电磁感应综合测试题答案详解.docx

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电磁感应综合测试题答案详解

13.一正方形金属线框位于有界匀强磁场区域内,线框平面与磁场垂直,线框的右边紧贴着

磁场边界,如图甲所示。

t=0时刻对线框施加一水平向右的外力F,让线框从静止开始做匀加速直线运动穿过磁场。

外力F随时间t变化的图线如图乙所示。

已知线框质量m=1kg、电阻R=1Ω,求:

(1)匀强磁场的磁感应强度B;

(2)线框穿过磁场的过程中,通过线框的电荷量q。

14.(16分如图所示,光滑斜面的倾角θ=300,在斜面上放置一矩形线框abcd,ab边的边长为1m,bc边的边长为0.8m,线框的质量M=4kg,电阻为0.1Ω,线框通过细线绕过光滑的定滑轮与重物相连,滑轮的质量不计,重物的质量m=lkg,斜面上ef和曲线为斜面上有界匀强磁场的边界,与斜面的底边平行,ef和曲线的间距为1.8m,磁场方向垂直于斜面向上,B=0.5T,开始cd边离gh边的距离为2.25m,由静止释放,,线框恰好能匀速穿过ef边界,线框滑动过程中cd边始终与底边平行,求:

(设

斜面足够长,重物m不会与滑轮接触,g取10m/s2

(1线框cd边刚进入磁场时速度的大小.(2线框进入磁场过程中通过线框的电量.

(3线框进入磁场过程中在线框中产生的焦耳热.

15.(14分)如图所示,竖直平面内有一半径为r、内阻为R1、粗细均匀的光滑半圆形金属球,在M、N处与相距为2r、电阻不计的平行光滑金属轨道ME、NF相接,EF之间接有电阻R2,已知R1=12R,R2=4R。

在MN上方及CD下方有水平方向的匀强磁场I和II,磁感应强度大小均为B。

现有质量为m、电阻不计的导体棒ab,从半圆环的最高点A处由静止下落,在下落过程中导体棒始终保持水平,与半圆形金属环及轨道接触良好,高平行轨道中够长。

已知导体棒ab下落r/2时的速度大小为v1,下落到MN处的速度大小为v2。

(1)求导体棒ab从A下落r/2时的加速度大小。

(2)若导体棒ab进入磁场II

后棒中电流大小始终不变,求

××

××

××甲

1.0乙

0.51.5

磁场I和II之间的距离h和R2上的电功率P2。

(3)若将磁场II的CD边界略微下移,导体棒ab刚进入磁场II时速度大小为v3,要使其在外力F作用下做匀加速直线运动,加速度大小为a,求所加外力F随时间变化的关系式。

16.在如图所示,x轴上方有一匀强磁场,磁感应强度的方向垂直于纸面向里,大小为B,x

轴下方有一匀强电场,电场强度的大小为E,方向与y轴的夹角θ为450且斜向上方.现有一质量为m电量为q的正离子,以速度v0由y轴上的A点沿y轴正方向射入磁场,该离子在磁场中运动一段时间后从x轴上的C点进入电场区域,该离子经C点时的速度方向与x轴夹角为450.不计离子的重力,设磁场区域和电场区域足够大.求:

(1)C点的坐标;

(2)离子从A点出发到第三次穿越x轴时的运动时间;

(3)离子第四次穿越x轴时速度的大小及速度方向与电场方向的夹角.

13.【解析】

(1)线框从静止开始做匀加速直线运动,加速度21

1m/sFam

=

=线圈框的边长2

10.5m2

lat=

=离开磁场的瞬间,线圈的速度v=at=1m/s线框中的感应电流Blv

IR

=

线框所受的安培力F安=BIl

由牛顿第二定律F2-F安=ma又F2=3N联立求得B=2.83T

(2)线框穿过磁场的过程中,平均感应电动势2

0.71VBlEt

==

平均电流0.71AE

IR

=

=所以,通过线框的电荷量0.71CqIt==

14.【解析】⑴设M下落的高度30sin25.21⨯=hm。

m的上升高度25.22=hm,由机械能守恒,221(2

1

vMmmghMgh+=

-线框刚进入磁场时的速度为:

