300MW太阳能晶硅片年产14000万片高效单晶硅片项目项目可研报告.docx

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300MW太阳能晶硅片年产14000万片高效单晶硅片项目项目可研报告

 

年产14000万片高效单晶硅片项目

 

项目申请报告

 

二〇一〇年八月

附表:

表B1 总投资估算表

表B2 流动资金估算表

表B3 项目总投资使用计划与资金筹措表

表B4 总成本费用估算表

表B5 利润与利润分配表

表B6 项目投资现金流量表

表B7 项目资本金现金流量表

表B8 借款还本付息计划表

表B9 财务计划现金流量表

表B10 资产负债表

表B11 固定资产折旧费估算表

表B12 无形资产和其他资产摊销估算表

表B13 营业收入、营业税金及附加和增值税估算表

附件:

附件1总平面布置图

第一章 申报单位及项目概况

1.1 项目申报单位概况

1.1.1 承办单位基本情况

公司名称:

项目名称:

年产14000万片高效单晶硅片项目

企业性质:

注册资本:

注册地址:

经营期限:

1.1.2 公司基本情况

XXXXXXXXXXXXX

XXXXXXXXXXXX公司本次在安徽省合肥市双凤县双凤开发区,新征785亩工业用地,用于建设年产1.2GW太阳能单晶硅棒和硅片生产基地。

其中一期工程用地280亩,年产单晶硅棒2100吨、单晶硅片14000万片(配套电池产能300兆瓦/年);一期项目总投资145166万元,新建总建筑面积115415平方米,购买工艺及辅助设备仪器752台(套)。

1.2投资估算及投资规模

本项目投资总额为145166万元,其中建设投资138959万元,建设期利息2229万元,铺底流动资金6206万元,其中建设投资长期贷款70000万元,流动资金30%贷款,其余资金由企业自筹。

项目达产后,平均年销售额234577万元,销售利润率33.44%,盈亏平衡点34.70%,投资回收期4.38年。

1.2.1建设内容及规模

本项目新征建设用地面积约280亩,按照年产300兆瓦高效单晶硅拉棒、切片的产能建设生产厂房和配套设施,配置生产和动力设备,总建筑面积115415平方米。

1.2.2 投资规模和资金筹措

1.2.2.1 总投资估算

项目总投资估算145166万元,投资范围包括生产设备购置及安装费,动力设备购置及安装费,建筑工程费用,其它工程和费用,预备费,建设期贷款利息、铺底流动资金等,见总投资估算表(附表B1)。

1.2.2.2总投资估算依据

国家发展改革委及建设部共同发布的《建设项目经济评价方法与参数》(第三版)

《投资项目可行性研究指南》(试用版)

《工程勘察设计收费标准》(2002年修订本)

拟建项目各单项工程的建设内容及工程量

外汇汇率:

按中国人民银行公布的外汇牌价,1美元折6.8元人民币计算,实际发生按中国人民银行当日牌价结算

1.2.2.3 设备费用

引进生产用工艺设备:

为到岸价,其价格参考外商报价数据进行综合比较后估算的,进口设备价格中含必要的备品备件。

本项目按免征关税及进口环节增值税计。

银行手续费及外贸手续费按2%计算,设备运输费按1.0%计算,设备安装调试费按2.0%计算。

国内工艺设备:

设备运杂费按1.0%,设备安装费按2.0%计算。

1.2.2.4 建筑工程费用

包括新建生产厂房及其配套设施,包含内部的洁净室装修、给排水系统、暖通空调系统、气体动力系统、供配电系统、电气照明系统、消防系统、自控系统、通信网络等机电工程。

根据不同建筑单独估算。

参考同类型建设项目并适当考虑建设当地造价水平进行估算。

1.2.2.5其他费用

工具器具费:

按工艺设备费的0.5%计算。

建设单位管理费:

包括建设单位开办费及建设单位经费,按建安工程费的1%计取。

前期工作费用:

包括咨询费用、调研费用、可研报告编制费、评审费、地质勘探费等。

设计费,据《工程勘察设计收费标准》(2002年修订本)进行计算。

项目评估费用:

