半导体地地研究所获奖情况.docx

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半导体地地研究所获奖情况

半导体研究所获奖情况

2001年

国家自然科学二等奖：

“自组织生长量子点激光材料和器件研究”

王占国、封松林、徐仲英、梁基本、徐波等

北京市科技进步一等奖：

半导体神经网络技术及其应用

王守觉、鲁华祥、石林初、石寅、王向东等

国家最高科技奖黄昆先生

2000年半导体所获奖情况：

院自然科学一等奖：

“自组织生长量子点激光材料和器件研究”

王占国、封松林、徐仲英、梁基本、徐波等

院自然科学二等奖：

“非晶硅的光致退化机理及消除途径”

孔光临、张殿林、廖显伯、赵奕平、岳国珍

院科技进步二等奖：

“高功率激光二极管列阵”

肖建伟、马骁宇、方高瞻、刘宗顺、刘素平等

国家科技进步二等奖“670nm半导体量子阱激光器批量生产”

郭良马骁宇陈良惠王树堂李玉璋

王丽明茅冬升谭满清杨亚丽张洪琴

曹青何广平潘贵生

1999年

1.670nm半导体量子阱激光器批量生产院科技进步一等奖

郭良马骁宇陈良惠王树堂李玉璋

王丽明茅冬升谭满清杨亚丽张洪琴

曹青何广平潘贵生

2．新型医药用水装置院科技进步二等奖

闻瑞梅沈英立沈英魁杜国栋刘素英

栗广勇谢浩波柳光元任民峰

半导体所、北京先路水处理新技术公司

3．铌酸锂光波导调制器和微波共面传输线的理论研究院自然科学三等奖

祝宁华潘裕斌钟宝璇王仁明吴正德

半导体所、中山大学、香港城市大学、深圳大学、电子科技大学

1998年

1.LPE法制备的高效GaAs太阳电池院科技进步二等奖

向贤碧汪乐王加宽常秀兰励翠云

杜文会葫雨生高俊华王振英

上海冶金所、半导体所

2．半导体微结构的电子态及有关的物理性质研究院自然科学一等奖

夏建白

3．InAs/GaAs量子点和量子阱的静压光谱研究院自然科学二等奖

李国华韩和相汪兆平刘振先郑宝真

4．大功率半导体量子阱激光器国家科技进步三等奖

肖建伟陈良惠杨国文徐遵图徐俊英

1997年

1.大功率半导体量子阱激光器院科技进步一等奖

肖建伟陈良惠杨国文徐遵图徐俊英

张敬明刘宗顺庄芳捷胡长虹吕卉

李秉臣毕可奎刘素平何晓曦李世祖

2.砷化镓材料、器件与电路院科技进步二等奖

姚林生王占国夏冠群李爱珍孔梅影

刘训春郑东范恒何宏家吴德馨

杨玉芬徐鸿达杜立新冯先根邹世昌

上海冶金所、半导体所、微电子中心

3.1.48微米掺铒光纤放大器泵浦院科技进步三等奖

彭怀德刘德钧阎莉马骁宇王仲明

4.电子工业用气体--硅烷GB/T15909--1995化学工业部科技进步三等奖

余京松何道善佘中玉姚奎鸿

化工部西南化工研究院、浙江大学、半导体所

5.过渡金属和稀土金属硅化物研究院自然科学二等奖

许振嘉陈维德丁孙安何杰王佑祥

6.III-V族化合物半导体超晶格的喇曼散射研究院自然科学三等奖

汪兆平韩和相李国华江德生丁锟

7.二次离子质谱分析的应用基础研究院自然科学三等奖

王佑祥查良镇姜志雄陈春华

8.长波长分布反馈激光器国家科技进步二等奖

王圩张静媛朱洪亮张济志汪孝杰

周帆天慧良李力马朝华

1996年

1.1.55微米应变层量子阱分布反馈（DFB）激光器院科技进步一等奖

王圩张静媛朱洪亮张济志汪孝杰

周帆天慧良李力马朝华毕可奎

胡雄伟边静祝亚芹王白霞王志杰

2.ф2”和ф3”非掺Si-GaAs单晶（片）研究院科技进步二等奖

林兰英曹福年白玉珂惠峰卜俊鹏

刘明焦吴让元何宏家

3.DYL多元逻辑八位高速视频D/A转换器院科技进步二等奖

