模拟电子技术复习考试题及答案.docx
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模拟电子技术复习考试题及答案
一、填空题：
1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体，例如宜和锗等。
半导体中中存在两种
载流子：
电子和空穴。
纯净的半导体称为本征半导体，它的导电能力很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种：
N型半导体――多数载流子是电子；P型半导体一一多数载流子是空穴。
当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个PN结，这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：
截止区、放大区区和饱和区。
为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在—放大_区内。
当三极管的静态工作点过分靠近—截止—区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近_饱和_区时容易产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个—PN结—加上外壳，引出两个电极而制成的。
它的主要特点是具有—单向_性，在电路中可以起整流和检波等作用。
半导体二极管工作在—反向击穿—区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的
电压变化也很小，利用这种特性可以做成—稳压管—。
4、场效应管利用栅源之间电压的—电场—效应来控制漏极电流，是一种—电压_控制器件。
场效应管分为—结型型和绝缘栅_型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：
一阻容耦合、直接耦合和变压器耦合。
6在本征半导体中加入_5-价元素可形成N型半导体，加入_3_价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有—镜像电流源、比例电流源和微电流源等。
8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数—提高；负反馈使放大倍数—降低但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是稳定静态工作点_，交流负反馈能够_改善放大电路的各项动态技术指标_。
9、电压负反馈使输出—电压—保持稳定，因而—减小—了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出_电流一保持稳定，因而—增大一了输出电阻。
串联负反馈增大了放大电路的输入电阻；并联负反馈则减小了输入电阻。
在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：
电压串联式、电压并联式、
电流串联式和电流并联式。
10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路串联联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路并联联在一起，可以组成带阻滤波器。
11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的交流成分，同时，尽量保
留其中的直流成分。
滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。
电容
滤波适用于小负载电流,而电感滤波适用于大负载电流。
在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低脉动成分。
12在三极管多级放大电路中，已知Av仁20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av=（200）;Av1是（共
基）放大器，Av2是（共射）放大器，Av3是（共集）
放大器。
13集成运算放大器在（理想）状态和（工作在线性条件
下）条件下，得出两个重要结论他们是：
（净输入电流为零）和（净输入
电压为零）14单相桥式整流电路中，若输入电压V2=30,则输出电压Vo=（0.9v2=27）V;若负载电阻Rl=100Q,整流二极管电流ld（av）=（0.135）A。
二、选择题：
1、PN结外加正向电压时，扩散电流_B灯—大于漂移电流，耗尽层_变窄。
2、图中D1-D3为理想二极管，A，B，C灯都相同，试问哪个灯最亮？
3、设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和10V,求图中电路的输出电压
U6已知稳压管的正向压降为0.7V。
Uo=0.7v
4、图所示电路，设Ui=sincot（V），V=2V二极管具有理想特性，则输出电压Uo的波形应为图示A图。
5、判断图所示电路中各二极管是否导通，并求A,B两端的电压值。
设二极管正向压降为07。
（D2导通，D1截止，V=-5.3v
6二极管最主要的特性是—单向导电性_，它的两个主要参数是反映正向特性的_最大整流电流—和反映反向特性的—反向击穿电压___。
（注：
本题为往年考题）
8、测得某NPN管得VBE^0.7V,VCP0.2V，由此可判定它工作在（饱和区）
区。
9、为保证BJT共发射极放大器不产生削波失真，并要求在2K得负载上有不小于2V得信号电压幅度，在选择静态工作点时，就应保证|ICQ|>1mA_|VCEQp_2V_
10、在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1KHz5mV勺正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真。
这种失真是A__
A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真
11、如下电路能否实现正常放大?
