多晶硅单晶硅与薄膜发电技术的区别.docx
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多晶硅单晶硅与薄膜发电技术的区别
砷化镓技术-Alta
砷化镓（GaAs）因其优异的性能和可靠性，代表了光伏技术的领先水平。
传统的GaAs电池片极其昂贵，重且易碎，完全不适于移动电源系统。
AltaDevices砷化镓高效薄膜太阳能电池技术则具有高效率、低成本、发电性能优异等特点，且产品轻质柔性，可完美地应用于移动电源系统。
AltaDevices在GaAs芯片上采用金属有机物气相沉积MOCVD技术完成光伏器件的外延生长，并采用湿法工艺把器件连同柔性衬底从芯片上剥离下来，之后根据用户需求，制成不同尺寸的产品。
AltaDevices自主开发的MOCVD快速生长技术和大面积外延层剥离技术，使其具有很大的成本降低潜力，并适合规模化生产。
铜铟镓硒技术-GSE
GSE采用柔性共蒸发CIGS技术。
该技术是在30微米厚不锈钢衬底上通过卷对卷生产工艺（RolltoRoll）均匀沉积CIGS太阳电池器件的各功能性膜层，其优势为通过采用多点分布式蒸发源，提高沉积膜厚度均匀性；共蒸工序时间短（<4min）；原材料易获得（Cu、In、Se颗粒，Ga液态）；双XRF监测共蒸发沉积膜厚及成分，偏离目标时自动调节蒸发源进行补偿；原材料利用率高，共蒸室壁的材料可以充分回收利用；粉尘处理容易（更换护板），蒸发源维护便捷（6小时维护时间）。
此外，GSE还拥有独有的ICI（IntegratedCellInterconnect）封装技术。
该技术采用图形化的镀膜方式制备内部结构更加致密的铜前电极，减少了遮挡面积，降低了元件串联电阻，并通过激光焊接方式完成电池极连接，消除了短路问题，从电池到组件的效率损失大幅减小。
铜铟镓硒技术-Solibro
Solibro具有35年的技术研发及10年的实体生产经验，涉及专利88项，已具有设备—工艺—产业化交钥匙工程的集成能力和交付经验，以及低产线建设和生产成本的集成控制能力。
核心共蒸发技术采用独有的CIGS点源共蒸发技术，具有从下向上蒸发、多点源系统、相对较大的源与基板距离的特点。
CIGS电池各功能性膜层在不同的专用设备中完成镀膜。
设备性能稳健（Robust），维护快速、产出率高、稼动率高，且具有很强的未来效率和工艺升级灵活性。
目前，Solibro可按客户需求从设计CIGSPOWERLINE交钥匙工程开始，直至产线启动运行，提供全面支援，包括自主设计的CIGS共蒸发系统等全线设备，保证高品质的CIGS核心工艺以及高的元件转化效率。
铜铟镓硒技术-MiaSolé
本集团在2013年收购了若干世界领先的CIGS薄膜发电技术，分别为Solibro（基于玻璃衬底的共蒸发技术），MiaSolé（溅射技术）以及GlobalSolarEnergy（基于柔性衬底的共蒸发技术）。
上述收购的关键缘由在于提升本集团的技术路线，以及将世界领先的薄膜发电技术专才引入至本集团研发部门。
这一战略举措在于：
无论在转换效率还是生产成本，CIGS薄膜技术均已可与晶硅媲美；且与晶硅相比，拥有诸多特性，如柔性衬底，更美观和更高的热表现等，使用效益远多于多晶硅。
本集团计画将新近收购的技术在中国实现本土化，以进一步降低生产成本，令客户在薄膜市场更具竞争力。
MiaSolé采用CIGS薄膜技术生产太阳能电池和元件。
该薄膜技术是基于轴对轴平台，其中所有由CIGS太阳能电池构成的薄膜层，均在单台物理气相沉积（PVD）流程系统中依次溅射沉积至单块玻璃的柔性不锈钢衬底之上，之后实现电池构成自动化以及进行100%线上测试以此构成的柔性电池制造，碳排放小、资本支出低；具有高生产率和低成本。
生产的柔性电池用于玻璃和轻质柔性组件生产线、消费者产品及其它不同的运用。
MiaSolé已经向遍及五大洲超过三十个客户交付了超过80MW的玻璃和柔性薄膜组件。
高效硅异质结技术-HIT