包括编制环境影响报告、职业安全卫生评价、能源评价、水资源评估等费用。

人员培训费:

包括生产人员及管理人员的培训费及提前进厂费。

土地购置费:

本项目购置土地280亩,按照8万元/亩,共2240万元。

设备调试及试运转费:

按照工艺设备费2%计算。

1.2.2.6 预备费

基本预备费:

按工程费用及其它工程费用的3%计算。

1.2.2.7 建设期利息

本项目建设投资申请银行贷款70000万元,银行贷款利率按7.29%计算。

根据《方法与参数》从建设起点算起借款当年按半年计息,建设期利息共计2229万元。

1.2.2.8 流动资金估算

流动资金详细法计算,根据本项目情况及规模,铺底流动资金按达产年平均流动资金的30%计,为6206万元。

1.2.2.9 总投资估算结果

本项目总投资为145166万元,详见总投资估算表。

表1-1 总投资估算表

序号

项目名称

估算投资(万元)

占投资比例

1

建筑工程费

48052

33.10%

2

设备购置费

79551

54.80%

3

设备安装费

1575

1.09%

4

工具器具费

394

0.27%

5

工程建设其它费用

3153

2.17%

6

预备费用

4006

2.76%

7

建设期利息

2229

1.54%

8

铺底流动资金

6206

4.28%

9

合计

145166

100.00%

1.2.2.10 资金筹措

(1)固定资产投资投资筹措

本项目固定资产投资138959万元,其中XXX公司现金出资20000万元(含流动资金出资部分),YYY公司现金出资40000万元,承建公司贷款70000万元,贷款利率为7.29%,其余资金由YYY公司自筹。

(2)流动资金筹措

本项目流动资金20688万元(其中铺底流动资金6206万元),流动资金30%贷款,贷款利率为6.93%,其余由XXX公司自筹。

1.2.3 产品及技术方案

本项目主要考虑高性能的单晶硅生产工艺,最终产品为单晶硅。

单晶硅用于制造太阳电池片生产用的硅片。

1.2.3.1 技术来源

本项目生产技术为XXX公司自有技术。

1.2.3.2生产工艺

 

图1-1 单晶硅棒生产工艺流程图

 

图1-2单晶硅片生产工艺流程图

— 工艺简介

· 选料:

将多晶硅、头尾料、埚底料按类分选。

· 清洗:

用氢氟酸、硝酸(或中性清洗液)等除去原料表面的杂质。

· 配料:

根据拉单晶的电阻率要求,按重量比例配置原料。

· 装炉:

将配好的原料装入炉内、抽真空和充氩气。

· 拉晶:

加温将原料溶化,按控制程序拉制单晶。

· 单晶生长:

当硅熔体的温度稳定之后,将籽晶慢慢浸入硅熔体中,然后将籽晶快速向上提升,使长成的籽晶的直径缩小到一定的大小,产生零位错的晶体,这样,长完细颈之后,降低温度与拉速,使得晶体的直径渐渐增长到所要大小。

长完细颈和肩部之后,借着拉速与温度的不断调整,可使晶棒直径误差维持在正负2mm之间,这段直径固定的部分称为等径部分,单晶硅片取自于等径部分。

等径结束后,必须将晶棒的直径慢慢缩小,直到成一尖点,而与液面分开,长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出,即完成了单晶硅棒的生长过程。

· 拆炉:

待炉温冷却后,将炉内坩埚及余料取出。

· 断头尾:

目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分,并将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度。

· 测试:

取样测试氧碳含量及电阻率等。

· 圆棒切方、滚磨:

将硅圆棒切成准四方型、把四角的圆弧滚磨光滑。

· 超声波清洗:

将方棒清洗干净。

· 晶棒粘接:

将准方形的单晶硅棒粘接在专用工作台上。

· 线锯切片:

将工作台装到多线切片机上,多线切片机进行切片,切片结束后,从多线切片机卸下工作台。

· 硅片脱胶、取样:

从工作台通过脱胶取下硅片。

· 硅片清洗、甩干:

清洗硅片并进行甩干。

· 样片测试:

测试合格,包装入库。

1.2.3.4 产品目标市场

本项目产品全部内销。

1.2.4 主要设备选型

1.2.4.1 主要设备、仪器选择

本项目的工艺设备选型原则:

在保证产品质量和生产能力以及研究发展的前提下,选择性价比高的工艺设备。

1.2.4.2 主要设备和仪器

本项目共需购置工艺及辅助设备仪器752台(套),共计78763万元元。

其中进口设备仪器139台(套),进口费用48105万元;国产设备仪器613台(套),费用30658万元。

详细设备清单如下:

表1-2 单晶硅片进口工艺设备仪器表

序号

设备名称

数量

制造厂家及型号

单价(万元)

总价(万元)

1

开方机

15

HCTE800S-SQ

442.00

6630.00

2

切片机

40

PV800S

510.00

20400.00

3

切片机

56

MWM442DM

267.00

14952.00

4

全自动硅片分选机

5

 

1000.00

5000.00

5

非接触电阻率测试仪

5

 

60.00

300.00

6

傅立叶红外光普仪

3

 

70.00

210.00

7

红外探伤仪

5

 

120.00

600.00

8

平面厚度仪

10

 

1.30

13.00

 

合计

139

 

 

48105.00

 

表1-3 单晶硅片国产工艺设备仪器表

序号

设备名称

数量

制造厂家及型号

单价(万元)

总价(万元)

1

打磨机

75

 

0.20

15.00

2

硅料清槽

20

 

25.00

500.00

3

泡料槽

60

 

0.45

27.00

4

气相光普分析仪

2

 

30.00

60.00

5

单晶炉

288

 

95.00

27360.00

6

单晶带锯截断机

25

 

10.00

250.00

7

电阻率测试仪

6

 

2.00

12.00

8

型号测试仪

6

 

0.15

0.90

9

单晶少子寿命仪

3

 

42.00

126.00

10

晶相显微镜

3

 

25.00

75.00

11

倒角机

5

 

10.00

50.00

12

单晶辊磨机

10

 

10.00

100.00

13

废线切割机

5

 

2.60

13.00

14

砂浆搅拌桶

35

 

1.20

42.00

15

超声波清洗机

10

 

50.00

500.00

16

硅块脱胶槽

10

 

0.45

4.50

17

平板电炉

10

 

0.50

5.00

18

全自动脱胶机

5

 

0.90

4.50

19

全自动硅片清洗机

10

 

145.00

1450.00

20

全自动插片机

10

 

4.00

40.00

21

型号测试仪

5

 

2.00

10.00

22

平面厚度仪

10

 

1.30

13.00

 

合计

613

 

 

30657.90

1.2.5 配套工程设计方案

1.2.5.1 总平面布置

本项目785亩规划用地采用一次规划,分期实施的原则建设。

本次一期工程用地280亩,位于规划用地的东侧,总建筑面积115415平方米。

在一期工程用地内设置2个出入口,分别位于用地的东侧淮南北路和西侧规划道路上,东侧入口为人员入口,西侧入口为货物入口,与二期用地衔接。

在厂房的四周设计7-10m的环形道路,供消防和物流使用。

变电站及动力设施位于一期用地西北角,与市政供电线路和厂区负荷中心较近;三个单晶厂房位于用地东北角,与洗料厂房相临,有利于物料传输;切片厂房及仓库位于用地西南角,使用物料运输;综合楼等相关生活设施位于用地西南角,与生产设施相对隔离;废水处理区位于一期用地西北侧的二期用地内,离主要废水排放点(洗料厂房和切片厂房)较近,便于废水就近排放和综合治理。

1.2.5.2 土建

— 建筑

· 洗晶车间(1栋)

洗晶车间为单层钢筋混凝土框架结构建筑,层高6.0米。

长170m,宽52m。

· 单晶厂房(3栋)

单晶厂房均为二层钢筋砼框架结构,钢筋混凝土屋顶,一层层高3.5米,二层9米;建筑火灾危险类别为丁类;一层主要为单晶炉下半部分以及变压器、泵等,建筑面积为165m×52m×2=17160m2;主生产区一层为单晶炉炉体放置区,二楼为单晶炉上半部分操作区。

