半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量精.docx

半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量精.docx

《半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量精.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量精.docx（11页珍藏版）》请在冰豆网上搜索。

半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量精

半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量

一、实验目的

1、了解半导体特性图示仪的基本原理

2、学习使用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和参数。

二、预习要求

1、阅读本实验的实验原理,了解半导体图示仪的工作原理以及XJ4810型半导体管图示仪的各旋钮作用。

2、复习晶体二极管、三极管主要参数的定义。

三、实验原理

（一半导体特性图示仪的基本工作原理

任何一个半导体器件,使用前均应了解其性能,对于晶体三极管,只要知道其输入、输出特性曲线,就不难由曲线求出它的一系列参数,如输入、输出电阻、电流放大倍、漏电流、饱和电压、反向击穿电压等。

但如何得到这两组曲线呢?

最早是利用图4-1的伏安法对晶体管进行逐点测试,而后描出曲线,逐点测试法不仅既费时又费力,而而且所得数据不能全面反映被测管的特性,在实际中,广泛采用半导体特性图示仪测量的晶体管输入、输出特性曲线。

图4-1逐点法测试共射特性曲线的原理线路用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和各种直流参量的基本原理是用图4-2（a中幅度随时间周期性连续变化的扫描电压UCS代替逐点法中的可调电压EC,用图4-2（b所示的和扫描电压UCS的周期想对应的阶梯电流iB来代替逐点法中可以逐点改变基极电流的可变电压EB,将晶体管的特性曲线直接显示在示波管的荧光屏上,这样一来,荧光屏上光点位置的坐标便代替了逐点法中电压表和电流表的读数。

1、共射输出特性曲线的显示原理

当显示如图4-3所示的NPN型晶体管共发射极输出特性曲线时,图示仪内部和被测晶体管之间的连接方式如图4-4所示.T是被测晶体管,基极接的是阶梯波信号源,由它产生基极阶梯电流ib集电极扫描电压UCS直接加到示波器（图示仪中相当于示波器的部分,以下同的X轴输入端,,经X轴放大器放大到示波管水平偏转板上集电极电流ic经取样电阻R得到与ic成正比的电压,UR=ic,R加到示波器的Y轴输入端,经Y轴放大器放大加到垂直偏转板上.子束的偏转角与偏转板上所加电压的大小成正比,所以荧光屏光点水平方向移动距离代表ic的大小,也就是说,荧光屏平面被模拟成了uce-ic平面.

图4-4输出特性曲线显示电路输出特性曲线的显示过程如图4-5所示

当t=0时,iB=0ic=0UCE=0两对偏转板上的电压均为零,设此时荧光屏上光点的位置为坐标原点。

在0-t1,这段时间内,集电极扫描电压UCS处于第一个正弦半波周期。

图4-5晶体管输出特性曲线的显示过程

UCE开始由零逐渐增大到最大值,然后再由最大值逐渐减少到零,它在水平方向上影响电子束,由于这段时间内iB=IBO=0,ic=ICEO,其大小决定于被测晶体管本身的特性,且随UCE而变,它在垂直方向上使电子束发生相应的偏转。

因为UCE在水平方向上和ic在垂直方向上对电子束的作用是同时存在的,二者作用的结果,使光点从坐标原点出发,沿着向右上方伸展的一条曲线逐渐移到最大,再由最大沿原路逐渐回到坐标原点,这条曲线（光点移动的轨迹就是iB=IBO=0所对应的那条输出特性曲线。

在正弦半波的第一个周期刚刚结束,第二个周期刚开始的t1时,ib值从零跳变到IB1。

在t1-t2这段时间内,集电极扫描电压处于正弦半波的第二个周期,它在水平方向上对电流束的影响与0-t1的一样,由于t1-t2这段时间内iB=IB1值恒定不变,所以ic的大小仅取决于管子本身的特性和UCE的变化,并在垂直方向上使电子束发生相应的偏转,UCE和ic对电子束作用的结果,使得荧光屏上的光点从坐标原点出发,沿着向右上方伸展的另一条曲线逐渐移到最大,在由最大沿原路逐渐移回到坐标原点。

这条曲线就是ib=IB1所对应的输出特性曲线。

在第二个周期的正弦半波扫描电压刚刚结束,第三个周期刚开始的t2时刻,ib值从IB1跳变到IB2。

在t2-t3这段时间内,由扫描电压的第三个正弦半波进行扫描,且ib=IB2,光点移动的轨迹ib=IB2所对应的那条输出特性曲线。

就这样,ib每取一个值,就有一个周期的正弦半波进行扫描,光点移动的轨迹就是一条新的特性曲线,基极电流有几个取值（包括ib=0,光点就要依次扫过几条曲线,

例如图4-5中,光点要依次扫过七条曲线。

当最后一条曲线扫完后,光点回到原点,ib值的跳变完成一个周期又跳回到ib=IB0=0的状态,以后便重复上述过程,光点开始第二次依次扫过iB=0,iB=IB1,iB=IB2所对应的输出特性曲线。

