晶体管3.4.ppt

晶体管3.4.ppt

《晶体管3.4.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《晶体管3.4.ppt（21页珍藏版）》请在冰豆网上搜索。

3.4双极晶体管的直流电流电压方程双极晶体管的直流电流电压方程本节以缓变基区本节以缓变基区NPN管为例，推导出在发射结和集电结上管为例，推导出在发射结和集电结上均外加均外加任意电压任意电压任意电压任意电压时晶体管的直流电流电压方程。

时晶体管的直流电流电压方程。

EBCIEIBICVCEVBEVBCNN+P+-电流的参考方向和电压的参考极性如下图所示电流的参考方向和电压的参考极性如下图所示推导电流电压方程时，利用扩散方程的解具有线性迭加性推导电流电压方程时，利用扩散方程的解具有线性迭加性的特点：

方程在的特点：

方程在“边界条件边界条件边界条件边界条件1”1”时的解时的解n1（x）与在与在“边界条件边界条件边界条件边界条件2”2”时的解时的解n2（x）的和的和n1（x）+n2（x），等于以等于以“边界条件边界条件边界条件边界条件11与边界条件与边界条件与边界条件与边界条件22的和的和的和的和”为边界条件时的解为边界条件时的解n（x）。

3.4.13.4.1集电结短路时的电流集电结短路时的电流集电结短路时的电流集电结短路时的电流式中，式中，IIESES代表发射结反偏、集电结零偏时的发射极电流，代表发射结反偏、集电结零偏时的发射极电流，相当于单独的发射结构成的相当于单独的发射结构成的PN结二极管的反向饱和电流。

结二极管的反向饱和电流。

于是可得到发射结为任意偏压、集电结零偏时晶体管三个于是可得到发射结为任意偏压、集电结零偏时晶体管三个电极的电流为电极的电流为3.4.23.4.2发射结短路时的电流发射结短路时的电流发射结短路时的电流发射结短路时的电流如果把晶体管的发射区当作如果把晶体管的发射区当作“集电区集电区”，集电区当作，集电区当作“发发射区射区”，就可以得到一个倒过来应用的晶体管，称为，就可以得到一个倒过来应用的晶体管，称为倒向晶体倒向晶体倒向晶体倒向晶体管管管管。

发射结短路就相当于倒向晶体管的。

发射结短路就相当于倒向晶体管的“集电结集电结”短路，因此短路，因此晶体管在本小节的偏置状态就相当于倒向晶体管在上一小节的晶体管在本小节的偏置状态就相当于倒向晶体管在上一小节的偏置状态。

偏置状态。

故可得故可得式中，式中，IICSCS代表集电结反偏、发射结零偏时的集电极电流，代表集电结反偏、发射结零偏时的集电极电流，相当于单独的集电结构成的相当于单独的集电结构成的PN结二极管的反向饱和电流。

结二极管的反向饱和电流。

代表倒向管的共基极直流短路电流放大系数，代表倒向管的共基极直流短路电流放大系数，通常比通常比通常比通常比小得多小得多小得多小得多。

3.4.33.4.3晶体管的直流电流电压方程晶体管的直流电流电压方程晶体管的直流电流电压方程晶体管的直流电流电压方程由于三个电流之间满足由于三个电流之间满足IE=IC+IB，三个电流中只有两个三个电流中只有两个是独立的。

若选取是独立的。

若选取IE与与IC，所得为共基极所得为共基极直流直流电流电压方程，电流电压方程，也称为也称为“埃伯斯莫尔方程埃伯斯莫尔方程埃伯斯莫尔方程埃伯斯莫尔方程”，即，即将上述两种偏置条件下的电流相加，即可得到发射结和集将上述两种偏置条件下的电流相加，即可得到发射结和集电结上均外加任意电压时晶体管的电结上均外加任意电压时晶体管的直流直流电流电压方程。

电流电压方程。

（3-59b）（3-59a）若选取若选取IB与与IC，所得为共发射极所得为共发射极直流直流电流电压方程，电流电压方程，正向管与倒向管之间存在一个正向管与倒向管之间存在一个互易关系互易关系互易关系互易关系，即，即（3-60）3.4.43.4.4晶体管的输出特性晶体管的输出特性晶体管的输出特性晶体管的输出特性共基极共基极共基极共基极输出特性：

