维修电工中级考试复习题电子技术与电气测量部分.docx
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维修电工中级考试复习题电子技术与电气测量部分
1.测量电压时应将电压表（B）电路。
A、串联接入B并联接入C、并联接入或串联接入D、混联接入
2.测量电流时应将电流表（A）电路。
A、串联接入B、并联接入C、并联接入或串联接入D、混联接入
3•当二极管外加电压时，反向电流很小，且不随（D）变化。
A.正向电流B.正向电压C.电压D.反向电压
4•点接触型二极管应用于（C）。
A、整流B、稳压C、开关D、光敏
5•点接触型二极管可工作于（A）电路。
A、高频B、低频C、中频D、全频
6.三极管是由三层半导体材料组成的，有三个区域，中间的一层为（A）。
A、基区B、栅区C、集电区D、发射区
（A）。
7•用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KQ,说明该二极管
A、已经击穿B、完好状态C、内部老化不通D、无法判断
&2.0级准确度的直流单臂电桥表示测量电阻的误差不超过（B）。
A、土0.2%B、土2%C、土20%D±0.02%
9.调节电桥平衡时，若检流计指针向标有“-”的方向偏转时，说明（C）
A、通过检流计电流大、应增大比较臂的电阻
B通过检流计电流小、应增大比较臂的电阻
C通过检流计电流小、应减小比较臂的电阻
D通过检流计电流小、应减小比较臂的电阻
10.调节电桥平衡时，若检流计指针向标有“+”的方向偏转时，说明（A）。
A、通过检流计电流大、应增大比较臂的电阻
B通过检流计电流小、应增大比较臂的电阻
C通过检流计电流小、应减小比较臂的电阻
D通过检流计电流大、应减小比较臂的电阻
11.直流双臂电桥的测量误差为（D）
A2%B、4%C、5%D、1%
12.直流单臂电桥测量几欧姆电阻时，比率应选为（A）。
A0.001B、0.01C、0.1D、1
A.0.001
B.0.01
C.0.1D.1
14.直流单臂电桥用于测量中值电阻，直流双臂电桥测量电阻在（B）欧以下
A.10B.1C.20D.30
15.直流单臂电桥测量小阻值电阻时，不能排除（A），而直流双臂电桥则可以。
A、接线电阻及接触电阻B、接线电阻及桥臂电阻
C桥臂电阻及接触电阻D、桥臂电阻及导线电阻
16.直流双臂电桥达到平衡时，被测电阻值为（A）
A.倍率度数与可调电阻相乘B.倍率度数与桥臂电阻相乘
C.桥臂电阻与固定电阻相乘D.桥臂电阻与可调电阻相乘
17.直流双臂电桥工作时，具有（A）的特点。
A、电流大B、电流小C、电压大D、电压小
18.直流单臂电桥使用（C）伏直流电源。
A6B、5C、4.5D、3
19.直流双臂电桥为了减少接线及接触电阻的影响，在接线时要求（A）。
A、电流端在电位端外侧B、电流端在电位端内侧
C电流端在电阻端外侧D、电流端在电阻端的内侧。
20.示波器中（B）经过偏转板时产生偏移
A、电荷B、高速电子束C、电压D、电流
21.表示数字万用表抗干扰能力的共模抑制比可达（A）
A.80~120DbB.80DbC.120DbD.40~60Db
22.
B）偏转板上。
A）偏转板上。
示波器的Y轴通道对被测信号进行处理，然后加到示波器的（
A.水平B.垂直C.偏上D.偏下
23.示波器的X轴通道对被测信号进行处理，然后加到示波器的（
A.水平B.垂直C.偏上D.偏下
24.数字存储示波器的频带最好是测试信号带宽的（C）倍
A.3B.4C.6D5
25.（B）适合现场工作且要用电池供电的示波器
A、台式示波器B、手持示波器C、模拟示波器D、数字示波器
26.晶体管特性图示仪零电流开关是测试管子的（B）
A.击穿电压、导通电流B.击穿电压、穿透电流
C.反偏电流、穿透电流D.反偏电压、导通电流
27.晶体管毫伏表测试频率范围一般为（D）.。
A.5Hz~20MHzB.1KHz~10MHzC.500Hz~20MHzD.100Hz~10MKz
28.晶体管型号KS20-8中的8表示（A）
A.允许的最咼电压800VB.允许的最咼电压80V
C.允许的最咼电压8VD.允许的最咼电压8Kv
29.晶体管毫伏表最小量程一般为（B）。
A10mVB1mVC、1VD、0.1V
30.下列不是晶体管毫伏表的特性是（B）。
A、测量量限大B、灵敏度低C、输入阻抗高D、输出电容小
31.晶体管毫伏表专用输入电缆线，其屏蔽层、线芯分别是（B）。
A、信号线、接地线B、接地线、信号线C、保护线、信号线D、保护线、接地线
32.低频信号发生器的输出有（B）输出。
A、电压、电流B、电压、功率C、电流、功率D、电压、电阻
33.低频信号发生器的频率范围为（A）。
A、20HZ~200KHZB、100HZ~1000KHZC、200HZ~2000KHZD、10HZ~2000KHZ
34.信号发生器输出CMOS电平为（A）伏。
A、3〜15B、3C、5D、15
35.信号发生器的幅值衰减
A、衰减20B、衰减1
20dB其表示输出信号（C）倍。
C、衰减10D、衰减100
36.