均不能
12、在如图所示的基本放大电路中，输出端接有负载电阻RL输入端加有正弦信号电压。
若输出电压波形出现底部削平的饱和失真，在不改变输入信号的条件下，减小RL的值，将出现什么现象？
A
A.可能使失真消失B.失真更加严重C.可能出现波形两头都削平的失
真。
13、为了使一个电压信号能得到有效的放大，而且能向负载提供足够大的电流，应在这个信号源后面接入什么电路？
A
A.共射电路B共基电路C共集电路
14、在如图所示的放大电路中，设Vcc=10V,
Rb1=4©,Rb2=6KQ,Rc=2KQ,Re=3.3KQ,Rl=2KQ。
电容C1,C2和Ce都足够大。
若更换晶体管使B由50改为100，rbb'约为0），则此放大电路的电压放大倍数_C_。
A.约为原来的2倍B.约为原来的0.5倍C.基本不变D.约为原来的4
倍
15、对于如图所示电路，问关于放大倍数的计算，以下式子哪个正确？
A.-Bx[（Rc||RL）/（rbe+Re）]B.-B[（Rc||RL）/rbe]
C.-Bx[（Rc||RL）/（Rb1||Rb2||rbe）]
16、集成运算放大器是一种采用（直接耦合）方式的放大电路，最常见的问题是
（零点漂移），限于集成工艺的限制，在内部组成上，对高阻值电阻通常采用由三极管或场效应管组成的（恒流源）来替代，或是采用（外接）的方法来解决。
17、在差动放大电路中，若Vs仁18mVVs2=10mV则输入差模电压Vsd（8）mV共模输入电压Vsc（14）mV;若差模电压增益Avd=-10，共模电压增益Avc=-0.2，则差动放大电路输出电压Vo（-82.8）mV。
18、差动放大电路的基本功能是对差模信号的___放大作用和对共模信号的
__抑制作用。
在不考虑反馈网络的附加移相作用时，负反馈转化为正反
馈C单级能相移90度，但幅值为零
A:
—级放大B:
二级放大C:
三级放大
19、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12KQ的负载电阻后,
输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为：
c戴维南定理
A:
10KQB:
2KQC:
4KQD:
3KQ
21.在考虑放大电路的频率失真时。
若Ui为正弦波，则Uo（b）A有可能产生相位失真B有可能产生幅度失真和相位失真C一定会产生非
线性失真D不会产生线性失真
c）
D带阻滤波器
22某电路有用信号频率为2KHz，可选用
A低通滤波器B高通滤波器C带通滤波器
23工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前
者的运放通常工作在
（a）
A开环或正反馈状态
B深度负反馈状态
C放大状态
D线形工作
状态
24与甲类功率放大方式比较，乙类OCL互补对称功放的主要优点是（c无
静态设置）
A不用输出变压器B不用输出端大电容
C效率高D无交越失真
25某仪表放大电路，要求Ri大，输出电流稳定，应选（a）
A电流串联负反馈B电压并联负反馈C电流并联负反馈D电压
串联负反馈
26有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（b）
A输入电阻大B输入电阻小C输出电阻大D输出电阻小
三、计算题1、写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压Ud=
0.7V。
解：
Uoi〜1.3V,U°2=0,Uo3〜一1.3V,U°4〜2V,U05〜1.3V,U°6〜一
2V。
3、电路如图所示，晶体管导通时Ube二0.7V,B=50。
试分析Vbb为0V、1V、
3V三种情况下T的工作状态及输出电压uo的值
解：
（1）当Vbb=0时，T截止,
（2）当Vbb=1V时，因为
VBB—UBEQ
IBQ60
&
Lq=-1BQ=3mA
Uo二Vcc-ICQRc=9V
所以T处于放大状态
（3）当Vbb=3V时
IBQ
VBBUBEQ
Rb
-160卩A
]CQ=-IBQ=8mAUO=VCC-ICQRc所以T处于饱和状态
BE
4、电路如图所示，试问B大于多少时晶体管饱和?
解：
取Uces=Ube，若管子饱和，则
:
Vcc-uBEVcc-UBE
•—R—=―RC—所以
Rb=iRc
说“。
时0管子饱和
5、电路如下图所示，晶体管的―60,rbb=100Q
UceQ:
Vcc-IEQ（RcRe）=4.56V
Au
Ri
Ro
rbe
=血（V）26mV:
952.i
IEQ
Ri
Au
=Rt>iirbe952<
■（RciiRl）
-95
rbe
Ro
=Rc=3k1.1
设Us
10mV
Ri
Us:
3.2mV
Uo=AuUi賂304mV
6、电路如图下所示共集电极电路，晶体管的［二80,rbe=1kQ
1）求出Q点；
（2）分别求出Rl=^和Rl=3kQ时电路的代和Ri;
（3）
求出R。
。
Uceq二Vcc-IeqR7.17V
（2）求解输入电阻和电压放大倍数：
Rl=%时
解：
（1）静态分析：
UBQ
Rb1
IEQ
IBQ
VCC-2V
Rb1Rb2
UBQ一uBEQ
1mARfRe
IEQ
—10卩A
1--
UCEQVcc
-Ieq（Rc■RfRe）=5.7V
rb^rbb（V■）266mV,2732
1EQ
Ri=Rbi//Rb2/[「be（1-）Rf]：
3.72
Ro=Rc=5k'l
（2）Ri增大，Ri〜4.1kQ;A减小，代叙—一J"—1.92。
R+Re
8电路如下图所示，判断反馈类型，并求出输出与输入的表达式
9、比例运放电路如下图所示，试求其输出电压Vo与输入Vi1、Vi2的关
系表达式。
解:
又因为虚短，贝U:
V,V_
所以：
Vo^36Vi2-8Vi1
5
第二级为电压跟随器，所以：
Vo=Vo1=兰匕-叫
5
解：
Rw滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流分析如下：
Ad和Ri分析如下：
12、判断图（a）所示电路的反馈类型，并估算图（a）所示负反馈放大器的闭环电压增益
Auf=uo/u。
分压后反馈至输入回路,即Uf、一空U
农+Rf
Rf
Uu尺+RfRf
Auf=8U7=Rq"R
13、定性分析图所示电路，说明T1、T2在电路中的作用。
答：
输入信号加在T1管基极，输出信号取自T1管发射极，因此T1管构成共集电路。
T2管构成了电流源，作为T1管发射极的有源负载。
14:
判断如图电路的反馈类型
解：
（1）利用瞬时极性法判断反馈极性
设T1管基极有一瞬时增量Vi（Vb1）Vc1（-）—Vc2e—Ve1®因为,
T1管Vble,Ve1®所以，T1管的净输入电压UBE减小,所以，为负反馈.
