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二极管
二极管参数的术语解释
二极管的极电容
我们知道二极管具有容易从P型向N型半导体通过电流,而在相反方向不易通过的的特性。
这两种特性合起来就产生了电容器的作用,即蓄积电荷的作用。
蓄积有电荷,当然要放电。
放电可以在任何方向进行。
而二极管只在一个方向有电流流过这种说法,严格来说是不成立的。
这种情况在高频时就明显表现出来。
因此,二极管的极电容以小为好。
最大额定值
最大反向峰值电压VRM即使没有反向电流,只要不断地提高反向电压,迟早会使二极管损坏。
这种能加上的反向电压,不是瞬时电压,而是反复加上的正反向电压。
因给整流器加的是交流电压,它的最大值是规定的重要因子。
最大直流反向电压VR上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压,VR是连续加直流电压时的值。
用于直流电路,最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。
最大浪涌电流Isurge
允许流过的过量的正向电流。
它不是正常电流,而是瞬间电流,这个值相当大。
最大平均整流电流IO
在半波整流电路中,流过负载电阻的平均整流电流的最大值。
这是设计时非常重要的值。
最大交流输入电压VI
在半波整流电路（电阻负荷）上加的正弦交流电压的有效值。
这也是选择整流器时非常重要的参数。
最大峰值正向电流IFM正向流过的最大电流值,这也是设计整流电路时的重要参数。
最大功率P
二极管中有电流流过,就会吸热,而使自身温度升高。
最大功率P为功率的最大值。
具体讲就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。
这个极限参数对稳压二极管,可变电阻二极管显得特别重要。
反向电流IR
一般说来,二极管中没有反向电流流过,实际上,加一定的反向电压,总会有电流流过,这就是反向电流。
不用说,好的二极管,反向电流较小。
反向恢复时间
从正向电压变成反向电压时,理想情况是电流能瞬时截止,实际上,一般要延迟一点点时间。
决定电流截止延时的量,就是反向恢复时间。
虽然它直接影响二极管的开关速度,但不一定说这个值小就好。
万用电表判别整流二极管正负极的方法
万用电表判别整流二极管正负极的方法
用二极管档
如果红表笔接二极管正极，黑表笔接二极管负极，表上示数为二极管正向压降
不同的二极管有不同的值0.3V~0.7V不等
如果黑表笔接二极管正极，红表笔接二极管负极，表上示数为“1”
也可用电阻挡
用万用表欧姆档量二极管导通电阻,交换表笔测量中有一次电阻无穷大,一次较小,以读数小的一次为准.红表笔连接的脚为二管的正极,黑笔连接的脚为负
可用电阻1K档
二极管的检测方法及技巧
二极管的检测方法及技巧
1检测小功率晶体二极管
A判别正、负电极
（a）观察外壳上的的符号标记。
通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。
（b）观察外壳上的色点。
在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点（白色或红色）。
一般标有色点的一端即为正极。
还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。
（c）以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。
B检测最高工作频率fM。
晶体二极管工作频率，除了可从有关特性表中查阅出外，实用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以区分，如点接触型二极管属于高频管，面接触型二极管多为低频管。
另外，也可以用万用表R×1k挡进行测试，一般正向电阻小于1k的多为高频管。
C检测最高反向击穿电压VRM。
对于交流电来说，因为不断变化，因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。
需要指出的是，最高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。
一般情况下，二极管的击穿电压要比最高反向工作电压高得多（约高一倍）。
2检测玻封硅高速开关二极管
检测硅高速开关二极管的方法与检测普通二极管的方法相同。
不同的是，这种管子的正向电阻较大。
用R×1k电阻挡测量，一般正向电阻值为5k～10k，反向电阻值为无穷大。
3检测快恢复、超快恢复二极管
用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。
即先用R×1k挡检测一下其单向导电性，一般正向电阻为45k左右，反向电阻为无穷大；再用R×1挡复测一次，一般正向电阻为几，反向电阻仍为无穷大。
4检测双向触发二极管
A将万用表置于R×1k挡，测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。
若交换表笔进行测量，万用表指针向右摆动，说明被测管有漏电性故障。
将万用表置于相应的直流电压挡。
测试电压由兆欧表提供。