高效硅异质结技术是指带有本征层非晶薄膜硅材料的异质结技术。
该技术是在n型或者p型的单晶硅片正反两面一共生长上6层薄膜，其本质是一种薄膜技术。
本集团双面SHJ电池的结构为Ag栅/ITO膜/p型非晶硅膜/本征非晶硅膜/n型单晶硅片/本征非晶硅膜/n型非晶硅膜/背面ITO膜/背面Ag栅。
其中的非晶硅薄膜厚度只有5-10nm，可运用非晶硅的常规低温沉积技术实现沉积（例如PECVD）。
正反面ITO薄膜可由溅射法（PVD）制备，产业化成本较低。
由于本征非晶硅膜对硅片表面良好的钝化作用，使得器件的反向饱和电流降低了近2个数量级，电池的开路电压和光电转换效率得到大幅提升，可以实现25%以上的电池效率和23%以上的组件效率。
高的组件效率可节省占地面积、支架和人工费用等BOS成本。
同时，高的开路电压带来了较低的温度系数（-0.29%/℃），使其在实际发电中有更好的电量输出，相对常规晶硅组件发电量高出~6%。
另外，其双面对称的电池结构可以实现双面发电，根据不同的地面状况和不同的安装角度，相同装机容量下相对晶硅单面组件有12-35%的发电增益，可进一步降低度电成本。
本集团SHJ电池采用n型的单晶硅片，其组件在实际应用中不存在光致衰减（LID）和电致衰减（PID），环境稳定性更好。
产品特性：
电池转化效率23%以上，组件性能稳定，温度系数低，高温下功率输出高，双玻封装寿命可达30年以上，且双面均可发电，使发电量大幅增加。
目标市场：
可广泛用于分布式电站，光伏建筑壹体化，隔音墙，农/渔光互补，污水处理厂光伏发电，移动能源等市场。
非晶硅/硅锗技术
非晶硅和硅锗均为硅的非结晶同素异形体，可在低温下沉降于不同种类的薄膜衬底之上。
它为各种电子产品提供了一些独特的功能。
与多晶硅（mc-Si）相比，非晶硅的电子表现较低，然而在实际运用中更具灵活性。
例如，非晶硅层可以制作得比晶硅更薄，可节约更多的硅基材料成本。
硅基的另一个显著优势在于其可在低温下实现沉积（例如75℃），不仅能在玻璃上，而且能在廉价的塑胶上实现沉积，使之成为了轴对轴加工技术的最佳方案。
沉积时，非晶硅可以类似多晶硅般掺杂其它物质，最终形成电子设备。
非晶硅现已成为薄膜电晶体活跃层，液晶显示幕（LCD）和薄膜电池及组件的核心原料。
非晶硅另一个优势在于其可通过等离子增强化学气相沉积（PECVD）实现大面积沉积。
PECVD系统的设计将极大地影响非晶硅元件成本。
因此，大多数设备提供商将重点放在设计制造高输送量的PECVD设备以实现更低的生产成本。
通过基于硅锗串联生产线自主研发Fab2.0系统的技术突破，本集团实现了薄膜发电元件的更高转换效率，更低的生产成本（减少约9%），提升了薄膜发电组件的成本效益和竞争力。
纳米晶硅技术
纳米晶硅有晶体硅内的非晶相颗粒，相对与完全由晶体硅颗粒构成的多晶硅，由颗粒边界隔开。
二者的区别在于晶体颗粒的大小：
纳米晶硅内的晶体颗粒多在纳米级上下。
因有晶体颗粒的存在，相比多晶硅而言，纳米晶硅比非晶硅拥有更好的电子迁移率，增强了对红光和红外线波长的吸收，提升了光致稳定性，使之成为硅基薄膜太阳能电池的重要原材料。
与非晶硅相似，纳米晶硅同样是薄膜电晶体的活跃层、薄膜太阳能电池和组件的上佳选择。
纳米晶硅最重要的优势在于其拥有更好的稳定性，比非晶硅更容易制造，可运用非晶硅的常规低温沉积技术实现沉积（例如PECVD），而无需使用制造晶硅的镭射退火或高温化学气相沉积（CVD）流程。
将纳米晶硅和非晶硅/硅锗技术结合成为多结太阳能电池，电池转换效率可提升至12%以上，而成本却能下降15%以上。
薄膜太阳能光伏电池组件
一、薄膜太阳能电池组件（一种新的能源材料）简介
薄膜太阳能电池可以使用在价格低廉的陶瓷、石墨、金属片等不同材料当基板来制造，形成可产生电压的薄膜厚度仅需数μm，目前转换效率最高可以达13%。
薄膜电池太阳电池除了平面之外，也因为具有可挠性可以制作成非平面构造其应用范围大，可与建筑物结合或是变成建筑体的一部份，应用非常广泛。