输出特性：

输出特性：

输出特性：

以输入端的以输入端的IE作参变量，输出端的作参变量，输出端的IC与与VBC之间的关系。

之间的关系。

由共基极由共基极直流直流电流电压方程电流电压方程EBCIEICVBCNN+P+-B消去消去VBE，即可得共基极即可得共基极输出特性方程输出特性方程：

当当VBC=0时，时，在放大区，在放大区，VBC0，且当且当时，时，IICBOCBO代表发射极开路代表发射极开路（IE=0）、集电结反偏集电结反偏（VBC0）时时的集电极电流，称为共基极反向截止电流。

的集电极电流，称为共基极反向截止电流。

式中，式中，共基极输出特性曲线共基极输出特性曲线共发射极输出特性：

共发射极输出特性：

共发射极输出特性：

共发射极输出特性：

以输入端的以输入端的IB为参变量，输出端的为参变量，输出端的IC与与VCE之间的关系。

之间的关系。

由共发射极由共发射极直流直流电流电压方程电流电压方程ECBPIBICNEVCEN+式中，式中，或或消去消去VBE，即可得共发射极即可得共发射极输出特性方程输出特性方程IICEOCEO代表基极开路代表基极开路（IB=0）、集电结反偏集电结反偏（VBC0）时从时从发射极穿透到集电极的电流，称为共发射极反向截止电流，或发射极穿透到集电极的电流，称为共发射极反向截止电流，或共发射极穿透电流。

共发射极穿透电流。

当当VBC=0，或或VCE=VBE时，时，在放大区，在放大区，VBCVBE，共发射极输出特性曲线共发射极输出特性曲线图中，虚线代表图中，虚线代表VBC=0，或，或VCE=VBE，即放大区与饱和即放大区与饱和区的分界线。

在虚线右侧，区的分界线。

在虚线右侧，VBCVBE，为放大区；为放大区；在虚线左侧，在虚线左侧，VBC0，或或VCEVBE，为饱和区。

为饱和区。

3.4.53.4.5基区宽度调变效应基区宽度调变效应基区宽度调变效应基区宽度调变效应在共发射极放大区，理论上在共发射极放大区，理论上，即，即IC与与VCE无关。

但在实际的晶体管中，无关。

但在实际的晶体管中，IC随随VCE的增大会略有增大。

的增大会略有增大。

原因：

原因：

原因：

原因：

当当VCE增大时，集电结反偏增大时，集电结反偏（VBC=VBEVCE）增大增大，集电结耗尽区增宽，使中性基区的宽度变窄，集电结耗尽区增宽，使中性基区的宽度变窄，基区少子浓度分基区少子浓度分布的梯度布的梯度增大，从而使增大，从而使IC增大。

这种现象称为增大。

这种现象称为基区宽度基区宽度基区宽度基区宽度调变效应调变效应调变效应调变效应，也称为，也称为厄尔利效应厄尔利效应厄尔利效应厄尔利效应。

WBWBWBWBxNNP00nB（x）当忽略基区中的少子复合及当忽略基区中的少子复合及ICEO时，时，进入基区中的部分，即进入基区中的部分，即xp。

式中，式中，称为称为厄尔利电压厄尔利电压厄尔利电压厄尔利电压；，称为，称为共发射极增量输出电阻共发射极增量输出电阻共发射极增量输出电阻共发射极增量输出电阻；，为集电结耗尽区，为集电结耗尽区对于均匀基区，对于均匀基区，或或为减小厄尔利效应，应增大基区宽度为减小厄尔利效应，应增大基区宽度WB，减小集电结耗减小集电结耗尽区在基区内的宽度尽区在基区内的宽度xdB，即增大基区掺杂浓度即增大基区掺杂浓度NB。

若假设若假设，即无厄尔利效应，则，即无厄尔利效应，则此时此时IC与与VCE无关。

无关。

实际上，实际上，故，故VA与与ro均为正的有限值，均为正的有限值，VA的几何意义的几何意义