测量交流电流应选用（B）电流表。
37.根据仪表取得读数的方法可分为（D）。
A、指针式B、数字式C、记录式D以上都是
38.
电压表、欧姆表、示波器功率表、电流表、示波器
C电流表、电压表、信号发生器D
根据仪表测量对象的名称分为（A）等。
A、电压表、电流表、功率表、电度表B
39.电工仪表按工作原理分为（D）等。
A、磁电系B、电磁系C、电动系
D以上都是
、接地N、导通端L、绝缘端G
40.兆欧表的接线端标有（A）。
A、接地E、线路L、屏蔽GB
C接地E、导通端L、绝缘端GD、接地N、通电端G绝缘端L
41.当测量电阻值超过量程时，手持式数字万用表将显示（A）
A1B、C、0D、
42.手持式数字万用表的电源电压为（D）伏。
A6B、5C、4D、9
43.78及79系列三端集成稳压电路的封装通常采用（A）
A.TO-220、TO-202B.TO-110、TO-202
C.TO-220、TO-101D.TO-110、TO-220
44.CW7806的输出电压、最大输出电流为（A）伏。
A6V、1.5AB、6V、1AC、6V、0.5AD、6V、0.1A
45.
B）。
（A）V。
CW78L05型三端集成稳压器件的输出电压及最大输出电流为（
A5V、1AB、5V、0.1AC、5V、0.5AD、5V、1.5A
46.一般三端集成稳压电路工作时，要求输入电压比输出电压至少高
47.
A2B、3C、4D、1.5
53.云母制品属于（A）
A.固体绝缘材料B.液体绝缘材料C.气体绝缘材料D.
导体绝缘材料
54.双向晶闸管是（A）半导体结构。
A.四层B.五层C.三层D.两层
D）。
49.符合有“1”得“0”，全“0”得“1”的逻辑关系的逻辑门是（
55.单结晶体管的结构中有（B）个基极。
A、1B、2C、3D、4
56.单结晶体管两个基极的文字符合是（D）。
A.C1、C2B.D1、D>C.E1、E2D.Bi、B2
57.单结晶体管发射极的文字符号是（C）。
A、CB、DC、ED、F
58.单结晶体管的结构中有（C）个PN结。
A、4B、3CC1D、2
59.单结晶体管是一种特殊类型的（D）。
A、场效管B、晶闸管C、三极管D二极管
60.普通晶闸管边上P层的引出极是（D）。
A、漏极B、阴极C门极D阳极
61•普通晶闸管的额定电流是以工频（C）电流的平均值来表示的。
A、三角波B、方波C、正弦半波D正弦全波
62.普通晶闸管的额定电压是用（B）表示的。
A、有效值B最大值C、平均值D、最小值
63.电容器上标注的符号2卩2,表示该电容数值为（B）。
A、0.2[1B、2.2[1C、22卩D、0.22卩
64.电容器上标注的符号
224表示其容量为22,其单位是（D）。
A、FB、MfC、mF
D、pF
65.使用电解电容时（B）。
A、负极接高电位，正极接低电位
C负极接高电位，负极也可以接高电位
B、正极接高电位，负极接低电位
D、不分正负极
66.集成运放通常有（B）部分组成。
A3B、4（输入极、中间极、输出极、偏置电路）C、5D、6
67.理想集成运放输出电阻为（C）
A.10?
B.100?
C.0D.1K?
68.集成运放开环电压放大倍数通常在（C）dB。
A60B、80CC80~140D、100
69.理想集成运放的差模输入电阻为（D）。
A、1M欧姆B、2M欧姆C、3M欧姆D无穷大
70.下列不是集成运放的非线性应用的是（C）。
A、过零比较器B、滞回比较器C、积分应用D比较器
72•集成运放输入电路通常由（D）构成。
A、共射放大电路B、共集电极放大电路C、共基极放大电路D、差动放大电路
73•单片集成功率放大器件的功率通常在（B）瓦左右。
A、10B、1C、5D、8
74.适合高频电路应用的电路是（C）。
A、共射极放大电路B、共集电极放大电路C、共基极放大电路D、差动放大电路
75.通常信号发生器能输出的信号波形有（D）。
A、正弦波B、三角波C、矩形波D以上都是
76.为了增加带负载能力，常用共集电极放大电路的（B）特性。
A.输入电阻大B.输入电阻小C.输出电阻大D.输出电阻小
77.输入电阻最小的放大电路是（C）。
A、共射极放大电路B、共集电极放大电路C、共基极放大电路D差动放大电路
78.能用于传递交流信号，电路结构简单的耦合方式是（A）。
A、阻容耦合B、变压器耦合C、直接耦合D、电感耦合
79.要稳定输出电压，减少电路输入电阻应选用（B）负反馈。
A、电压串联B、电压并联C、电流串联D、电流并联
80.要稳定输出电流，减小电路输入电阻应选用（D）负反馈。
A、电压串联B、电压并联C、电流串联D、电流并联
81.要稳定输出电流，增大电路输入电阻应选用（C）负反馈。
A、电压串联B、电压并联C、电流串联D、电流并联
★串联反馈使电路的输入电阻增加；并联反馈使电路的输入电阻减小；
82.射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（A）o
A.带负载能力强B.带负载能力差C。
减轻前级或信号源负载D.取信号能力强
83.共射极放大电路的输出电阻比共基极放大电路的输出电阻是（B）。
A.大B.小C.相等D.不定
84.
