功能材料概论复习资料.docx

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第一章晶体学基础及材料性能

一．概念

1.在晶体中，原子和原子集团在三维空间中有规律分布。

如果将每一个可重复的单位用一个点来表示，就能形成一个有规则的三维点阵，称为空间点阵。

2.便于分析各种晶体中原于排列的规律，空间点阵常用空间格子来表示，这种空间格子称为晶格。

3.由于晶格具有用期性，可取一单位体积（平行六面体）作为重复单元，来概括整个晶格的特征。

这样选取的重复单元称为原胞。

4.基本的对称操作为旋转与反映，对称操作所依赖的几何要素，如点、线、面，称为对称元素。

5.同位素相对原子质量越小，Tc越高，这种现象称为同位素效应。

6.同素异构体：

有些元素具有一种以上的结构形式，称其为同素异构体。

7.密勒指数:

在晶体中，为了表达与晶轴相关的晶面方向或晶向，常使用三个整数，称为密勒指数，假设一晶面与a，b，c轴交于M1，M2，M3三点，通过求出三个截距值倒数的最小整数比，即可得到该晶面的米勒指数。

8.晶体的对称性是指晶体经过某些对称操作后仍然能回复原状的特性。

9.在晶体中，一对为两个原子所共有的自旋相反、配对的电子结构称为共价键。

10.分子晶体的结合是依靠分子之间的作用力，这种作用力称为范德华力。

11.多晶体中各晶粒的取向各不相同，不同取向晶粒之间的接触面为晶界。

12.导带中的电子导电和价带中的空穴导电同时存在的情况，称为本征电导。

这类半导体称为本征半导体。

13.有些金属材料在外磁场作用下产生很强的磁化强度，外磁场除去后仍能保持相当大的永久磁性，这种特性叫铁磁性。

14.抗磁性是一种很弱、非永久性的磁性，只有在外磁场存在时才能维持，磁矩方向与外磁场相反。

15.在有些非铁磁性材料中，相邻原子或离子的磁矩作反方向平行排列，总磁矩为零，这种性质为反铁磁性。

16.亚铁磁性是某些陶瓷材料表现的永久磁性，其饱和磁化强度比铁磁性材料低。

17.吸收光谱是指物质在光谱范围里的吸收系数按光频率分布的总体。

18.发光物质发射光子的能量按频率（或波长）分布的总体称为该物质的发射光谱，也称荧光光谱。

19.激光光谱是指使物质产生发光时的激励光按频率分布的总体

二.填空

1.空间点阵就其对称性，可以分为（十四种）类型，隶属于（七）个晶系

2.原子间最简单的作用力是（离子键），它产生于正、负电荷之间的静电引力

3.共价键有两个基本特点：

（饱和性）和（方向性）。

4.晶面上原子聚集密度较大，晶面之间的距离较大，结合力较弱，易分裂，这样的晶面叫（解理面）。

5.多晶体中各晶粒的取向各不相同，不同取向晶粒之间的接触面为（晶界）。

6.基本的对称操作为（旋转）和（反映），对称操作所依赖的几何要素，如点、线、面，称为（对称元素）。

7.线缺陷即为（位错）。

晶体中最简单的位错是（刃型位错）和（螺型位错）。

8.（电性质R＝0，磁性质B＝0）是超导体两个最基本的特性。

三.简答

1.举例说明施主能级，n型半导体杂质对半导体的导电性能影响很大.

例如在硅单晶中掺入十万分之一的硼原子，可使硅的导电能力增加一千倍，杂质半导体分为n型半导体和p型半导体，在四价的硅单晶中掺入五价的原子，成键后，多余一个电子，其能级离导带很近，易激发。