王守觉樊崇德石寅王怀荣朱荣华

齐荔陆剑侠陶淑艳

半导体所、电子部47所

4.减压薄层硅外延片的研制院科技进步三等奖

梁骏吾郭钟光邓礼生刘素英郑红军

5.轨距及轨向检测装置铁道部科技进步二等奖

邓兆阳（第五）许善兴（第六）

半导体所为第四完成单位

6.Recursion方法及其在复杂杂质问题中的应用院自然科学三等奖

王永良

7.环境中砷的治理和检测新方法、新设备国家科技进步三等奖

闻瑞梅梁骏吾周淑君赵振环刘任重

8.一种电路新结构新原理多元逻辑（DYL）及其实用化国家发明三等奖

王守觉石寅鲁华祥尹元茂李远境宋振华

1995年

1.低阈值1.3umInGaAs/InP双区共腔双稳激光器院科技进步一等奖

张权生吴荣汉林世鸣王启明高洪海

高文智吕卉王丽明马朝华刘文旭

韩勤段海龙张洪琴卢秀玲杜云

2.高质量GaAs/AlGaAs二维电子气材料研制及其器件应用院科技进步二等奖

梁基本朱战萍徐波廖奇为孔梅影

林兰英王占国杨斌李伟

3.“31”工程用一期（首批、二批）抗辐射院科技进步三等奖

加固CMOS/SOS集成电路研制

刘忠立和致经郁元桓于芳杨钦英

4.半导体超晶格量子阱喇曼散射微观理论院自然科学二等奖

朱邦芬黄昆汤蕙

5.俄歇电子能谱定量分析及有关效应的研究院自然科学二等奖

陈维德崔玉德

6.半导体应变超晶格的会电子束衍射研究院自然科学二等奖

半导体所为第三完成单位

注：

无档案材料无法确定名单

7.稀土－铁－硼及稀土－铁－氮永磁材料的理论研究院自然科学三等奖

顾宗权赖武彦

8.低阈值和高速超短光脉冲量子阱激光器国家科技进步三等奖

陈良惠徐俊英肖建伟张敬明孔梅影

1994年

1.MOCVDGaAlAs/GaAs超晶格量子阱材料的研制及应用院科技进步二等奖

杨辉梁骏吾邓礼生郑联喜胡雄伟

张霞李建中葛璜李秉臣

2.环境中砷的治理和检测的新方法、新设备院科技进步二等奖

闻瑞梅彭永清邓礼生刘任重陈朗星刘成海

注：

无报奖材料，名单仅供参考

3.非晶硅图像传感器线型阵列的研制院科技进步三等奖

郑怀德廖显伯孔光临刁宏伟周帆

4.氢离子敏场效应器件（与微电子中心合作）院科技进步三等奖

李东研崔成烈李志强黄晓兰洪重光

5.电子束掺杂研究院科技进步三等奖

王培大（排名第二）

半导体所为第二完成单位

注：

无报奖材料，名单仅供参考

6.低维半导体量子输运院自然科学一等奖

郑厚植周海平邵华李月霞杨富华

7.半绝缘砷化镓中氧缺陷振动光谱及其光敏行为研究院自然科学三等奖

宋春英江德生钟学富葛帷锟B.Pajot

1993年

1.超晶格量子阱自电光效应器件院科技进步一等奖

吴荣汉林世鸣张权生段海龙王启明

曾一平孔梅影孙殿照高洪海高文智

韩勤吕卉王丽明芦秀玲杜云

2.GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器单管及四元线列院科技进步一等奖

钟战天（排名第四）李承芳（排名第八）王森（排名第十二）

物理所、半导体所

注：

无报奖材料，名单仅供参考

3.计算机测试程序开发及IC测试与应用开发系统院科技进步二等奖

林雨肖钢朱文珍李长海胡升

陆文兰姜爱华郗志凤

4.非晶硅中的亚稳缺陷及界面问题的研究院自然科学二等奖

孔光临廖显伯秦国刚钟战天孙国胜

5.硅表面性质的晶向关系院自然科学三等奖

邢益荣W.Rankle

6.金属有机源MOMBE分子束外延设备和MBE－IV型国家科技进步二等奖

分子束外延设备

孔梅影（第二）孙殿照（第五）梁基本（第九）

中科院沈阳科学仪器研制中心、半导体所、物理所