（B）。
能用于传递交流信号且具有阻抗匹配的耦合方式是
A、阻容耦合B变压器耦合C、直接耦合D、电感耦合
85.串联型稳压电路的取样电路与负载的关系为（B）连接。
A.串联B.并联C.混连D.星型
86.串联型稳压电路的调整管接成（B）电路形式。
A、共基极B共集电极C、共射极D、分压式共射极
87.常用的稳压电路有（D）等。
A、稳压管并联型稳压电路B、串联型稳压电路C、开关型稳压电路D、以上都是
88.基本放大电路中，经过晶体管的信号有（B）。
A、直流成分B交流成分C、交直流成分D、高频成分
89.处于截止状态的三极管，其工作状态为（B）。
A、射结正偏，集电结反偏B射结反偏，集电结反偏
C射结正偏，集电结正偏D、射结反偏，集电结正偏
90.分压式偏置共射放大电路，稳定工作点效果受（C）影响。
A.RcB.RbC.ReD.Uce
91.固定偏置共射放大电路出现截止失真，是（B）。
A、R?
偏小BR3偏大C、Rc偏小DRc偏大
92.分压式偏置共射极放大电路，更换大管子，其静态值Uceq会（C）
A、增大B、变小C、不变D、无法确定
93.基极电流iB的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（B）。
A、截止区B、饱和区C、死区D交越失真
94.固定偏置共射极放大电路，已知RB=300Q,RC=4Q,Vcc=12V,B=50,贝UUCEQ为（B）V。
A6B、4C、3D、8
95.分压式偏置共射放大电路，当温度升高时，其静态值IBQ会（B）。
A、增大B、变小C、不变D、无法确定
96分压式偏置共射极放大电路，稳定工作点效果受（C）影响。
A、RCB、RBC、RED、UCC
97.基极电流iB的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（B）。
A、截止区B、饱和区C、死区D交越失真
98.放大电路的静态工作点的偏低易导致信号波形出现（A）失真。
A、截止B、饱和C、交越D、非线性
99.下列集成运放的应用能将矩形波变成尖顶脉冲波的是（C）
A、比例应用B、加法应用C微分应用D、比较强
100.多级放大电路之间，常用共集电极放大电路，是利用其（C）特性。
A、输入电阻大、输出电阻大B、输入电阻小、输出电阻大
C、输入电阻大、输出电阻小D输入电阻小、输出电阻小
101.单相桥式整流电路的变压器二次侧电压为20伏，每个整流二极管所承受的最大反向电
压为（B）。
A20VB、28VC、40VD、56V
102.RC选频振荡电路适合（B）KHz以下的低频电路。
A、1000B、200C100D、50
103.RC选频振荡电路，当电路发生谐振时，选频电路的幅值为（D）。
A2B、1C、1/2D1/3
104.RC选频振荡电路，当电路发生谐振时，选频电路的相位移为（D）度。
A90B、180C、0D、-90
105.RC选频振荡电路，能测试电路振荡的放大电路的放大倍数至少为（B）。
A.10B.3C.5D.20
106.LC选频振荡电路，当电路频率高于谐振频率时，电路性质为（C）。
A电阻性B、感性C、容性D、纯电容性
107.LC选频振荡电路达到谐振时，选频电路相位移为（A）度。
A0B、90C、180D、-90
108.下列逻辑门电路需要外接上拉电阻才能正常工作的是（D）。
A与非门B、或非门C、与或非门DOC门
109.差动放大电路能放大（D）。
A直流信号B、交流信号C共模信号D差模信号
110.（A）差动放大电路不适合单端输出。
A、基本B、长尾C、具有恒流源D、双端输入
111.音频集成功率放大器的电源电压一般为（A）伏。
A.5B.10C.5~8D.6
112.TTL与非门电路低电平的产品典型值通常不高于
A1B、0.4C、0.8D
113.容易产生零点漂移的耦合方式是（C）
（B）伏。
、1.5
D、电感耦合
A、阻容耦合B、变压器耦合C、直接耦合
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