这种多余电子的杂质能级称为施主能级。

这类掺入施主杂质的半导体称为n型半导体。

2.画图说明（236）晶面的晶面指数。

在晶体中，为了表达与晶轴相关的晶面方向或晶向，常使用三个整数，称为密勒指数。

如图所示，设有一晶面与a，b，c轴交于M1，M2，M3三点，通过求出三个截距值倒数的最小整数比，即可得到该晶面的晶面指数

3.请画出正交晶系的四种布喇菲点阵的晶胞。

4.请画出立方晶系三种布喇菲点阵的晶胞。

5.请图示n型半导体和p型半导体的区别。

6.画图说明何谓空间点阵？

晶格？

原胞？

答案：

在晶体中，原子和原子集团在三维空间中有规律分布。

如果将每一个可重复的单位用一个点来表示，就能形成一个有规则的三维点阵，称为空间点阵。

图6-1表示了二维晶体结构和空间点阵示意图。

为了便于分析各种晶体中原于排列的规律，空间点阵常用空间格子来表示，见图6—2（a），这种空间格子称为晶格。

由于晶格具有用期性，可取一单位体积（平行六面体）作为重复单元，来概括整个晶格的特征。

这样选取的重复单元称为原胞。

图6-1二维晶体结构和空间点阵示意图

（a）包含两种原于的结构单元；（b）晶体结构；（c）空间点阵

图6-2晶格和原胞

7.请写出四种化学键和对应的晶体类型，并结合具体例子说明它们各自的特点。

化学键

晶体

化学键特点

晶体特点

举例

离子键（静电吸引力）

离子晶体

无方向性、无饱和性

导电性差、熔点、高硬度高、膨胀系数小

NaCl

共价键（共有电子对）

原子晶体

饱和性、方向性

高熔点高硬度、导电性差

C（金刚石）

金属键（价电子可运动）

金属晶体

无方向性、无饱和性

导电性、导热性、延展性、高熔点

范德华力（分子间作用力）

分子晶体

无方向性、无饱和性

熔点特低

Ne、Ar

8.用能带理论说明半导体、导体和绝缘体的区别，并以图示标注。

在电场的作用下，一个充满了电子的能带不可能产生电流，如果孤立原子的电子都形成满壳层，当有N个原子组成晶体时，能级过渡成能带，能带中的状态是能级中的状态数目的N倍，因此，原有的电子恰好充满能带中所有的状态，这些电子并不参与导电。

相反，如果原来孤立原子的壳层并不满，如金属钠，一共有11个电子（1s22s22p63s1），当N个原子组成晶体时，3s能级过渡成能带，能带中有2N个状态，可以容纳2N个电子。