注：

无报奖材料，名单仅供参考

7.半导体超晶格的电子态与声子模理论国家自然科学二等奖

黄昆朱邦芬夏建白

1992年

1.低阈值和高速超短光脉冲量子阱激光器院科技进步一等奖

陈良惠徐俊英肖建伟张敬明孔梅影

曾一平周小川马朝华徐遵图王丽明

毕可奎杨国文李立康蒋建瞿伟

2.MBE-IV型分子束外延和金属有机源分子束外延设备院科技进步一等奖

孔梅影孙殿照梁基本韩汝水朱世荣

沈阳科仪研制中心、半导体所

注：

无报奖材料，名单仅供参考

3.微机控制光加热外延炉的研制和硅外延技术研究院科技进步二等奖

梁骏吾杨辉郭钟光邓礼生郑红军

张隽吕旭如黄大定汪光川

4.多元逻辑高速数码乘法器电路院科技进步二等奖

石寅朱荣华王守觉侯静媛赵泉沐曹秀兰

5.小面积高效率非晶硅电池的研究院科技进步三等奖

廖显伯孔光临郑怀德李海峰刁宏伟

6.2”直径的半绝缘磷化铟单晶院科技进步三等奖

刘巽琅叶式中赵建群焦景华曹惠梅

7.分子束外延GaAs/AlGaAs高速器件与光电子器件用料院科技进步三等奖

孔梅影孙殿照曾一平梁基本郑海群

8.长波长InGaAs.APD光接收组件院科技进步三等奖

王树堂胡春阳曾靖夏彩虹何军

9.半导体超晶格的静电光谱研究院自然科学三等奖

李国华江德生韩和相汪兆平赵学恕

10.长波1.3和1.5um无致冷单模激光器研究国家科技进步二等奖

彭怀德马骁宇马朝华陈剑余金中

张盛廉吕卉武淑珍赵建和

11.硅材料原生缺陷图谱、硅材料诱生缺陷图谱国家科技进步三等奖

张一心（排名第四）半导体所为第四完成单位

12.中国科学院文献资源合理布局国家科技进步三等奖

孟广钧许鸿英谢淑莲高焕宝陈光楹

中科院文献情报中心、中科院兰州文献情报中心、

中科院成都文献情报中心、中科院上海文献情报中心、

半导体所

注：

无报奖材料，名单仅供参考

1991年

1.SSPW小型系列高纯水器北京市星火科技一等奖

闻瑞梅

注：

缺档案无法确定名单

2.长寿命卫星用SOS－CMOS集成电路五种电路研制院科技进步二等奖

刘忠立和致经郁元桓刘荣寰郭安

张桂亭昝育德张永刚李国花于芳

茅冬升倪秀珍杨钦英

3.长波1.3和1.5μm无致冷单模激光器研究院科技进步二等奖

彭怀德马骁宇马朝华陈剑余金中

张盛廉吕卉武淑珍赵建和潘贵生

赵玲娟王丽明张洪琴王树堂周汝生

4.1.5μm分布反馈激光器院科技进步二等奖

王圩张静媛汪孝杰田惠良缪育博

王宝军张济志马朝华王丽明吕卉张洪琴

5.中科院文献资源合理布局院科技进步二等奖

梁荫喜

注：

无报奖材料，名单仅供参考

6.全平面结构8mm小功率开关保护器院科技进步三等奖

郑东王良臣方浦明王莉邹立寿

药建国周春

7.集成电路用半绝缘砷化镓热稳定性和均匀性研究院科技进步三等奖

林兰英何宏家刘巽琅曹福年白玉珂

惠峰吴让元张金福曹惠梅孙文荣

徐寿定赵健群费雪英卜俊鹏

8.半导体致冷材料与器件院科技进步三等奖

陈廷杰彭少近张韵琴唐代维郑秉茹李瑞云

9.砷化镓量子阱微结构的光反射调制谱研究院自然科学三等奖

江德生庄蔚华王炳心韩志勇

注：

无报奖材料，名单仅供参考

10.长波长InGaAs/InP雪崩光电二极管国家科技进步二等奖

王树堂曾靖李锋胡春阳夏彩虹孙捷樊爱香

11.电子级气体N2、H2、O2、Ar、He、HCl、国家科技进步三等奖

CO2、NH328种杂质分析技术及质量监控

闻瑞梅李希云王铁龄王桂英

1990年

1.八种气体中28种杂质全分析技术及质量监控院科技进步一等奖

闻瑞梅李希云王铁龄王桂英

注：