以上的讨论可以看到,在基极阶梯电流的每一个周期内,光点要依次扫过每条输出特性曲线一个往返。

当基极阶梯电流的频率足够高（周期足够短,即单位时间内光点扫过的每条曲线得次数足够多时,借助于示波管的余辉时间和人眼的视觉暂留,我们就能看到输出特性曲线,完整、清晰而稳定地显示在荧光屏上。

需要说明的是:

图4-5中每条曲线分成两条来画,只是为了表明光点的移动方向,实际上它们是重合在一起的。

另外ib=IB0=0的一条输出特性曲线离横轴较远,这是夸大了的情况,实际上由于ICEO很小,此曲线基本上和横轴叠合,对硅管更是如此。

2、共射输入特性曲线的显示原理

当显示如图4-6所示的NPN型晶体管的共发射极输入特性曲线时,图示仪内部和被测晶体管之间的接线方式如图4-7所示。

图4-7输入特性曲线显示电路

从图4-7中可以看到,此时Y轴（垂直偏转板加的是反映基极阶梯电流iB大小的信号电压iBR0,X轴（水平偏转版加的是与iB相对应的不均匀的变化电压UBE,荧光屏平面就被模拟成UBE-iB平面。

当集电极扫描电压和基极阶梯电流有如图4-2所示的对应关心时,图4-7电路的工作过程（即输入特性曲线的显示过程将如图4-8所示。

在0-t1-t2这段时间内,集电极扫描电压uCS处在第一个正弦半波周期,随之变化的集电极电压UCE按正弦半波规律将从零逐渐增大到最大值,再由最大值逐渐减小到零,此时iB=IBO=0,uBE也为零,而对偏转板上的信号电压均为零,电子束打到荧光屏上的0点,设此点为坐标点。

当光点由E’返回到E点的t12时刻,UCE=0,iB值的调变完成一个周期,立刻从IB5跳回到IB0=0与iB相对应的UBE值的跳变也必然完成一个周期,在iB变化的同时跳回到零。

IB和UBE对电子束的合作用,使得光点从最高的E点跳回到坐标原点0。

再t12以后的时间里,0-t12的情况完全相同,。

就这样,在基极阶梯电流的频率足够高,即单位时间内扫过上述路径的次数足够多时,借助于示波管的余晖时间和人烟的视觉暂留,光点扫过的整个路径便清楚而稳定的显示在荧光屏上,这就是我们所要得到的晶体管共发射极输入特性曲线。

其中,左面的一条是对应着

UCE=0的输入特性曲线,而各水平亮线右短的光迹,也就是连接A’、B’、C’、D’……诸点所得到的曲线为UCE=UCEM所对应的输入特性曲线。

但在共射极输入特性曲线中,UCE≥1V以后,曲线不再随UCE的增大而向右移,说明UCE≥1V后的各曲线基本上是重合在一起的。

（二XJ4810型半导体管图示仪各开关旋钮的作用

JT-1型晶体管图示仪各旋钮、开关的作用蚕茧本书附录五,这里介绍XJ4810的使用],图示仪前面板上的开关和旋钮较多,但按其功能可以分为以下七部分:

示波管控制电路,集电极扫描电压,X轴作用、Y轴作用,先是部分,基极阶梯信号盒测试台。

1、示波管控制电路

⑴电源开关与辉度调整旋钮。

拉该旋钮电源接通,电流指示灯,推该旋钮为关,该旋钮拉出后为辉度调整,使用时使辉度适中。

⑵聚焦:

Θ为主聚焦旋钮,0为辅助聚焦旋钮,四勇士调节主聚焦和辅助聚焦使光点截面最小。

2、Y轴作用:

Y轴作用是使集电极电流ic或基极阶梯电流ib通过各自取样电阻得到的电压及Y轴放大器放大,加到垂直偏板使电子束垂直偏转。

（1电流/度开关:

它是具有22档四种偏转作用的开关。

a.集电极电流Ic:

10μA/div-0.5μA/div共15档,测量晶体管输出特性曲线时Y轴作用为Ic,Ic=mA/度×度

b.二极管漏电流IR:

0.2μA/div-5μA/div共5档用来测量二极管的漏电流。

c.极电流或基极源电压:

阶梯电流通过取样电阻得的基极电流的偏转量。

用于阶梯波校正和晶体管输入特性曲线的测量。

（2垂直位移与倍率:

调节该旋钮可使光点,扫