但钠只有N个3s电子，因此能带是半满的，在电场作用下，可以产生电流。

周期表中第一族元素的价电子都处于未被充满的带中，它们都是金属，这种能带称为导带。

碱土金属由于其s能带和较高的能带有交叠，价电子仍在不满的能带中参与导电，使其晶体具有金属的性质。

绝缘体的价电子把价带填满，上面的空带与价带之间存在一个较宽的禁带。

在非强电场作用下不会产生电流（图1-20），其中Ec为导带底，Ev为价带顶，EF为费米能级，Eg为禁带宽度。

半导体的能带结构，与绝缘体的能带相似，只是禁带较窄。

禁带宽度在2eV以下，通过热激发，把满带的电子激发到空带，而具有导电能力。

第二章高分子基础

一．概念

1.共聚物：

由两种或两种以上不同的重复单元构成的高聚物被称为共聚物

2.高聚物结构式中的方括号（或圆括号）表示重复连接的意思，而n代表重复单元数，称为聚合度。

3.用一种单体进行聚合反应，所得大分子中只含一种单体链节，称为均聚反应，产物称为均聚物。

4.能够形成结构单元的低分子化合物称为单体。

5.单体加成而聚合起来的反应称为加聚反应。

6.单体在形成大分子的聚合反应过程中，在生成高分子化合物的同时，还有小分子副产物生成，称为缩聚反应。

7.用两种或两种以上的单体一起进行聚合反应，生成的聚合物大分子中含有两种或两种以上的单体链节，称为共聚反应。

8.从高弹态转变为粘流态的温度称为粘流温度。

二.填空

1.重复单元连接方式不同．可能使大分子具有（线型）、（支链型）、（体型）三种形状。

2.根据分子堆砌密度、作用力和热运动特性，低分子物质具有（气态）、（液态）和（固态）三种聚集状态。

3.在结晶性聚合物中，一般都是（晶区）和（非晶区）共存的两相结构体系。

4.按照性能和用途可以将高分子材料分为（塑料、橡胶、纤维）三大合成材料。

5.高聚物结构式中的方括号（或圆括号）表示重复连接的意思，而n代表重复单元数，称为（聚合度），用DP表示。

6.高聚物的相对分子量分布有（数均相对分子量）、（质均相对分子量）、（Z均相对分子量）、（粘均相对分子量）。

7.（玻璃化温度Tg）是衡量聚合物性能的一个重要参数，对聚合物的力学行为有很大影响。

8.（玻璃态）、（高弹态）和（粘流态）是非晶态高聚物的三种力学状态，它是以力学性质的不同来区分的。

9.从高弹态转变为粘流态的温度称为（粘流温度）。

三.简答

1.根据聚合和基团（侧基和端基）的变化，高聚物的化学反应如何分类：

（1）聚合度基本不变，只有侧基和／或端基变化的反应。

这类反应也称做大分子的相似转变。

功能高分子中的高分子试剂、高分子催化剂的作用可以归入此类反应。

（2）聚合度变大的反应

聚合度变大的反应包括交联、接枝、嵌段、扩链等反应。

在生物医用功能高分子材料中，为了提高材料的生物相容性，而将肝素接枝在高聚物大分子上的反应属于此类。

（3）聚合度变小的反应

聚合度变小的反应包括解聚、降解等。

功能性降解膜，在失去作用后，自动进行降解反应以减少环境污染的反应属于此类。

2.请简述高分子与低分子的区别

高分子化合物与低分子化合物的最大区别是高分子化合物的相对分子质量很大。

另一个重要的区别是高分子化合物是多分散的。

高聚物的多分散性包括结构的多分散性和相对分子质量的多分散性。

结构多分散性是指高聚物内大分子链中，各结构单元的连接方式不同，使得即使是在同一种高聚物中，大分子的化学结构及几何形状也不完全相同；而相对分子质量的多分散性是指所形成的高分子化合物分子的相对分子质量并不完全相同。

所以，即使是一种“纯粹”的高分子化合物，它也不过是由化学组成相同，而相对分子质量不同的分子所组成的同系物。

3.请图示说明高分子的三种形状。

4.请简述聚合物的“溶胀”现象。

聚合物在溶解之前总要经过“溶胀”阶段，这与低分子物也很不同。

对于低分子物来说，溶质分子和溶剂分子尺寸相近，而且很小，扩散速度都较快。

但对聚合物来说，大分子比溶剂分子的体积大得多，扩散速度很慢，所以在溶解开始阶段，是溶剂分子扩散进入大分子链间，形成一种胀大的以胶状物，这种现象就是“溶胀”。

随着溶胀过程的继续进行，进入大分子链间的溶剂分子越来越多，最终使整个大分子链分散到溶剂中，这就是溶解。

线型聚合物能够发生溶解过程。

交联聚合物虽也能发生溶胀，但由于交联键的束缚，到一定时候就达到“溶胀平衡”，不能溶解。

第三章超导材料

一.概念

1.超过临界磁场便立即转变为正常态的超导体，称为第一类超导体。

2.在绝对零度下，处于能隙下边缘以下的各能态全被占据，而能隙上边缘以上的各能态全空着。

这种状态就是超导基态。

3.引进声子的概念后，可将声子看成一种准粒子，它像真实粒子一样和电子发生相互作用。

通常把电子与晶格点阵的相互作用，称为电子-声子相互作用。

4.产生临界磁场的电流，即超导态允许流动的最大电流，称为临界电流。

5.在处理与热振动能量相关的一类问题时，往往把晶格点阵的集体振动，等效成若干个不同频率的互相独立的简正振动的叠加。

而每一种频率的简正振动的能量都是量子化的，其能量量子

（q）就称为声子。

6.只要两个电子之间有净的吸引作用，不管这种作用多么微弱，它们都能形成束缚态，两个电子的总能量将低于2EF。

此时，这种吸引作用有可能超过电子之间的库仑排斥作用，而表现为净的相互吸引作用，这样的两个电子被称为库柏电子对。

7.库柏对有一定的尺寸，反映了组成库柏对的两个电子，不像两个正常电于那样，完全互不相关的独立运动，而是存在着一种关联性．库柏对的尺寸正是这种关联效应的空间尺度．称为BCS相于长度。