非晶硅（a-Si）太阳电池是在玻璃（glass）衬底上沉积透明导电膜（TCO），然后依次用等离子体反应沉积p型、i型、n型三层a-Si，接着再蒸镀金属电极铝（Al）.光从玻璃面入射，电池电流从透明导电膜和铝引出，其结构可表示为glass/TCO/pin/Al，还可以用不锈钢片、塑料等作衬底。
二、薄膜太阳能电池组件——原理
概述电池是一种能量转化与储存的装置。
它通过反应将化学能或物理能转化为电能。
电池即一种化学电源，它由两种不同成分的电化学活性电极分别组成正负极，两电极浸泡在能提供媒体传导作用的电解质中，当连接在某一外部载体上时，通过转换其内部的化学能来提供能。
作为一种电的贮存装置，当两种金属（通常是性质有差异的金属）浸没于电解液之中，它们可以导电，并在“极板”之间产生一定电动势。
电动势大小（或电压）与所使用的金属有关，不同种类的电池其电动势也不同。
电池的性能参数主要有电动势、容量、比能量和电阻。
电动势等于单位正电荷由负极通过电池内部移到正极时，电池非静电力（化学力）所做的功。
电动势取决于电极材料的化学性质，与电池的大小无关。
电池所能输出的总电荷量为电池的容量，通常用安培小时作单位。
电池的能量储存有限。
电池的容量与电极物质的数量有关，即与电极的体积有关。
在电池反应中，1千克反应物质所产生的电能称为电池的理论比能量。
电池的实际比能量要比理论比能量小。
因为电池中的反应物并不全按电池反应进行，同时电池内阻也要引起电动势降，因此常把比能量高的电池称做高能电池。
电池的面积越大，其内阻越小。
实用的化学电池可以分成两个基本类型：
原电池与蓄电池。
原电池制成后即可以产生电流，但在放电完毕即被废弃。
蓄电池又称为二次电池，使用前须先进行充电，充电后可放电使用，放电完毕后还可以充电再用。
蓄电池充电时，电能转换成化学能;放电时，化学能转换成电能。
原理详解
在化学电池中，化学能直接转变为电能是靠电池内部自发进行氧化、还原等化学反应的结果，这种反应分别在两个电极上进行。
负极活性物质由电位较负并在电解质中稳定的还原剂组成，如锌、镉、铅等活泼金属和氢或碳氢化合物等。
正极活性物质由电位较正并在电解质中稳定的氧化剂组成，如二氧化锰、二氧化铅、氧化镍等金属氧化物，氧或空气，卤素及其盐类，含氧酸及其盐类等。
电解质则是具有良好离子导电性的材料，如酸、碱、盐的水溶液，有机或无机非水溶液、熔融盐或固体电解质等。
当外电路断开时，两极之间虽然有电位差（开路电压），但没有电流，存储在电池中的化学能并不转换为电能。
当外电路闭合时，在两电极电位差的作用下即有电流流过外电路。
同时在电池内部，由于电解质中不存在自由电子，电荷的传递必然伴随两极活性物质与电解质界面的氧化或还原反应，以及反应物和反应产物的物质迁移。
电荷在电解质中的传递也要由离子的迁移来完成。
因此，电池内部正常的电荷传递和物质传递过程是保证正常输出电能的必要条件。
充电时，电池内部的传电和传质过程的方向恰与放电相反;电极反应必须是可逆的，才能保证反方向传质与传电过程的正常进行。
因此，电极反应可逆是构成蓄电池的必要条件。
为吉布斯反应自由能增量（焦）;F为法拉第常数=96500库=26.8安·小时;n为电池反应的当量数。
这是电池电动势与电池反应之间的基本热力学关系式，也是计算电池能量转换效率的基本热力学方程式。
实际上，当电流流过电极时，电极电势都要偏离热力学平衡的电极电势，这种现象称为极化。
电流密度（单位电极面积上通过的电流）越大，极化越严重。
极化现象是造成电池能量损失的重要原因之一。
极化的原因有三：
①由电池中各部分电阻造成的极化称为欧姆极化;
②由电极-电解质界面层中电荷传递过程的阻滞造成的极化称为活化极化;
③由电极-电解质界面层中传质过程迟缓而造成的极化称为浓差极化。
减小极化的方法是增大电极反应面积、减小电流密度、提高反应温度以及改善电极表面的催化活性。
三、薄膜太阳能电池组件——配置参数
电池的主要性能包括额定容量、额定电压、充放电速率、阻抗、寿命和自放电率。
