为结晶的核心,当形成的核胚半径等于临界尺寸时,体系自由能变化A;
A、大于零B、等于零C、小于零
3.铸锭凝固时,如大部分结晶潜热可通过液相散失时,则固态显微组织主要为A
A、树枝晶B、柱状晶C、等轴晶
4.纯金属均匀形核时,临界半径
与C
A、该金属熔点有关,熔点越高,
越小;B、该金属表面能有关,表面能越高,
越小;C、过冷度有关,过冷度越大,
越小;D、过冷度有关,过冷度越大,
越大;
5.凝固时在形核阶段,只有核胚半径等于或大于临界尺寸时才能成为结晶的核心。
当形成的核胚其半径等于临界尺寸时,体系的自由能变化。
A、大于零B、等于零C、小于零
6.铸锭凝固时如大部分结晶潜热可通过液相散失时,则固态显微组织主要为。
A、树枝晶B、柱状晶C、球晶
7.纯共晶合金生长时,因为两相的平均成分和液体成分相同,生长的界面和纯金属一样,呈B生长
A、胞状或树枝结构B、平面式
第七章扩散与固态相变
8.在面心立方晶体结构的置换型固溶体中,原子扩散的方式一般为C。
A.原子互换机制B.间隙机制C.空位机制
9.在钢中,C原子扩散方式一般为C
A、原子互换机制B、间隙机制C、空位机制
10.在Kirkendall效应中,标记物漂移的主要原因是扩散偶中C
A、两组元的原子尺寸不同B、仅一组元扩散C、两组元扩散速率不同
11.Fick第一定律描述了稳态扩散的特征,即浓度不随B变化
A、距离B、时间C、温度
12.扩散的驱动力是B
A、组元的浓度梯度B、组元的化学势梯度C、温度梯度
13.A和A-B组元合金焊接后发生Kirkendall效应,测得界面向A试样方向移动,则A
A、A组元扩散速率大于B组元;B、与(A)相反;C、A、B两组元扩散速率相同
14.渗碳处理常常在钢的奥氏体区域进行,这是因为。
A、碳在奥氏体中的扩散系数比在铁素体中的大;B、碳在奥氏体中的浓度梯度比在铁素体中大;
C、碳在奥氏体中的扩散激活能比在铁素体中小
39.原子越过能垒的激活能为Q,则扩散速率。
A、随Q增加而减少B、随Q增加而增加C、与Q无关
40.固态金属中原子扩散的最快路径是D
A、晶内扩散;B、晶界扩散;C、位错扩散;D、表面扩散
41.金属自扩散激活能应等于A
A、空位形成能和迁移激活能的总和;B、空位形成能;C、空位的迁移激活能
42.A和A-B合金焊接后发生克根达尔效应,测得界面向A试样方向移动,则A
A、A组元扩散速率大于B组元;B、A组元扩散速率小于B组元;C、A、B组元扩散速率相同
43.影响扩散系数的因数有多种,其中A
A、溶质原子的熔点越高,其在固溶体中的扩散系数越小;B、溶质原子在元素周期表中离溶剂原子越近,扩散系数越大,C、γ铁的自扩散系数大于α铁的自扩散系数
44.界面能最低的相界面是A。
A.共格界面B.孪晶面C.小角度晶界
45、固相共格形核时,当体积一定,新相为B时,体积应变能最高,A最低,C居中;
A、盘状、B、球状、C、针状
46、金属材料在发生相变时具有相变潜热和体积突变的过程称为--------------------。
A.零级相变B.一级相变C.二级相变
第八章材料的变形与断裂
1.fcc、bcc、hcp三种晶体结构的材料中,塑性变形时最容易生成孪晶的是C
A、fccB、bccC、hcp
2.形变后材料再升温时发生回复和再结晶现象,则点缺陷浓度下降明显发生在A
A、回复阶段B、再结晶阶段C、晶粒长大阶段
3.加工硬化使一种有用的强化手段,其缺点是-----------------------。
A、只适用于双相材料B.材料在高温下不适用C.只适用于单晶体
4.金属镁的单晶处于软取向时塑性变形量可达100%~200%,但其多晶体的塑性很差,其主要原因是:
C
A、其多晶体晶粒通常粗大;B、其多晶体通常存在裂纹;C、其独立滑移系通常较少;D、因为镁是BCC结构,所以脆性大
5.经过塑性变形和再结晶过程,在下列何种情况下必定会得到粗大的晶粒组织是A
A、在临界变形量进行塑性加工;B、大变形量;C、较长的退火时间;D、较高的退火温度
6.单晶体的临界分切应力值与C有关
A、外力相对滑移系的取向;B、拉伸时的屈服应力;C、晶体的类型和纯度;D、拉伸时的应变大小
7.下列有关金属弹性变形的说法中,不对的是C
A、它是可逆的,即去掉外力后变形就消失,B、应力和应变之间呈线性关系;C、弹性变形量的数值一般都较大;D、单晶体的弹性模量是各向异性的
8.再结晶过程包括形核与长大,A
A、形核与长大的驱动力都来源于形变储存能;B、形核与长大的驱动力都来源于晶界能;C、形核的驱动力来源于形变储存能,长大的驱动力来源于晶界能;D、形核与长大的驱动力都来源于外部加热所提供的能量
9.经冷变形后的金属在回复过程中,位错会发生C
A、增殖;B、大量消失;C、部分重排;D、无变化
10.面心立方晶体的孪晶面是C。
A、(112)B、(110)C、(lll)
11.形变后的材料再升温时发生回复和再结晶现象,则点缺陷浓度下降明显发生在A
A、回复阶段B、再结晶阶段c、晶粒长大阶段
12.冷变形金属中产生大量的空位、位错等缺陷,这些缺陷的存在,C
A、阻碍原子的移动,减慢扩散过程;B、对扩散过程无影响;C、加速了原子的扩散过程
13.强化金属材料的各种手段的出发点都在于A
A、制造无缺陷的晶体或设置位错运动的阻碍;B、使位错增殖;C、使位错适当减少
14.既能提高金属的强度,又能降低其脆性的手段是C
A、加工硬化;B、固溶强化;C、细晶强化
15.晶粒长大的基本原因是。
A、晶粒细小B、界面能C、长期加热
第九章固体材料的电子结构与物理性能
1、原子磁矩主要来自于原子中的A
A、电子B、质子C、中子
2、原子磁矩主要来自于原子中的电子,并可看作由电子轨道磁矩和自旋磁矩构成;
3、1、交换作用为A,两组磁性原子的数目和磁矩值大小D,为亚铁磁性材料
A、负B、正C、相等D、不等
4、交换作用为A,两组磁性原子的数目和磁矩值大小C,为反铁磁性材料
A、负B、正C、相等D、不等
5、交换作用有正负两种,正的交换作用使磁性电子的自旋磁矩互相A,而负的交换作用使磁性电子的自旋磁矩互相B;
A、平行B、反平行
6、磁性材料晶粒内存在许多磁畴。
各个磁畴因大小不等,它们的磁矩也就不同,但B却都相等
A、磁场强度B、磁化强度C、磁感应强度
7、组成强磁性材料的元素原子结构特点是都有B
A、不满的外壳层B、不满的内部子壳层
8、激发源去除后,发光时间短于10-8s称为A
A、荧光B、磷光