8.对处于超导态的超导体施加一个磁场，当磁场强度高于HC时，磁力线将穿人超导体，超导态被破坏。

一般把可以破坏超导态的最小磁场强度称为临界磁场。

二.填空

1.（电子）与（晶格点阵之间）的相互作用，可能是导致超导电性产生的根源。

2.超导体的三个临界参数为：

（临界温度）、（临界磁场）（临界电流）。

3.超导材料按其化学组成可分为：

（元素超导体）、（合金超导体）、（化合物超导体）。

三.简答

1.请简述第一类超导体与第二类超导体的区别

HC0为0K时的临界磁场。

当T＝TC时，＝0;随温度的降低，HC增加，至0K时达到最大值HC0。

HC与材料性质也有关系，上述在临界磁场以下显示超导性，超过临界磁场便立即转变为正常态的超导体，称为第一类超导体。

与第一类超导体相反，第二类超导体有两个临界磁场。

一个是下临界磁场（HC1）另一个是上临界磁场（Hc2）。

下临界磁场值较小，上临界磁场比下临界磁场高一个数最级，而且，大部分第二类超导体的上临界磁场比第一类超导体的临界磁场要高得多。

在温度低于Hc条件下，外磁场小于HC时，第二类超导体与第一类超导体相同，处于完全抗磁性状态。

当外磁场介于Hc1与Hc2之间时，第二类超导体处于超导态与正常态的混合状态，磁场部分进入超导体内部

2.请列举超导材料的应用。

（一）开发新能源

1．超导受控热核反应堆

2超导磁流体发电

（二）节能方面

I．超导输电

2．超导发电机和电动机

3．超导变压器

（三）超导磁悬浮列车

（四）超导贮能

（五）研究领域

（六）其他应用

第四章贮氢合金

一.概念

滞后：

金属氢化物在吸氢与释氢时，虽在同一温度，但压力不同，这种现象称为滞后。

二.填空

1.氢化物氢贮运装置分两类：

（固定式）和（移动式）。

2.氢能源开发中的难题是（制氢工艺）和（氢的贮存）。

3.金属与氢的反应，是一个可逆过程。

正向反应，（吸氢、放热）；逆向反应，（释氢、吸热）。

4.改变（温度）与（压力）条件可使反应按正向、逆向反复进行，实现材料的吸释氢功能。

5.作为贮氢材料，滞后越（小）越好。

6.（机械合金化技术）应用于贮氢合金的制备，是改善贮氢合金性能的有效途径。

三.简答

1.请简述金属的贮氢原理，并写出简单的反应式。

许多金属（或合金）可固溶氢气形成含氢的固溶体（MHx），固溶体的溶解度[H]M与其平衡氢压PH2的平方根成正比。

在一定温度和压力条件下，固溶相（MHx）与氢反应生成金属氢化物．反应式如下

式中MHy是金属氢化物，

为生成热。

贮氢合金正是靠其与氢起化学反应生成金属氢化物来贮氢的。

2.非晶态贮氢合金的优点

非晶态贮氨合金比同组份的晶态合金在相同的温度和氢压下有更大的贮氢量；具有较高的耐磨性；即使经过几百次吸、放氢循环也不致破碎；吸氢后体积膨胀小。

但非晶态贮氢合金往往由于吸氢过程中的放热而晶化。

3.机械合金化技术应用于贮氢合金的制备的优缺点

机械合金化技术应用于贮氢合金的制备，是改善贮氢合金性能的有效途径。

该技术成本低、工艺简单、生产周期短；制备的贮氢合金具有贮氢量大、活化容易、吸释氢速度快、电催化活性好等优点。

美中不足的是用MA制备贮氢合金尚处于实验室研究阶段，理论模型，工艺参数，工艺条件还有待于进一步优化。

4.作为氢化物电极的贮氢合金必须满足的基本要求：

（1）在碱性电解质溶液中良好的化学稳定性；

（2）高的阴极贮氢容量；（3）合适的室温平台压力；（4）良好的电催化活性和抗阴极氧化能力；（5）良好的电极反应动力学特性。

5.贮氢合金在应用时存在的主要问题：

贮氢能力低；对气体杂质的高度敏感性；初始活化困难；氢化物在空气中自燃；反复吸释氢时氢化物产生岐化。

6.简述贮氢合金的应用

1）作为贮运氢气的容器

2）氢能汽车

3）分离、回收氢

4）制取高纯度氢气

5）氢气静压机

6）氢化物电极

第五章形状记忆合金

一.概念

1.有些形状记忆合金在加热发生马氏体逆转变时，对母相有记忆效应；当从相再次冷却为马氏体时，还回复原马氏体的形状，这种现象称为双向形状记忆效应，又称可逆形状记忆效应。

2.具有马氏体逆转变，且Ms与As相差很小的合金，将其冷却到Ms点以下，马氏体晶核随温度下降逐渐长大，温度回升时马氏体片又反过来同步地随温度上升而缩小，这种马氏体叫热弹性马氏体。