（2）从采样端，利用输出短接法。
将输出端Vo短接，则无反馈量影响输入信号，所以为电压负反馈。
（3）从比较端，由于反馈信号是以电压形式影响输入信号，所以为串联负反馈。
结论：
电压串联负反馈。
15、判断如图电路的反馈类型解:
（1）判断反馈极性设输入信号Vi即T1基极有一个瞬时增量Vble—Vc1（-）
—Ve2（-）
使流过反馈电阻的电流If增加，消减了T1的基极电流，所以为负反馈。
（2）从采样端，Vo端接，由于T2发射极电流存在，所以仍有反馈量影响输入信号，所以为电流负反馈。
（3）从比较端，由于反馈信号是以电流并联形式影响输入信号，所以为并联负反馈。
结论：
电流并联负反馈。
16、倍压整流电路如图所示，求输出电压VL2的值。
I~"门V~11茁丫
rVL2I
解：
倍压整流电路，在空载情况下，C1上电压为「V2,C2、C4上电压均为2厂V
2。
因此，以C1两端作为输出端，输出电压的值为广V2,以C1和C3上电压相加作为输出，输出电压为3V2。
17、电路如图所示，设半导体三极管的B=80,试分析当开关K分别接通A、B、
C三位置时，三级管各工作在输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流lc。
解：
（1）当开关K置A,在输入回路IBXRb+VBE=Vcc可得IB=Vcc/Rb=0.3mA假设工作在放大区，则IC=BXIB=24mAVCE=Vcc-ICXRe<0.7V，故假设不成立，三级管工作在饱和区。
此时，VCE=VCES=0.3VIC=Vcc/Re=3mA
（2）当开关K置B,同样的方法可判断三级管工作在放大区，IC=BXI
B=1.92mA
（3）当开关K置C,三级管工作在截止状态，IC=0
代尸-1000，fL=10HzfH=1MHz
18、已知某共射放大电路的中频电压放大倍数为请画出该放大电路的对数幅频特性曲线图。
答案:
20dB/十倍频
-20dB/十倍频
60
4020111
011_1111—f/Hz
123456“7
1010103101051010
19、在图5所示运算放大电路中，已知v仁10mVv2=30mV推导输入输出表达式，并求vo=?
7、在晶体管放大电路中测得三个晶体管的各个电极的电位如图所示。
试判断各晶体管的类型（是PNP管还是NPN管,是硅管还是锗管）,并区分e、b、c三个电极
ebcNPN硅管cbePNP硅管cebPNP
锗管
2、电路如图所示，Vcc=15V,100,Ube=0.7V。
试问:
（1）Rb=50kQ时，uo=?