测试时，摇动兆欧表，万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。
然后调换被测管子的两个引脚，用同样的方法测出VBR值。
最后将VBO与VBR进行比较，两者的绝对值之差越小，说明被测双向触发二极管的对称性越好。
5瞬态电压抑制二极管（TVS）的检测
A用万用表R×1k挡测量管子的好坏
对于单极型的TVS，按照测量普通二极管的方法，可测出其正、反向电阻，一般正向电阻为4kΩ左右，反向电阻为无穷大。
对于双向极型的TVS，任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大，否则，说明管子性能不良或已经损坏。
6高频变阻二极管的检测
A识别正、负极
高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同，普通二极管的色标颜色一般为黑色，而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。
其极性规律与普通二极管相似，即带绿色环的一端为负极，不带绿色环的一端为正极。
B测量正、反向电阻来判断其好坏
具体方法与测量普通二极管正、反向电阻的方法相同，当使用500型万用表R×1k挡测量时，正常的高频变阻二极管的正向电阻为5k～55k，反向电阻为无穷大。
7变容二极管的检测
将万用表置于R×10k挡，无论红、黑表笔怎样对调测量，变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。
如果在测量中，发现万用表指针向右有轻微摆动或阻值为零，说明被测变容二极管有漏电故障或已经击穿损坏。
对于变容二极管容量消失或内部的开路性故障，用万用表是无法检测判别的。
必要时，可用替换法进行检查判断。
8单色发光二极管的检测
在万用表外部附接一节15V干电池，将万用表置R×10或R×100挡。
这种接法就相当于给万用表串接上了15V电压，使检测电压增加至3V（发光二极管的开启电压为2V）。
检测时，用万用表两表笔轮换接触发光二极管的两管脚。
若管子性能良好，必定有一次能正常发光，此时，黑表笔所接的为正极，红表笔所接的为负极。
9红外发光二极管的检测
A判别红外发光二极管的正、负电极。
红外发光二极管有两个引脚，通常长引脚为正极，短引脚为负极。
因红外发光二极管呈透明状，所以管壳内的电极清晰可见，内部电极较宽较大的一个为负极，而较窄且小的一个为正极。
B将万用表置于R×1k挡，测量红外发光二极管的正、反向电阻，通常，正向电阻应在30k左右，反向电阻要在500k以上，这样的管子才可正常使用。
要求反向电阻越大越好。
10红外接收二极管的检测
A识别管脚极性
（a）从外观上识别。
常见的红外接收二极管外观颜色呈黑色。
识别引脚时，面对受光窗口，从左至右，分别为正极和负极。
另外，在红外接收二极管的管体顶端有一个小斜切平面，通常带有此斜切平面一端的引脚为负极，另一端为正极。
（b）将万用表置于R×1k挡，用来判别普通二极管正、负电极的方法进行检查，即交换红、黑表笔两次测量管子两引脚间的电阻值，正常时，所得阻值应为一大一小。
以阻值较小的一次为准，红表笔所接的管脚为负极，黑表笔所接的管脚为正极。
B检测性能好坏。
用万用表电阻挡测量红外接收二极管正、反向电阻，根据正、反向电阻值的大小，即可初步判定红外接收二极管的好坏。
11激光二极管的检测
A将万用表置于R×1k挡，按照检测普通二极管正、反向电阻的方法，即可将激光二极管的管脚排列顺序确定。
但检测时要注意，由于激光二极管的正向压降比普通二极管要大，所以检测正向电阻时，万用表指针仅略微向右偏转而已，而反向电阻则为无穷大。
半导体百科知识
半导体百科知识
目录
半导体简介
半导体定义
半导体特点
PN结的单向导电性
伏安特性曲线
半导体杂质
半导体历史
半导体应用
半导体行业的发展
半导体的英文及解释半导体简介
半导体定义
半导体特点
PN结的单向导电性
伏安特性曲线
半导体杂质
半导体历史
半导体应用
半导体行业的发展半导体的英文及解释
半导体简介
顾名思义：
常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料，叫做半导体（semiconductor）．
物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。
我们通常把导电性和导电导热性差或不好的材料，如金刚石、人工晶体、琥珀、陶瓷等等，称为绝缘体。
而把导电、导热都比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。
可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。
与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。
半导体的分类，按照其制造技术可以分为：
集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。
此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，最近虽然不常用，单还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。