3.在Ms以上某一温度对合金施加外力也可引起马氏体转变，形成的马氏体叫应力诱发马氏体。

4.有些应力诱发马氏体也属弹性马氏体，应力增加时马氏体长大，反之马氏体缩小，应力消除后马氏体消失，这种马氏体叫应力弹性马氏体。

5.应力弹性马氏体形成时会使合金产生附加应变，当除去应力时，这种附加应变也随之消失，这种现象称为超弹性（伪弹性）。

二.填空

1.根据马氏体相变的定义，在相变过程中，只要形成单变体马氏体并排除其他阻力，材料经过（马氏体相变）及其逆相变，就会表现出（形状记忆效应）。

2.己发现的形状记忆舍金种类很多，可以分为（镍-钛系）、（铜系）、（铁系）合金三大类。

3.每片马氏体形成时都伴有形状的变化。

这种合金在单向外力作用下，其中马氏体顺应力方向发生再取向，即造成马氏体的（择优取向）。

4.（Shockley不全位错）的可逆移动是形状恢复的关键。

5.通常的形状记忆合金根据马氏体与母相的晶体学关系，共有（六）个这样的片群，形成（24）种马氏体变体

6.应力弹性马氏体形成时会使合金产生附加应变，去除应力后，马氏体消失，应变也随之回复，这种现象称为（伪弹性）或超弹性。

7.母相（γ）奥氏体为（面心立方）结构，ε马氏体为密排六方结构。

8.形状记忆合金材料的应用主要体现在（工程应用）、（医学应用）和（智能应用）三个方面

三.简答

1.简述形状记忆的三种形式

形状记忆效应有三种形式。

第一种称为单向形状记忆效应，即将母相冷却或加应力．使之发生马氏体相变，然后使马氏体发生塑性变形，改变其形状，再重新加热到As以上，马氏体发生逆转变，温度升至Af点，马氏体完全消失，材料完全恢复母相形状。

一般没有特殊说明，形状记忆效应都是指这种单向形状记忆效应。

有些形状记忆合金在加热发生马氏体逆转变时，对母相有记忆效应；当从相再次冷却为马氏体时，还回复原马氏体的形状，这种现象称为双向形状记忆效应，又称可逆形状记忆效应。

第三种情况是在Ti-Ni合金系中发现的，在冷热循环过程中，形状回复到与母体完全相反的形状，称为全方位形状记忆效应。

2.铁基形状记忆合金具有良好的记忆效应的前提条件是：

（1）合金母相为单一奥氏体，并存在一定数量的层错；

（2）尽可能低的层错能，使Schockley不全位错容易扩展及收缩，以减少应力诱发马氏体相变时的阻力；（3）相当的母相强度，以抑制应力诱发相变时产生永久位移；（4）较低的铁磁-反铁磁转变温度（TN）以消除奥氏体稳定化对应力诱发γ→ε相变时的阻碍。