无报奖材料，名单仅供参考

2.半导体制冷技术和设备天津市科技合作一等奖

陈廷杰彭少近张韵秦唐代维郑秉茹

李瑞云（半导体所）

庄如颜王兆乾（计算站）

天津市制冷器厂、半导体所

注：

无报奖材料，名单仅供参考

3.长波长InGaAs/InP雪崩光电二极管院科技进步二等奖

王树堂曾靖李锋胡春阳夏彩虹

4.8mm脉冲雪崩管振荡器院科技进步二等奖

杨玉芬张黄河王保强侯梦会刘衍芳

吴晓东彭斌

5.硅材料原生缺陷图谱、硅材料诱生缺陷图谱机电部科技进步二等奖

张一心菜田海高维滨

6.（HRIMG）高分辨电子显微像模拟计算机软件院科技进步三等奖

褚一鸣段小峰何良王凤莲刘学锋

都安彦向南玲

7.集成光电转换器（模样）院科技进步三等奖

李远境赵雅珠虞嘉峰姜文甫赵淑兰

宋振华胡景香杨亚丽李大虹朱秀珍

注：

无报奖材料，名单仅供参考

8.低位错、元位错掺Te锑化镓单晶研究院科技进步三等奖

焦景华佘辉叶式中林汝淦曹惠梅

孙文荣鄢秋明金盾

9.半导体AlGaAs/GaAs脉冲功率激光器院科技进步三等奖

洪坚王仲明龙泽民马国荣肖丽华

赵建社孙晓山

10.等电子杂质In在GaAs中行为的研究院科技进步三等奖

王占国林兰英杨保华徐寿定万寿科

杨锡权何宏家曹福年白玉珂钱家骏

范缇文孙虹

11.PCVD-310型等电子体非晶硅太阳能电池设备院科技进步三等奖

廖显伯

半导体所为第二完成单位

注：

无报奖材料，名单仅供参考

12.半导体超晶格和量子阱的光学声子模和弗洛里希作用势院自然科学二等奖

黄昆朱邦芬

13.GaAs/AlAs超晶格中光学声子的拉曼散射研究院自然科学二等奖

汪兆平韩和相李国华江德生

14.微重力条件下从溶体生长GaAs单晶及性质研究国家科技进步三等奖

林兰英周伯骏钟兴儒王占国石志文

蒋四南范缇文李成基曹福年

15.分子束外延GaAs-AlGaAs材料国家科技进步三等奖

孔梅影李爱珍黄绮孙殿照梁基本

黄运衡陈宗圭杨中兴邱建华

1989年

1.微重力条件下从溶体生长GaAs单晶及性质研究院科技进步一等奖

林兰英周伯骏钟兴儒王占国石志文

蒋四南范缇文李成基曹福年

注：

无报奖材料，名单仅供参考

2.LPEGaInAsSb/InP异质材料的生长和性质研究院科技进步二等奖

龚秀英王占国高风升韩文蔷赵海洋卢文宏

注：

无报奖材料，名单仅供参考

3.电子级气体SJ2794~2797-87电子级气体中机电部科技进步二等奖

颗粒和痕量杂质测定方法SJ2798~2804.1-87

SJ2805~2807-87

尹恩华

注：

无报奖材料，名单仅供参考

4.双束合成低能离子束外延实验机院科技进步三等奖

秦复光王向明杨光荣刘大白刘志凯

彭少近姚振钰任治璋

注：

无报奖材料，名单仅供参考

5.超晶格电子态理论院自然科学一等奖

夏建白黄昆朱邦芬汤惠

6.砷化镓中杂质缺陷的红外研究院自然科学二等奖

江德生宋春英葛惟锟钟学富许振嘉

1988年

1.掺氮中子擅变区熔硅单晶的制备院科技进步一等奖

梁骏吾邓礼生郑红军黄大定栾洪发

2.DMF－1型大幅度矩形纳秒脉冲发生器院科技进步二等奖

周旋鲍秉乾李强贾洪盛

3.离子色谱在半导体工业中的应用院科技进步三等奖

闻瑞梅李希云付仲华刘秀庆

4.单层金属工艺条件下高密度布线设计院科技进步三等奖

庄文军高春华程可行牛征虎刘新平

1987年

1.LSIS－II自动布图设计系统院科技进步一等奖

庄文君程可行牛征虎高春华马佐成

薄建国王怀伦易涪兰刘新华

2.共腔双区（CCTS）DH双稳激光器研究院科技进步二等奖