除生产区外,还布置有生产管理、更衣,以及生产配套的空调机房、车间变配电等。

另外,车间还考虑有一般物品库,包括暂存间、物料入口等,以利于物料的传输暂存。

· 切片厂房及仓库(1栋)

切片厂房及仓库为单层钢结构厂房,层高8米;建筑火灾危险类别为戊类,建筑面积为130m×170m=22100m2;主生产区放置开方、切片、清洗等生产设备。

除生产区外,还布置有生产管理、更衣,以及生产配套的空调机房、车间变配电等。

另外,车间还考虑有一般物品库,包括暂存间、物料入口等,以利于物料的传输暂存。

·动力厂房

动力厂房为单层钢筋砼框架结构,钢筋混凝土屋顶,层高7米;建筑火灾危险类别为戊类;主要包括变电站、冷冻机、空压机等、纯水站、控制室和值班室等,建筑面积为80m×90m=7200m2。

·办公综合楼

办公综合楼为六层,总建筑面积15600m2。

·其它

其它辅助建筑如:

氩气罐、高压变电站、甲类库、化学品库、废水处理设施等。

1.2.5.3 建筑服务系统

— 空调及采暖系统

单晶厂房生产区、硅料处理车间、切片厂房、综合楼、各建筑的辅助办公室等区域设置空调,温湿度要求为:

15~36℃,系统采用新风机组+诱导风机(使气流均匀)。

— 通风、排烟系统

单晶厂房部分辅助房间、硅料处理车间等设置全室通风,通风方式为机械进风;变配电站、泵房、空压、冷冻站设置全室通风,根据房间不同的风量设置相应的通风机;各建筑的辅助办公室等设置卫生通风,满足卫生要求;卫生间设全室通风,各主要生产区设置局部通风系统。

— 冷冻水系统

在动力厂房内设置低温(6/12℃)水冷离心式冷冻机组,使用R134a冷媒为空调系统、冷却水系统等设施提供冷源。

— 蒸汽及空调热水系统

本项目蒸汽主要为空调系统、纯水系统等提供热源。

— 自来水系统

生活用水:

2600人@38升/人.天

生产用自来水:

71.3m3/h@24h/d

纯水站补水:

6m3/h@24h/d

冷却水补水:

1.2%@8649m3/h@24h/d

洗涤塔补水:

采用纯水站RO浓缩水,不消耗自来水

消耗量

最大使用量约:

170m3/h

新鲜水年消耗量约:

160万m3/a

· 水源与水池

本项目水源来自开发区市政给水管网。

场区内设置生产消防水池和冷却水池,供消防及生产使用。

生活水水源直接取自开发区市政给水管网。

— 消防系统

· 消防水量

· 消火栓给水系统

室内外消火栓给水采用独立的临时高压系统,由消防蓄水池、电消火栓加压电泵、高位消防水箱、消火栓管网和室内外消火栓组成。

消防蓄水池采用地下式钢筋混凝土水池,,消火栓泵采用消防专用泵,为自灌式吸水。

除消防水箱设在最高处屋面上,其余设备均设于地下水泵房内。

平时室内外消火栓给水管网的压力由消防水箱保证,消火栓泵可以就地启停,也可在消防控制中心手动启停,同时室内消火栓泵可由室内消火栓箱内按钮远距离启动,消防时主泵启动前的室内消防用水由消防水箱保证。