此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。
半导体定义
电阻率介于金属和绝缘体[1]之间并有负的电阻温度系数的物质。
半导体室温时电阻率约在10E-5～10E7欧·米之间，温度升高时电阻率指数则减小。
半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。
锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物（硫化镉、硫化锌等）、氧化物（锰、铬、铁、铜的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。
除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。
半导体（东北方言）：
意指半导体收音机，因收音机中的晶体管由半导体材料制成而得名。
本征半导体
不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。
在极低温度下，半导体的价带是满带（见能带理论），受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。
导带中的电子和价带中的空穴合称电子-空穴对，均能自由移动，即载流子，它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。
这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。
导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。
复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。
在一定温度下，电子-空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。
温度升高时，将产生更多的电子-空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。
无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大，实际应用不多。
半导体特点
半导体五大特性∶电阻率特性，导电特性，光电特性，负的电阻率温度特性，整流特性。
★在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。
★在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。
晶格：
晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵，称为晶格。
共价键结构：
相邻的两个原子的一对最外层电子（即价电子）不但各自围绕自身所属的原子核运动，而且出现在相邻原子所属的轨道上，成为共用电子，构成共价键。
自由电子的形成：
在常温下，少数的价电子由于热运动获得足够的能量，挣脱共价键的束缚变成为自由电子。
空穴：
价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴。
电子电流：
在外加电场的作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流。
空穴电流：
价电子按一定的方向依次填补空穴（即空穴也产生定向移动），形成空穴电流。
本征半导体的电流：
电子电流+空穴电流。
自由电子和空穴所带电荷极性不同，它们运动方向相反。
载流子：
运载电荷的粒子称为载流子。
导体电的特点：
导体导电只有一种载流子，即自由电子导电。
本征半导体电的特点：
本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电。
本征激发：
半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为本征激发。
复合：
自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，使两者同时消失，这种现象称为复合。
动态平衡：
在一定的温度下，本征激发所产生的自由电子与空穴对，与复合的自由电子与空穴对数目相等，达到动态平衡。
载流子的浓度与温度的关系：
温度一定，本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。
当温度升高时，热运动加剧，挣脱共价键束缚的自由电子增多，空穴也随之增多（即载流子的浓度升高），导电性能增强；当温度降低，则载流子的浓度降低，导电性能变差。
结论：
本征半导体的导电性能与温度有关。
半导体材料性能对温度的敏感性，可制作热敏和光敏器件，又造成半导体器件温度稳定性差的原因。
杂质半导体：
通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，可得到杂质半导体。
N型半导体：
在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。
多数载流子：