2、额定容量
在设计规定的条件（如温度、放电率、终止电压等）下，电池应能放出的最低容量，单位为安培小时，以符号C表示。
容量受放电率的影响较大，所以常在字母C的右下角以阿拉伯数字标明放电率，如C20=50，表明在20时率下的容量为50安·小时。
电池的理论容量可根据电池反应式中电极活性物质的用量和按法拉第定律计算的活性物质的电化学当量精确求出。
由于电池中可能发生的副反应以及设计时的特殊需要，电池的实际容量往往低于理论容量。
3、额定电压
电池在常温下的典型工作电压，又称标称电压。
它是选用不同种类电池时的参考。
电池的实际工作电压随不同使用条件而异。
电池的开路电压等于正、负电极的平衡电极电势之差。
它只与电极活性物质的种类有关，而与活性物质的数量无关。
电池电压本质上是直流电压，但在某些特殊条件下，电极反应所引起的金属晶体或某些成相膜的相变会造成电压的微小波动，这种现象称为噪声。
波动的幅度很小但频率范围很宽，故可与电路中自激噪声相区别。
4、充放电速率
有时率和倍率两种表示法。
时率是以充放电时间表示的充放电速率，数值上等于电池的额定容量（安·小时）除以规定的充放电电流（安）所得的小时数。
倍率是充放电速率的另一种表示法，其数值为时率的倒数。
原电池的放电速率是以经某一固定电阻放电到终止电压的时间来表示。
放电速率对电池性能的影响较大。
5、阻抗
电池内具有很大的电极-电解质界面面积，故可将电池等效为一大电容与小电阻、电感的串联回路。
但实际情况复杂得多，尤其是电池的阻抗随时间和直流电平而变化，所测得的阻抗只对具体的测量状态有效。
6、寿命
储存寿命指从电池制成到开始使用之间允许存放的最长时间，以年为单位。
包括储存期和使用期在内的总期限称电池的有效期。
储存电池的寿命有干储存寿命和湿储存寿命之分。
循环寿命是蓄电池在满足规定条件下所能达到的最大充放电循环次数。
在规定循环寿命时必须同时规定充放电循环试验的制度，包括充放电速率、放电深度和环境温度范围等。
7、自放电率
电池在存放过程中电容量自行损失的速率。
用单位储存时间内自放电损失的容量占储存前容量的百分数表示。
四、薄膜太阳能电池组件——种类
非晶硅（AmorphousSilicon,a-Si）、微晶硅（NanocrystallineSilicon，nc-Si，MicrocrystallineSilicon，mc-Si）、化合物半导体II-IV族[CdS、CdTe（碲化镉）、CuInSe2]、色素敏化染料（Dye-SensitizedSolarCell）、有机导电高分子（Organic/polymersolarcells）、CIGS（铜铟硒化物）..等
1、砷化镓
GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙为1.4eV，正好为高吸收率太阳光的值，与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高温，在250℃的条件下，光电转换性能仍很良好，其最高光电转换效率约30%，特别适合做高温聚光太阳电池。
砷化镓生产方式和传统的硅晶圆生产方式大不相同，砷化镓需要采用磊晶技术制造，这种磊晶圆的直径通常为4—6英寸，比硅晶圆的12英寸要小得多。
磊晶圆需要特殊的机台，同时砷化镓原材料成本高出硅很多，最终导致砷化镓成品IC成本比较高。
磊晶目前有两种，一种是化学的MOCVD，一种是物理的MBE。
GaAs等III-V化合物薄膜电池的制备主要采用MOVPE和LPE技术，其中MOVPE方法制备GaAs薄膜电池受衬底位错，反应压力，III-V比率，总流量等诸多参数的影响。
GaAs（砷化镓）光电池大多采用液相外延法或MOCVD技术制备。
用GaAs作衬底的光电池效率高达29.5%（一般在19.5%左右），产品耐高温和辐射，但生产成本高，产量受限，现今主要作空间电源用。
以硅片作衬底，MOCVD技术异质外延方法制造GaAs电池是降用低成本很有希望的方法。