火栓泵组两路出水至室外环状消防管路,环网上均匀设置室外消火栓。

设置室内消火栓的各建筑物均从该环状管路上引两路接至其室内环状消防管路。

· 灭火器配置

根据《建筑灭火器配置设计规范》的规定,本工程灭火器配置场所危险等级为中危险级,可能的火灾种类为A类、B类和带电火灾,采用磷铵干粉灭火器。

1.2.5.5 工艺服务系统

— 工艺设备冷却水系统

工艺设备冷却水供给生产设备冷却用,流量8649m3/h,单晶炉进水温度23~29℃,切片机进水温度6~7℃和12~13℃。

系统补充水水质为反渗透水(RO)(R100k-cm),工艺设备冷却水系统采用板式水-水换热器,水泵为变频水泵。

— 压缩空气系统

干燥压缩空气供给生产设备、部分动力系统使用。

项目消耗量4300m3/h,使用点压力0.6MPa,压力露点-40C,微粒(≥0.1μm)5pcs/cft。

经过滤器过滤后的空气经空压机压缩后进入储气罐,再经预过滤器、无热再生干燥器干燥后进入终端过滤器,干燥净化后的压缩空气经主配管送至生产厂房CDA分配系统。

空压站设置在动力厂房内。

— 氩气系统

单晶炉使用氩气作保护气,最大量1800m3/h,平时用量1400m3/h。

氩气贮罐设在生产厂房动力区附近的室外空地。

液氩低温槽车到接卸区后,接通贮罐与槽车的汽液相管,利用槽车的自身压力将低温液氩卸至贮罐。

液氩为低温贮存,液氩低温贮罐为真空绝热容器。

使用时,利用贮罐的压力将液氩送入气化器自然气化,再经减压阀组减压至0.5MPa后,通过氩气总管输送至主机房。

然后分别通过各支管,经二级减压至0.2MPa后,接至各单晶炉。

— 纯水系统

生产中多晶硅料的清洗、硅片的清洗,生产工具、器具、石英制品清洗等使用纯水。

纯水用量为20m3/h。

纯水系统分成前处理和后处理两部分,均设置在动力厂房内。

前处理部分首先由纯水原水泵从生产、消防合用贮水池取水,加压送至纯水站,经机械过滤、活性碳过滤等预处理后,由热交换器换热至25℃,再经过RO过滤器过滤,进入二级RO装置,制成10MΩ纯水,进入初级纯水箱。

RO水同时作为工艺冷却水和机械冷冻水的补充水,RO浓缩水作为洗涤塔用水。

后处理部分由纯水加压泵从初级纯水箱取水,经杀菌、脱气、离子交换进入终端纯水箱,最终由纯水输送泵经杀菌、热交换器、混床、超滤送至用户,循环回水再回至终端纯水箱。

— 工艺排风系统

根据生产性质,工艺设备排风分为酸碱性废气排风和一般排风,项目工艺设备排风预计为204000m3/h,包括:

酸碱性废气排风:

78000m3/h

一般排风:

126000m3/h

酸碱性废气排风设置酸性废气洗涤塔,并设排气筒高空排放。

单晶炉等使用电能作热源的设备需要排出热废气。

酸碱性废气主要是多晶硅料和单晶硅在各类酸和碱中进行化学清洗工艺中产生,以酸性气体为主要成分,主要污染物有NaOH、HNO3、HF等。

1.2.5.6 电气

— 供电

项目用电装设功率55000KW,实际消耗功率35600KW,实际用电量估计29912万度/年。

本项目用电从开发区XX变电站引来,在动力中心内建设35KV总降压变电站一座,内设35KV高压配电设备、35KV/10KV主变压器,将供电电压由35KV降为10KV,为10KV终端变配电所供电,变电所内设10KV/0.4KV配电装置、10KV/0.4KV分配电变压器及低压配电装置。

消防用电和部分生产用电为一级负荷,其它为二级负荷。

一级负荷需用双回路供电,其中一回路故障时,另一回路能带大部分或全部负荷,使生产不致中断。

同时,为了保证单晶炉应急冷却水系统的供电,该系统双电源供电的情况下,另设备用发电机。

— 接地

设置防雷接地、保护接地、防静电接地、安全接地、采用共用接地系统等。

— 照明

各建筑内照明配电除一般照明外,还设置应急照明及疏散照明。

急照明光源及照明灯具选型与所在区域的一般照明的光源及灯具相同,应急照明灯具内自带蓄电池,应急时间不小于90分钟。

在主要出入口处、疏散走道、楼梯间设置诱导标志灯作为疏散照明,其地面照度值为1lx,疏散路线上的诱导标志灯带方向指示,出口的诱导标志灯安装在门的上方,诱导标志灯带蓄电池,应急时间不小于90分钟。