王启明王守武林世鸣李建蒙杜宝勋

3.分子束外延高质量GaAs-GaAlAs材料研究院科技进步二等奖

孔梅影孙殿照梁基本黄运衡曾一平陈宗圭

4.抗辐照SOS－CMOS集成电路院科技进步二等奖

刘忠立和致经郁元桓昝育德茅冬生

5.硅单晶次缺陷图集北京市科技进步二等奖

张一心蔡田海高维滨

6.GaAs/GaAlAs负阻激光器电学、光学特性综合研究院科技进步三等奖

王守武张权生吴荣汉李照银

7.匀相位半导体激光器及相位测试设备院科技进步三等奖

庄婉如石志文杨培生潘贵生马朝华

何军马国华孙富荣

8.GaAs/GaAlAs量子阱光学性质研究院科技进步三等奖

徐仲英李玉璋葛惟锟许继宗郑宝真

徐俊英庄蔚华

9.二、三、四毫米波段硅肖特基势垒二极管国家科技进步二等奖

王森卫薇柳吉林方浦明陈克铭

郑东陈微

10.1.3微米基横模、低阈值、长寿命激光器国家科技进步二等奖

王圩彭怀德张盛廉汪孝杰张静媛

11.长波长光探测器件及光发射器件国家科技进步二等奖

王圩彭怀德

注：

无报奖材料，名单仅供参考

1986年

1.二、三、四毫米硅肖特基势垒二极管检测器院科技进步一等奖

王森卫薇柳吉林方浦明陈克铭

陈薇郑东

2.GaP中N和N和Ni对束缚激子压力行为的研究院科技进步一等奖

杨桂林王炳森赵学恕李国华

3.1.3μm单模低阈值、长寿命激光器的研制院科技进步二等奖

王启明王圩彭怀德张盛廉周汝生

4.水平法低位错GaAs的单晶院科技进步二等奖

褚一鸣何宏家周伯骏曹福年白玉珂

注：

无报奖材料，名单仅供参考

5.提高高纯水质量的研究院科技进步二等奖

闻瑞梅薛继周陶帝先佟静亭龚义元

6.短微波半导体器件系统及有关元件质量的研究院科技进步二等奖

注：

缺档案材料、名单无法确定

7.兼容宏单元多元胞模式自动布局和四边通道布线算法院科技进步三等奖

程可行庄文君

8.多元电路万能函数发生器院科技进步三等奖

王守觉王宏道李秀贤

注：

无报奖材料，名单仅供参考

9.高压液封法生长热稳定不掺杂半绝缘GaAs院科技进步三等奖

林兰英叶式中何宏家方兆强曹福年

刘巽琅白玉珂焦景华费雪英

10.GaAs表面和介面性质对毫米波器件性质的影响院科技进步三等奖

陈克铭王森仇兰华陈维德王良臣

11.二、三毫米硅雪崩振荡器院科技进步三等奖

杨玉芬刘衍芳张黄河侯梦会蔡田海

12.N+NP+型InGaAs/InP异质结构PIN光电探测器院科技进步三等奖

王树堂曾靖潘荣浚陈良惠马朝华

注：

无报奖材料，名单仅供参考

13.分子束外延GaAs-GaAlAs多量子阱超晶格院科技进步三等奖

材料制备的特性

孙殿照徐仲英陈宗圭梁基本庄蔚华

许继宗黄运衡王玉田王佑祥

注：

无报奖材料，名单仅供参考

14.高速双向负阻晶体管院科技进步三等奖

周旋李凤银曹体伦李锦林鲍秉乾

15.砷化镓霍尔器件院科技进步三等奖

郑一阳张进昌刘衍芳

注：

无报奖材料，名单仅供参考

16.固体化高压毫微秒脉冲电源院科技进步三等奖

周旋李锦林鲍秉乾张建成陈子荣

注：

无报奖材料，名单仅供参考

1985年

1.分子束外延技术的研究国家科技进步二等奖

孔梅影孙殿照

注：

无报奖材料，名单仅供参考

2.提高砷化镓材料质量的研究国家科技进步二等奖

林兰英彭瑞伍林耀望莫培根方兆强

3.光纤通信用短波长发射器件和探测器件国家科技进步二等奖

王启明庄婉如王树堂

注：

无报奖材料，名单仅供参考

4.可控电参数的低位错磷化铟单晶制备国家科技进步三等奖

叶式中刘巽琅刘思林孙同年焦景华

注：

无报奖材料，名单仅供参考