已研究的砷化镓系列太阳电池有单晶砷化镓，多晶砷化镓，镓铝砷--砷化镓异质结，金属-半导体砷化镓，金属--绝缘体--半导体砷化镓太阳电池等。
砷化镓材料的制备类似硅半导体材料的制备，有晶体生长法，直接拉制法，气相生长法，液相外延法等。
由于镓比较稀缺，砷有毒，制造成本高，此种太阳电池的发展受到影响。
除GaAs外，其它III-V化合物如Gasb，GaInP等电池材料也得到了开发。
1998年德国费莱堡太阳能系统研究所制得的GaAs太阳能电池转换效率为24.2%，为欧洲记录。
首次制备的GaInP电池转换效率为14.7%。
另外，该研究所还采用堆叠结构制备GaAs，Gasb电池，该电池是将两个独立的电池堆叠在一起，GaAs作为上电池，下电池用的是GaSb，所得到的电池效率达到31.1%。
砷化镓（GaAs）III-V化合物电池的转换效率可达28%，GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率，抗辐照能力强，对热不敏感，适合于制造高效单结电池。
但是GaAs材料的价格不菲，因而在很大程度上限制了用GaAs电池的普及。
2、铜铟硒
铜铟硒CuInSe2简称CIC.CIS材料的能降为1.1eV，适于太阳光的光电转换，另外，CIS薄膜太阳电池不存在光致衰退问题。
因此，CIS用作高转换效率薄膜太阳能电池材料也引起了人们的注目。
CIS电池薄膜的制备主要有真空蒸镀法和硒化法。
真空蒸镀法是采用各自的蒸发源蒸镀铜，铟和硒，硒化法是使用H2Se叠层膜硒化，但该法难以得到组成均匀的CIS。
CIS薄膜电池从80年代最初8%的转换效率发展到现今的15%左右。
日本松下电气工业公司开发的掺镓的CIS电池，其光电转换效率为15.3%（面积25px2）。
1995年美国可再生能源研究室研制出转换效率17.1%的CIS太阳能电池，这是迄今为止世界上该电池的最高转换效率。
预计到2000年CIS电池的转换效率将达到20%，相当于多晶硅太阳能电池。
CIS作为太阳能电池的半导体材料，具有价格低廉，性能良好和工艺简单等优点。
3、碲化镉
CdTe是Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，带隙1.5eV，与太阳光谱非常匹配，最适合于光电能量转换，是一种良好的PV材料，具有很高的理论效率（28%），性能很稳定，一直被光伏界看重，是技术上发展较快的一种薄膜电池。
碲化镉容易沉积成大面积的薄膜，沉积速率也高。
CdTe薄膜太阳电池通常以CdS/CdTe异质结为基础。
尽管CdS和CdTe和晶格常数相差10%，但它们组成的异质结电学性能优良，制成的太阳电池的填充因子高达FF=0.75。
制备CdTe多晶薄膜的多种工艺和技术已经开发出来，如近空间升华、电沉积、PVD、CVD、CBD、丝网印刷、溅射、真空蒸发等。
丝网印刷烧结法：
由含CdTe、CdS浆料进行丝网印刷CdTe、CdS膜，然后在600～700℃可控气氛下进行热处理1h得大晶粒薄膜。
近空间升华法：
采用玻璃作衬底，衬底温度500～600℃，沉积速率10μm/min.真空蒸发法：
将CdTe从约700℃加热钳埚中升华，冷凝在300～400℃衬底上，典型沉积速率1nm/s.以CdTe吸收层，CdS作窗口层半导体异质结电池的典型结构：
减反射膜/玻璃/（SnO2:
F）/CdS/P-CdTe/背电极。
电池的实验室效率不断攀升，现今突16%。
20世纪90年代初，CdTe电池已实现了规模化生产，但市场发展缓慢，市场份额一直徘徊在1%左右。
商业化电池效率平均为8%-10%。
人们认为，CdTe薄膜太阳电池是太阳能电池中最容易制造的，因而它向商品化进展最快。
提高效率就是要对电池结构及各层材料工艺进行优化，适当减薄窗口层CdS的厚度，可减少入射光的损失，从而增加电池短波响应以提高短路电流密度，较高转换效率的CdTe电池就采用了较薄的CdS窗口层而创了最高纪录。