3.形状记忆合金作紧固件、连接件较其他材料有许多优势

（1）夹紧力大，接触密封可靠．避免了由于焊接而产生的冶金缺陷；

（2）适于不易焊接的接头；（3）金属与塑料等不同材料可以通过这种连接件连成一体；（4）安装时不需要熟练的技术。

4.简述形状记忆合金的应用

1）工程上的应用：

作各种结构件，加紧固件、连接件、密封垫等。

另外，也可以用于一些控制元件，如一些与温度有关的传感及自动控制

2）医学上使用：

移植材料、在生物体内部作固定折断骨架的销、进行内固定接骨的接骨板、假肢的连接、矫正脊柱弯曲的矫正板、人工心脏

3）智能应用：

自调节和控制装置，如各种智能、仿生机械、牙齿矫正线、眼镜片固定丝、汽车的保险杠和易撞伤部位

四.论述

1.形状记忆原理

一些学者曾根据早期的形状记忆材料的特征，提出产生形状记忆效应的条件是：

（1）马氏体相变是热弹性的；

（2）马氏体点阵的不变切变为孪生，即亚结构为孪晶；（3）母相和马氏体均为有序结构。

但随着对形状记忆材料研究的不断深入，发现不完全具备上述三个条件的合金（如Fe-Mn-Si合金，其马氏体相变时半热弹性的，且母相无序）也可以显示形状记忆效应。

后来又发现不仅某些合金，陶瓷材料、高分子材料中也存在形状记忆效应，其机理亦与金属材料不同。

所以许多学者强调，根据马氏体相变的定义，在相变过程中，只要形成单变体马氏体并排除其他阻力，材料经过马氏体相变及其逆相变，就会表现出形状记忆效应。

我们知道，马氏体相变是一种非扩散型转变，母相向马氏体转变，可理解为原子排列面的切应变。

由于剪切形变方向不同，而产生结构相同，位向不同的马氏体—马氏体变体。

每片马氏体形成时都伴有形状的变化。

这种合金在单向外力作用下，其中马氏体顺应力方向发生再取向，即造成马氏体的择优取向。

当大部分或全部的马氏体都采取一个取向时，整个材料在宏观上表现为形变。

对于应力诱发马氏体，生成的马氏体沿外力方向择优取向，在相变同时，材料发生明显变形，上述的24个马氏体变体可以变成同一取向的单晶马氏体。

将变形马氏体加热到As点以上，马氏体发生逆转变，因为马氏体晶体的对称性低。

转变为母相时只形成几个位向，甚至只有一个位向——母相原来的位向。

尤其当母相为长程有序时，更是如此。

当自适应马氏体片群中不同变体存在强的力学偶时，形成单一位向的母相倾向更大。

逆转变完成后，便完全回复了原来母相的晶体，宏观变形也完全恢复。

第六章非晶态合金

一.概念

1.非晶态合金俗称“金属玻璃”。

以极高速度使熔融状态的合金冷却，凝固后的合金结构呈玻璃态。

2.拓扑无序模型认为非晶态结构的主要特征是原子排列的混乱和随机性，强调结构的无序性，而把短程有序看作是无规堆积时附带产生的结果。

3.溅射法是在真空中，通过在电场中加速的氩离子轰击阴极（合金材料制成），使被激发的物质脱离母材而沉积在用液氮冷却的基板表面上形成非晶态薄膜。

4.将液体金属或合金急冷获得非晶态的方法统称为液体急冷法。

二.填空

5.非晶态在结构上与液体相似，原子排列是（短程有序）的。

6.非晶态合金俗称“（金属玻璃）”。

以极高速度使熔融状态的合金冷却，凝固后的合金结构呈（玻璃态）。

7.非晶态结构的另一个基本特征是热力学的不稳定性，存在向晶态转化的趋势，即（原子趋于规则排列）。

8.通常在理论上把非晶态材料中原子的排列情况模型化，其模型归纳起来可分两大类。

一类是（不连续模型），如微晶模型，聚集团模型；另一类是（连续模）型，如连续无规网络模型，硬球无规密堆模型等。

9.拓扑无序模型认为非晶态结构的主要特征是原子排列的（混乱和随机性）。

10.拓扑无序模型有多种形式，主要有（无序密堆硬球）模型和（随机网络）模型。

11.金属玻璃在磁性材料方面的应用主要是作为变压器材料、（磁头材料）、磁屏蔽材料、（磁致伸缩材料）及磁泡材料等。

三.简答

1.列举非晶材料的制备方法

（1）真空蒸发法

（2）溅射法（3）化学气相沉积法（CVD）（4）液体急冷法

2.简述溅射法及此方法制备非晶态材料的优缺点。

溅射法是在真空中，通过在电场中加速的氩离子轰击阴极（合金材料制成），使被激发的物质脱离母材而沉积在用液氮冷却的基板表面上形成非晶态薄膜。

这种方法的优点是制得的薄膜较蒸发膜致密，与基扳的粘附性也较好。

缺点是由于真空度较低（1.33-0.133Pa），因此容易混入气体杂质,而且基体温度在溅射过程中可能升高,适于制备晶化温度较高的非晶态材料。

溅射法在非晶态半导体、非晶态磁性材料的制备中应用较多，近年发展的等离子溅射及磁控溅射，沉积速率大大提高，可制备厚膜。

3.简述非晶态的结构特点

非晶态在结构上与液体相似，原子排列是短程有序的；从总体结构上看是长程无序的，宏观上可将其看作均匀、各向同性的。

非晶态结构的另一个基本特征是热力学的不稳定性，存在向晶态转化的趋势，即原子趋于规则排列。

4.简述非晶态形成的判据

目前的判据主要有结构判据和动力学判据。

结构判据是根据原子的几何排列，原子间的键合状态，及原子尺寸等参数来预测玻璃态是否易于形成；动力学判据考虑冷却速度和结晶动力学之间的关系，即需要多高的冷却速度才能阻止形核及核长大。

四.论述

1.非晶态合金的主要特性及应用（表状或文字描述）

主要特征

实际应用