3=vm/s

⑵线框进入磁场的过程中产生的感应电流的平均值为I,磁通量的变化量为ϕ∆,变化

时间为t∆,感应电动势为E,通过线框的电荷量为Q,则有:

tIQ∆=REI=

t

E∆∆=ϕ由以上三式得Q=4C

⑶当线框匀速穿过ef边界时,设速度为是v1,由平衡知

0sin=--BILmgMgα

R

BLvI1

=

由以上两式得1v=4m/s

设线框完全进入磁场时的速度为v2,下滑高度为H,中午上升的高度为h,则:

2221(2

1(21vMmvMmmghMgh+-+=

-解得v2=2m/s

从线框开始进入磁场到完全进入磁场的过程中,下滑高度为H1,重物上省的高度h3,此过

程线框中产生的焦耳热为Q',由功能关系

QmghMgHvMmvMm'--=+-+31222(2

1(21解得Q'=0.5J

15.【解析】

(1)以导体棒为研究对象,棒在磁场I中切割磁感线,棒中产生产生感应电动势,导体棒ab从A下落r/2时,导体棒在策略与安培力作用下做加速运动,由牛顿第二定律,得

mg-BIL=ma,式中l

1Blv

IR=

式中844844RRRRRRR⨯总(+)=+(+)=4R

由以上各式可得到221

34BrvagmR

=-

(2)当导体棒ab通过磁场II时,若安培力恰好等于重力,棒中电流大小始终不变,即

222422tt

BrvBrvmgBIrBrRR⨯⨯=⨯=⨯⨯=

并并

式中1243124RRRRRR⨯并==+解得

22

22

344tmgRmgR

vBrBr=

=

导体棒从MN到CD做加速度为g的匀加速直线运动,有22

22tvvgh-=得2

222

449322vmgrhBrg

=-

此时导体棒重力的功率为2222

34GtmgR

PmgvBr==

根据能量守恒定律,此时导体棒重力的功率全部转化为电路中的电功率,即

12GPPPP=+=电=222234mgRBr所以,234GPP==2222

916mgR

Br

(3)设导体棒ab进入磁场II后经过时间t的速度大小为tv',此时安培力大小为

2243tBrvFR

'

'=

由于导体棒ab做匀加速直线运动,有3tvvat'=+

根据牛顿第二定律,有F+mg-F′=ma即2234(

3BrvatFmgmaR

++-

=

由以上各式解得22222233444((333BrvBrBra

FatvmgatmamgRRR

=

+--=++-16.【解析】

(1)磁场中带电粒子在洛仑兹力作用下做圆周运动,故有

r

vmqvB2

=,①

同时有qB

m

vrTππ22=

=②

粒子运动轨迹如图所示,由几何知识知,

xC=-(r+rcos450)=qB

mv

222(+-

,③

故,C点坐标为(qB

mv

222(+-

,0)

(2)设粒子从A到C的时间为t1,设粒子从A到C的时间为t1,由题意知

qB

mTtπ45851==⑤

设粒子从进入电场到返回C的时间为t2,其在电场中做匀变速运动,由牛顿第二定律和运动学知识,有

maqE=⑥

及202atv=,⑦联立⑥⑦解得qE

mvt0

22=

设粒子再次进入磁场后在磁场中运动的时间为t3,由题意知1pm⑨t3=T=42qB故而,设粒子从A点到第三次穿越x轴的时间为t=t1+t2+t3=7pm2mv0+4qBqE(3)粒子从第三次过x轴到第四次过x轴的过程是在电场中做类似平抛的运动,即沿着v0的方向(设为x′轴)做匀速运动,即x¢=v0t……①vx¢=v0……②沿着qE的方向(设为y′轴)做初速为0的匀变速运动,即1qE2t……③,2mqEvy¢=t……④;my¢=设离子第四次穿越x轴时速度的大小为v,速度方向与电场方向的夹角为α.由图中几何关系知y¢=cos450……⑤,x¢22v=v0+vy¢……⑥,tana=v0vy¢……⑦综合上述①②③④⑤⑥⑦得v=5v0a=arctan12

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