N型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓度，称为多数载流子，简称多子。
少数载流子：
N型半导体中，空穴为少数载流子，简称少子。
施子原子：
杂质原子可以提供电子，称施子原子。
N型半导体的导电特性：
它是靠自由电子导电，掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。
P型半导体：
在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半导体。
多子：
P型半导体中，多子为空穴。
少子：
P型半导体中，少子为电子。
受主原子：
杂质原子中的空位吸收电子，称受主原子。
P型半导体的导电特性：
掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。
结论：
多子的浓度决定于杂质浓度。
少子的浓度决定于温度。
PN结的形成：
将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN结。
PN结的特点：
具有单向导电性。
扩散运动：
物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。
空间电荷区：
扩散到P区的自由电子与空穴复合，而扩散到N区的空穴与自由电子复合，所以在交界面附近多子的浓度下降，P区出现负离子区，N区出现正离子区，它们是不能移动，称为空间电荷区。
电场形成：
空间电荷区形成内电场。
空间电荷加宽，内电场增强，其方向由N区指向P区，阻止扩散运动的进行。
漂移运动：
在电场力作用下，载流子的运动称漂移运动。
PN结的形成过程：
如图所示，将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在无外电场和其它激发作用下，参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目，从而达到动态平衡，形成PN结。
PN结的形成过程
电位差：
空间电荷区具有一定的宽度，形成电位差Uho，电流为零。
耗尽层：
绝大部分空间电荷区内自由电子和空穴的数目都非常少，在分析PN结时常忽略载流子的作用，而只考虑离子区的电荷，称耗尽层。
PN结的单向导电性
PN结的单向导电性
P端接电源的正极，N端接电源的负极称之为PN结正偏。
此时PN结如同一个开关合上，呈现很小的电阻，称之为导通状态。
P端接电源的负极，N端接电源的正极称之为PN结反偏，此时PN结处于截止状态，如同开关打开。
结电阻很大，当反向电压加大到一定程度，PN结会发生击穿而损坏。
[编辑本段]伏安特性曲线
伏安特性曲线：
加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。
如图所示：
PN伏安特性
正向特性：
u>0的部分称为正向特性。
反向特性：
u<0的部分称为反向特性。
反向击穿：
当反向电压超过一定数值U（BR）后，反向电流急剧增加，称之反向击穿。
势垒电容：
耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。
变容二极管：
当PN结加反向电压时，Cb明显随u的变化而变化，而制成各种变容二极管。
如下图所示。
PN结的势垒电容
平衡少子：
PN结处于平衡状态时的少子称为平衡少子。
非平衡少子：
PN结处于正向偏置时，从P区扩散到N区的空穴和从N区扩散到P区的自由电子均称为非平衡少子。
扩散电容：
扩散区内电荷的积累和释放过程与电容器充、放电过程相同，这种电容效应称为Cd。
结电容：
势垒电容与扩散电容之和为PN结的结电容Cj。
半导体杂质
半导体中的杂质对电阻率的影响非常大。
半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产加的杂质能级。
例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价结合，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢能级。
杂质能级位于禁带上方靠近导带底附近。
杂质能级上的电子很易激发到导带成为电子载流子。
这种能提供电子载流子的杂质称为施主，相应能级称为施主能级。
施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多（图2）。
在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时，杂质原子与周围四个锗（或硅）原子形成共价结合时尚缺少一个电子，因而存在一个空位，与此空位相应的能量状态就是杂质能级，通常位于禁带下方靠近价带处。
价带中的电子很易激发到杂质能级上填补这个空位，使杂质原子成为负离子。
价带中由于缺少一个电子而形成一个空穴载流子（图3）。
这种能提供空穴的杂质称为受主杂质。
存在受主杂质时，在价带中形成一个空穴载流子所需能量比本征半导体情形要小得多。
半导体掺杂后其电阻率大大下降。
加热或光照产生的热激发或光激发都会使自由载流子数增加而导致电阻率减小，半导体热敏电阻和光敏电阻就是根据此原理制成的。
对掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是导带中的电子，属电子型导电，称N型半导体。
掺入受主杂质的半导体属空穴型导电，称P型半导体。
半导体在任何温度下都能产生电子-空穴对，故N型半导体中可存在少量导电空穴，P型半导体中可存在少量导电电子，它们均称为少数载流子。
在半导体器件的各种效应中，少数载流子常扮演重要角色。
PN结
P型半导体与N型半导体相互接触时，其交界区域称为PN结。
P区中的自由空穴和N区中的自由电子要向对方区域扩散，造成正负电荷在PN结两侧的积累，形成电偶极层（图4）。
电偶极层中的电场方向正好阻止扩散的进行。
当由于载流子数密度不等引起的扩散作用与电偶层中电场的作用达到平衡时，P区和N区之间形成一定的电势差，称为接触电势差。
由于P区中的空穴向N区扩散后与N区中的电子复合，而N区中的电子向P区扩散后与P区中的空穴复合，这使电偶极层中自由载流子数减少而形成高阻层，故电偶极层也叫阻挡层，阻挡层的电阻值往往是组成PN结的半导体的原有阻值的几十倍乃至几百倍。
PN结具有单向导电性，半导体整流管就是利用PN结的这一特性制成的。
PN结的另一重要性质是受到光照后能产生电动势，称光生伏打效应，可利用来制造光电池。
半导体三极管、可控硅、PN结光敏器件和发光二极管等半导体器件均利用了PN结的特性。
半导体掺杂
半导体之所以能广泛应用在今日的数位世界中，凭借的就是其能借由在其晶格中植入杂质改变其电性，这个过程称之为掺杂（doping）。
掺杂进入本质半导体（intrinsicsemiconductor）的杂质浓度与极性皆会对半导体的导电特性产生很大的影响。
而掺杂过的半导体则称为外质半导体（extrinsicsemiconductor）。
半导体掺杂物
哪种材料适合作为某种半导体材料的掺杂物（dopant）需视两者的原子特性而定。
一般而言，掺杂物依照其带给被掺杂材料的电荷正负被区分为施体（donor）与受体（acceptor）。
施体原子带来的价电子（valenceelectrons）大多会与被掺杂的材料原子产生共价键，进而被束缚。
而没有和被掺杂材料原子产生共价键的电子则会被施体原子微弱地束缚住，这个电子又称为施体电子。
和本质半导体的价电子比起来，施体电子跃迁至传导带所需的能量较低，比较容易在半导体材料的晶格中移动，产生电流。
虽然施体电子获得能量会跃迁至传导带，但并不会和本质半导体一样留下一个电洞，施体原子在失去了电子后只会固定在半导体材料的晶格中。
因此这种因为掺杂而获得多余电子提供传导的半导体称为n型半导体（n-typesemiconductor），n代表带负电荷的电子。
和施体相对的，受体原子进入半导体晶格后，因为其价电子数目比半导体原子的价电子数量少，等效上会带来一个的空位，这个多出的空位即可视为电洞。
受体掺杂后的半导体称为p型半导体（p-typesemiconductor），p代表带正电荷的电洞。
以一个硅的本质半导体来说明掺杂的影响。
硅有四个价电子，常用于硅的掺杂物有三价与五价的元素。
当只有三个价电子的三价元素如硼（boron）掺杂至硅半导体中时，硼扮演的即是受体的角色，掺杂了硼的硅半导体就是p型半导体。
反过来说，如果五价元素如磷（phosphorus）掺杂至硅半导体时，磷扮演施体的角色，掺杂磷的硅半导体成为n型半导体。
一个半导体材料有可能先后掺杂施体与受体，而如何决定此外质半导体为n型或p型必须视掺杂后的半导体中，受体带来的电洞浓度较高或是施体带来的电子浓度较高，亦即何者为此外质半导体的“多数载子”（majoritycarrier）。
和多数载子相对的是少数载子（minoritycarrier）。
对于半导体元件的操作原理分析而言，少数载子在半导体中的行为有着非常重要的地位。
半导体载子浓度
掺杂物浓度对于半导体最直接的影响在于其载子浓度。
在热平衡的状态下，一个未经掺杂的本质半导体，电子与电洞的浓度相等，如下列公式所示：
n=p=ni其中n是半导体内的电子浓度、p则是半导体的电洞浓度，ni则是本质半导体的载子浓度。
ni会随着材料或温度的不同而改变。
对于室温下的硅而言，ni大约是1×10cm。
通常掺杂浓度越高，半导体的导电性就会变得越好，原因是能进入传导带的电子数量会随着掺杂浓度提高而增加。
掺杂浓度非常高的半导体会因为导电性接近金属而被广泛应用在今日的集成电路制程来取代部份金属。
高掺杂浓度通常会在n或是p后面附加一上标的“+”号，例如n代表掺杂浓度非常高的n型半导体，反之例如p则代表轻掺杂的p型半导体。
需要特别说明的是即使掺杂浓度已经高到让半导体“退化”（degenerate）为导体，掺杂物的浓度和原本的半导体原子浓度比起来还是差距非常大。
以一个有晶格结构的硅本质半导体而言，原子浓度大约是5×10cm，而一般集成电路制程里的掺杂浓度约在10cm至10cm之间。
掺杂浓度在10cm以上的半导体在室温下通常就会被视为是一个“简并半导体”（degeneratedsemiconductor）。
重掺杂的半导体中，掺杂物和半导体原子的浓度比约是千分之一，而轻掺杂则可能会到十亿分之一的比例。
在半导体制程中，掺杂浓度都会依照所制造出元件的需求量身打造，以合于使用者的需求。
掺杂对半导体结构的
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