（2）若T临界饱和，贝URb〜？
解：
（1）Rb=50kQ时，基极电流、集电极电流和管压降分别为
lc「lB=2.6mA
Uce—Vcc-IcRc=15-2.65=2V
所以输出电压Uo=Uce=2Vo
（2）设临界饱和时管压降：
Uces=0.3V，所以
临界饱和集电极电流：
les=空」5-0.3=2.94mA
Re5
临界饱和基极电流：
Ibs=仝=29.4从
10、试分别判断比较器类型，并求出图（a）、（b）所示各电路的电压传输特性。
（a）同相滞回比较器
（b）反相滞回比较器
导通后在较大电流下的正向压降约
在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为_0.1_V，
为_0.2_V。
2、二极管的正向电阻
3、二极管的最主要特性是大于漂移电流，耗尽层
4、二极管最主要的电特性极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为术。
6PN结反向偏置时，PN结的内电场增强°PN具有
性。
7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，伏；其门坎电压Vth约为0.5伏。
运动形成。
、本征半导
8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散
9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子
体的载流子为电子—空穴对。
电子（N）
10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和半导体两大类。
，它的两个主要参数是反映正向特性
反向击穿电压。
11、二极管的最主要特性是单向导电性
的最大整流电流和反映反向特性的
12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V
输出随频率连续变化的稳态响
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，
应。
15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。
17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。
18、在NPNE极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的B增加，则IBQ增大，ICQ增大，UCEQ减小。
19、三极管的三个工作区域是截止，饱和，放大。
集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。
20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压Va=1.2V，Vb=
0.5V,Vc=3.6V,试问该三极管是硅管管（材料），NPN型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的C。
21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB,则该
放大电路总的对数增益为80dB，总的电压放大倍数为10000。
22、三极管实现放大作用的外部条件是：
发射结正偏、集电结反偏。
某放大电路中的三极管，测得管脚电压Va=-1V，Vb=-3.2V,Vc=-3.9V,这是硅管（硅、锗），NPN型，集电极管脚是a。
23、三种不同耦合方式的放大电路分别为：
阻容（RC耦合、直接耦合和_变压器耦合_，其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。
24、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载，而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻。
多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要窄。
25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12kQ的负载电阻后，输出
电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为4kQ。
26、为了保证三极管工作在放大区，要求：
①发射结正向偏置，集电结反向偏置。
②对于NPN型三极管，
应使VBCV0。
27、放大器级间耦合方式主要有阻容（RC耦合、直接耦合和变压器耦合三大类。
28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作
用，共射组态有电流放大作用，共射和共集组态有倒相作用；
共集组态带负载能力强，共集组态向信号源索取的电流小，共基组态的频率响应好。
29、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。
30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合，阻容耦合，变压器耦合。
31、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察V0和VI的波形，则VO和VI的相位差为1800;当为共集电极电路时，则VO和VI的相位差为0。
32、放大器有两种不同性质的失真，分别是饱和失真和截止失真。
33、晶体管工作在饱和区时，发射结a，集电结a；工作在放大区时，集电结b，发射结a。
（填写a正偏，b反偏，c零偏）
34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可选用共射组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用共集组态。
35、场效应管同双极型三极管相比，其输入电阻大，热稳定性好
36、影响放大电路通频带下限频率fL的是隔直电容和极间电容。
37、三极管工作在放大区时，它的发射结保持正向偏置，集电结保持反向偏置。
38、场效应管有共源、共栅、共漏三种组态。
39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带窄。
40、场效应管从结构上分成结型FET和MOSFET两大类型，它属于电压控制型器件。
41、场效应管属于电压控制电流型器件，而双极型半导体三极管则可
以认为是电流控制电流型器件。
42、场效应管是电压控制电流器件器件，只依靠多数载流子导
电。
43、根据场效应管的输出特性，其工作情况可以分为可变电阻区、恒流区、
击穿区和截止区四个区域。
44、当栅源电压等于零时，增强型FET无导电沟道，结型FET的沟道电阻最小。
45、FET是电压控制器件，BJT是电流控制器件。
46、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为甲类。
47、一个输出功率为10W的扩音机电路，若用乙类推挽功放，则应选额定功耗至少应为2W的功率管2只。
48、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为甲类，
为了消除交越失真常采用甲乙类电路。
49、乙类功放的主要优点是效率高，但出现交越失真，克服交越失真的方法是采用甲乙类。
50、乙类互补对称功率放大电路产生特有的失真现象叫交越失真。
51、双电源互补对称功率放大电路（OCL中VCC=8yRL=8Q，电路的最大输出功率为4W，此时应选用最大功耗大于0.8W功率管。
52、差动放大电路中的长尾电阻Re或恒流管的作用是引人一个共模负
反馈。
54、差分式放大电路能放大直流和交流信号，它对差模信号具有放大能力，它对共模信号具有抑制能力。
53、已知某差动放大电路Ad=100、KCMR=60dB则其AC=0.1。
集成电路运算放大器一般由差分输入级、中间级、输出级、偏置电路四部分组成。
55、差动放大电路能够抑制零漂和共模输入信号。
56、电路如图1所示，T1
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