所有荧光灯采用高效、节能、寿命长的灯管,灯具配电子镇流器。

— 工厂动力管理系统(FMCS)

设置设施管理系统(FMCS),该系统由设施监控系统(SCADA)、PLC设备(硬件及软件)、DDC设备(硬件及软件)、远程I/O接口柜、过程仪表、控制盘、控制电缆、驱动器、附属设备、FMS控制室的操作控制台构成。

控制对象包括各建筑内空气处理调节系统;纯水制备处理系统、冷冻水供应系统、热水供应系统、工艺冷却水(PCW)系统;高纯气体、工艺真空、压缩空气系统;废气、废水、废物处理系统;办公区的空气处理调节系统等。

另外,生命安全系统(火灾报警、气体报警)、中央变电站及终端变电站各有自己专门的控制系统,可经TCP/IP网在FMCS操作界面进行监视(不能控制)。

控制仪表、传感器及驱动器包括温度、湿度、压力仪表或传感器、压差传感器、变送器、差压开关、信号转换器、导电率探头、液位变送器、驱动器等,采集测量各子系统现场工艺参数和状态信息,并通过驱动器完成调节控制。

1.2.5.7 通信

按照规范及顾客要求,设计内容为:

电话系统、计算机网络系统、监控系统、电话/数据综合布线系统、门禁控制及考勤系统、广播系统及安防系统。

— 电话系统

根据项目建筑内各区域电话数量要求及以后发展的需要,设一全时分数字程控用户电话交换机,初装容量满足工程近期的需要,交换机可扩容。

具有模拟/数字语音通信及数据通信能力,并有强大的组网能力,电话站预留电源及配线的发展容量。

消防控制室、变配电站、保安室等除设内线电话外还设市内直拨电话。

— 计算机网络

企业内计算机网络支持办公、生产、设备等计算机管理系统、会议电视、企业资源管理、因特网接入等数据传输。

数据服务宽带网光纤由运营商接入。

计算机网络布线进入建筑物综合布线系统,计算机网络速率采用100MBPS以太网,星型结构,布线系统采用超五类综合配置。

数据中心即电话系统的通信机房。

— 广播系统

广播系统为公共广播与消防广播系统合用,广播主机设在消防值班室内,由火灾报警主机引来应急广播自动播音信号线,正常时为全厂室内区域提供业务广播,背景音乐,作息信号等服务,火灾时由火灾报警主机强制开启并播放火灾报警信号。

— 门禁控制及考勤系统

在建筑的人员入口、通道、重要的房间设门禁控制系统。

门禁系统可对相应的建筑或区域的入口进行人员流动的控制、管理,防止非法进入,并在主要入口设置考勤机。

在火灾等紧急状态下,入口处的门均被打开,以便人员疏散。

— 安防系统

为了保证本工程各建筑及室外的安全,设置安全监控系统:

(1)安全监控主机、监视器、数字硬盘录像机、监视器等设备,设在消防保安控制室。

(2)安全监控摄像机设在厂区各主要出入口及周界各处、建筑各主要出入口及室内重要生产区域等处。

(3)该系统对监控场所进行实时、有效的视频探测、监视、显示和记录,并具有报警和图像复核功能。

同时,该系统还具有与入侵报警系统进行联动控制的功能。

(4)在室外设置周界报警系统。

沿围墙周界设对射式红外线探测器,翻越、跨越围墙入侵即发出报警信号。

1.3 主要数据和技术经济指标

表1-4 主要数据和技术经济指标

序号

名  称

单位

数据

备注

1

产能:

配套电池产能300兆瓦/年

单晶硅

吨/年

2100

单晶硅片

万片/年

14000

2

总投资

万元

145166

一期工程

其中铺底流动资金

万元

6206

其中固定资产投资

万元

138959

3

职工人数

2600

4

总建筑面积

m2

115415

5

主要生产设备

台/套

752

6

用电量

万度

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