要降低成本，就必须将CdTe的沉积温度降到550℃以下，以适于廉价的玻璃作衬底;实验室成果走向产业，必须经过组件以及生产模式的设计、研究和优化过程。
至今，不仅有许多国家的研究小组已经能够在低衬底温度下制造出转换效率12%以上的CdTe太阳电池，而且在大面积组件方面取得了可喜的进展，许多公司正在进行CdTe薄膜太阳电池的中试和生产厂的建设，有的已经投产。
五、薄膜太阳能电池组件——物理优势
硅材料是现今太阳电池的主导材料，在成品太阳电池成本份额中，硅材料占了将近40%，而非晶硅太阳电池的厚度不到1μm，不足晶体硅太阳电池厚度的1/100，这就大大降低了制造成本，又由于非晶硅太阳电池的制造温度很低（-200℃）、易于实现大面积等优点，使其在薄膜太阳电池中占据首要地位，在制造方法方面有电子回旋共振法、光化学气相沉积法、直流辉光放电法、射频辉光放电法、溅谢法和热丝法等。
特别是射频辉光放电法由于其低温过程（-200℃），易于实现大面积和大批量连续生产，现成为国际公认的成熟技术。
在材料研究方面，先后研究了a-SiC窗口层、梯度界面层、μC-SiCp层等，明显改善了电池的短波光谱响应.这是由于a-Si太阳电池光生载流子的生成主要在i层，入射光到达i层之前部分被p层吸收，对发电是无效的.而a-SiC和μC-SiC材料比p型a-Si具有更宽的光学带隙，因此减少了对光的吸收，使到达i层的光增加;加之梯度界面层的采用，改善了a-SiC/a-Si异质结界面光电子的输运特性.在增加长波响应方面，采用了绒面TCO膜、绒面多层背反射电极（ZnO/Ag/Al）和多带隙叠层结构，即glass/TCO/p1i1n1/p2i2n2/p3i3n3/ZnO/Ag/Al结构.绒面TCO膜和多层背反射电极减少了光的反射和透射损失，并增加了光在i层的传播路程，从而增加了光在i层的吸收.多带隙结构中，i层的带隙宽度从光入射方向开始依次减小，以便分段吸收太阳光，达到拓宽光谱响应、提高转换效率之目的。
在提高叠层电池效率方面还采用了渐变带隙设计、隧道结中的微晶化掺杂层等，以改善载流子收集。
六、薄膜太阳能电池组件——说明
1、制造技术
薄膜太阳电池可以使用在价格低廉的玻璃、塑料、陶瓷、石墨，金属片等不同材料当基板来制造，形成可产生电压的薄膜厚度仅需数μm，因此在同一受光面积之下可较硅晶圆太阳能电池大幅减少原料的用量（厚度可低于硅晶圆太阳能电池90%以上），目前实验室转换效率最高已达20%以上，规模化量产稳定效率最高约13%。
薄膜太阳电池除了平面之外，也因为具有可挠性可以制作成非平面构造其应用范围大，可与建筑物结合或是变成建筑体的一部份，在薄膜太阳电池制造上，则可使用各式各样的沉积（deposition）技术，一层又一层地把p-型或n-型材料长上去，常见的薄膜太阳电池有非晶硅、CuInSe2（CIS）、CuInGaSe2（CIGS）、和CdTe..等。
2、模块结构
薄膜太阳能模块是由玻璃基板、金属层、透明导电层、电器功能盒、胶合材料、半导体层..等所构成的。
3、产品应用
半透明式的太阳能电池模块：
建筑整合式太阳能应用（BIPV）
薄膜太阳能之应用：
随身折迭式充电电源、军事、旅行
薄膜太阳能模块之应用：
屋顶、建筑整合式、远程电力供应、国防
4、厚度比较
晶体硅（180～250μm）、单结非晶硅薄膜（600nm），叠层非晶硅薄膜（400nm~500nm）。
5、特色
1.相同遮蔽面积下功率损失较小（弱光情况下的发电性佳）
2.照度相同下损失的功率较晶圆太阳能电池少
3.有较佳的功率温度系数
4.较佳的光传输
5.较高的累积发电量
6.只需少量的硅原料
7.没有内部电路短路问题（联机已经在串联电池制造时内建）
8.厚度较晶圆太阳能电池薄
9.材料供应无虑
10.可与建材整合性运用（BIPV）
七、薄膜太阳能电池组件——其他电池
化学电池化学电
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